Продукція > AUI

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AUIRF3805L-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-7
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805SInfineon / IRMOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7PInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 240A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7PInfineon TechnologiesMOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.10 грн
10+435.85 грн
3000+321.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7820 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7TRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 240A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7TRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 240A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7TRLInfineon TechnologiesMOSFETs Auto 55V N-Ch FET 2.0mOhm 240A
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.24 грн
10+375.51 грн
25+308.58 грн
100+234.03 грн
250+227.12 грн
500+216.77 грн
800+189.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7TRRInfineon / IRMOSFET Auto 55V N-Ch FET 2.0mOhm 240A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805STRLInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805STRLInfineon
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7960 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3808International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+150.37 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3808Infineon TechnologiesMOSFETs AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.39 грн
10+246.11 грн
25+201.58 грн
100+172.59 грн
250+162.92 грн
500+153.26 грн
1000+131.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3808SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3808SInfineon TechnologiesMOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3808STRLInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 75V 140A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3808STRLInfineon / IRMOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3808STRRInfineon / IRMOSFET AUTO 75V 1 N-CH HEXFET 7mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104Infineon / IRMOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 5.5mOhms
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.29 грн
10+197.68 грн
100+138.07 грн
500+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104SROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF4104S - AUIRF4104 - 20V-40V N-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+127.25 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104SInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104SInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+111.55 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104STRLINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104STRLInternational RectifierDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+388.12 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104STRLInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 1.4mOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 74A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - AUIRF4905 - AUIRF4905 20V-150V P-CHANNEL AUTOMOTIVE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905INFINEONDescription: INFINEON - AUIRF4905 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.84 грн
10+414.78 грн
100+340.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905Infineon TechnologiesMOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 20mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905LInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 74A TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905LInternational RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+172.99 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905LInfineon TechnologiesDescription: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+172.99 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905SInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+502.03 грн
34+425.25 грн
50+323.66 грн
100+310.96 грн
200+271.05 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905SInternational RectifierMOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]; Тип: P; Uси: 55 В; Iс(25°C): 74 А; Rси(вкл): 20 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905SInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905SInfineon TechnologiesMOSFETs Automotive MOSFET 75A 120nC D2Pak
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.45 грн
10+315.97 грн
100+252.66 грн
500+231.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905S
Код товару: 175739
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905SInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905SInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 70A Automotive AUIRF4905S International Rectifier TAUIRF4905s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+374.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.15 грн
50+302.92 грн
100+278.31 грн
500+220.76 грн
1000+209.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905SINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF4905S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 70 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.11 грн
10+346.32 грн
100+314.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 19950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
500+335.48 грн
1000+306.41 грн
10000+266.84 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 14463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+401.89 грн
100+331.02 грн
500+278.96 грн
1000+244.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesMOSFETs Automotive MOSFET P 75A 120nC D2Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRL
Код товару: 178037
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+360.14 грн
42+344.67 грн
50+331.53 грн
100+308.85 грн
250+277.30 грн
500+258.97 грн
1000+252.63 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 54248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+373.28 грн
100+354.38 грн
500+335.48 грн
1000+306.41 грн
10000+266.84 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF4905STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 42 A, 0.02 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 14463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+517.87 грн
10+401.89 грн
100+331.02 грн
500+278.96 грн
1000+244.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+549.65 грн
32+449.26 грн
35+414.13 грн
100+378.69 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+373.28 грн
50+331.70 грн
100+310.90 грн
200+283.40 грн
500+243.84 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905XKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210SInfineon TechnologiesMOSFET Automotive MOSFET P 38A 150nC D2Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+384.17 грн
50+356.79 грн
100+305.13 грн
250+277.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesMOSFET Automotive MOSFET P 38A 150nC D2Pak
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.27 грн
10+387.42 грн
25+319.63 грн
100+280.28 грн
250+271.99 грн
500+263.02 грн
800+222.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF5210STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.79 грн
10+384.17 грн
50+356.79 грн
100+305.13 грн
250+277.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF5210STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+518.57 грн
33+439.42 грн
50+334.29 грн
100+321.22 грн
200+280.55 грн
500+236.92 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540ZINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF540Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.96 грн
10+142.56 грн
100+122.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540ZInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.69 грн
10+256.43 грн
500+171.89 грн
1000+163.61 грн
2000+158.78 грн
5000+153.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540ZSTRLInfineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540ZSTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540ZSTRLInfineon TechnologiesMOSFETs AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 26.5mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540ZXKMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540ZXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215INFINEONDescription: INFINEON - AUIRF6215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.43 грн
10+244.84 грн
100+184.44 грн
500+144.34 грн
1000+126.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215Infineon TechnologiesMOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms
на замовлення 273 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
2+275.45 грн
10+233.40 грн
25+187.77 грн
100+164.99 грн
250+154.64 грн
500+144.28 грн
1000+129.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215SInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET 150V, 295mOhm, D2Pak
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+346.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 13A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRLINFINEONDescription: INFINEON - AUIRF6215STRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.29 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.29ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRLInfineon TechnologiesMOSFET Automotive MOSFET 150V, 295mOhm, D2Pak
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.58 грн
10+254.84 грн
25+204.34 грн
100+180.18 грн
250+173.28 грн
500+162.92 грн
800+140.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6215STRRInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET 150V, 295mOhm, D2Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6218SInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6218SInfineon TechnologiesMOSFET Automotive MOSFET 27A, 71 nC, D2Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6218SInternational RectifierDescription: AUIRF6218 - 20V-150V P-CHANNEL A
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6218SInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 150V 27A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6218S-IRInternational RectifierDescription: PFET, 27A I(D), 150V, 0.15OHM, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6218STRLInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET 27A, 71 nC, D2Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6218STRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF6218STRRInfineon / IRMOSFET Automotive MOSFET 27A, 71 nC, D2Pak
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QInfineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]