Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB055N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 94 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.80 грн
10+115.17 грн
100+79.01 грн
500+55.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.07 грн
10+109.34 грн
100+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB056N06NInfineon TechnologiesMOSFET 60V TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.27 грн
10+100.82 грн
100+61.16 грн
500+51.50 грн
1000+42.94 грн
2000+39.63 грн
5000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06N
Код товару: 176082
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.86 грн
10+109.53 грн
50+91.82 грн
200+68.28 грн
500+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.10 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.47 грн
2000+64.73 грн
3000+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+183.00 грн
111+128.34 грн
155+91.68 грн
500+71.88 грн
1000+58.55 грн
2000+55.61 грн
3000+55.06 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 45A D2PAK-2
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.53 грн
10+89.71 грн
100+54.74 грн
500+48.53 грн
1000+42.46 грн
2000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
10+90.79 грн
100+61.64 грн
500+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.24 грн
10+148.82 грн
25+137.73 грн
100+113.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB057N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 5700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.82 грн
200+68.28 грн
500+57.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.74 грн
10+127.46 грн
100+91.05 грн
500+71.38 грн
1000+58.14 грн
2000+55.23 грн
3000+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.82 грн
103+137.73 грн
121+118.04 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.47 грн
2000+64.73 грн
3000+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06NInfineonMOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.47 грн
500+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.00 грн
10+141.80 грн
100+98.63 грн
500+79.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 112µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 52A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.75 грн
10+169.94 грн
100+130.47 грн
500+102.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.18 грн
10+150.84 грн
100+100.10 грн
500+84.91 грн
1000+71.11 грн
2000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05CN10NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05CN10NGXTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+198.66 грн
10+195.51 грн
25+192.35 грн
50+182.55 грн
100+166.22 грн
250+156.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03INFINEONTO-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+43.87 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAGinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-KANAL POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LATInfineon TechnologiesMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LATInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LBinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3209 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LBInfineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LB GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LB GINFTO-263
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N03LE3045AINFINEON03+ TO-263
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N06Linfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB05N06LGinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+190.88 грн
500+142.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.33 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB060N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+398.67 грн
10+265.78 грн
100+190.88 грн
500+142.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.21 грн
10+246.80 грн
100+176.39 грн
500+144.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB060N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+367.26 грн
10+241.34 грн
100+150.49 грн
500+144.28 грн
1000+134.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N03L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N03L GINFTO-263
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N03LGINF08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N03LGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.31 грн
25+37.70 грн
50+35.75 грн
100+32.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+59.96 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N06L GINFTO-263
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N06L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N06LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N06LGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.59 грн
10+124.89 грн
100+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N10N3GUMWDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.59 грн
10+236.58 грн
100+165.68 грн
500+136.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+324.99 грн
10+280.74 грн
25+261.25 грн
100+218.27 грн
250+149.47 грн
500+142.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3 GInfineon
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+667.45 грн
25+638.77 грн
50+614.44 грн
100+572.39 грн
250+513.92 грн
500+479.94 грн
1000+468.20 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+376.93 грн
10+301.68 грн
100+229.19 грн
500+214.01 грн
1000+181.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GInfineon technologies
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+415.80 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
на замовлення 3501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.62 грн
10+313.88 грн
100+227.53 грн
500+195.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.24 грн
10+239.27 грн
25+236.91 грн
100+224.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+255.24 грн
60+236.91 грн
100+224.17 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+177.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.55 грн
10+316.76 грн
100+200.89 грн
500+193.30 грн
1000+180.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.46 грн
10+270.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+277.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+277.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.44 грн
10+126.23 грн
100+82.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
на замовлення 5287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.14 грн
10+138.13 грн
100+100.24 грн
500+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.16 грн
10+375.36 грн
100+275.40 грн
500+254.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+456.66 грн
50+371.69 грн
100+294.09 грн
250+287.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+229.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+637.88 грн
10+429.50 грн
100+307.89 грн
500+274.07 грн
1000+256.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB068N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 134 A, 6300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+635.46 грн
5+546.06 грн
10+456.66 грн
50+371.69 грн
100+294.09 грн
250+287.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB068N20NM6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 200V; 134A; Idm: 536A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 134A
Pulsed drain current: 536A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06CN10N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06CN10NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB06CNE8NGinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 20 24 28 32 36 40 41  [ Наступна Сторінка >> ]