Продукція > IPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.20 грн
10+136.25 грн
25+123.33 грн
100+112.38 грн
250+103.05 грн
500+96.98 грн
1000+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+155.20 грн
104+136.25 грн
115+123.33 грн
122+112.38 грн
250+103.05 грн
500+96.98 грн
1000+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
на замовлення 2587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+300.09 грн
69+206.99 грн
87+163.30 грн
100+143.42 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 160A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+220.40 грн
50+169.49 грн
100+153.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GE8197ATMA1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LAINF07+;
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LA GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LAGinfineonto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LAGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+102.37 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LBinfineon07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LBInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB03N03LBGInfineon TechnologiesDescription: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+111.98 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SInfineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
на замовлення 38373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
10000+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.04 грн
500+143.79 грн
1000+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB0401NM5SATMA1 - TRENCH GREATER THAN EQUAL TO100V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: To Be Advised
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesTRENCH >=100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.93 грн
10+167.56 грн
100+117.57 грн
500+98.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB0401NM5SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
10+104.99 грн
50+79.69 грн
100+67.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 107A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+59.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 107 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 107A; 150W; D2PAK,TO263
Transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 150W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 107A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Case: D2PAK; TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.21 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB040N08NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
344+102.96 грн
500+92.67 грн
1000+85.46 грн
10000+73.47 грн
Мінімальне замовлення: 344 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB041N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB041N04N GINFTO-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB041N04NGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N03L GINFTO-263
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N03LGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N03LGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.37 грн
100+142.71 грн
103+137.87 грн
250+128.91 грн
500+116.11 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+213.16 грн
69+205.04 грн
100+198.08 грн
250+185.22 грн
500+166.83 грн
1000+156.24 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 GInfineon
на замовлення 167000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3 G E8187Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 4175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1
Код товару: 117738
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.32 грн
3000+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 17603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.50 грн
10+149.07 грн
50+114.61 грн
100+97.13 грн
500+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.51 грн
10+164.06 грн
50+157.45 грн
100+117.79 грн
500+89.17 грн
1000+83.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.66 грн
10+122.44 грн
20+108.19 грн
50+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.32 грн
3000+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
на замовлення 17603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.75 грн
3000+69.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+244.94 грн
87+164.34 грн
90+157.72 грн
116+117.99 грн
500+89.32 грн
1000+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 31000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GE8187ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GE8187ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GE818XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesIPB042N10NF2SATMA1
на замовлення 898400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.83 грн
500+117.75 грн
1000+108.58 грн
10000+93.36 грн
100000+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesIPB042N10NF2SATMA1
на замовлення 459200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+130.83 грн
500+117.75 грн
1000+108.58 грн
10000+93.36 грн
100000+72.43 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SInfineon Technologies IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.37 грн
10+142.36 грн
25+140.93 грн
50+123.11 грн
100+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.79 грн
10+88.17 грн
25+87.27 грн
50+80.80 грн
100+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+207.73 грн
100+142.59 грн
101+141.17 грн
111+123.32 грн
203+62.46 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 135A; 167W; D2PAK-3
Transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.35mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 135A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.95 грн
10+121.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.96 грн
165+86.09 грн
172+82.65 грн
240+56.95 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB043N10NF2SATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+400.83 грн
10+387.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+201.88 грн
3000+187.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 4400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+252.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+199.13 грн
3000+185.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 123A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+216.67 грн
3000+208.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 20 24 28 32 36 40 44 47  [ Наступна Сторінка >> ]