Продукція > MSD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MSD42T1GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.15A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
6000+4.67 грн
9000+4.42 грн
15000+3.87 грн
21000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42T1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.15A 450mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42T1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS XSTR HV 300V TR
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1onsemiBipolar Transistors - BJT 150mA 300V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1onsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1/1D
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.15A 450mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 150mA 300V NPN
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
23+13.13 грн
100+6.42 грн
500+5.02 грн
1000+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 300V 0.15A 450mW 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MSD42WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 150 mA, 450 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1GDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD42WT1GonsemiDescription: TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD430F112IDWTexas0621++ ;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD4410CFairchild SemiconductorDescription: LED 7-SEG 2DIG CA GREEN RHDP .4"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD4410C
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD4440CFairchild SemiconductorDescription: LED 7-SEG 2DIG CC GREEN RHDP .4"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD4910CFairchild SemiconductorDescription: LED 7-SEG 2DIGIT CA RED RHDP .4"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD4940CFairchild SemiconductorDescription: LED 7-SEG 2DIGIT CC RED RHDP .4"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD4CEB13C
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD4CEB13C(I)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD50-08Microsemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 50A MSD
Packaging: Bulk
Package / Case: M1
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: MSD
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD50-08MicrosemiBridge Rectifiers Power Module - Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD50-1000ST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD50-12MicrosemiBridge Rectifiers Power Module - Diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD50-12Microsemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50A MSD
Packaging: Bulk
Package / Case: M1
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: MSD
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD50-1200ST
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD50-16Microsemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 50A MSD
Packaging: Bulk
Package / Case: M1
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: MSD
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.6 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD50-18Microsemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 1.8KV 50A
Packaging: Bulk
Package / Case: M1
Mounting Type: QC Terminal
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.8 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD50-18MicrosemiBridge Rectifiers Power Module - Diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD5012-LFMSTAR0950+
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD52-08Microsemi CorporationDescription: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 50A SM2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD52-12MicrosemiDIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM2 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD52-12Microsemi Power Products GroupDescription: DIODE BRIDGE 3PH 1200V 50A SM2
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD52-12MicrosemiBridge Rectifiers Power Module - Diode
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD52-16Microchip TechnologyBridge Rectifiers Power Module - Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD52-16Microsemi Power Products GroupDescription: DIODE BRIDGE 1600V 50A SM2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD52-18Microsemi Power Products GroupDescription: MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD6-001GS(P01SEIHagiwara SolutionsDescription: microSD, I-Temp, SLC, 1GB
Packaging: Bulk
Memory Size: 1GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2991.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSD6-002GS(P01SEIHagiwara SolutionsDescription: microSD, I-Temp, SLC, 2GB
Packaging: Bulk
Memory Size: 2GB
Memory Type: microSD™
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Technology: SLC
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5029.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601ON5 SMD
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RST1G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 21580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 30580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MSD601-RT1 - TRANS NPN 50V 0.1A SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1 SOT23-YRON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1/YR
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.60 грн
6000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
100000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MSD601-RT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 16447 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
на замовлення 12486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 106046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
38+8.15 грн
100+5.03 грн
500+3.44 грн
1000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1GSOT23-YRPB-FREEON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1RF2323TR7ON
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1SOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT1SOT23-YRON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT2onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-RT2ON SemiconductorMSD601-RT2
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1
Код товару: 121223
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1(YS)
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 1026000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5465+6.47 грн
10000+5.76 грн
100000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 5465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1158000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 5323 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1GONSEMIDescription: ONSEMI - MSD601-ST1G - MSD601-ST1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1158000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5465+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 5465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5465+6.47 грн
10000+5.76 грн
100000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 5465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-ST1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-T1YR
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601-TR1(YR)
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD601R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1onsemiDescription: TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 11539 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MSD602-RT1 - TRANS NPN 50V 0.5A SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1(WR*)
на замовлення 16656 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1/2SD602
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1/2SD602-RONSOT-23 05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1/WR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1GToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
42+7.25 грн
100+4.45 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSD602-RT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
на замовлення 14785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.