Продукція > NTH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTHL032N065M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+636.84 грн
10+420.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1036.81 грн
30+806.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFonsemiMOSFETs Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+922.99 грн
10+552.55 грн
120+454.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.41 грн
10+719.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+823.92 грн
10+587.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 172737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.28 грн
30+452.44 грн
120+385.30 грн
510+315.46 грн
1020+315.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SOn SemiconductorN-Channel 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120M3SAptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+719.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1743.52 грн
10+1659.42 грн
30+1217.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 11101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1547.05 грн
30+943.64 грн
120+824.21 грн
510+756.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1333.74 грн
10+1013.80 грн
120+860.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1743.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1559.25 грн
5+1339.38 грн
10+1118.70 грн
50+1017.85 грн
100+920.22 грн
250+901.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 40mΩ
Technology: SuperFET®
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1244.34 грн
10+779.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1195.24 грн
30+716.78 грн
120+631.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+1265.12 грн
100+1213.14 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1194.46 грн
10+818.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.33 грн
5+806.20 грн
10+756.27 грн
50+631.95 грн
100+571.60 грн
250+559.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+1265.12 грн
100+1213.14 грн
500+1162.35 грн
1000+1058.19 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 162.5A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL040N65S3HFonsemiMOSFETs FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1243.53 грн
10+866.93 грн
120+667.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5H
Код товару: 205327
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HonsemiDescription: NTHL041N60S5H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.28 грн
10+482.23 грн
30+442.34 грн
120+381.70 грн
270+367.40 грн
510+358.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+645.12 грн
5+563.78 грн
10+482.43 грн
50+433.02 грн
100+385.90 грн
250+372.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+688.67 грн
100+660.32 грн
500+633.15 грн
1000+576.37 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 108nC
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+587.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HonsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 57 A, 41 mohm, TO-247
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+682.17 грн
10+514.44 грн
30+414.89 грн
120+366.57 грн
270+365.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+660.37 грн
10+577.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL041N60S5HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+688.67 грн
100+660.32 грн
500+633.15 грн
1000+576.37 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+951.98 грн
10+632.73 грн
120+474.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.89 грн
10+756.94 грн
30+749.38 грн
60+715.33 грн
120+661.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.56 грн
10+605.70 грн
450+437.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1064.74 грн
5+930.23 грн
10+795.73 грн
50+705.24 грн
100+619.93 грн
250+588.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+756.94 грн
30+749.38 грн
60+741.82 грн
120+714.60 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.77 грн
30+627.36 грн
120+541.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 650V 50MOHM
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1100.98 грн
10+669.25 грн
120+579.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL050N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.21 грн
5+592.77 грн
10+557.34 грн
50+485.37 грн
100+417.66 грн
250+387.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+496.12 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+703.92 грн
10+500.15 грн
120+376.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+496.12 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.14 грн
30+468.47 грн
120+399.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N065SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+704.02 грн
100+675.68 грн
500+646.14 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+705.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+868.22 грн
100+832.78 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 23413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.47 грн
30+499.28 грн
120+447.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+618.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1Aptina ImagingTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+618.60 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.28 грн
5+794.93 грн
10+771.57 грн
50+524.26 грн
100+472.19 грн
250+459.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1onsemiSiC MOSFETs 60MOHM 900V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+916.54 грн
10+594.63 грн
120+458.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL061N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4156 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FONN
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+870.63 грн
10+518.41 грн
120+423.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.43 грн
30+485.84 грн
120+415.83 грн
510+373.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET HF VERSION 65MOHM TO-247
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+915.74 грн
10+547.79 грн
120+455.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+853.52 грн
30+496.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL065N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 337W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.89 грн
5+564.58 грн
10+549.28 грн
50+496.59 грн
100+445.27 грн
250+432.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+418.73 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.55 грн
5+443.77 грн
10+417.20 грн
50+379.92 грн
100+343.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+608.34 грн
100+583.54 грн
500+558.73 грн
1000+509.16 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON Semiconductor
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HonsemiMOSFETs SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+677.34 грн
10+413.62 грн
120+325.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.33 грн
30+387.99 грн
120+329.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+601.49 грн
10+518.14 грн
30+517.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SONN
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SonsemiSiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+601.63 грн
10+361.22 грн
120+264.40 грн
510+251.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+598.01 грн
30+335.99 грн
120+283.28 грн
510+229.62 грн
1020+220.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 22  [ Наступна Сторінка >> ]