Продукція > NVM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS5C410NWFET1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 300A Power dissipation: 83W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 920µΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 900A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFET1G | onsemi | Description: T6-40V N 0.92 MOHMS SL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFET1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A Automotive T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFET1G | onsemi | Description: T6-40V N 0.92 MOHMS SL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFET1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 300A, 0.92mohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFHT1G | onsemi | MOSFETs T6-D3F 40V NFET | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFHT1G | onsemi | Description: T6-D3F 40V NFET | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFHT1G | onsemi | Description: T6-D3F 40V NFET | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFT1G | onsemi | MOSFETs T6-D3F 40V NFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFT1G-M | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C410NWFT3G | onsemi | MOSFET T6-D3F 40V NFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NET1G | onsemi | MOSFETs T6 40V SG | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 277A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 146W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm | на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 277A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 146W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 146W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm | на замовлення 1132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V LL | на замовлення 8802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLWFT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLWFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 277A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 146W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLWFT1G | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, 40 V, 1.0 mohm, 272 A Wettable Flank Option | на замовлення 10243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLWFT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 277A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 146W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLWFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C420NLWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 277 A, 0.0008 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 277A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 146W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 146W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 800µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 45A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V SG | на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL, | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 268A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C420NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 268 A, 0.0009 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 268A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NWFET1G | onsemi | MOSFETs T6 40V SG | на замовлення 1297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NWFT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 268A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 34430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NWFT1G | onsemi | MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SO8FL, 40 V, 1.1 mohm, 268 A Wettable Flank Option | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NWFT1G | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 268A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C420NWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 43A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NL | onsemi | MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLAFT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL | на замовлення 729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET - Power, Single N-Channel Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLET1G | onsemi | Description: T6-40V N 2 MOHMS LL Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLET1G | onsemi | Description: T6-40V N 2 MOHMS LL Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLET1G | onsemi | MOSFETs T6-40V N 2 MOHMS LL | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6-40V N 2 MOHMS LL | на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 126A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 126A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFAFT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL | на замовлення 5281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFAFT3G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFET1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C423NLWFET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.002 ohm, WFDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 83W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFET1G | onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFHT1G | onsemi | MOSFETs T6 40V NCH LL IN SO8FL | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 126A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SO8FL 40V 126A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C423NLWFT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 31A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426N | onsemi | MOSFET T6-40V N 1.3 MOHMS SL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 235A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 128W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 51309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | onsemi | MOSFET T6-D3F 40V NFET | на замовлення 1500 шт: термін постачання 495-504 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 235A; Idm: 900A; 64W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 235A Power dissipation: 64W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 900A Gate charge: 65nC | на замовлення 1480 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C426NAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 235A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 128W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT1G-YE | onsemi | MOSFETs T6-D3F 40V NFET | на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NAFT3G | onsemi | MOSFET T6-D3F 40V NFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NET1G | onsemi | MOSFETs T6-D3F 40V NFET | на замовлення 1050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLT1G | onsemi | MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLWFT1G | onsemi | MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SIN | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLWFT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NLWFT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVMFS5C426NT1G | ON Semiconductor | MOSFET T6-D3F 40V NFET | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |