Продукція > MMB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7026+5.04 грн
10000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 7026 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+24.52 грн
54+14.08 грн
55+13.92 грн
100+8.91 грн
250+8.16 грн
500+6.52 грн
1000+5.63 грн
3000+4.70 грн
6000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+4.41 грн
6000+4.12 грн
9000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1638+8.64 грн
1656+8.54 грн
1859+7.61 грн
2219+6.15 грн
3000+4.83 грн
6000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 1638 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
6000+3.74 грн
9000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 350V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 30...200
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.5A
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.77 грн
33+13.00 грн
50+9.16 грн
100+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GOn SemiconductorTRANS PNP 350V 0.5A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3927+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 3927 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.23 грн
100+7.62 грн
500+5.27 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT1G
Код товару: 147958
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3onsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3(2Z1)
на замовлення 13037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520LT3GonsemiDescription: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6520XLT1
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1ON SemiconductorDescription: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 40V NPN
на замовлення 8998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
13+23.78 грн
100+14.81 грн
500+9.51 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100mA 40V NPN
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6521LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6543
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6543(3F)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589MOTO
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589LT1
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1ON02+ SOT-163
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1onsemiBipolar Transistors - BJT High Current Surface Mount PNP Switching Transistor for Load Management in Portable Applications
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 540 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6589T1GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 1A 6TSOP
Power - Max: 540 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: 6-TSOP
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 2959 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7000
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7001K-AQDiotec SemiconductorN-Channel Enhancement Mode FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7001K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7001K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, SOT-23, N, 60V, 0.3A, 3,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7001K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, SOT-23, N, 60V, 0.3A, 3,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002HuixinDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002HuixinDescription: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002-MLMOSLEADERDescription: 0.2W 60V 0.12A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.83 грн
1000+2.48 грн
3000+1.91 грн
6000+1.73 грн
9000+1.68 грн
15000+1.60 грн
30000+1.47 грн
75000+1.34 грн
150000+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDiotec SemiconductorN-Channel Enhancement Mode FET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002CK-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 2A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.1nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.115A, 150C, N
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.115A; Idm: 0.8A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.115A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
53+8.05 грн
65+6.47 грн
100+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.89 грн
50+7.08 грн
100+5.78 грн
500+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.115A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002DWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3817+3.71 грн
4374+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3817 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.03 грн
76+5.54 грн
113+3.74 грн
133+3.17 грн
500+2.28 грн
1000+2.05 грн
3000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+12.26 грн
94+8.10 грн
122+6.22 грн
153+4.78 грн
500+2.86 грн
3000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 8860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, N, 0.
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+16.71 грн
1500+8.12 грн
3000+4.17 грн
6000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KHuixinDescription: MOSFETS60V340MASOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTECTransistor: N-MOSFET; unipolarny; 60V; 0,3A; 0,35W; N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate MMBT7002K DIOTEC TMMBT7002k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
6000+4.82 грн
9000+4.81 грн
27000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 8860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 2852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KHuixinDescription: MOSFETS60V340MASOT-23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
64+4.79 грн
100+3.90 грн
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-23, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 13415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.8A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
67+6.29 грн
97+4.36 грн
114+3.71 грн
500+2.60 грн
1000+2.27 грн
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002K-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002K-QDiotec SemiconductorMOSFET Field Effect Transistor (MOSFETs), SOT-23, 60V, 0.3A, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.44nC
Version: ESD
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
40+10.73 грн
100+6.61 грн
500+4.60 грн
1000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorSMD MOSFET
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 790 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, SOT-363, N+N, 60V, 0.3A,
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+20.02 грн
1500+9.77 грн
3000+5.07 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDWDiotec SemiconductorSMD MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 7273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorMMBT7002KDW-AQ
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+8.83 грн
1799+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 1601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW-AQ - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.44nC
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
55+7.63 грн
67+6.34 грн
100+5.82 грн
500+4.64 грн
1000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KDW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT-323 N 60V 0.3A 1.6 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KW-AQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorMOSFET, SOT-323, 60V, 0.3A, N, 0.25W Automotive AEC-Q101
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KW-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.3W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.35 грн
48+8.89 грн
70+6.06 грн
100+5.04 грн
500+3.53 грн
1000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, SOT-323, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET SOT-323 N 60V 0.3A 1.6 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.21 грн
50+6.60 грн
100+5.38 грн
500+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT7002KW-AQDiotec SemiconductorMOSFET, SOT-323, 60V, 0.3A, N, 0.25W Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 108 126 144 162 180  [ Наступна Сторінка >> ]