Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF9533 | Harris Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V | на замовлення 11834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9533 | HARRIS | IRF9533 | на замовлення 11434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9536 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| IRF9540 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540 | Fairchild Semiconductor | IRF9540 | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540 | Siliconix | P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540 | Fairchild Semiconductor | Description: IRF9540 - 19A, 100V, 0.2OHM, P-C Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540 | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540 | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRF9540 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540 | Siliconix | P-MOSFET 19A 100V 150W 200mOhm; IRF9540; IRF9540; IRF9540-BE3; IRF9540 TIRF9540 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 169 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540L | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540N | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540N | JSMSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF9540; IRF9540N; SP001560174; IRF9540N JSMICRO TIRF9540n JSM кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540N | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540N | Infineon | P-MOSFET 23A 100V 140W 0.12Ω Replacement: IRF9540 IRF9540N IRF9540N TIRF9540n кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 195 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10378 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NL | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NL Код товару: 15210
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-262 Монтаж: THT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NL | International Rectifier | P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9540NLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 119 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 23 А, Ptot, Вт = 140, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 97 @ 10 В, Rds = 117 мОм @ 11 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 24 кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 64.7nC On-state resistance: 0.117Ω Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 3106 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 12381 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 100V 23A TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 29748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 14415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 29744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF Код товару: 31944
3
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 23 A Rds(on),Om: 0,117 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97 Монтаж: THT | у наявності: 644 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC | на замовлення 3727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9540NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm | на замовлення 39976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 16669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NPBF 60K | IR | TO-220 2010+ | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NS | IR | TO-263 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF Код товару: 62471
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D2Pak Uds,V: 100 V Id,A: 23 A Rds(on),Om: 117 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1450/73 Монтаж: SMD | у наявності: 80 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF | Vishay | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRL | International Rectifier | P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRL | Infineon | P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRL | Infineon | P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 17914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -100V -23A 117mOhm 64.7nC | на замовлення 11993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm | на замовлення 4508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | International Rectifier | D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRF9540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 23 A, 0.117 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm | на замовлення 4508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 3.8W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -23A Power dissipation: 3.8W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 88000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRLPBF Код товару: 188176
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRRPBF | International Rectifier HiRel Products | IRF9540NSTRRPBF | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 117mOhms 64.7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540NSTRRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF Код товару: 150143
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Siliconix | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61 Монтаж: THT | у наявності: 5 шт
|
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | VISHAY | Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube | на замовлення 648 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=100V, Id=19A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.20 R, P=150W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-220 Очікується: 60 Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF Код товару: 22645
1
Додати до обраних
Обраний товар
| FS | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Id,A: 19 A Rds(on),Om: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/61 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9540PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm | на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF-BE3 | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9540PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 19A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF-BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 3008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 100V 19A P-CH MOSFET | на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540S | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540S | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF9 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFETs TO263 100V 19A P-CH MOSFET | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | VISHAY | Description: VISHAY - IRF9540SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 19 A, 0.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube | на замовлення 1963 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| IRF9540SPBF | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 19 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1400, Qg, нКл = 61, Rds = 200 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 150, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |

