НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
A2G-40-500WIKAA2G-40-500 Pressure Transducers
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3698.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2G-41 30...300PAWIKAA2G-41-30-300 Pressure Transducers
на замовлення 41 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1321.71 грн
3+1249.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2G-41 30...300PA перетворювач
Код товару: 208826
Додати до обраних Обраний товар

Активні компоненти > Датчики
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G-41 50...500PAWIKAA2G-41-50-500 Pressure Transducers
на замовлення 137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1362.73 грн
3+1288.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2G-50-1000
Код товару: 148093
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G-50-2500WIKAA2G-50-1000 Pressure Transducers
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+18481.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S160-01SR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz
Power - Output: 32W
Gain: 19.6dB
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S160-01SR3NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET 125V 3-Pin NI-400S-240 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S160-01SR3NXP / FreescaleRF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 32 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S190-01SR3NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET 125V T/R
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7915.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S190-01SR3NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET 125V T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S190-01SR3NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S190-01SR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S251-01SR3NXP SemiconductorsRF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 48 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S251-01SR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 2.2GHz
Power - Output: 52dBm
Gain: 17.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G22S251-01SR3NXP SemiconductorsTrans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G26H280-04SR3NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G26H280-04SR3NXP SemiconductorsRF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G26H280-04SR3NXP / FreescaleRF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G26H281-04SR3NXP SemiconductorsRF JFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G26H281-04SR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 50W
Gain: 14.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S160-01SR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 190 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S160-01SR3NXP SemiconductorsTrans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S160-01SR3NXP SemiconductorsTrans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S160-01SR3NXP / FreescaleRF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3800 MHz, 32 W AVG., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S160-01SR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V NI400
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 51dBm
Gain: 15.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 190 mA
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13008.50 грн
10+10618.35 грн
25+10141.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S200-01SR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 180W
Gain: 16.1dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 291 mA
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12402.41 грн
10+10138.18 грн
25+9687.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S200-01SR3NXP SemiconductorsTrans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S200-01SR3NXP SemiconductorsTrans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8574.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S200-01SR3NXP SemiconductorsRF Amplifier Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 40 W AVG., 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S200-01SR3NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-400S-2S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Power - Output: 180W
Gain: 16.1dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: NI-400S-2S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 291 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2G35S200-01SR3NXP SemiconductorsTrans RF FET 125V 3-Pin NI-400S-2S T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
A2GS-2401PIAllied Components InternationalDescription: 2.5 GIGABIT SINGLE PORT POE+ LAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 350µH
Size / Dimension: 0.717" L x 0.478" W (18.20mm x 12.15mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 2.5G Base-T, Power over Ethernet (PoE)
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1CT
Height - Seated (Max): 0.256" (6.50mm)
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+567.13 грн
5+508.27 грн
10+488.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2GS-2401PPIAllied Components InternationalDescription: 2.5G SINGLE PORT POE++
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 140µH
Size / Dimension: 0.717" L x 0.478" W (18.20mm x 12.15mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 2.5G Base-T, Power over Ethernet (PoE)
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:1CT
Height - Seated (Max): 0.256" (6.50mm)
Part Status: Active
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.28 грн
5+495.77 грн
10+476.76 грн
15+428.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2GS-2403Allied Components InternationalDescription: 2.5G BASE-T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 150µH
Size / Dimension: 0.701" L x 0.492" W (17.80mm x 12.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Transformer Type: LAN 2.5G Base-T
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:1CT
Height - Seated (Max): 0.248" (6.30mm)
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.28 грн
5+495.77 грн
10+457.66 грн
15+411.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2GS-2406Allied Components InternationalDescription: 2.5G BASE-T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 150µH
Size / Dimension: 0.606" L x 0.291" W (15.40mm x 7.40mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Transformer Type: LAN 2.5G Base-T
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:1CT
Height - Seated (Max): 0.167" (4.25mm)
Part Status: Active
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.18 грн
5+476.76 грн
10+456.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2GS-2410PAllied Components InternationalDescription: 2.5 GIGABIT SINGLE PORT POE+ LAN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 160µH
Size / Dimension: 0.594" L x 0.394" W (15.10mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Transformer Type: LAN 2.5G Base-T, Power over Ethernet (PoE)
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1CT
Height - Seated (Max): 0.323" (8.20mm)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.36 грн
5+541.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2GS-4801IAllied Components InternationalDescription: 2.5G DUAL PORT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+613.02 грн
5+549.63 грн
10+528.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
A2GS-5002IAllied Components InternationalDescription: 2.5G 50 pin SMD LAN Filter Modul
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 180µH
Size / Dimension: 1.110" L x 0.305" W (28.20mm x 7.75mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 2.5G Base-T
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1:1CT
Height - Seated (Max): 0.350" (8.89mm)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+863.25 грн
5+789.09 грн
10+758.32 грн
15+686.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.