Продукція > AFT

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AFTTE Connectivity / Laird External AntennasAntennas WHIP,AB,1/4,SELECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFTLaird Connectivity Inc.Description: RF ANT 507MHZ WHIP STR NMO 24"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFTLaird ConnectivityAntennas WHIP,AB,1/4,SELECT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
Power - Output: 70W
Configuration: Dual
Frequency: 520MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 12.5 V
Voltage - Rated: 40 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 18.5dB
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2153.60 грн
10+1680.24 грн
25+1581.83 грн
100+1382.99 грн
250+1342.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075GNR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors MV9 75W 12.5V TO270WB4G
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2223.70 грн
10+1671.94 грн
100+1315.10 грн
500+1228.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 12.5 V
Voltage - Rated: 40 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 18.5dB
Power - Output: 70W
Configuration: Dual
Frequency: 520MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075NNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075N-54MNXP USA Inc.Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075N-54MNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors AFT05MP075N-54M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075NR1NXPDescription: NXP - AFT05MP075NR1 - HF-FET-Transistor, 40 V, 690 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
Verlustleistung: 690W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: AFT05MP075N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3569.52 грн
5+3190.99 грн
10+2811.64 грн
50+2532.29 грн
100+2164.22 грн
250+2120.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270AB
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Configuration: Dual
Power - Output: 70W
Gain: 18.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 400 mA
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3789.19 грн
10+3006.21 грн
25+2845.79 грн
100+2505.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors MV9 75W 12.5V TO270WB4
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5119.91 грн
10+4252.88 грн
100+3426.16 грн
500+3343.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075NR1NXP70W TO-270WB-4 MOSFETs ROHS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
Current - Test: 400 mA
Voltage - Test: 12.5 V
Voltage - Rated: 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 18.5dB
Power - Output: 70W
Configuration: Dual
Frequency: 520MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2632.27 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075NR1NXPDescription: NXP - AFT05MP075NR1 - HF-FET-Transistor, 40 V, 690 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270WB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Flanschklemme
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
Verlustleistung: 690W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: TO-270WB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: AFT05MP075N
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2811.64 грн
50+2532.29 грн
100+2164.22 грн
250+2120.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MP075NR1
Код товару: 183593
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS003NT1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor 1.8-941 MHz, 3 W, 7.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS003NT1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+250.89 грн
10+209.62 грн
25+207.64 грн
100+163.17 грн
250+149.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS003NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 3W
Gain: 20.8dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT-89A
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS003NT1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS003NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 3W
Gain: 20.8dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT-89A
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004-200MNXP USA Inc.Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004-200MNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors AFT05MS004-200M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+205.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXPCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 28W; SOT89; Pout: 4.9W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 28W
Case: SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 520MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 4.9W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 20.9dB
Efficiency: 74.9%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXPFET RF 30V 520MHZ PLD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+260.35 грн
67+213.48 грн
69+205.82 грн
100+187.44 грн
250+169.17 грн
500+155.03 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 4.9W
Gain: 20.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT-89A
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 5903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.62 грн
10+187.42 грн
25+172.10 грн
100+145.63 грн
250+138.05 грн
500+133.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXPDescription: NXP - AFT05MS004NT1 - HF-FET-Transistor, 7.5V/4W, getestet, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+769.15 грн
5+673.31 грн
10+558.14 грн
50+464.43 грн
100+395.57 грн
250+369.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1
Код товару: 183649
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.35 грн
10+213.48 грн
25+205.82 грн
100+187.44 грн
250+169.17 грн
500+155.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V SOT89A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 4.9W
Gain: 20.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: SOT-89A
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+143.56 грн
2000+134.95 грн
3000+133.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 30V 4-Pin(3+Tab) SOT-89A T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+205.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
на замовлення 24223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.70 грн
10+240.55 грн
25+183.63 грн
50+173.28 грн
100+163.61 грн
250+149.11 грн
500+137.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS004NT1NXPDescription: NXP - AFT05MS004NT1 - HF-FET-Transistor, 7.5V/4W, getestet, 30 VDC, 28 W, 136 MHz, 941 MHz, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+558.14 грн
50+464.43 грн
100+395.57 грн
250+369.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 6 W, 7.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1200.85 грн
10+948.70 грн
100+713.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXPDescription: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+1155.26 грн
100+1097.38 грн
500+1039.50 грн
1000+946.56 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+738.04 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 6W
Gain: 18.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXPDescription: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+1155.26 грн
100+1097.38 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+240.50 грн
60+237.95 грн
100+226.99 грн
250+207.98 грн
500+197.48 грн
1000+195.37 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXPRF MOSFET LDMOS 7.5V 100mA 520MHz 18.3dB 6W PLD-1.5W-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 6W
Gain: 18.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS006NT1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+903.58 грн
4+242.96 грн
10+240.50 грн
25+229.45 грн
100+210.18 грн
250+199.66 грн
500+197.48 грн
1000+195.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 31W
Gain: 17.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1585.55 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031GNR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1237.95 грн
14+1039.50 грн
15+982.80 грн
50+856.58 грн
100+739.97 грн
200+693.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-270BA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 520MHz
Power - Output: 31W
Gain: 17.7dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: TO-270-2 GULL
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 13.6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2350.87 грн
10+1838.86 грн
25+1732.66 грн
100+1516.53 грн
250+1476.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1486.76 грн
10+1198.78 грн
100+921.61 грн
500+920.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031GNR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 13.6 V
Voltage - Rated: 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270-2
Technology: LDMOS
Gain: 17.7dB
Power - Output: 31W
Frequency: 520MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+677.96 грн
1000+638.80 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1507.70 грн
10+1115.42 грн
100+865.00 грн
500+844.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1379.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031NR1NXPRF Mosfet LDMOS 13.6V 10mA 520MHz 17.7dB 31W TO-270-2 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1219.05 грн
14+1020.60 грн
15+963.90 грн
50+841.08 грн
100+734.06 грн
200+688.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 13.6V TO270-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 13.6 V
Voltage - Rated: 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270-2
Technology: LDMOS
Gain: 17.7dB
Power - Output: 31W
Frequency: 520MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AA
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1067.87 грн
10+811.74 грн
25+757.65 грн
100+655.27 грн
250+628.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT05MS031NR1NXP SemiconductorsTrans RF FET N-CH 40V 3-Pin TO-270 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1379.70 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09H310-03SR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230
Current - Test: 680 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 70 V
Supplier Device Package: NI-1230S
Technology: LDMOS
Gain: 17.9dB
Power - Output: 56W
Frequency: 920MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230S
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09H310-03SR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-1230S T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09H310-03SR6NXP / FreescaleRF MOSFET Transistors 900MHZ310W NI1230S-4S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09H310-04GSR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-1230S T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09H310-04GSR6NXP / FreescaleRF MOSFET Transistors 900MHZ 310W NI1230-4GS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09H310-04GSR6NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 70V 5-Pin NI-1230S T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+2720.09 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09H310-04GSR6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 28V NI1230
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gain: 17.9dB
Power - Output: 56W
Configuration: N-Channel
Frequency: 920MHz
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: NI-1230S-4 GW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 680 mA
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 70 V
Supplier Device Package: NI-1230S-4 GULL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055GNR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors MV9 55W 12.5V TO270WB4G
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055GNR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W GULL T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055GNR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
Current - Test: 550 mA
Voltage - Test: 12.5 V
Voltage - Rated: 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull
Technology: LDMOS
Gain: 15.7dB
Power - Output: 1W
Frequency: 870MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270BB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055GNR1NXPCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WBG-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WBG-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055NR1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
Current - Test: 550 mA
Voltage - Test: 12.5 V
Voltage - Rated: 40 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS
Gain: 15.7dB
Power - Output: 1W
Frequency: 870MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055NR1NXPCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 625W; TO270WB-4; Pout: 57W; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: RF
Power dissipation: 625W
Case: TO270WB-4
Kind of package: reel; tape
Frequency: 870MHz
Kind of channel: enhancement
Output power: 57W
Electrical mounting: SMT
Open-loop gain: 17.5dB
Efficiency: 69%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W T/R
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+3502.41 грн
100+3327.58 грн
500+3152.76 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055NR1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors MV9 55W 12.5V TO270WB4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055NR1NXP SemiconductorsDescription: RF MOSFET LDMOS 12.5V TO270-4
Package / Case: TO-270AB
Packaging: Bulk
Current - Test: 550 mA
Voltage - Test: 12.5 V
Voltage - Rated: 40 V
Supplier Device Package: TO-270 WB-4
Technology: LDMOS (Dual)
Gain: 15.7dB
Power - Output: 57W
Configuration: 2 N-Channel
Frequency: 764MHz ~ 941MHz
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+1570.97 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MP055NR1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 40V 5-Pin TO-270 W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NNXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1
Код товару: 107764
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+216.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXPDescription: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+591.97 грн
100+471.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+525.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXPDescription: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.53 грн
10+591.97 грн
100+471.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+215.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors LANDMOBILE 7W PLD1.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+858.96 грн
10+649.08 грн
25+604.49 грн
100+521.28 грн
250+499.36 грн
500+486.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS007NT1NXPFET RF 30V 870MHZ PLD1.5W Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS015NNXP Semiconductors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 16 W, 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS015NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS015NT1NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS015NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 16W
Gain: 17.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS015NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS015NT1NXP SemiconductorsTrans RF MOSFET N-CH 40V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AFT09MS015NT1NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 16W
Gain: 17.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 40 V
Voltage - Test: 12.5 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]