Продукція > BID

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BID-60D9PBellnixBID-60D9P
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1080.90 грн
25+1031.00 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BID000ZBalluffDescription: APPROVAL/CONFORMITY=CE, CULUS, T
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: BID R03K
Accessory Type: Actuator
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9583.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
на замовлення 9901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.12 грн
10+95.05 грн
100+64.37 грн
500+48.09 грн
1000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.80 грн
500+44.86 грн
1000+38.10 грн
5000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+169.02 грн
10+106.78 грн
100+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.59 грн
10+95.18 грн
100+59.80 грн
500+44.86 грн
1000+38.10 грн
5000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T-XBournsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3
Код товару: 189125
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BOURNSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 76nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+208.32 грн
200+170.92 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.97 грн
10+171.21 грн
100+139.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.00 грн
30+152.55 грн
120+125.89 грн
510+116.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230mW Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.73 грн
10+265.56 грн
25+252.79 грн
50+230.15 грн
100+200.25 грн
500+190.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BOURNSDescription: BOURNS - BIDNW30N60H3 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+256.80 грн
10+143.67 грн
100+115.83 грн
500+105.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60TBournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.78 грн
600+178.58 грн
1200+124.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/48ns
Switching Energy: 1mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW20N60T - IGBT, 40 A, 1.7 V, 192 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+236.15 грн
10+220.89 грн
100+205.62 грн
500+175.93 грн
1000+154.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 192mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60T-XBournsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW30N60T - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 60A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.23 грн
10+183.18 грн
100+151.75 грн
500+129.24 грн
1000+116.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+267.55 грн
10+243.38 грн
25+236.59 грн
50+225.87 грн
100+180.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+176.55 грн
150+173.18 грн
300+169.80 грн
600+161.29 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.22 грн
10+275.23 грн
100+193.70 грн
600+172.09 грн
1200+153.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.51 грн
30+165.51 грн
120+137.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+249.71 грн
56+227.16 грн
58+210.82 грн
100+168.20 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBOURNSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 230W; TO247
Type of transistor: IGBT
Case: TO247
Mounting: THT
Collector current: 60A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 230W
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Gate charge: 76nC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+230.76 грн
150+189.27 грн
300+185.93 грн
600+182.60 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T-XBournsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65ES5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.39 грн
30+237.63 грн
120+197.49 грн
510+157.74 грн
1020+152.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65ES5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+466.92 грн
10+261.42 грн
100+189.70 грн
600+177.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65ES5BOURNSDescription: BOURNS - BIDW40N65ES5 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.31 грн
10+219.09 грн
100+182.28 грн
500+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65H5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.78 грн
10+228.28 грн
100+161.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65H5BOURNSDescription: BOURNS - BIDW40N65H5 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+366.35 грн
10+201.13 грн
100+178.69 грн
500+145.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65H5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/116ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 0.52mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 111 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.39 грн
30+237.63 грн
120+197.49 грн
510+157.74 грн
1020+152.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.23 грн
30+254.05 грн
120+211.79 грн
510+169.69 грн
1020+165.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65TBournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.28 грн
10+228.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65TBournsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW50N65T - IGBT, 100 A, 1.65 V, 416 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Verlustleistung: 416
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+431.90 грн
10+392.39 грн
100+349.29 грн
500+307.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T-XBournsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/186ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), .90mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.67 грн
30+314.45 грн
120+264.13 грн
510+215.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 5811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.32 грн
10+300.08 грн
100+232.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65ES5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+602.32 грн
10+301.00 грн
100+232.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65ES5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns
Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 184 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.67 грн
30+314.45 грн
120+264.13 грн
510+215.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.