Продукція > BID

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BID-60D9PBellnixBID-60D9P
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1040.78 грн
25+992.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BID000ZBalluffDescription: APPROVAL/CONFORMITY=CE, CULUS, T
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: BID R03K
Accessory Type: Actuator
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8909.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.62 грн
100+62.03 грн
500+46.34 грн
1000+42.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.84 грн
500+37.52 грн
1000+33.13 грн
5000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
на замовлення 24259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.36 грн
10+91.57 грн
100+56.18 грн
500+45.76 грн
1000+42.34 грн
2500+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns
Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 82 W
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.66 грн
12+70.71 грн
100+50.84 грн
500+37.52 грн
1000+33.13 грн
5000+31.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDD05N60T-XBournsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3
Код товару: 189125
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.48 грн
25+175.43 грн
100+142.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N-3L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.88 грн
30+146.45 грн
120+120.86 грн
510+111.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230mW Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+240.11 грн
10+221.61 грн
25+210.96 грн
50+192.06 грн
100+167.11 грн
500+159.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BOURNSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+191.16 грн
200+156.58 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BIDNW30N60H3BOURNSDescription: BOURNS - BIDNW30N60H3 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.15 грн
10+156.94 грн
100+132.73 грн
500+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60TBournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247
на замовлення 7026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+309.93 грн
10+268.71 грн
100+212.82 грн
250+210.59 грн
600+196.45 грн
1200+127.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/48ns
Switching Energy: 1mJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW20N60T - IGBT, 40 A, 1.7 V, 192 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+299.68 грн
10+263.79 грн
100+239.58 грн
500+198.44 грн
1000+171.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 192mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW20N60T-XBournsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW30N60T - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.48 грн
10+217.88 грн
100+154.43 грн
500+129.45 грн
1000+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+223.27 грн
10+203.10 грн
25+197.44 грн
50+188.49 грн
100+150.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+170.00 грн
150+166.75 грн
300+163.49 грн
600+155.30 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsIGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+343.79 грн
25+190.83 грн
100+157.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBOURNSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+211.20 грн
150+173.63 грн
300+169.76 грн
600+166.66 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns
Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.81 грн
30+158.90 грн
120+131.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60TBournsTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+240.44 грн
56+218.72 грн
58+202.99 грн
100+161.95 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW30N60T-XBournsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65ES5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.07 грн
30+235.93 грн
120+196.09 грн
510+156.61 грн
1020+150.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65ES5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.91 грн
25+222.50 грн
100+174.87 грн
250+165.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65H5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.83 грн
10+365.41 грн
25+210.59 грн
100+177.85 грн
250+165.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65H5BOURNSDescription: BOURNS - BIDW40N65H5 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+414.88 грн
10+295.51 грн
100+239.58 грн
500+209.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW40N65H5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/116ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 0.52mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 111 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.07 грн
30+235.93 грн
120+196.09 грн
510+156.61 грн
1020+150.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65TBournsTrans IGBT Chip N-CH 650V 100A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65TBOURNSDescription: BOURNS - BIDW50N65T - IGBT, 100 A, 1.65 V, 416 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Transistormontage: Durchsteckmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Verlustleistung: 416
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.52 грн
10+364.79 грн
100+324.73 грн
500+286.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65TBourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.40 грн
30+195.88 грн
120+170.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65TBournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.51 грн
10+350.01 грн
25+203.89 грн
100+184.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW50N65T-XBournsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/186ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), .90mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.91 грн
30+317.94 грн
120+267.06 грн
510+218.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65EH5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.79 грн
10+503.19 грн
25+296.17 грн
100+253.01 грн
250+238.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65ES5BournsIGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.69 грн
10+456.12 грн
25+285.75 грн
100+244.08 грн
600+238.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BIDW75N65ES5Bourns Inc.Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns
Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 184 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.91 грн
30+317.94 грн
120+267.06 грн
510+218.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.