Продукція > BID
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BID-60D9P | Bellnix | BID-60D9P | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BID000Z | Balluff | Description: APPROVAL/CONFORMITY=CE, CULUS, T Packaging: Bag For Use With/Related Products: BID R03K Accessory Type: Actuator Part Status: Active | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDD05N60T | BOURNS | Description: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 82W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDD05N60T | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDD05N60T | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18.5 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A Power - Max: 82 W | на замовлення 9959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDD05N60T | BOURNS | Description: BOURNS - BIDD05N60T - IGBT, 10 A, 1.5 V, 82 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 82W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDD05N60T | Bourns | IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252 | на замовлення 24259 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDD05N60T | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 7ns/18ns Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 18.5 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A Power - Max: 82 W | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDD05N60T-X | Bourns | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDNW30N60H3 | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230mW Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDNW30N60H3 | BOURNS | Description: BOURNS - BIDNW30N60H3 - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDNW30N60H3 Код товару: 189125
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
BIDNW30N60H3 | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDNW30N60H3 | Bourns | IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N | на замовлення 2422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDNW30N60H3 | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247N Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247N-3L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 76 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W | на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW20N60T | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 192mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDW20N60T | Bourns | IGBTs IGBT Discrete 600V, 20A in TO-247 | на замовлення 7021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW20N60T | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 33.7 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/48ns Switching Energy: 1mJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 52 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 192 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDW20N60T | BOURNS | Description: BOURNS - BIDW20N60T - IGBT, 40 A, 1.7 V, 192 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW20N60T-X | Bourns | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDW30N60T | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/67ns Switching Energy: 1.85mJ (on), 450µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 76 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 230 W | на замовлення 1873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW30N60T | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW30N60T | BOURNS | Description: BOURNS - BIDW30N60T - IGBT, 60 A, 1.65 V, 230 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW30N60T | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW30N60T | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW30N60T | Bourns | IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247 | на замовлення 3905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW30N60T | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDW30N60T | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDW30N60T-X | Bourns | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDW40N65ES5 | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 106 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 107 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW40N65ES5 | Bourns | IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW40N65H5 | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 165 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/116ns Switching Energy: 1.9mJ (on), 0.52mJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 111 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W | на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW40N65H5 | Bourns | IGBTs IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW40N65H5 | BOURNS | Description: BOURNS - BIDW40N65H5 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW50N65T | Bourns | IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247 | на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW50N65T | Bourns | Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDW50N65T | BOURNS | Description: BOURNS - BIDW50N65T - IGBT, 100 A, 1.65 V, 416 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Transistormontage: Durchsteckmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Verlustleistung: 416 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW50N65T | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37.5 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 37ns/125ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 416 W | на замовлення 2853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW50N65T-X | Bourns | IGBTs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
BIDW75N65EH5 | Bourns | IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW75N65EH5 | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 39ns/186ns Switching Energy: 2.39mJ (on), .90mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 186 nC Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 394 W | на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW75N65ES5 | Bourns Inc. | Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 184 nC Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 394 W | на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
BIDW75N65ES5 | Bourns | IGBTs IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|