Продукція > FDI
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDI025N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI025N06 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI030N06 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI030N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET NCH 60V 3.0Mohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | ON Semiconductor | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 310 Bauform - Transistor: I2PAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | на замовлення 1432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI038AN06A0_NL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI038AN06A0_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI040N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI040N06 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI040N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI045N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | ON Semiconductor | на замовлення 9900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI045N10A-F102 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | ONSEMI | FDI045N10A-F102 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI045N10A-F102 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI047AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI047AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI047AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI047AN08A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI10-250L | 3M | Quick Disconnect Terminal 10-12AWG F Bag | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI10-250Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI10-250Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI10-250Q | 3M | Description: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC Packaging: Bulk Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Yellow Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 10-12 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.990" (25.15mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI10-250Q | 3M | Description: 3M - FDI10-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, YEL tariffCode: 85369010 Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 10AWG Leiterquerschnitt CSA: - euEccn: NLR Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Yellow Leiterstärke (AWG), min.: 12AWG Produktpalette: Highland Series productTraceability: No Anschlussmaterial: Brass directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI10-250Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI1394P11AEC | PHI | на замовлення 348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
FDI14-187Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 14-16AWG Blue F 20.57mm Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI14-187Q | 3M | Description: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS Packaging: Bulk Features: Butted Seam Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.810" (20.57mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.020" (0.51mm) Tab Width: 0.187" (4.75mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI14-187Q | 3M Electronic Specialty | Terminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI14-187Q | 3M | Description: 3M - FDI14-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, BLUE tariffCode: 85366990 Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG Leiterquerschnitt CSA: - euEccn: NLR Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Blue Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG Produktpalette: Highland Series productTraceability: No Anschlussmaterial: Brass directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI14-250C | 3M | Quick Disconnect Terminal 14-16AWG Brass F 25.14mm Tin Bag | на замовлення 102948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI14-250C | 3M | Description: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.870" (22.10mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Brass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI14-250Q | 3M | Disconnect Terminal 14-16AWG Brass Blue F 22.09mm Tin Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI14-250Q | 3M | Description: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC Packaging: Bulk Features: Butted Seam Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Blue Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 14-16 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.870" (22.10mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI14-250Q | 3M Electronic Specialty | Terminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI14-250Q | 3M | Description: 3M - FDI14-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, BLUE tariffCode: 85369010 Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 0 Leiterquerschnitt CSA: - euEccn: NLR Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Blue Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG Produktpalette: Highland Series productTraceability: No Anschlussmaterial: Brass directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI150N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V | на замовлення 10351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI150N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 100V N-Channel PowerTrench | на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI150N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI150N10 - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI150N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI150N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI150N10 | ONSEMI | FDI150N10 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI18-187Q | 3M Electronic Specialty | Terminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI18-187Q | 3M | Description: 3M - FDI18-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, RED Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02" Leiterstärke (AWG), max.: 18 Leiterquerschnitt CSA: - Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Red Leiterstärke (AWG), min.: 22 Produktpalette: Highland Series Anschlussmaterial: Brass SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI18-187Q | 3M | Disconnect Terminal 18-22AWG Brass F 22.09mm Tin Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI18-187Q | 3M | Description: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS Packaging: Bulk Features: Butted Seam Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.810" (20.57mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.020" (0.51mm) Tab Width: 0.187" (4.75mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI18-250Q | 3M | Description: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250 Features: Butted Seam Packaging: Bulk Gender: Female Contact Finish: Tin Color: Red Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 18-22 AWG Insulation: Fully Insulated Terminal Type: Standard Length - Overall: 0.870" (22.10mm) Termination: Crimp Tab Thickness: 0.032" (0.81mm) Tab Width: 0.250" (6.35mm) Contact Material: Brass Part Status: Active | на замовлення 3386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI18-250Q | 3M Electronic Specialty | Terminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI18-250Q | 3M | Description: 3M - FDI18-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, RED tariffCode: 85369010 Isoliermaterial: Nylon (Polyamide) rohsCompliant: YES Flachsteckergröße - Metrisch: 6.35mm x 0.81mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Flachsteckergröße - Imperial: 0.25" x 0.032" usEccn: EAR99 Leiterstärke (AWG), max.: 18AWG Leiterquerschnitt CSA: - euEccn: NLR Klemmentyp: Female Quick Disconnect Isolatorfarbe: Red Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG Produktpalette: Highland Series productTraceability: No Anschlussmaterial: Brass directShipCharge: 25 SVHC: To Be Advised | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI18-250Q | 3M | Quick Disconnect Terminal 18-22AWG F 22.09mm Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI2-ALLIN1-02-B | GEMBIRD | Category: Computer Adapters Description: Card reader: memory; fits in 3,5" drive bay,internal supplied Kind of card: CF; CF Type I; CF Type II; M2; microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; SD; SDHC; SDXC; XD PC accessories features: fits in 3,5" drive bay; internal supplied Type of memory card reader: memory Communication with PC: USB Colour: black | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI2-ALLIN1-02-B | GEMBIRD | Category: Computer Adapters Description: Card reader: memory; fits in 3,5" drive bay,internal supplied Kind of card: CF; CF Type I; CF Type II; M2; microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; SD; SDHC; SDXC; XD PC accessories features: fits in 3,5" drive bay; internal supplied Type of memory card reader: memory Communication with PC: USB Colour: black кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI2-ALLIN1-03 | GEMBIRD | Category: Computer Adapters Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD Type of memory card reader: memory Communication with PC: USB Colour: black кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI2-ALLIN1-03 | GEMBIRD | Category: Computer Adapters Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD Type of memory card reader: memory Communication with PC: USB Colour: black | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI33N25TU | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI33N25TU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI3632 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI3652 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI40KIT 838362 | Intel | Description: SOFTWARE TOOL KIT FDI40KIT BDL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI8441 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI8441 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 34800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI8441 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI8441-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 26A Automotive 3-Pin TO-262AB Rail | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI8441_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI8442 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI8442 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI9406 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI9406 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI9406 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 110A Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI9406-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI9406-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
FDI9406_F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI9406_F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI9406_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: 110A, 40V, 0.0022OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI9409-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: FDI9409 - N-CHANNEL POWERTRENCH Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI9409-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI9409-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDI9409-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
FDI9409-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |