Продукція > FDI

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
FDI025N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI025N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI030N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI030N06 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI030N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI030N06onsemi / FairchildMOSFET NCH 60V 3.0Mohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: I2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+232.40 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+269.51 грн
500+258.41 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+300.14 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDI038AN06A0_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+331.32 грн
Мінімальне замовлення: 95
В кошику  од. на суму  грн.
FDI040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+134.37 грн
Мінімальне замовлення: 171
В кошику  од. на суму  грн.
FDI040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+162.22 грн
Мінімальне замовлення: 194
В кошику  од. на суму  грн.
FDI040N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 168A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.20 грн
10+197.10 грн
100+162.21 грн
500+136.20 грн
1000+135.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102ONSEMIFDI045N10A-F102 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.35 грн
50+181.55 грн
100+170.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102ON Semiconductor
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI045N10A-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI047AN08A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI047AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI047AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+234.32 грн
Мінімальне замовлення: 135
В кошику  од. на суму  грн.
FDI047AN08A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+198.51 грн
Мінімальне замовлення: 112
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250L3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG F Bag
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+6567.83 грн
10+2411.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.990" (25.15mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.39 грн
10+53.32 грн
25+51.14 грн
50+46.94 грн
100+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MDescription: 3M - FDI10-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, YEL
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 10AWG
Leiterstärke (AWG), min.: 12AWG
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1732.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1172.60 грн
30+1137.96 грн
50+1090.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDI1394P11AECPHI
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-187Q3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG Blue F 20.57mm Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-187Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.810" (20.57mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.66 грн
10+40.41 грн
30+37.43 грн
50+33.88 грн
100+32.26 грн
250+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1286.33 грн
10+1056.78 грн
30+840.13 грн
100+716.94 грн
250+671.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-187Q3MDescription: 3M - FDI14-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, BLUE
tariffCode: 85366990
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Leiterquerschnitt CSA: -
euEccn: NLR
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Blue
Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG
Produktpalette: Highland Series
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Brass
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1051.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250C3MDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250C3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG Brass F 25.14mm Tin Bag
на замовлення 102948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+319.23 грн
47+258.33 грн
104+117.53 грн
250+61.26 грн
500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1229.20 грн
10+1029.50 грн
30+873.79 грн
100+825.59 грн
250+729.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250Q3MDescription: 3M - FDI14-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, BLUE
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250Q3MDisconnect Terminal 14-16AWG Brass Blue F 22.09mm Tin Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.01 грн
10+38.74 грн
25+36.31 грн
50+32.45 грн
100+30.90 грн
250+28.96 грн
500+27.12 грн
1000+25.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 228A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 228A; 110W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 110W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 228A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 10351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.61 грн
50+131.13 грн
100+118.67 грн
500+90.88 грн
1000+84.30 грн
2000+82.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.27 грн
10+132.87 грн
100+109.42 грн
500+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI150N10 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+981.93 грн
10+822.72 грн
100+692.45 грн
250+654.96 грн
500+654.20 грн
1000+645.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-187Q3MDescription: 3M - FDI18-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, RED
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02"
Leiterstärke (AWG), max.: 18
Leiterquerschnitt CSA: -
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Red
Leiterstärke (AWG), min.: 22
Produktpalette: Highland Series
Anschlussmaterial: Brass
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-187Q3MDisconnect Terminal 18-22AWG Brass F 22.09mm Tin Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-187Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.810" (20.57mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.66 грн
10+40.41 грн
25+37.94 грн
50+33.88 грн
100+32.26 грн
250+30.24 грн
500+28.32 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-250Q3MDescription: 3M - FDI18-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, RED
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Leiterstärke (AWG), max.: 18AWG
Leiterstärke (AWG), min.: 22AWG
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-250Q3MQuick Disconnect Terminal 18-22AWG F 22.09mm Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-250Q3MDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.66 грн
10+40.41 грн
25+37.94 грн
50+33.88 грн
100+32.26 грн
300+29.85 грн
500+28.32 грн
1000+26.97 грн
2500+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDI2-ALLIN1-02-BGEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 3,5" drive bay,internal supplied
Kind of card: CF; CF Type I; CF Type II; M2; microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; SD; SDHC; SDXC; XD
PC accessories features: fits in 3,5" drive bay; internal supplied
Colour: black
Type of memory card reader: memory
Communication with PC: USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+797.22 грн
2+618.77 грн
5+575.77 грн
6+563.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI2-ALLIN1-02-BGEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 3,5" drive bay,internal supplied
Kind of card: CF; CF Type I; CF Type II; M2; microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; SD; SDHC; SDXC; XD
PC accessories features: fits in 3,5" drive bay; internal supplied
Colour: black
Type of memory card reader: memory
Communication with PC: USB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.35 грн
2+496.55 грн
5+479.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI2-ALLIN1-03GEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied
Colour: black
PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied
Type of memory card reader: memory
Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD
Communication with PC: USB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1730.40 грн
2+1578.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI2-ALLIN1-03GEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied
Colour: black
PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied
Type of memory card reader: memory
Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD
Communication with PC: USB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1442.00 грн
2+1266.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI2532ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI33N25TUON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI33N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI3632Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI3652Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI40KIT 838362IntelDescription: SOFTWARE TOOL KIT FDI40KIT BDL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8441Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8441ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI8441 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+147.63 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8441-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 26A Automotive 3-Pin TO-262AB Rail
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8441_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+133.90 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9406 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+161.37 грн
Мінімальне замовлення: 196
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 110A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+145.99 грн
Мінімальне замовлення: 163
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+103.37 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 40V, 0.0022OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+103.37 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406_F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9406_F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+114.16 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9409-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9409-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+100.42 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9409-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9409-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDI9409 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+90.75 грн
Мінімальне замовлення: 260
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.