Продукція > FDI

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDI025N06onsemi / FairchildMOSFETs 60V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI025N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 265A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI030N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI030N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI030N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI030N06 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI030N06onsemi / FairchildMOSFET NCH 60V 3.0Mohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+314.69 грн
500+301.73 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI038AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0035 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: I2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+224.84 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0onsemi / FairchildMOSFETs 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0_NLONSEMIDescription: ONSEMI - FDI038AN06A0_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI038AN06A0_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+290.63 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI040N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI040N06 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI040N06Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+144.61 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10Aonsemi FET 100V 4.5 MOHM TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10AonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI045N10A-F102 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 263W; I2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 164A
Power dissipation: 263W
Case: I2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 656A
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102ON Semiconductor
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102onsemiMOSFETs N-Channel PwrTrench 100V 164A 4.5mOhm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI045N10A-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.80 грн
50+190.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI047AN08A0Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+204.71 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI047AN08A0ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI047AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250L3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG F Bag
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+7668.92 грн
10+2816.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1369.19 грн
30+1328.73 грн
50+1273.58 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.990" (25.15mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+52.00 грн
25+48.76 грн
50+43.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MDescription: 3M - FDI10-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, YEL
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: 10AWG
Leiterstärke (AWG), min.: 12AWG
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI10-250Q3MQuick Disconnect Terminal 10-12AWG Yellow F Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI1394P11AECPHI
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-187Q3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG Blue F 20.57mm Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-187Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS
Part Status: Active
Contact Material: Brass
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Termination: Crimp
Length - Overall: 0.810" (20.57mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 14-16 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Blue
Contact Finish: Tin
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+42.42 грн
30+39.25 грн
50+35.53 грн
100+33.82 грн
250+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-187Q3MDescription: 3M - FDI14-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, BLUE
tariffCode: 85366990
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
rohsCompliant: YES
Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02"
usEccn: EAR99
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Leiterquerschnitt CSA: -
euEccn: NLR
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Blue
Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG
Produktpalette: Highland Series
productTraceability: No
Anschlussmaterial: Brass
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250C3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG Brass F 25.14mm Tin Bag
на замовлення 102948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+372.75 грн
47+301.63 грн
104+137.24 грн
250+71.53 грн
500+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250C3MDescription: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250Q3MDescription: 3M - FDI14-250Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.25", CRIMP, BLUE
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Leiterstärke (AWG), max.: 14AWG
Leiterstärke (AWG), min.: 16AWG
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250Q3MDisconnect Terminal 14-16AWG Brass Blue F 22.09mm Tin Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250Q3MDescription: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 7438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+42.42 грн
25+39.76 грн
50+35.53 грн
100+33.82 грн
250+31.71 грн
500+29.70 грн
1000+28.28 грн
2500+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI14-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI150N10 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.20 грн
50+117.70 грн
100+106.52 грн
500+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI150N10onsemiMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-187Q3MDisconnect Terminal 18-22AWG Brass F 22.09mm Tin Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-187Q3MDescription: CONN QC RCPT 18-22 RED 1=1PC
Part Status: Active
Contact Material: Brass
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Termination: Crimp
Length - Overall: 0.810" (20.57mm)
Terminal Type: Standard
Insulation: Fully Insulated
Wire Gauge: 18-22 AWG
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Color: Red
Contact Finish: Tin
Gender: Female
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
на замовлення 5723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+41.59 грн
25+38.95 грн
50+34.81 грн
100+33.14 грн
250+31.06 грн
500+29.09 грн
1000+27.70 грн
2500+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-187Q3MDescription: 3M - FDI18-187Q - TERMINAL, FEMALE DISCONNECT, 0.187", CRIMP, RED
Isoliermaterial: Nylon (Polyamide)
Flachsteckergröße - Metrisch: 4.75mm x 0.51mm
Flachsteckergröße - Imperial: 0.187" x 0.02"
Leiterstärke (AWG), max.: 18
Leiterquerschnitt CSA: -
Klemmentyp: Female Quick Disconnect
Isolatorfarbe: Red
Leiterstärke (AWG), min.: 22
Produktpalette: Highland Series
Anschlussmaterial: Brass
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-250Q3MQuick Disconnect Terminal 18-22AWG F 22.09mm Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-250Q3MDescription: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250
Features: Butted Seam
Packaging: Bulk
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Fully Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+38.27 грн
25+35.93 грн
50+32.09 грн
100+30.55 грн
300+28.27 грн
500+26.82 грн
1000+25.54 грн
2500+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI18-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT NYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI2-ALLIN1-03GEMBIRDCategory: Computer Adapters
Description: Card reader: memory; fits in 2,5" drive bay,internal supplied
Colour: black
PC accessories features: fits in 2,5" drive bay; internal supplied
Communication with PC: USB
Type of memory card reader: memory
Kind of card: microSD; microSDHC; microSDXC; MMC; MS; MS Pro; MS Pro Duo; SD; SDHC; SDXC; XD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1788.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDI2532onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI33N25TUFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI3632Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI3652Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI40KIT 838362IntelDescription: SOFTWARE TOOL KIT FDI40KIT BDL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8441Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8441ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI8441 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8441_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8442Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDI8442ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI8442 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 110A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+144.27 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9406 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDI9406 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406_F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9406_F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 277 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9406_F085Fairchild SemiconductorDescription: 110A, 40V, 0.0022OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+131.22 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9409-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9409-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDI9409-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9409-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDI9409 - N-CHANNEL POWERTRENCH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+116.11 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDI9409-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.