Продукція > FJA

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FJA000003DIODES INC.Description: DIODES INC. - FJA000003 - Oszillator, 100MHz, SMD, 2.5mm x 2mm, 1.8V, FJA000003
tariffCode: 85416000
rohsCompliant: YES
Nennfrequenz: 100MHz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Frequenzstabilität + / -: -ppm
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -20°C
euEccn: NLR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.6 грн
50+ 105.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
FJA000003Diodes IncOscillator 100MHz case 2520 LVCMOS
товар відсутній
FJA000003DIODES INC.Description: DIODES INC. - FJA000003 - Oszillator, 100MHz, SMD, 2.5mm x 2mm, 1.8V, FJA000003
tariffCode: 85416000
rohsCompliant: YES
Nennfrequenz: 100MHz
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Frequenzstabilität + / -: -ppm
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Betriebstemperatur, min.: -20°C
euEccn: NLR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 70°C
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
FJA13009onsemionsemi NPN/12A/700V TO-3P
товар відсутній
FJA13009
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FJA13009
Код товару: 73578		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
FJA13009TUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA13009TU
Код товару: 172327		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
FJA13009TUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA13009TUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA13009TUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA13009TUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
товар відсутній
FJA13009TUonsemiDescription: TRANS NPN 400V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 130 W
товар відсутній
FJA13009TU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT 700V/400V/12A/NPN
товар відсутній
FJA3835TUONSEMIDescription: ONSEMI - FJA3835TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+66.18 грн
Мінімальне замовлення: 543
FJA3835TUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 120V 8A TO3P
на замовлення 1189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FJA4210onsemionsemi PNP/15A/140V TO-3P
товар відсутній
FJA4210OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA4210OTUONSEMIDescription: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 70
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.46 грн
10+ 183.11 грн
100+ 134.57 грн
500+ 110.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
FJA4210OTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
FJA4210OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+138.46 грн
10+ 131.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
FJA4210OTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
товар відсутній
FJA4210OTUonsemiDescription: TRANS PNP 140V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.26 грн
10+ 172.49 грн
100+ 141.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJA4210RTUonsemiDescription: TRANS PNP 140V 10A TO-3P
товар відсутній
FJA4213onsemionsemi PNP/15A/250V TO-3P 130W
товар відсутній
FJA4213OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.16 грн
10+ 259.67 грн
25+ 253.99 грн
100+ 219.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FJA4213OTUFairchild/ONSБиполярный транзистор - TO-3P-3; PNP -15A; -230V; hFE(min) = 55, High-Fidelity Audio Output Amplifier (NPN = FJA4313OTU)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+176.96 грн
10+ 154.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJA4213OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA4213OTUONSEMIDescription: ONSEMI - FJA4213OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: FJA4213
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+386.81 грн
10+ 322.09 грн
100+ 219.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJA4213OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+290.94 грн
42+ 279.64 грн
43+ 273.52 грн
100+ 236.21 грн
Мінімальне замовлення: 40
FJA4213OTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+397.69 грн
10+ 352.81 грн
100+ 253.69 грн
450+ 219.6 грн
900+ 180.27 грн
5400+ 177.65 грн
10350+ 175.68 грн
FJA4213OTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
товар відсутній
FJA4213RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA4213RTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+186.62 грн
Мінімальне замовлення: 106
FJA4213RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA4213RTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.04 грн
10+ 358.08 грн
25+ 238.61 грн
100+ 205.18 грн
FJA4213RTUonsemiDescription: TRANS PNP 250V 17A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
товар відсутній
FJA4310onsemionsemi NPN/12A/200V TO-3P 100W
товар відсутній
FJA4310OTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+145.24 грн
83+ 139.98 грн
84+ 138.5 грн
85+ 132.14 грн
100+ 114.95 грн
250+ 105.38 грн
500+ 93.77 грн
Мінімальне замовлення: 80
FJA4310OTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA4310OTUONSEMIDescription: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 100W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 30MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 10A
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.41 грн
10+ 214.73 грн
100+ 176.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
FJA4310OTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+127.68 грн
10+ 126.45 грн
25+ 117.18 грн
50+ 111.82 грн
100+ 98.08 грн
250+ 93.23 грн
500+ 92 грн
Мінімальне замовлення: 5
FJA4310OTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
товар відсутній
FJA4310OTUonsemiDescription: TRANS NPN 140V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
FJA4313onsemionsemi NPN/17A/250V TO-3P 130W
товар відсутній
FJA4313OTUonsemiDescription: TRANS NPN 250V 17A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 7A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.26 грн
30+ 211.34 грн
120+ 181.15 грн
510+ 151.12 грн
1020+ 129.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJA4313OTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA4313OTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FJA4313OTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.8 грн
10+ 248.77 грн
30+ 204.53 грн
120+ 175.03 грн
270+ 165.19 грн
510+ 155.36 грн
1020+ 137.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJA4313OTUFairchild/ONSБиполярный транзистор - TO-3P-3; NPN 15A; 230V; hFE(min) = 55, High-Fidelity Audio Output Amplifier (PNP = FJA4213OTU)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+176.96 грн
10+ 154.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJA4313OTUONSEMIDescription: ONSEMI - FJA4313OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 17A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FJA4313
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+321.36 грн
10+ 229.44 грн
100+ 185.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
FJA4313RTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FJA4313RTUonsemiDescription: TRANS NPN 250V 17A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
товар відсутній
FJA4313RTUONSEMIDescription: ONSEMI - FJA4313RTU - FJA4313RTU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 450
FJA4313RTUonsemiDescription: TRANS NPN 250V 17A TO3PN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
на замовлення 4558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 281
FJA96015
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FJAF4210onsemionsemi PNP/10A/200V TO-3PF 100W
товар відсутній
FJAF4210OTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 140V 10A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 224
FJAF4210OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FJAF4210OTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FJAF4210OTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.85 грн
10+ 187.71 грн
100+ 135.04 грн
250+ 131.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJAF4210OTUonsemiDescription: TRANS PNP 140V 10A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PF
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+86.63 грн
Мінімальне замовлення: 224
FJAF4210RTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FJAF4210RTUONSEMIDescription: ONSEMI - FJAF4210RTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+172.81 грн
Мінімальне замовлення: 360
FJAF4210RTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FJAF4210RTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 140V 10A TO3PF-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PF-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 80 W
товар відсутній
FJAF4210YTU
Код товару: 143532		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
FJAF4210YTUonsemiDescription: TRANS PNP 140V 10A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+85.98 грн
Мінімальне замовлення: 226
FJAF4210YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FJAF4210YTUONSEMIDescription: ONSEMI - FJAF4210YTU - FJAF4210YTU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+100.75 грн
Мінімальне замовлення: 360
FJAF4210YTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.49 грн
10+ 194.5 грн
100+ 136.35 грн
360+ 104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJAF4210YTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 140V 10A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 3313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+85.98 грн
Мінімальне замовлення: 226
FJAF4310onsemionsemi NPN/10A/200V TO-3PF 100W
товар відсутній
FJAF4310OTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.32 грн
10+ 208.82 грн
120+ 148.81 грн
510+ 126.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJAF4310OTUonsemiDescription: TRANS NPN 140V 10A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.17 грн
10+ 155.48 грн
100+ 125.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJAF4310OTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FJAF4310OTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FJAF4310RTUON SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 10A TO-3PF
товар відсутній
FJAF4310YTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 140V 10A TO3PF-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PF-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 80 W
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
238+89.35 грн
Мінімальне замовлення: 238
FJAF4310YTUONSEMIDescription: ONSEMI - FJAF4310YTU - FJAF4310YTU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+84.57 грн
Мінімальне замовлення: 360
FJAF4310YTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
товар відсутній
FJAF4310YTU
Код товару: 143533		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
FJAF4310YTUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FJAF5804TUON Semiconductor.1500V / 12A NPN Tr.
товар відсутній
FJAF6806DTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
товар відсутній
FJAF6806DTUonsemiDescription: TRANS NPN 750V 6A TO3PF
товар відсутній
FJAF6806DTU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased 1500V / 6A NPN Tr
товар відсутній
FJAF6806DYDTBTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased 1550V/750V/10A/NPN
товар відсутній
FJAF6806DYDTBTUonsemiDescription: TRANS NPN 750V 6A TO3PF
товар відсутній
FJAF6806DYDTBTU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased 1550V/750V/10A/NPN
товар відсутній
FJAF6808DTUON SemiconductorDescription: TRANS NPN 750V 8A TO-3PF
товар відсутній
FJAF6808DYDTUON SemiconductorDescription: TRANS NPN 750V 8A TO-3PF
товар відсутній
FJAF6810ATUonsemiDescription: TRANS NPN 750V 10A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-3PF
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
FJAF6810ATUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar
товар відсутній
FJAF6810ATUONSEMIDescription: ONSEMI - FJAF6810ATU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+70.67 грн
Мінімальне замовлення: 382
FJAF6810ATUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 750V 10A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
товар відсутній
FJAF6810ATU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN/1500V/10A
товар відсутній
FJAF6810AYDTBTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 750V 10A TO3PF
товар відсутній
FJAF6810AYDTBTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT 1550V/750V/10A/NPN
товар відсутній
FJAF6810AYDTBTUonsemiDescription: TRANS NPN 750V 10A TO3PF
товар відсутній
FJAF6810AYDTBTU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT 1550V/750V/10A/NPN
товар відсутній
FJAF6810AYDTBTU_Tonsemi / Fairchildonsemi
товар відсутній
FJAF6810DTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 750V 10A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-3PF
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 197
FJAF6810DTUONSEMIDescription: ONSEMI - FJAF6810DTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+113.98 грн
Мінімальне замовлення: 236
FJAF6810DTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
товар відсутній
FJAF6810DTUON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 750V 10A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
товар відсутній
FJAF6810DTU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN/1500V/10A
товар відсутній
FJAF6810DYDTBTUonsemiDescription: TRANS NPN 750V 10A TO-3PF
товар відсутній
FJAF6810DYDTBTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 1500V/10A
товар відсутній
FJAF6810DYDTBTU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - Pre-Biased NPN,1500V/10A
товар відсутній
FJAF6810TUONSEMIDescription: ONSEMI - FJAF6810TU - TRANS BJTS NPN 750V 10A TO3PF TUBE
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+102.95 грн
Мінімальне замовлення: 236
FJAF6810TUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 750V 10A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
товар відсутній
FJAF6810TUonsemiDescription: TRANS NPN 750V 10A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+98.92 грн
Мінімальне замовлення: 197
FJAF6810TUonsemiDescription: TRANS NPN 750V 10A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V
Supplier Device Package: TO-3PF
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
FJAF6810TUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
товар відсутній
FJAF6810TU (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 42123		FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PM
Uceo,V: 750 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 10 А
Монтаж: THT
у наявності 11 шт:
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+49 грн
10+ 45 грн
FJAF6812TU
на замовлення 18630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FJAF6812TUON SemiconductorDescription: TRANS NPN 750V 12A TO-3PF
товар відсутній
FJAF6812TUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar
товар відсутній
FJAF6815TU
на замовлення 13820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FJAF6815TUON SemiconductorDescription: TRANS NPN 750V 15A TO-3PF
товар відсутній
FJAF6820TUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
товар відсутній
FJAF6820TUonsemiDescription: TRANS NPN 750V 20A TO-3PF
товар відсутній
FJAF6820TU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT .1500V / 20A NPN Tr.
товар відсутній
FJAF6910FAIRCHILDTO-3P
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FJAF6910TUON SemiconductorDescription: TRANS NPN 800V 10A TO-3PF
товар відсутній
FJAF6916TUonsemiDescription: TRANS NPN 800V 16A TO3PF
товар відсутній
FJAF6916TU (транзистор)
Код товару: 47337		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FJAF6920 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 32283		FairchildТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PF
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1700 V
Ic,A: 20 A
h21: 8,5
товар відсутній
FJAF6920ATUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT .1700V / 20A NPN Tr.
товар відсутній
FJAF6920ATUonsemiDescription: TRANS NPN 800V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
FJAF6920ATU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT .1700V / 20A NPN Tr.
товар відсутній
FJAF6920TUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
товар відсутній
FJAF6920TUonsemiDescription: TRANS NPN 800V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
FJAF6920TU_NLonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT .1700V / 20A NPN Tr.
товар відсутній
FJAFS1510ATUonsemiDescription: TRANS NPN 750V 6A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 15.4MHz
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+148.91 грн
Мінімальне замовлення: 143
FJAFS1510ATUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 750V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
596+19.5 грн
599+ 19.41 грн
605+ 18.53 грн
610+ 17.03 грн
Мінімальне замовлення: 596
FJAFS1510ATUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 750V 6A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.5A, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 15.4MHz
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+148.91 грн
Мінімальне замовлення: 143
FJAFS1510ATUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 750V 6A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+18.11 грн
100+ 17.38 грн
250+ 15.93 грн
360+ 15.18 грн
Мінімальне замовлення: 32
FJAFS1510ATUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FJAFS1510ATUONSEMIDescription: ONSEMI - FJAFS1510ATU - FJAFS1510ATU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FJAFS1720TUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT Sngle NPN 1700V VCEO Power Transistor
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FJAFS1720TUONSEMIDescription: ONSEMI - FJAFS1720TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+179.43 грн
Мінімальне замовлення: 128
FJAFS1720TUFairchild SemiconductorDescription: TRANS NPN 800V 12A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 3.33A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8.5 @ 11A, 5V
Frequency - Transition: 15MHz
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 60 W
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+185.3 грн
Мінімальне замовлення: 107
FJAFS1720TUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 800V 12A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
товар відсутній
FJAFS1720TUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 800V 12A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 7