Продукція > FJA
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FJA000001 | Diodes Incorporated | Standard Clock Oscillators Crystal Oscillator SEAM2520 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA000002 | Diodes Zetex | Clock SAW Oscillator SEAM2520 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA000003 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - FJA000003 - Oszillator, 100MHz, SMD, 2.5mm x 2mm, 1.8V, FJA000003 tariffCode: 85416000 Kompatibler Oszillatorausgang: CMOS euEccn: NLR rohsCompliant: YES Nennfrequenz: 100MHz hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Frequenzstabilität + / -: - isCanonical: Y Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Betriebstemperatur, min.: -20°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Produktpalette: FJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Oszillatorgehäuse: SMD, 2.5mm x 2mm | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA000003 | Diodes Incorporated | Standard Clock Oscillators Clock SAW Oscillator | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA000003 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - FJA000003 - Oszillator, 100MHz, SMD, 2.5mm x 2mm, 1.8V, FJA000003 tariffCode: 85416000 Kompatibler Oszillatorausgang: CMOS euEccn: NLR rohsCompliant: YES Nennfrequenz: 100MHz hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Frequenzstabilität + / -: - isCanonical: N Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Betriebstemperatur, min.: -20°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Produktpalette: FJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Oszillatorgehäuse: SMD, 2.5mm x 2mm | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA13009 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FJA13009 Код товару: 73578
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FJA13009 | onsemi | NPN/12A/700V TO-3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA13009TU Код товару: 172327
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FJA13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA13009TU | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA13009TU | onsemi | Description: TRANS NPN 400V 12A TO-3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 130 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA13009TU | ONS/FAI | NPN, Uкэ=400V, Iк=12A, TO-3P (Аналог D209L) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA13009TU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 400V 12A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA13009TU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT 700V/400V/12A/NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA3835TU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 120V 8A TO3P | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 489 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA3835TU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA3835TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 544 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4210 | onsemi | onsemi PNP/15A/140V TO-3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4210OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4210OTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3P Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4210OTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 140V 10A TO3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4210OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4210OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 70 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4210RTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3P Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-3P Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4213 | onsemi | PNP/15A/250V TO-3P 130W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4213OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4213OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4213OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4213OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 130W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 17A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJA4213 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4213OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil | на замовлення 179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4213OTU | onsemi | Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube Power - Max: 130 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3P Frequency - Transition: 30MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4213OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4213OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4213RTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4213RTU | onsemi | Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P Power - Max: 130 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3P Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4213RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4213RTU | onsemi | Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W | на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4213RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4310 | onsemi | NPN/12A/200V TO-3P 100W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4310OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJA4310 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4310OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4310OTU | On Semiconductor | NPN 140V 10A 30MHz 100W TO-3P Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4310OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3P Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3P Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4313 | onsemi | onsemi NPN/17A/250V TO-3P 130W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4313OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | на замовлення 881 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4313OTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4313OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 17A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJA4313 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4313OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO3PN Power - Max: 130 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PN Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 7A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA4313OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4313RTU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Silicon Transistor | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4313RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO3PN Packaging: Tube Power - Max: 130 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PN Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4313RTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJA4313RTU - FJA4313RTU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJA4313RTU | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 17A TO3PN Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W | на замовлення 4558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJA96015 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| FJAF4210 | onsemi | PNP/10A/200V TO-3PF 100W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210OTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | на замовлення 1591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210OTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PF Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210OTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210RTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 1433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210RTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210RTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAF4210RTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 353 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210RTU | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210YTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Bulk Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PF Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V | на замовлення 2106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210YTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210YTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210YTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAF4210YTU - FJAF4210YTU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210YTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4210YTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210YTU Код товару: 143532
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FJAF4210YTU | onsemi | Description: TRANS PNP 140V 10A TO-3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 80 W | на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4210YTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 2160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4310 | onsemi | onsemi NPN/10A/200V TO-3PF 100W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4310OTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4310OTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4310OTU | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PF Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-3PF Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4310RTU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4310YTU | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 140V 10A TO-3PF-3 Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3 Packaging: Bulk Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PF-3 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FJAF4310YTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF4310YTU Код товару: 143533
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FJAF4310YTU | ONSEMI | Description: ONSEMI - FJAF4310YTU - FJAF4310YTU, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 198 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF6806DTU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 6A TO3PF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF6806DTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Tripple Diff Planar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF6806DTU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 1500V / 6A NPN Tr | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF6806DYDTBTU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 6A TO3PF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF6806DYDTBTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 1550V/750V/10A/NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF6806DYDTBTU_NL | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased 1550V/750V/10A/NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF6808DTU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 8A TO-3PF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF6808DYDTU | ON Semiconductor | Description: TRANS NPN 750V 8A TO-3PF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 540 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FJAF6810ATU | onsemi | Description: TRANS NPN 750V 10A TO-3PF Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-3PF DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 6A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1.5A, 6A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Packaging: Tube Power - Max: 60 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]

