Продукція > GNP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+499.78 грн
50+439.09 грн
100+382.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs NCH 650V 20A ESD
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.92 грн
10+548.09 грн
100+355.70 грн
500+320.76 грн
3500+308.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1550.38 грн
12+1154.54 грн
50+1019.30 грн
100+900.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+775.34 грн
5+637.56 грн
10+499.78 грн
50+439.09 грн
100+382.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+777.53 грн
10+525.17 грн
100+395.03 грн
500+361.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1254.36 грн
25+1196.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+207.90 грн
500+177.15 грн
1000+159.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.12 грн
10+288.61 грн
100+207.90 грн
500+177.15 грн
1000+159.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs DFN8X8 650V 11A GAN
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.97 грн
10+301.37 грн
25+250.88 грн
100+183.79 грн
500+164.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.77 грн
10+294.80 грн
100+212.63 грн
500+172.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2025TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2025TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 59.8 A, 0.035 ohm, 13.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13.2nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1975.46 грн
5+1580.04 грн
10+1277.57 грн
50+1117.42 грн
100+966.47 грн
250+962.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2050TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2050TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31.5 A, 0.07 ohm, 6.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.4nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1215.60 грн
5+971.83 грн
10+785.94 грн
50+687.41 грн
100+594.70 грн
250+591.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2050TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2050TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 33.8 A, 0.07 mohm, 6.4 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.4nC
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGAN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07mohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+988.14 грн
5+856.87 грн
10+724.80 грн
50+633.66 грн
100+547.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2050TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+793.28 грн
50+694.22 грн
100+600.99 грн
250+589.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRRohm SemiconductorDescription: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 159W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V
Vgs (Max): +6.5V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.46 грн
5+883.78 грн
10+793.28 грн
50+694.22 грн
100+600.99 грн
250+589.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHM SemiconductorGaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+873.18 грн
10+700.78 грн
100+538.79 грн
500+538.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRRohm SemiconductorDescription: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 159W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V
Vgs (Max): +6.5V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+893.10 грн
10+599.29 грн
100+484.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs GaN FETs 650V, 23A, 70m
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+829.15 грн
10+576.21 грн
100+429.08 грн
1000+364.79 грн
3500+364.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2070TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27.2 A, 0.098 ohm, 4.7 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+918.84 грн
5+783.50 грн
10+648.16 грн
50+558.71 грн
100+475.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-1-EVK-001ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVK has been released to evaluate the switching performance.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+45119.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-1-EVK-001Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR GNP2130
Packaging: Box
Voltage - Output: 24V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 4.17A
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: GNP2130
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 100W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+41343.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+579.67 грн
10+392.97 грн
100+296.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.42 грн
10+348.78 грн
100+229.91 грн
1000+208.25 грн
3500+195.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNPA-80350U-CG-NOR Electronics Co., LTDAC-DC перетворювач струму (світлодіодний драйвер), Кіл. вих. кан. = 1, Uвих1, В = 40 80, Рвих, Вт = 28, Uвх (AC), В = 170...250, Iвих1, А = 0,35, Габ. розм, мм = 247 х 36,5 х 27, ККД, % = 85, Тексп, °С = -25...+50,... Група товару: Джерела живлення Корпус
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
40+1105.10 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.