Продукція > GNP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+587.48 грн
50+499.14 грн
100+417.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1465.81 грн
12+1091.56 грн
50+963.70 грн
100+851.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+825.35 грн
5+706.84 грн
10+587.48 грн
50+499.14 грн
100+417.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.30 грн
10+545.28 грн
100+410.15 грн
500+375.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1185.94 грн
25+1131.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs NCH 650V 20A ESD
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+801.14 грн
10+591.84 грн
100+384.09 грн
500+346.36 грн
3500+333.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.87 грн
500+177.65 грн
1000+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs DFN8X8 650V 11A GAN
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.56 грн
10+325.42 грн
25+270.90 грн
100+198.46 грн
500+177.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.80 грн
10+329.29 грн
100+237.87 грн
500+177.65 грн
1000+160.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.26 грн
10+306.09 грн
100+220.77 грн
500+179.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHM SemiconductorGaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+838.89 грн
50+677.57 грн
100+518.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.77 грн
5+972.64 грн
10+838.89 грн
50+677.57 грн
100+518.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-1-EVK-001Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR GNP2130
Packaging: Box
Voltage - Output: 24V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 4.17A
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: GNP2130
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-1-EVK-001ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVK has been released to evaluate the switching performance.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+50986.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNPA-80350U-CG-NOR Electronics Co., LTDAC-DC перетворювач струму (світлодіодний драйвер); Кіл. вих. кан. = 1; Uвих1, В = 40 80; Рвих, Вт = 28; Uвх (AC), В = 170...250; Iвих1, А = 0,35; Габ. розм, мм = 247 х 36,5 х 27; ККД, % = 85; Тексп, °С = -25...+50; 247х37х27mm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.