Продукція > GNP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+623.15 грн
50+529.45 грн
100+443.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs NCH 650V 20A ESD
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+849.79 грн
10+627.78 грн
100+407.42 грн
500+367.40 грн
3500+353.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1518.67 грн
12+1130.92 грн
50+998.45 грн
100+881.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+875.47 грн
5+749.76 грн
10+623.15 грн
50+529.45 грн
100+443.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.32 грн
10+578.39 грн
100+435.06 грн
500+398.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1228.70 грн
25+1171.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+252.31 грн
500+188.43 грн
1000+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+475.00 грн
10+349.29 грн
100+252.31 грн
500+188.43 грн
1000+170.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs DFN8X8 650V 11A GAN
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.81 грн
10+345.18 грн
25+287.35 грн
100+210.51 грн
500+188.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.06 грн
10+324.67 грн
100+234.18 грн
500+190.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2050TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+873.67 грн
50+764.58 грн
100+661.89 грн
250+648.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.11 грн
5+973.34 грн
10+873.67 грн
50+764.58 грн
100+661.89 грн
250+648.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHM SemiconductorGaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1000.14 грн
10+802.67 грн
100+617.13 грн
500+616.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs GaN FETs 650V, 23A, 70mohm
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+949.71 грн
10+659.99 грн
100+491.46 грн
1000+417.82 грн
3500+417.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-1-EVK-001ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVK has been released to evaluate the switching performance.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+51679.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-1-EVK-001Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR GNP2130
Packaging: Box
Voltage - Output: 24V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 4.17A
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: GNP2130
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 100W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+44092.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130mohm, Pd 91W
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+599.52 грн
10+399.49 грн
100+263.34 грн
1000+238.53 грн
3500+224.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNPA-80350U-CG-NOR Electronics Co., LTDAC-DC перетворювач струму (світлодіодний драйвер); Кіл. вих. кан. = 1; Uвих1, В = 40 80; Рвих, Вт = 28; Uвх (AC), В = 170...250; Iвих1, А = 0,35; Габ. розм, мм = 247 х 36,5 х 27; ККД, % = 85; Тексп, °С = -25...+50; 247х37х27mm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.