Продукція > GNP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1374.50 грн
25+1311.05 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN8080K
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+445.38 грн
50+391.88 грн
100+341.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs NCH 650V 20A ESD
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+732.91 грн
10+541.43 грн
100+351.38 грн
500+316.87 грн
3500+305.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1698.87 грн
12+1265.12 грн
50+1116.92 грн
100+986.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+691.03 грн
5+568.61 грн
10+445.38 грн
50+391.88 грн
100+341.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN8080K
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.09 грн
10+518.80 грн
100+390.23 грн
500+357.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Supplier Device Package: DFN8080AK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.38 грн
500+175.00 грн
1000+157.40 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+396.26 грн
10+285.11 грн
100+205.38 грн
500+175.00 грн
1000+157.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs DFN8X8 650V 11A GAN
на замовлення 7292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.55 грн
10+297.71 грн
25+247.83 грн
100+181.56 грн
500+162.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.22 грн
10+291.22 грн
100+210.05 грн
500+170.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2025TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2025TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 59.8 A, 0.035 ohm, 13.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13.2nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1951.48 грн
5+1560.86 грн
10+1262.06 грн
50+1103.86 грн
100+954.74 грн
250+950.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2050TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2050TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31.5 A, 0.07 ohm, 6.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+707.14 грн
50+615.50 грн
100+536.39 грн
250+525.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2050TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2050TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31.5 A, 0.07 ohm, 6.4 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1091.31 грн
5+881.91 грн
10+707.14 грн
50+615.50 грн
100+536.39 грн
250+525.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2050TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2050TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 33.8 A, 0.07 mohm, 6.4 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+644.32 грн
50+563.15 грн
100+486.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2050TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs DFN 650V 33.8 HEMT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2050TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2050TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 33.8 A, 0.07 mohm, 6.4 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EcoGAN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07mohm
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.69 грн
5+761.91 грн
10+644.32 грн
50+563.15 грн
100+486.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHM SemiconductorGaN FETs TOLL8N 650V 27A HEMT
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+862.58 грн
10+692.27 грн
100+532.25 грн
500+531.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRRohm SemiconductorDescription: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 159W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V
Vgs (Max): +6.5V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.26 грн
10+592.01 грн
100+478.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRRohm SemiconductorDescription: ECOGAN?, 650V 27A TOLL-8N, E-MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 8A, 6V
Power Dissipation (Max): 159W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: TOLL-8N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 6V
Vgs (Max): +6.5V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+702.31 грн
50+614.75 грн
100+532.25 грн
250+521.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TD-ZTRROHMDescription: ROHM - GNP2070TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27 A, 0.098 ohm, 5.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+862.58 грн
5+782.85 грн
10+702.31 грн
50+614.75 грн
100+532.25 грн
250+521.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2070TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27.2 A, 0.098 ohm, 4.7 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.09 грн
5+698.28 грн
10+577.47 грн
50+498.08 грн
100+423.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs GaN FETs 650V, 23A, 70m
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.09 грн
10+569.22 грн
100+423.87 грн
1000+360.36 грн
3500+359.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2070TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2070TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 27.2 A, 0.098 ohm, 4.7 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+577.47 грн
50+498.08 грн
100+423.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-1-EVK-001ROHM SemiconductorPower Management IC Development Tools EVK has been released to evaluate the switching performance.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+44571.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-1-EVK-001Rohm SemiconductorDescription: EVAL BOARD FOR GNP2130
Packaging: Box
Voltage - Output: 24V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 4.17A
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: GNP2130
Main Purpose: AC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 100W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40841.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN8080CK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+517.07 грн
10+349.54 грн
100+264.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-ZE2ROHM SemiconductorGaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.50 грн
10+369.16 грн
100+234.72 грн
500+227.12 грн
1000+208.48 грн
3500+193.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GNP2130TEC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+349.54 грн
100+264.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GNPA-80350U-CG-NOR Electronics Co., LTDAC-DC перетворювач струму (світлодіодний драйвер), Кіл. вих. кан. = 1, Uвих1, В = 40 80, Рвих, Вт = 28, Uвх (AC), В = 170...250, Iвих1, А = 0,35, Габ. розм, мм = 247 х 36,5 х 27, ККД, % = 85, Тексп, °С = -25...+50,... Джерела живлення Корпус: 247х37х27mm
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
40+1130.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.