Продукція > HFG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
HFG208-W-S-R01RectronDiodes - General Purpose, Power, Switching HI Eff Rectifier SMB,2A,1000V,50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HFG8-032-12ZIPEMMounting Fixings GRADE 8 HEAVY HEAD STUD
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.45 грн
14+25.77 грн
100+17.96 грн
500+16.15 грн
1000+15.02 грн
2000+14.64 грн
10000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
HFG8-032-8ZIPEMMounting Fixings GRADE 8 HEAVY HEAD STUD
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+34.07 грн
15+24.21 грн
100+16.83 грн
500+15.24 грн
1000+14.11 грн
2000+13.73 грн
10000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HFG8-0420-12ZIPEMMounting Fixings GRADE 8 HEAVY HEAD STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HFG8-0420-16ZIPEMMounting Fixings GRADE 8 HEAVY HEAD STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HFG8-0518-12ZIPEMMounting Fixings GRADE 8 HEAVY HEAD STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HFG8-0518-16ZIPEMMounting Fixings GRADE 8 HEAVY HEAD STUD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HFGA1/ESA-3H1D-U24Hongfa40255250002
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM100D12V1HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: V1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3414.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM100D12V1HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 100A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Technology: PT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: V1
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2845.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM150D12V3HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: PT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: V3 62MM
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5383.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM150D12V3HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 350A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Technology: PT
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: V3 62MM
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4486.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM200D12V3HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4707.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM200D12V3HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 400A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 200A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+5648.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM300D12V3HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 600A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+8458.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM300D12V3HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 600A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 300A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V3 62MM
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7048.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM75D12V1HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2465.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGM75D12V1HUAJINGCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A; V1
Topology: IGBT half-bridge
Application: for UPS; Inverter
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±30V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Technology: PT
Case: V1
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2959.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HFGPS-0,7-400FGBAHCOSA.HFGPS-0.7-400FG Hammers and Axes
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1846.89 грн
2+1745.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.