Продукція > PJW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PJW-72
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW1NA60A_R2_00001PanjitMOSFET /1NA60A/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-600TWMN/NF600-QI41/PJ/SOT223-AS05/SOT223-AS06/SOT223-AS09
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.62 грн
10+45.89 грн
100+29.81 грн
500+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW1NA60B_R2_00001PanjitMOSFET /1NA60B/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-600TWMN//PJ/SOT223-AS18/PJx1NA60B-AS29/SOT223-AS09
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW2P10A_R2_00001PanjitMOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW2P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.11 грн
11+29.84 грн
100+22.25 грн
500+16.41 грн
1000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJW2P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363010LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS 36.25"L X 30.25"W
Packaging: Box
Features: Mounting Flange, Stainless Steel Hinges, Twist Latch
Color: Gray
Size / Dimension: 36.250" L x 30.250" W (920.75mm x 768.35mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 12.000" (304.80mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL-508
Container Type: Box
Area (L x W): 1097in² (7077cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363010LHammond ManufacturingEnclosures, Boxes & Cases Wallmount/TwistLatch 10.2x30.3x36.3" 4X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363014LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 30.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363014LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X30.25"
Packaging: Case
Features: Mounting Flange, Stainless Steel Hinges, Twist Latch
Color: Gray
Size / Dimension: 36.250" L x 30.250" W (920.75mm x 768.35mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 16.000" (406.40mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL-508
Container Type: Box
Area (L x W): 1097in² (7077cm²)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363014L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 36.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 31.150" L x 14.140" W (791.21mm x 359.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 40.512" (1029.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 440in² (2839cm²)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363014L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures NON MET WALLMT 36X30X14.13 3PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363610LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363610LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X36.25"
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363614LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X36.25"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 36.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 40.512" (1029.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363614L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures NON MET WALLMT 36.25X36.25X14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.11 грн
11+30.08 грн
100+22.47 грн
500+16.57 грн
1000+12.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.91 грн
5000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.03 грн
10+38.82 грн
100+26.96 грн
500+19.76 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.52 грн
10+49.37 грн
100+27.71 грн
500+21.12 грн
1000+17.00 грн
2500+9.86 грн
5000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.08 грн
5000+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
на замовлення 8837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.39 грн
10+41.73 грн
100+28.99 грн
500+21.24 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483610LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 48.25"X36.25"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483610LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 48.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483610L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 48.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 48.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483614LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 48.25"X36.25"
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483614L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 48.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 48.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 52.520" (1334.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
12+29.19 грн
100+18.73 грн
500+13.34 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-R2-00001PanjitMOSFETs SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.83 грн
13+25.47 грн
100+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00701Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.67 грн
13+25.96 грн
100+16.59 грн
500+11.76 грн
1000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00701Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NFSHammondStainless Mounting Feet For Pj Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NFSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories 304SS Feet/Pack4 Fits 6x6 to 20x16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NFSHammond ManufacturingDescription: MOUNTING FEET SS 6X6-20X16 PJ
на замовлення 22086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NLSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories 304SS Feet/Pack4 Fits 24x20 to 30x24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NLSHammond ManufacturingDescription: MOUNTING FEET SS 24X20 - 30X24
Packaging: Box
For Use With/Related Products: PJ Series
Accessory Type: Feet, Leveling
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1893.70 грн
5+1558.48 грн
10+1543.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NLSHammondStainless Mounting Feet For Pj Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NUFSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Polycarb. Feet/Pack4 Fits 6x6 to 14x12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NUFSHammond ManufacturingDescription: MOULDED POLY FEET 6X6-14X12 PJU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NULFSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Polycarb. Feet/Pack4 Fits 16x14 to 20x16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NULFSHammond ManufacturingDescription: ENCLOSURE POLYESTER WALLMOUNT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.15 грн
11+30.65 грн
100+18.41 грн
500+15.99 грн
1000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1PanJit SemiconductorPJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.48 грн
68+16.89 грн
186+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 46201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.26 грн
11+33.21 грн
100+14.05 грн
1000+12.65 грн
2500+9.55 грн
10000+8.69 грн
50000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001PanJit SemiconductorPJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.76 грн
89+12.91 грн
245+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 37865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.26 грн
11+34.19 грн
100+19.41 грн
500+14.83 грн
1000+13.04 грн
2500+10.17 грн
10000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.59 грн
10+32.75 грн
100+21.02 грн
500+14.97 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-AU-R2-000A1PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.72W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.72W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-R2-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P03_R2_00001PanjitMOSFET /W5P03/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-30TWMP//PJ/SOT223-AS20/PJW5P03-ASD6/SOT223-AS09
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.13 грн
12+30.27 грн
100+17.93 грн
500+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
10+40.76 грн
100+28.17 грн
500+22.09 грн
1000+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+41.15 грн
10+33.72 грн
100+23.48 грн
500+17.21 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.02 грн
10+36.87 грн
100+23.99 грн
500+18.86 грн
1000+14.59 грн
2500+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.84 грн
5000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603610LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 60.25"X36.25"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603610LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 60.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603610L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures NON MET WALLMT 60X36X10 3PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 60.25"X36.25"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 60.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 64.500" (1638.30mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW720
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04_R2_00001PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.82 грн
10+54.10 грн
100+41.50 грн
500+30.79 грн
1000+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-R2-00001PanjitMOSFET SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.66 грн
10+38.33 грн
100+24.76 грн
500+17.75 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW8N03_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.19 грн
10+33.64 грн
100+20.93 грн
500+13.44 грн
1000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW8N03_R2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW8N03_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJWI1P6150UADIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWI1P6150UA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWILD720M2
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP4440MADIP
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP4440MA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP4440MA96
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP6150UNAT97 DIP
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.