Продукція > PJW

MOSFET /1NA60A/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-600TWMN/NF600-QI41/PJ/SOT223-AS05/SOT223-AS06/SOT223-AS09

на замовлення 726 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	55.28 грн
10+	47.31 грн
100+	30.74 грн
500+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJW1NA60B_R2_00001

MOSFET /1NA60B/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-600TWMN//PJ/SOT223-AS18/PJx1NA60B-AS29/SOT223-AS09

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW2P10A_R2_00001

Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

на замовлення 2646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	37.23 грн
11+	30.77 грн
100+	22.95 грн
500+	16.92 грн
1000+	13.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJW2P10A_R2_00001

Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW2P10A_R2_00001

MOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363010L

Enclosures, Boxes & Cases Wallmount/TwistLatch 10.2x30.3x36.3" 4X

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363010L

Description: BOX FIBERGLASS 36.25"L X 30.25"W
Packaging: Box
Features: Mounting Flange, Stainless Steel Hinges, Twist Latch
Color: Gray
Size / Dimension: 36.250" L x 30.250" W (920.75mm x 768.35mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 12.000" (304.80mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL-508
Container Type: Box
Area (L x W): 1097in² (7077cm²)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363014L

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 30.25 x 14.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363014L

Description: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X30.25"
Features: Mounting Flange, Stainless Steel Hinges, Twist Latch
Packaging: Case
Color: Gray
Size / Dimension: 36.250" L x 30.250" W (920.75mm x 768.35mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 16.000" (406.40mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL-508
Container Type: Box
Area (L x W): 1097in² (7077cm²)
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363014L3PT

Description: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 36.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 31.150" L x 14.140" W (791.21mm x 359.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 40.512" (1029.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 440in² (2839cm²)

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW363014L3PT

Electrical Enclosures NON MET WALLMT 36X30X14.13 3PT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363610L

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363610L

Description: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X36.25"

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW363614L

Description: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X36.25"

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363614L

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363614L3PT

Electrical Enclosures NON MET WALLMT 36.25X36.25X14

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW363614L3PT

Description: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 36.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 40.512" (1029.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW3N10A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V

на замовлення 12480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	37.23 грн
11+	31.02 грн
100+	23.16 грн
500+	17.08 грн
1000+	13.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJW3N10A_R2_00001

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW3N10A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.32 грн
5000+	11.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

PJW3P06A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7003 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	48.49 грн
10+	40.02 грн
100+	27.80 грн
500+	20.37 грн
1000+	16.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJW3P06A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.38 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

PJW3P06A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW3P06A_R2_00001

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	56.22 грн
10+	50.90 грн
100+	28.58 грн
500+	21.77 грн
1000+	17.53 грн
2500+	10.17 грн
5000+	8.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJW3P06A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW3P10A_R2_00001

Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.61 грн
5000+	16.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

PJW3P10A_R2_00001

Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V

на замовлення 8837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.95 грн
10+	43.02 грн
100+	29.89 грн
500+	21.90 грн
1000+	17.80 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJW483610L

Description: BOX FIBERGLASS GRY 48.25"X36.25"

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW483610L

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 48.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW483610L3PT

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 48.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW483614L

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 48.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW483614L

Description: BOX FIBERGLASS GRY 48.25"X36.25"

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW483614L3PT

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 48.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW483614L3PT

Description: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 48.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 52.520" (1334.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW4N06A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.97 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

PJW4N06A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.22 грн
12+	30.10 грн
100+	19.31 грн
500+	13.75 грн
1000+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJW4N06A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4N06A-R2-00001

MOSFETs SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4N06A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4N06A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	44.16 грн
13+	26.26 грн
100+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJW4N06A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4N06A_R2_00701

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	45.02 грн
13+	26.76 грн
100+	17.10 грн
500+	12.13 грн
1000+	10.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJW4N06A_R2_00701

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.50 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

PJW4NFS

Hammond

Stainless Mounting Feet For Pj Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4NFS

Electrical Enclosure Accessories 304SS Feet/Pack4 Fits 6x6 to 20x16

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4NFS

Description: MOUNTING FEET SS 6X6-20X16 PJ

на замовлення 22086 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW4NLS

Electrical Enclosure Accessories 304SS Feet/Pack4 Fits 24x20 to 30x24

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4NLS

Description: MOUNTING FEET SS 24X20 - 30X24
Packaging: Box
For Use With/Related Products: PJ Series
Accessory Type: Feet, Leveling

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1952.49 грн
5+	1606.86 грн
10+	1591.85 грн

В кошику од. на суму грн.

PJW4NLS

Hammond

Stainless Mounting Feet For Pj Series

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4NUFS

Electrical Enclosure Accessories Polycarb. Feet/Pack4 Fits 6x6 to 14x12

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4NUFS

Description: MOULDED POLY FEET 6X6-14X12 PJU

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4NULFS

Electrical Enclosure Accessories Polycarb. Feet/Pack4 Fits 16x14 to 20x16

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4NULFS

Description: ENCLOSURE POLYESTER WALLMOUNT

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW4P06A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

на замовлення 4518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	42.43 грн
11+	31.60 грн
100+	18.98 грн
500+	16.49 грн
1000+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJW4P06A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 46201 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.88 грн
11+	34.24 грн
100+	14.49 грн
1000+	13.05 грн
2500+	9.85 грн
10000+	8.96 грн
50000+	8.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJW4P06A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.42 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

PJW4P06A-AU_R2_007A1

PanJit Semiconductor

PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors

на замовлення 5676 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	66.48 грн
69+	17.51 грн
188+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PJW4P06A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW4P06A_R2_00001

PanJit Semiconductor

PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors

на замовлення 840 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

6+	57.11 грн
89+	13.41 грн
245+	12.71 грн
25000+	12.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJW4P06A_R2_00001

MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 37865 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	53.88 грн
11+	35.25 грн
100+	20.01 грн
500+	15.29 грн
1000+	13.45 грн
2500+	10.49 грн
10000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJW4P06A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

на замовлення 1684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	56.28 грн
10+	33.77 грн
100+	21.67 грн
500+	15.44 грн
1000+	13.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJW5N06A-AU-R2-000A1

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N06A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.72W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N06A-AU_R2_000A1

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N06A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.72W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N06A-R2-00001

Array

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N06A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N06A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N06A_R2_00001

MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N10-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N10-AU_R2_000A1

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N10-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N10A_R2_00001

MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N10A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N10A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N10_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5N10_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW5P03_R2_00001

MOSFET /W5P03/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-30TWMP//PJ/SOT223-AS20/PJW5P03-ASD6/SOT223-AS09

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	38.29 грн
12+	31.20 грн
100+	18.49 грн
500+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

PJW5P06A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.10 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

PJW5P06A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 3408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	50.22 грн
10+	42.02 грн
100+	29.05 грн
500+	22.78 грн
1000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

PJW5P06A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 7380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	42.43 грн
10+	34.77 грн
100+	24.21 грн
500+	17.74 грн
1000+	14.42 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJW5P06A_R2_00001

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4539 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	45.38 грн
10+	38.02 грн
100+	24.73 грн
500+	19.45 грн
1000+	15.05 грн
2500+	12.57 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

PJW5P06A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	14.27 грн
5000+	13.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

PJW603610L

Description: BOX FIBERGLASS GRY 60.25"X36.25"

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW603610L

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 60.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW603610L3PT

Electrical Enclosures NON MET WALLMT 60X36X10 3PT

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW603614L

Description: BOX FIBERGLASS GRY 60.25"X36.25"

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW603614L

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW603614L3PT

Electrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW603614L3PT

Description: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 60.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 64.500" (1638.30mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW720

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

PJW7N04-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW7N04-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW7N04-R2-00001

MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW7N04_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW7N04_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW7N06A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW7N06A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	65.80 грн
10+	55.78 грн
100+	42.79 грн
500+	31.75 грн
1000+	25.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJW7N06A-R2-00001

MOSFET SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW7N06A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 3680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	66.67 грн
10+	39.52 грн
100+	25.53 грн
500+	18.30 грн
1000+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PJW7N06A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 2500

В кошику од. на суму грн.

PJW7N06A_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW8N03_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	47.62 грн
10+	34.69 грн
100+	21.58 грн
500+	13.85 грн
1000+	10.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PJW8N03_R2_00001

MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

PJW8N03_R2_00001