Продукція > PJW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
PJW-72
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW1NA60A_R2_00001PanjitMOSFET /1NA60A/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-600TWMN/NF600-QI41/PJ/SOT223-AS05/SOT223-AS06/SOT223-AS09
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.16 грн
10+40.36 грн
100+26.22 грн
500+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW1NA60B_R2_00001PanjitMOSFET /1NA60B/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-600TWMN//PJ/SOT223-AS18/PJx1NA60B-AS29/SOT223-AS09
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW2P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW2P10A_R2_00001PanjitMOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW2P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 448 pF @ 15 V
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
11+27.29 грн
100+20.36 грн
500+15.01 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363010LHammond ManufacturingEnclosures, Boxes & Cases Wallmount/TwistLatch 10.2x30.3x36.3" 4X
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363010LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS 36.25"L X 30.25"W
Packaging: Box
Features: Mounting Flange, Stainless Steel Hinges, Twist Latch
Color: Gray
Size / Dimension: 36.250" L x 30.250" W (920.75mm x 768.35mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 12.000" (304.80mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL-508
Container Type: Box
Area (L x W): 1097in² (7077cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363014LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X30.25"
Features: Mounting Flange, Stainless Steel Hinges, Twist Latch
Packaging: Case
Color: Gray
Size / Dimension: 36.250" L x 30.250" W (920.75mm x 768.35mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 16.000" (406.40mm)
Design: Hinged Door, Lid
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL-508
Container Type: Box
Area (L x W): 1097in² (7077cm²)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363014LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 30.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363014L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures NON MET WALLMT 36X30X14.13 3PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363014L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 36.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 31.150" L x 14.140" W (791.21mm x 359.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 40.512" (1029.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 440in² (2839cm²)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363610LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X36.25"
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363610LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 36.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363614LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 36.25"X36.25"
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363614L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures NON MET WALLMT 36.25X36.25X14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW363614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 36.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 40.512" (1029.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.81 грн
5000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 30 V
на замовлення 12480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
11+27.52 грн
100+20.55 грн
500+15.15 грн
1000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3N10A_R2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
10+35.50 грн
100+24.66 грн
500+18.07 грн
1000+14.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.95 грн
10+43.42 грн
100+24.37 грн
500+18.57 грн
1000+14.95 грн
2500+8.67 грн
5000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
на замовлення 8837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.09 грн
10+38.17 грн
100+26.52 грн
500+19.43 грн
1000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1419 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.62 грн
5000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483610LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 48.25"X36.25"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483610LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 48.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483610L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 48.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 48.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483614LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 48.25"X36.25"
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 48.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 52.520" (1334.00mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW483614L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 48.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
12+26.70 грн
100+17.13 грн
500+12.20 грн
1000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-R2-00001PanjitMOSFETs SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.17 грн
13+23.30 грн
100+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00701Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00701Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.94 грн
13+23.74 грн
100+15.17 грн
500+10.76 грн
1000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NFSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories 304SS Feet/Pack4 Fits 6x6 to 20x16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NFSHammond ManufacturingDescription: MOUNTING FEET SS 6X6-20X16 PJ
на замовлення 22086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NFSHammondStainless Mounting Feet For Pj Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NLSHammondStainless Mounting Feet For Pj Series
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NLSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories 304SS Feet/Pack4 Fits 24x20 to 30x24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NLSHammond ManufacturingDescription: MOUNTING FEET SS 24X20 - 30X24
Packaging: Box
For Use With/Related Products: PJ Series
Accessory Type: Feet, Leveling
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1732.07 грн
5+1425.46 грн
10+1412.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NUFSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Polycarb. Feet/Pack4 Fits 6x6 to 14x12
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NUFSHammond ManufacturingDescription: MOULDED POLY FEET 6X6-14X12 PJU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NULFSHammond ManufacturingDescription: ENCLOSURE POLYESTER WALLMOUNT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4NULFSHammond ManufacturingElectrical Enclosure Accessories Polycarb. Feet/Pack4 Fits 16x14 to 20x16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.64 грн
11+28.03 грн
100+16.83 грн
500+14.63 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 46201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.96 грн
11+29.21 грн
100+12.36 грн
1000+11.13 грн
2500+8.40 грн
10000+7.65 грн
50000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_007A1PanJit SemiconductorPJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.53 грн
69+17.16 грн
188+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001PanJit SemiconductorPJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+56.29 грн
89+13.12 грн
245+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001PanjitMOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 37865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.96 грн
11+30.07 грн
100+17.07 грн
500+13.04 грн
1000+11.47 грн
2500+8.94 грн
10000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.93 грн
10+29.96 грн
100+19.22 грн
500+13.70 грн
1000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-AU-R2-000A1PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.72W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.72W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A-R2-00001PanjitArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A_R2_00001PanjitMOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1413 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10A_R2_00001PanjitMOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5N10_R2_00001Panjit International Inc.Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P03_R2_00001PanjitMOSFET /W5P03/TR/13"/HF/2.5K/SOT-223/MOS/SOT/NFET-30TWMP//PJ/SOT223-AS20/PJW5P03-ASD6/SOT223-AS09
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.66 грн
12+26.62 грн
100+15.77 грн
500+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
10+37.28 грн
100+25.77 грн
500+20.20 грн
1000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.66 грн
5000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.64 грн
10+30.84 грн
100+21.48 грн
500+15.74 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.71 грн
10+32.43 грн
100+21.10 грн
500+16.59 грн
1000+12.84 грн
2500+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603610LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 60.25"X36.25"
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603610LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 60.25 x 36.25 x 10.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603610L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures NON MET WALLMT 60X36X10 3PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614LHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614LHammond ManufacturingDescription: BOX FIBERGLASS GRY 60.25"X36.25"
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614L3PTHammond ManufacturingElectrical Enclosures N4X Wallmount Encl 3PT - 60.25 x 36.25 x 14.13 - Fiberglass
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW603614L3PTHammond ManufacturingDescription: N4X WALLMOUNT ENCL 3PT - 60.25 X
Packaging: Bulk
Color: Gray
Size / Dimension: 37.150" L x 16.030" W (943.61mm x 407.16mm)
Material: Fiberglass/Polyester
Height: 64.500" (1638.30mm)
Design: Hinged Door
Ratings: IP66, NEMA 1,2,3,4,4X,12,13, UL 508A
Container Type: Enclosure
Area (L x W): 596in² (3845cm²)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW720
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-R2-00001PanjitMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04_R2_00001Panjit International Inc.Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04_R2_00001PanjitMOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.38 грн
10+49.48 грн
100+37.96 грн
500+28.16 грн
1000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-R2-00001PanjitMOSFET SOT-223/MOS/SOT/NFET-60TWMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00001PanjitMOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00001Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.14 грн
10+35.06 грн
100+22.65 грн
500+16.23 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJW8N03_R2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW8N03_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
PJW8N03_R2_00001Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.25 грн
10+30.77 грн
100+19.14 грн
500+12.29 грн
1000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJWI1P6150UA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWI1P6150UADIP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWILD720M2
на замовлення 782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP4440MA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP4440MA96
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP4440MADIP
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJWIP6150UNAT97 DIP
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.