НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RUR-D1610
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR-D1620
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR020N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR020N02TLROHMDescription: ROHM - RUR020N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.05 грн
6000+10.74 грн
9000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR020N02TLROHM SemiconductorMOSFETs SW MOSFET MID PWR N-CH 20V 2A
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR020N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 6A; 1W; TSMT3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: TSMT3
On-state resistance: 0.24Ω
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Gate charge: 2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR020N02TLROHMDescription: ROHM - RUR020N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR020N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
11+27.37 грн
100+18.63 грн
500+13.73 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02ROHM10+ROHS TSMT3
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 20V Vds 4A 0.055Rds(on) 8Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTLROHMDescription: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTLROHM SemiconductorMOSFETs Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+33.33 грн
444+32.00 грн
500+30.84 грн
1000+28.77 грн
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTLROHMDescription: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
426+33.33 грн
444+32.00 грн
500+30.84 грн
1000+28.77 грн
2500+25.85 грн
Мінімальне замовлення: 426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+45.02 грн
100+31.15 грн
500+24.42 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02HZGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
514+27.59 грн
516+27.47 грн
595+23.86 грн
1000+21.96 грн
3000+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 23757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+47.86 грн
50+35.37 грн
100+29.41 грн
500+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 45848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
643+22.05 грн
647+21.93 грн
722+19.64 грн
1000+18.24 грн
2000+16.78 грн
3000+15.59 грн
6000+15.08 грн
12000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 643 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TLROHMDescription: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 23278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.71 грн
9000+16.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+31.79 грн
465+30.51 грн
500+29.41 грн
1000+27.44 грн
2500+24.65 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TLROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.91 грн
12+36.40 грн
100+25.93 грн
500+20.94 грн
1000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TLROHMDescription: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR040N02TLROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A
на замовлення 21627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR11UR0M11X020WSA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR15040
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1510Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 100V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR15120
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1540Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 400V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
444+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1550Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 15A, 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1560Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 600V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+73.27 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1570Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 15A, 700V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1580Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 800V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 125 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1620CTHarris CorporationDescription: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+80.56 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1S1560S9AFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1S1560S9AON Semiconductor / FairchildDiodes - General Purpose, Power, Switching 600V 15a Rectifier Hyperfast
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1S1560S9AFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR1S1560S9AFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR3010Harris CorporationDescription: DIODE GEN PURP 100V 30A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 237 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR30100
на замовлення 6757 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR30120Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 30A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR30120
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR3015Harris CorporationDescription: DIODE GEN PURP 150V 30A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+63.73 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR3020Harris CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 30A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR3050Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 500V 30A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 500 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 296 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR3060Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 600V 30A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
162+134.70 грн
Мінімальне замовлення: 162 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR3070Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 700V 30A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 700 V
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR3080Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 800V 30A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+84.21 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR410
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR4120
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR415
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR420
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR420U
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR440
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR440S
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR450
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR460
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR610
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR6120C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR615
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR620
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR640
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR660
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR6712UCTS Thermal Management ProductsDescription: HEATSINK PRESSON PANEL MNT TO-92
Packaging: Bag
Material: Beryllium Copper
Length: 0.113" (2.87mm)
Shape: Rectangular
Type: Board Level, Vertical
Width: 0.530" (13.46mm)
Attachment Method: Bolt On and Clip
Fin Height: 0.575" (14.60mm)
Material Finish: Unfinished
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR671UCTS Thermal Management ProductsDescription: HEATSINK PRESSON PANEL MNT TO-92
Material: Brass
Package Cooled: TO-92
Attachment Method: Press Fit
Fin Height: 0.590" (15.00mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR67B1BCTS Thermal Management ProductsDescription: HEATSINK PRESSON SINGL MNT TO-92
Material: Aluminum
Package Cooled: TO-92
Attachment Method: Press Fit
Fin Height: 0.590" (15.00mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR8100Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR820
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR840N/A
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR850Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 8A, 500V
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 799 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUR860Harris CorporationDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUR860Intersil00+ BGA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUR880Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 800V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 800 V
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
743+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD1510Harris CorporationDescription: DIODE ARRAY AVAL 100V 15A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+182.63 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD15100Harris CorporationDescription: RECTIFIER, 15A, 100V V(RRM)
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RURD1515Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 15A, 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RURD1520Harris CorporationDescription: DIODE ARRAY AVAL 200V 15A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+188.37 грн
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD1540Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 15A, 400V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RURD1550Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 15A, 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RURD1560Harris CorporationDescription: DIODE ARRAY AVAL 600V 15A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+216.97 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD1570Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD1580Harris CorporationDescription: DIODE
Packaging: Bulk
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+184.77 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD1590Rochester Electronics, LLCDescription: RECTIFIER DIODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD3010Harris CorporationDescription: DIODE ARRAY AVAL 100V 30A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+210.41 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD30100Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 30A, 1000V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+214.87 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD3015Harris CorporationDescription: DIODE ARRAY AVAL 150V 30A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+214.12 грн
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD3020Harris CorporationDescription: DIODE ARRAY AVAL 200V 30A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
102+219.32 грн
Мінімальне замовлення: 102 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD3040Harris CorporationDescription: DIODE ARRAY AVAL 400V 30A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Avalanche
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 400 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+242.44 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD3050Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 30A, 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RURD3070Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 30A, 700V
Packaging: Bulk
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+205.20 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD3080Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 30A, 800V
Packaging: Bulk
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+208.91 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD3090Harris CorporationDescription: RECTIFIER DIODE, 30A, 900V
Packaging: Bulk
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+211.15 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD410Harris CorporationDescription: DIODE AVALANCHE 100V 4A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: I-PAK
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
на замовлення 10780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
761+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RURD410S
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RURD4120INTERSIL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RURD4120SFAIRCHILD07+ TO-252
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RURD4120S9AFairchild SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 4A DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.