Продукція > RUR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RUR-D1610 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR-D1620 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR020N02 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR020N02TL | ROHM Semiconductor | MOSFETs SW MOSFET MID PWR N-CH 20V 2A | на замовлення 2941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR020N02TL | ROHM | Description: ROHM - RUR020N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR020N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR020N02TL | ROHM | Description: ROHM - RUR020N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.075 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR020N02TL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR020N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02 | ROHM | 10+ROHS TSMT3 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR040N02FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 20V Vds 4A 0.055Rds(on) 8Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR040N02HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 3335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02HZGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Automotive Nch 20V 4A Small Signal MOSFET. RUR040N02HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101. | на замовлення 1959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02HZGTL | ROHM | Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02HZGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02HZGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02HZGTL | ROHM | Description: ROHM - RUR040N02HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02TL | ROHM | Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 45848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02TL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 8A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2770 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4A 3-Pin TSMT T/R | на замовлення 4181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02TL | ROHM | Description: ROHM - RUR040N02TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 300mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 4A | на замовлення 21627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V | на замовлення 14318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR040N02TL | ROHM | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| RUR11UR0M11X020WSA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR15040 | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR1510 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 100V 15A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 15A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR15120 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR1540 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 400V 15A TO220AC Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 15A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 | на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR1550 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 15A, 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR1560 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 600V 15A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR1570 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 15A, 700V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR1580 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 800V 15A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 15A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 125 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR1620CT | Harris Corporation | Description: DIODE ARRAY GP 200V 8A TO-220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A Supplier Device Package: TO-220-3 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR1S1560S9A | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR1S1560S9A | FAIRCHIL | 2003 | на замовлення 13560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR1S1560S9A | ON Semiconductor / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V 15a Rectifier Hyperfast | на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR1S1560S9A | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR1S1560S9A | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK | на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR3010 | Harris Corporation | Description: DIODE GEN PURP 100V 30A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR30100 | на замовлення 6757 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR30120 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1.2KV 30A TO220 Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR30120 | на замовлення 208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR3015 | Harris Corporation | Description: DIODE GEN PURP 150V 30A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR3020 | Harris Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 30A TO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR3050 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 500V 30A TO220AC Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Avalanche | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR3060 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 600V 30A TO220AC Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V | на замовлення 716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR3070 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 700V 30A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 700 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR3080 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 800V 30A TO220AC Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 30A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR410 | на замовлення 2344 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR4120 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR415 | на замовлення 5555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR420 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR420U | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR440 | на замовлення 3789 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR440S | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR450 | на замовлення 4784 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR460 | на замовлення 2344 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR610 | на замовлення 3555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR6120C | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR615 | на замовлення 3432 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR620 | на замовлення 41 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR640 | на замовлення 4322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR660 | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR6712U | CTS Thermal Management Products | Description: HEATSINK PRESSON PANEL MNT TO-92 Packaging: Bag Material: Beryllium Copper Length: 0.113" (2.87mm) Shape: Rectangular Type: Board Level, Vertical Width: 0.530" (13.46mm) Attachment Method: Bolt On and Clip Fin Height: 0.575" (14.60mm) Material Finish: Unfinished | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR671U | CTS Thermal Management Products | Description: HEATSINK PRESSON PANEL MNT TO-92 Fin Height: 0.590" (15.00mm) Attachment Method: Press Fit Package Cooled: TO-92 Material: Brass | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR67B1B | CTS Thermal Management Products | Description: HEATSINK PRESSON SINGL MNT TO-92 Fin Height: 0.590" (15.00mm) Attachment Method: Press Fit Package Cooled: TO-92 Material: Aluminum | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR8100 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 1KV 8A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 8A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR820 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RUR840 | N/A | на замовлення 169 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| RUR850 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 8A, 500V | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RUR860 | Intersil | 00+ BGA | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR860 | Harris Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RUR880 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 800V 8A TO220AC Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220AC Current - Average Rectified (Io): 8A Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Bulk Technology: Avalanche | на замовлення 743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD1510 | Harris Corporation | Description: DIODE ARRAY AVAL 100V 15A TO218 Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Avalanche Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD15100 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER, 15A, 100V V(RRM) Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RURD1515 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 15A, 150V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RURD1520 | Harris Corporation | Description: DIODE ARRAY AVAL 200V 15A TO218 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-218 Isolated Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD1540 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 15A, 400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RURD1550 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 15A, 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RURD1560 | Harris Corporation | Description: DIODE ARRAY AVAL 600V 15A TO218 Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-218 Isolated Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD1570 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RURD1580 | Harris Corporation | Description: DIODE Packaging: Bulk | на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD1590 | Rochester Electronics, LLC | Description: RECTIFIER DIODE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RURD3010 | Harris Corporation | Description: DIODE ARRAY AVAL 100V 30A TO218 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-218 Isolated Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD30100 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 30A, 1000V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD3015 | Harris Corporation | Description: DIODE ARRAY AVAL 150V 30A TO218 Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-218 Isolated Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD3020 | Harris Corporation | Description: DIODE ARRAY AVAL 200V 30A TO218 Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-218 Isolated Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD3040 | Harris Corporation | Description: DIODE ARRAY AVAL 400V 30A TO218 Supplier Device Package: TO-218 Isolated Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD3050 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 30A, 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RURD3070 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 30A, 700V Packaging: Bulk | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD3080 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 30A, 800V Packaging: Bulk | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD3090 | Harris Corporation | Description: RECTIFIER DIODE, 30A, 900V Packaging: Bulk | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD410 | Harris Corporation | Description: DIODE AVALANCHE 100V 4A I-PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: I-PAK Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V | на замовлення 10780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RURD410S | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RURD4120 | INTERSIL | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

