Продукція > SI6

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI6000IFM ELECTRONICCategory: Flow Meters
Description: Automation module: signaller; Control.param: fluid flow; PIN: 4
Number of pins: 4
Operating temperature: -25...60°C
Supply voltage: 19...36V DC
Mounting: Aseptoflex
Controlled parameter: fluid flow
Application: food industry
IP rating: IP67; IP69K
Connection: M12
Output configuration: PNP NO / NC
Type of automation module: signaller
Medium temperature range: -25...90°C
Probe diameter: 7.7mm
Body dimensions: Ø50x154mm
Probe length: 55mm
Measuring range: 3...300 cm/s; 200...3000 cm/s
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6001A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6018-SALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO220; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; 2.5kV
Material: glass fiber reinforced silicone
Mounting: clip; glued
Application: TO220
Type of heat transfer pad: silicone
Operating temperature: -60...200°C
Thickness: 0.18mm
Dimensions: 94x20mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Dielectric strength: 2.5kV
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+568.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI602D
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI60DC100Teledyne RelaysSolid State Relays - SSRs
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+70360.35 грн
10+64961.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI61511
на замовлення 7882 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI61LV12816-12K
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6200IFM ELECTRONICCategory: Flow Meters
Description: Automation module: signaller; Control.param: fluid flow; PIN: 4
Controlled parameter: fluid flow
Application: food industry
IP rating: IP67; IP69K
Connection: M12
Output configuration: PNP NO / NC
Type of automation module: signaller
Operating temperature: -25...60°C
Medium temperature range: -25...90°C
Probe diameter: 7.7mm
Probe length: 38mm
Body dimensions: Ø50x137mm
Number of pins: 4
Measuring range: 3...300 cm/s; 200...3000 cm/s
Supply voltage: 19...36V DC
Mounting: Aseptoflex
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI62C-01200----Держатель SIM card Аксесуари для GSM модемів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI62C-01200Утримувач MicroSim карти типу PUSH-PUSH відрізняється від SI63C-01200 і SI32C-01203 тим що має контакт наявності картки. HOLDER
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
8+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI62C-01200AtomРоз'єм до micro SIM-карти, К-сть крок = 1,35 мм, К-сть виводів = 6,... Роз'єми Корпус: ... Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
16+40.58 грн
100+38.19 грн
1000+33.05 грн
5000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI62C256-45ULI
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6303KDWS-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6303KDWS-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT-363S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.55nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363S
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI630ESIS
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI630ETSIS
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI630SSIS
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI630STSIS
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6331DQ
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI638165TS-6G
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI63C-01200SHENZHEN ATOM TECHДержатель MicroSim карты типа Push/Push (старое название SI32C-01203) Аксесуари для GSM модемів
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI63C-01200Утримувач MicroSim карти типу Push/Push старе найменування SI32C-01203 HOLDER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6402
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6404DQVISHAY07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6404DQ-T1VISHAYTSSOP8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6404DQ-T1 TSSOP8VISHAY
на замовлення 21200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si6404DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si6404DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6404DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6404DQ-T1TSSOP8VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6405DQVISHAY07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6410N/A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6410DQVISHAY07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6410DQ-T1
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si6410DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si6410DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si6410DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6410DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6410DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6413DQVISHAY07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6413DQ-T1-E3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6413DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6413DQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6413DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415
Код товару: 92097
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415SILICONIX
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415D-T1SILICON09+ .
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQVISHAY07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1SILICONIX9920+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 14967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.70 грн
10+110.35 грн
100+76.63 грн
250+70.41 грн
500+63.58 грн
1000+61.92 грн
3000+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI6415DQ-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.019 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.60 грн
10+115.98 грн
100+82.96 грн
500+62.30 грн
1000+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SI64
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.66 грн
10+119.08 грн
100+63.99 грн
500+52.67 грн
3000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+101.56 грн
100+80.84 грн
500+64.20 грн
1000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI6415DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.22 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+73.96 грн
1500+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI6415DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.22 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.81 грн
50+103.90 грн
100+87.79 грн
500+73.96 грн
1500+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 6.5A 1.5W 19mohm @ 10V
на замовлення 12868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.91 грн
10+111.94 грн
100+68.27 грн
500+54.61 грн
1000+54.12 грн
3000+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6421DQVISHAY07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.31 грн
10+57.66 грн
100+38.96 грн
500+28.64 грн
1000+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10.3A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423ADQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSSOP8 P-CH 20V 10.3A
на замовлення 5611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+83.36 грн
100+48.46 грн
500+38.31 грн
1000+35.00 грн
3000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.2W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423ADQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 10.3A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQVISHAY07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TSSOP P CHAN 12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3VishayMOSFET P-CH 12V 8.2A TSSOP-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 13974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.83 грн
10+121.47 грн
100+71.80 грн
500+61.16 грн
1000+53.92 грн
3000+49.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3
на замовлення 6990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.76 грн
10+100.46 грн
25+99.46 грн
100+82.79 грн
250+76.15 грн
500+65.42 грн
1000+60.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.06 грн
6000+46.13 грн
9000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+155.41 грн
10+127.86 грн
25+126.57 грн
100+98.21 грн
250+83.39 грн
500+72.67 грн
1000+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI6423DQ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8.2 A, 8500 µohm, TSSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.05W
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.97 грн
10+111.95 грн
100+76.59 грн
500+56.99 грн
1000+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSSOP-8
на замовлення 6239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+97.65 грн
100+65.31 грн
500+52.40 грн
1000+49.70 грн
3000+45.49 грн
6000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
на замовлення 19389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.30 грн
10+109.26 грн
100+74.73 грн
500+56.26 грн
1000+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6426VISHAY07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6426DQFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 10 V
на замовлення 23244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6426DQVISHAYTSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6426DQ-T1SILICONIXSOP8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si6426DQ-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6426DQ-TI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433VISHAY
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQVISHAY07+ TSSOP-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-E3
на замовлення 61500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-GE3
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433DQVISHAYTSSOP8
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1193 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Bulk
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
на замовлення 16711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+78.44 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433DQ-T1SIMSOP8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]