Продукція > UMD

на замовлення 8503 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD10N

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD10N-TP

Digital Transistors

товар відсутній

UMD10NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.05 грн
16+	18.24 грн
25+	16.68 грн
100+	11.65 грн
250+	10.56 грн
500+	8.74 грн
1000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 13

UMD10NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.65 грн
6000+	6.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD12 N TR

09+

на замовлення 60018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12 NTR

на замовлення 34630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12 N TR

SOT363-D12

на замовлення 438000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12 N TR SOT363-D12

на замовлення 390000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12 N TR SOT363-D12

на замовлення 438000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12-323

на замовлення 3450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12-N-TR

на замовлення 2372 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12-NTRSOT363-D12

на замовлення 66000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12.N.TR

на замовлення 12673 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12/D12

на замовлення 288200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12B

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12N

на замовлення 4575 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12N-TPQ2

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD12NFHATR

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGITAL NPN+PNP

на замовлення 1932 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.3 грн
13+	25.04 грн
100+	13.59 грн
1000+	8.19 грн
3000+	6.13 грн
9000+	5.53 грн
24000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

UMD12NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Type of transistor: NPN / PNP
Current gain: 68
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.15W
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD12NFHATR

товар відсутній

UMD12NFHATR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

товар відсутній

UMD12NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.31 грн
6000+	5.82 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD12NHE3-TP

Bipolar Transistors - Pre-Biased

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.33 грн
16+	20.29 грн
100+	11.99 грн
1000+	6.99 грн
3000+	6.13 грн
9000+	5.39 грн
24000+	4.93 грн

Мінімальне замовлення: 13

UMD12NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.05 грн
16+	17.48 грн
100+	10.48 грн
500+	9.11 грн
1000+	6.19 грн

Мінімальне замовлення: 13

UMD12NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 4779 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
14+	20.6 грн
100+	10.41 грн
500+	8.66 грн
1000+	6.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD12NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA

на замовлення 10829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.29 грн
12+	27.72 грн
100+	15.05 грн
500+	10.32 грн

Мінімальне замовлення: 9

UMD12NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD12NTR

UMD12NTR Complementary transistors

на замовлення 11990 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

37+	7.32 грн
280+	3.57 грн
750+	3.38 грн

Мінімальне замовлення: 37

UMD12NTRSOT363-D12

на замовлення 402000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12VL-235

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD12VL-705

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD15D15

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD15NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD16N

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD18N-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD1N

на замовлення 15100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD1NTR

на замовлення 8503 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2 N TR

SOT26/SOT363

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2 N TR

SOT26

на замовлення 2390 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2 NTR

97+

на замовлення 2850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2 TR

SOT363

на замовлення 13800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2/D2

SOT-363

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22-N-TR

на замовлення 150000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22/D22

на замовлення 10151 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22N

на замовлення 3854 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22N

Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	1.98 грн
15000+	1.78 грн
30000+	1.71 грн
60000+	1.49 грн
120000+	1.37 грн
300000+	1.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD22NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
14+	21.23 грн
100+	10.7 грн
500+	8.89 грн
1000+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD22NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ

товар відсутній

UMD22NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD22NFHATR

Digital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors)

на замовлення 4665 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.95 грн
15+	21.67 грн
100+	9.19 грн
1000+	7.19 грн
3000+	6.19 грн
9000+	5.53 грн
24000+	5.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD22NFHATR

товар відсутній

UMD22NHE3-TP

Pre-biased TransistorsSOT-363

товар відсутній

UMD22NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD22NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 80
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

UMD22NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

товар відсутній

UMD22NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL DIGITAL SMT PNP/NPN

на замовлення 1831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	30.3 грн
13+	24.43 грн
100+	14.52 грн
500+	10.85 грн
1000+	8.19 грн
3000+	6.99 грн
9000+	6.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD22NTR

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD22NTR

товар відсутній

UMD22NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

товар відсутній

UMD25NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased UMD25N is a digital transistor contains a DTA123J chip and a DTC123J chip in a UMT package, therefore the mounting cost and area can be cut in half. It is suitable for inverter, interface, driver applications.

на замовлення 1209 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.2 грн
16+	19.83 грн
100+	7.72 грн
1000+	5.99 грн
3000+	5.19 грн
9000+	4.59 грн
24000+	4.33 грн

Мінімальне замовлення: 12

UMD25NTR

Description: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 11840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.93 грн
16+	17.9 грн
100+	9 грн
500+	7.49 грн
1000+	5.83 грн

Мінімальне замовлення: 12

UMD25NTR

Description: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.77 грн
6000+	5.43 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD2A

на замовлення 57200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2N

03/04+ SOT-363

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2N

Bipolar Transistors - Pre-Biased

товар відсутній

UMD2N-TP

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN and PNP l Digital Transistors

товар відсутній

UMD2N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

товар відсутній

UMD2N-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD2N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

товар відсутній

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

776+	15.06 грн
855+	13.66 грн

Мінімальне замовлення: 776

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 3725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1919+	6.08 грн
2036+	5.73 грн
2260+	5.17 грн
2344+	4.8 грн
3000+	4.24 грн

Мінімальне замовлення: 1919

UMD2N-TR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

580+	1 грн
589+	0.98 грн
598+	0.97 грн
607+	0.92 грн
616+	0.84 грн
625+	0.79 грн
635+	0.78 грн
1000+	0.76 грн

Мінімальне замовлення: 580

UMD2N.TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2NFHATR

Description: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.21 грн
500+	10.54 грн
1000+	7.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

UMD2NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD2NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ

товар відсутній

UMD2NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD2NFHATR

Description: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung
Bauform - Transistor: SOT-363
Bauform - HF-Transistor: SOT-363
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.82 грн
26+	28.99 грн
100+	16.21 грн
500+	10.54 грн
1000+	7.49 грн

Мінімальне замовлення: 19

UMD2NFHATR

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGITAL NPN+PNP

на замовлення 5445 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.95 грн
13+	23.59 грн
100+	11.05 грн
1000+	7.39 грн
3000+	6.46 грн
9000+	5.13 грн
24000+	4.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD2NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
14+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD2NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.37 грн
15+	18.59 грн
100+	9.38 грн
500+	7.8 грн
1000+	6.07 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD2NHE3-TP

Pre-biased Transistors SOT-363

товар відсутній

UMD2NHE3-TP

Bipolar Transistors - Pre-Biased

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 157-166 дні (днів)

11+	29.6 грн
14+	21.98 грн
100+	11.92 грн
1000+	6.46 грн
3000+	5.59 грн
9000+	4.86 грн
24000+	4.53 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD2NHE3-TP

Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.01 грн
6000+	5.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD2NHE3-TPQ2

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD2NHE3-TPQ2

Bipolar Transistors - Pre-Biased

товар відсутній

UMD2NTL

09+

на замовлення 27313 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2NTR

SOT-363

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD2NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 30MA

на замовлення 271 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.25 грн
13+	24.58 грн
100+	9.19 грн
1000+	7.06 грн
3000+	5.93 грн
9000+	5.39 грн
24000+	5.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD2NTR

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ

товар відсутній

UMD2NTR

Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung
Bauform - Transistor: SOT-363
Bauform - HF-Transistor: SOT-363
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9110 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.82 грн
26+	29.28 грн
100+	16.29 грн
500+	10.41 грн
1000+	7.36 грн
3000+	7.24 грн
6000+	7.11 грн

Мінімальне замовлення: 19

UMD2NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 5833 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
14+	20.6 грн
100+	10.41 грн
500+	8.66 грн
1000+	6.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD2NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 150mW
Case: SC88; SOT363
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ

товар відсутній

UMD2TL

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2TR(D2)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD2\D2

SOT-353

на замовлення 21100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR

SOT26/SOT363

на замовлення 2540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR

SOT26

на замовлення 2921 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR

SOT363-D3

на замовлення 474000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR SOT363-D3

на замовлення 435000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR SOT363-D3

на замовлення 474000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 N TR/D3

SMD

на замовлення 86200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 NFHATR

SOT23

на замовлення 2600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 NFHATR

SOT26/SOT363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 NTR

SOT23-6

на замовлення 2126 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 NTR

на замовлення 9200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3 TR

на замовлення 11100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3(D3)

95 SOT-363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3-N-TR

SOT23

на замовлення 8880 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3/D3

00+ SOT-363

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD36B

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3N

Bipolar Transistors - Pre-Biased

товар відсутній

UMD3N

Yangjie Electronic Technology

03/04+ SOT363

на замовлення 3100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3N

Yangjie Technology

Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

на замовлення 300000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	2.16 грн
15000+	1.94 грн
30000+	1.87 грн
60000+	1.63 грн
120000+	1.5 грн
300000+	1.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD3N

UMD3N

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6303+	1.85 грн

Мінімальне замовлення: 6303

UMD3N

на замовлення 7100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

товар відсутній

UMD3N-TP

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN and PNP l Digital Transistors

товар відсутній

UMD3N-TP

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R

товар відсутній

UMD3N-TP

Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

товар відсутній

UMD3N.TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NFHA

Bipolar Transistors - Pre-Biased

товар відсутній

UMD3NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
14+	21.02 грн
100+	10.6 грн
500+	8.81 грн
1000+	6.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD3NFHATR

Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	21.29 грн
50+	15.76 грн
100+	10.16 грн
500+	7.42 грн
1500+	6.72 грн

Мінімальне замовлення: 36

UMD3NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD3NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

товар відсутній

UMD3NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN + PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.79 грн
6000+	6.39 грн
9000+	5.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD3NFHATR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R

на замовлення 5975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1627+	7.17 грн
1936+	6.03 грн
2047+	5.5 грн

Мінімальне замовлення: 1627

UMD3NFHATR

Digital Transistors TRANS DIGITAL PNP+NPN

на замовлення 35156 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.25 грн
15+	20.83 грн
100+	8.92 грн
1000+	7.13 грн
3000+	5.53 грн
9000+	5.06 грн
24000+	4.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD3NFHATR

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.16 грн
500+	7.42 грн
1500+	6.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

UMD3NHE3-TP

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN & PNP 50Vcc -10Vin 40V

товар відсутній

UMD3NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD3NTL

09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NTL

97+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NTL/D3

на замовлення 2153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	25.14 грн
33+	17.74 грн
50+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 23

UMD3NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ

товар відсутній

UMD3NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 50MA

на замовлення 12873 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.9 грн
16+	20.29 грн
100+	7.92 грн
1000+	6.13 грн
3000+	5.19 грн
9000+	4.73 грн
24000+	4.4 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 8477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

885+	13.2 грн
912+	12.8 грн
942+	12.4 грн
1000+	11.29 грн
2000+	10.19 грн
3000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 885

UMD3NTR
Код товару: 189190

Мікросхеми > Інші мікросхеми

товар відсутній

UMD3NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active

на замовлення 201000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.83 грн
6000+	5.49 грн
9000+	4.86 грн
30000+	4.51 грн
75000+	3.83 грн
150000+	3.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1226+	9.52 грн
1267+	9.21 грн
2500+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 1226

UMD3NTR
Код товару: 110590

Транзистори > Біполярні NPN

товар відсутній

UMD3NTR

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R

на замовлення 3245 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1226+	9.52 грн
1267+	9.21 грн
2500+	8.94 грн

Мінімальне замовлення: 1226

UMD3NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD3NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active

на замовлення 208592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.65 грн
16+	18.04 грн
100+	9.1 грн
500+	7.57 грн
1000+	5.89 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD3NTR(D3)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3NTRSOT363

на замовлення 435000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3P

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3T2R

на замовлення 216000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD3Z1TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD4

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD4N

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD4NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

товар відсутній

UMD4NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

на замовлення 1047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.77 грн
16+	17.34 грн
100+	9.82 грн

Мінімальне замовлення: 13

UMD4NTR

UMD4NTR Complementary transistors

товар відсутній

UMD4NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN

на замовлення 6983 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.96 грн
12+	25.96 грн
100+	12.79 грн
500+	8.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

UMD4NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

на замовлення 1047 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.93 грн
16+	18.45 грн
100+	10.47 грн
500+	6.5 грн
1000+	4.99 грн

Мінімальне замовлення: 12

UMD5

на замовлення 17900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5

SOT-363

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5N

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN

на замовлення 8523 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.08 грн
14+	22.97 грн
100+	7.53 грн
1000+	5.73 грн
3000+	3.93 грн
9000+	3.46 грн
24000+	3.4 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD5NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6

товар відсутній

UMD5NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

UMD5NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 47/4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47/10kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 30...68
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

UMD5NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW, 120mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 3680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.81 грн
15+	19.49 грн
100+	9.83 грн
500+	7.53 грн
1000+	5.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD5NTR

05+ SOT363

на замовлення 2795 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-235

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-553

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-563

UMD

SOT-563 08+

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-705

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-706

UMD

0909+ SC70-6

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD5V-953

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6/D6

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6B-TR

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6D-100

на замовлення 1991 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6D-100L

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6JN

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6N

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6N-TR

на замовлення 1160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6NFHA

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

UMD6NFHATN

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

UMD6NFHATR

Bipolar Transistors - BJT PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high

на замовлення 5965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.95 грн
16+	19.61 грн
100+	9.19 грн
1000+	7.19 грн
3000+	5.53 грн
24000+	5.13 грн
45000+	4.59 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD6NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
14+	21.23 грн
100+	10.7 грн
500+	8.89 грн
1000+	6.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD6NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.85 грн
6000+	6.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD6NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

UMD6NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.09 грн
15+	19.15 грн
100+	9.66 грн
500+	8.04 грн
1000+	6.26 грн

Мінімальне замовлення: 11

UMD6NTR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Mounting: SMD
Case: SC88; SOT363
Power dissipation: 150mW
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 250MHz
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Current gain: 100...600
Type of transistor: NPN / PNP
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

UMD6NTR

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 100MA

на замовлення 2854 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.86 грн
13+	24.2 грн
100+	13.12 грн
500+	8.99 грн
1000+	6.93 грн
3000+	5.79 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD6NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.2 грн
6000+	5.83 грн
9000+	5.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD6NTR

на замовлення 1945 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6NTR(D6)

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD6TL

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD714

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD716

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD7423

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD8D-100L

на замовлення 2977 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD8N

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD9 N TR

SOT26/SOT363

на замовлення 11631 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD9/D9

на замовлення 4062 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD9N

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

UMD9N-13P

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD9N-TPQ2

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363

товар відсутній

UMD9NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD9NFHATR

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuit

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	38.07 грн
11+	28.26 грн
100+	15.32 грн
500+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

UMD9NFHATR

Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.98 грн
14+	21.02 грн
100+	10.6 грн
500+	8.81 грн
1000+	6.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD9NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ

товар відсутній

UMD9NFHATR

Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт

товар відсутній

UMD9NHE3-TP

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

UMD9NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 44404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.26 грн
14+	20.6 грн
100+	10.41 грн
500+	8.66 грн
1000+	6.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

UMD9NTR

UMD9NTR Complementary transistors

товар відсутній

UMD9NTR

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.67 грн
6000+	6.28 грн
9000+	5.56 грн
30000+	5.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

UMD9NTR