Продукція > UMD

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
UMD03-0402
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD03-523
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD03-723
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD03B
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD03B-323
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD03LA-323
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD03T-523
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD05-0402
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD05-323
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD05-523
на замовлення 21080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD0504F
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD0521P
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD05B
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD05B-323
на замовлення 63500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD05B-523
на замовлення 63350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD08-523
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD1 N TRROHM
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD10N
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD10NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
16+19.59 грн
25+17.92 грн
100+12.52 грн
250+11.35 грн
500+9.39 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD10NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.14 грн
6000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12 N TRROHM09+
на замовлення 60018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12 NTRROHM
на замовлення 34630 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12 N TRROHMSOT363-D12
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12 N TR SOT363-D12ROHM
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12 N TR SOT363-D12ROHM
на замовлення 438000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12-323
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12-N-TR
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12-NTRSOT363-D12
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12.N.TR
на замовлення 12673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12/D12
на замовлення 288200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12N
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12N-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NFHATRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.92 грн
100+11.96 грн
500+8.41 грн
1000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NFHATRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NFHATRROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS-SS NPN/PNP SOT363 50V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.95 грн
10+35.41 грн
100+11.74 грн
500+8.77 грн
1000+7.87 грн
3000+6.56 грн
6000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.26 грн
16+21.04 грн
100+12.43 грн
1000+7.25 грн
3000+6.35 грн
9000+5.59 грн
24000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.08 грн
17+18.32 грн
100+10.99 грн
500+9.55 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.62 грн
6000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NTRROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC88; SOT363
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.11 грн
37+11.38 грн
100+7.31 грн
500+5.98 грн
1000+5.57 грн
3000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
16+18.70 грн
100+11.86 грн
500+8.34 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NTRROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA
на замовлення 10829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.66 грн
12+28.74 грн
100+15.60 грн
500+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12NTRSOT363-D12ROHM
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12VL-235
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD12VL-705
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD15D15
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD15NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD16N
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD18N-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD1N
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD1NTR
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2 N TRROHMSOT26/SOT363
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2 NTRROHM97+
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2 TRROHMSOT363
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2/D2ROHMSOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22-N-TR
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22/D22ROHM
на замовлення 10151 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
15000+1.91 грн
30000+1.85 грн
60000+1.60 грн
120000+1.48 грн
300000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22N
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22N-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Dual Digital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22N-TPMicro Commercial CoDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.12 грн
100+12.77 грн
500+8.98 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
6000+6.55 грн
9000+6.21 грн
15000+5.47 грн
21000+5.26 грн
30000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.44 грн
500+8.82 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.16 грн
36+22.63 грн
100+12.24 грн
500+10.02 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATRROHM SemiconductorDigital Transistors SOT-363 BIPOLAR BJT NPN+PNP
на замовлення 9391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.00 грн
15+21.67 грн
100+11.94 грн
500+8.97 грн
1000+8.01 грн
3000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NFHATRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R
на замовлення 23350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
667+21.26 грн
732+19.37 грн
737+19.26 грн
1000+15.15 грн
2000+13.08 грн
3000+8.61 грн
12000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN & PNP 50Vcc -5Vin 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NTRROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL DIGITAL SMT PNP/NPN
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.69 грн
14+22.78 грн
100+12.63 грн
500+9.53 грн
1000+8.49 грн
3000+7.59 грн
6000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NTRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Supplier Device Package: UMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 150mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMD22NTR
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD25NTRRohm SemiconductorDescription: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.22 грн
6000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD25NTRROHM SemiconductorDigital Transistors UMD25N is a digital transistor contains a DTA123J chip and a DTC123J chip in a UMT package, therefore the mounting cost and area can be cut in half. It is suitable for inverter, interface, driver applications.
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.14 грн
17+19.53 грн
100+8.08 грн
1000+6.35 грн
3000+5.38 грн
9000+4.63 грн
24000+4.42 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD25NTRRohm SemiconductorDescription: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: UMT6
на замовлення 11840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
16+19.30 грн
100+9.71 грн
500+8.07 грн
1000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2AROHM
на замовлення 57200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NROHM03/04+ SOT-363
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2N-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2N-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2N-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN and PNP l Digital Transistors
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
665+21.33 грн
690+20.56 грн
1000+19.89 грн
2500+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1042 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1715+8.27 грн
1878+7.55 грн
2190+6.47 грн
2315+5.90 грн
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 1715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2N-TRRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+6.96 грн
154+4.91 грн
156+4.87 грн
157+4.65 грн
262+2.58 грн
356+1.82 грн
500+1.81 грн
1000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2N.TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.30 грн
37+22.31 грн
100+10.79 грн
500+7.93 грн
1000+5.38 грн
5000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NFHATRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NFHATRROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGITAL NPN+PNP
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.20 грн
13+24.45 грн
100+11.46 грн
1000+7.66 грн
3000+6.70 грн
9000+5.32 грн
45000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NFHATRROHMDescription: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: UMD2N Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.79 грн
500+7.93 грн
1000+5.38 грн
5000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NFHATRRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.12 грн
100+12.77 грн
500+8.98 грн
1000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.69 грн
14+22.78 грн
100+12.36 грн
1000+6.70 грн
3000+5.80 грн
9000+5.04 грн
24000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NHE3-TPMicro Commercial CoDescription: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMD2NHE3-TPQ2Micro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]