Продукція > UMD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMD03-0402 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD03-523 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD03-723 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD03B | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD03B-323 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD03LA-323 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD03T-523 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD05-0402 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD05-323 | на замовлення 15500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD05-523 | на замовлення 21080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD0504F | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD0521P | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD05B | на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD05B-323 | на замовлення 63500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD05B-523 | на замовлення 63350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD08-523 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD1 N TR | ROHM | на замовлення 8503 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD10N | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD10N-TP | Micro Commercial Components | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD10NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD10NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12 N TR | ROHM | 09+ | на замовлення 60018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD12 NTR | ROHM | на замовлення 34630 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD12 N TR | ROHM | SOT363-D12 | на замовлення 438000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD12 N TR SOT363-D12 | ROHM | на замовлення 390000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD12 N TR SOT363-D12 | ROHM | на замовлення 438000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD12-323 | на замовлення 3450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD12-N-TR | на замовлення 2372 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD12-NTRSOT363-D12 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD12.N.TR | на замовлення 12673 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD12/D12 | на замовлення 288200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD12B | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD12N | на замовлення 4575 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD12N-TPQ2 | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD12NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NFHATR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGITAL NPN+PNP | на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD12NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD12NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 3271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NTR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA | на замовлення 10829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NTR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Base resistor: 47kΩ | на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD12NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD12NTRSOT363-D12 | ROHM | на замовлення 402000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD12VL-235 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD12VL-705 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD15D15 | на замовлення 72 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD15NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD16N | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD18N-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD1N | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD1NTR | на замовлення 8503 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD2 N TR | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 2999 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2 N TR | ROHM | SOT26 | на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2 NTR | ROHM | 97+ | на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2 TR | ROHM | SOT363 | на замовлення 13800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2/D2 | ROHM | SOT-363 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD22 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD22-N-TR | на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD22/D22 | ROHM | на замовлення 10151 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD22N | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD22N | на замовлення 3854 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD22N-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN Dual Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD22N-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD22N-TP | Micro Commercial Components | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD22NFHATR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R | на замовлення 23350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD22NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD22NFHATR | ROHM | Description: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD22NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD22NFHATR | ROHM | Description: ROHM - UMD22NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD22NFHATR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors) | на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD22NHE3-TP | Micro Commercial Components | Pre-biased TransistorsSOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD22NHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN & PNP 50Vcc -5Vin 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD22NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD22NTR | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD22NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL DIGITAL SMT PNP/NPN | на замовлення 1586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD22NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD22NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD25NTR | Rohm Semiconductor | Description: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 11840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD25NTR | Rohm Semiconductor | Description: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD25NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors UMD25N is a digital transistor contains a DTA123J chip and a DTC123J chip in a UMT package, therefore the mounting cost and area can be cut in half. It is suitable for inverter, interface, driver applications. | на замовлення 2615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2A | ROHM | на замовлення 57200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD2N | ROHM | 03/04+ SOT-363 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2N | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2N-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2N-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2N-TP | Micro Commercial Co | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2N-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN and PNP l Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2N-TR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2N-TR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2N-TR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2N-TR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2N.TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD2NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2NFHATR | ROHM | Description: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMD2N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2NFHATR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGITAL NPN+PNP | на замовлення 705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2NFHATR | ROHM | Description: ROHM - UMD2NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMD2N Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2NHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2NHE3-TP | Micro Commercial Components | Pre-biased Transistors SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: DIGITAL TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2NHE3-TPQ2 | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2NHE3-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2NTL | ROHM | 09+ | на замовлення 27313 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2NTR | ROHM | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD2NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA | на замовлення 8608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2NTR | ROHM | SOT-363 | на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD2NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 4059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2NTR | ROHM | Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMD2N Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD2TL | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD2TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD2TR(D2) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD2\D2 | ROHM | SOT-353 | на замовлення 21100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3 N TR | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 2540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3 N TR | ROHM | SOT26 | на замовлення 2921 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3 N TR | ROHM | SOT363-D3 | на замовлення 474000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3 N TR SOT363-D3 | ROHM | на замовлення 435000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD3 N TR SOT363-D3 | ROHM | на замовлення 474000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD3 N TR/D3 | ROHM | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3 NFHATR | ROHM | SOT23 | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3 NFHATR | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3 NTR | ROHM | SOT23-6 | на замовлення 2126 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3 NTR | ROHM | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD3 TR | ROHM | на замовлення 11100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD3(D3) | ROHM | 95 SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3-N-TR | ROHM | SOT23 | на замовлення 8880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3/D3 | ROHM | 00+ SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD36B | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD3N | ROHM | 03/04+ SOT363 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3N | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3N | Yangjie Electronic Technology | UMD3N | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3N | ROHM | на замовлення 7100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD3N | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3N-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.05mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3N-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 50mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3N-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN and PNP l Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3N-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3N-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3N-TPQ2 | MCC (Micro Commercial Components) | Description: PRE-BIASED TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3N.TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD3NFHA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3NFHATR | ROHM | Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN + PNP Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NFHATR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS-SS NPN/PNP SOT363 50V | на замовлення 32286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NFHATR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3NFHATR | ROHM | Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN + PNP Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NFHATR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R | на замовлення 5490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3NHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN & PNP 50Vcc -10Vin 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3NTL | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3NTL | ROHM | 97+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3NTL/D3 | ROHM | на замовлення 2153 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD3NTR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3NTR Код товару: 189190
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN/PNP 50V 50MA | на замовлення 29481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active | на замовлення 198399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NTR Код товару: 110590
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD3NTR(D3) | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD3NTRSOT363 | на замовлення 435000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD3P | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD3T2R | на замовлення 216000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD3Z1TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD4 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD4N | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD4NTR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN | на замовлення 6983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD4NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 | на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD4NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 | на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD4NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD5 | ROHM | на замовлення 17900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD5 | ROHM | SOT-363 | на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD5N | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD5NTR | ROHM | 05+ SOT363 | на замовлення 2795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW, 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD5NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP/NPN | на замовлення 8365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW, 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD5V-235 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD5V-553 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD5V-563 | UMD | SOT-563 08+ | на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD5V-705 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD5V-706 | UMD | 0909+ SC70-6 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD5V-953 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6/D6 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6B-TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6D-100 | на замовлення 1991 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6D-100L | на замовлення 2502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6JN | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6N | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6N-TR | на замовлення 1160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6NFHA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD6NFHATN | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD6NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD6NFHATR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high | на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD6NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD6NTR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 100MA | на замовлення 2854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD6NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD6NTR | на замовлення 1945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD6NTR(D6) | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD6TL | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD714 | на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD716 | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD7423 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD8D-100L | на замовлення 2977 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD8N | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD9 N TR | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 11631 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD9/D9 | ROHM | на замовлення 4062 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
UMD9N | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
UMD9N-13P | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD9N-TPQ2 | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD9NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD9NFHATR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD9NFHATR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors). Devices integrating two transistors are available in ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuit | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD9NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD9NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
UMD9NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 44404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD9NTR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 70MA | на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMD9NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
UMDSR05 | на замовлення 34000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |