Продукція > YJQ
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YJQ1216A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ1216A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2992 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ1216A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ1216A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 16A DFN2020-6L-E | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ13N03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ15GP10A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A Type of transistor: P-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -9.5A Pulsed drain current: -45A Power dissipation: 17.2W Case: DFN3.3x3.3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 4026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ2012A | Yangjie Technology | Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ20N04A | Yangjie Technology | Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ20P03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ2301A | Yangjie Technology | Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ30N03A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ30N03A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ3400A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ3400A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 7.7A DFN2020-6L- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ3400A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 7.7A DFN2020-6L- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ3407A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 1.4W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ35G10A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 54W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ35N04A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 40W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ35N04A | Yangjie Technology | Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ35N04A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ35N04A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 40V 35A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ3622A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ3622A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 30A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ40G10A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ40G10A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 40A DFN3333-8L- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ40P03A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 32W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ40P03A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 32W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2152 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ40P03A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ40P03A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 30V 40A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ4606A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ4666B-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 16V 7A DFN2020-6L-C- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ4666B-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 16V 7A DFN2020-6L-C- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ50N03A | Yangjie Technology | Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ50N03B | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ50N03B | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-DFN (3.3x3.3) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ50N03B-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ50N03B-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 50A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ50P03A | Yangjie Technology | Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQ55P02A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ55P02A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ55P02A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ55P02A-F1-1100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: P-CH MOSFET 20V 55A DFN3333-8L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQ60N03A | Yangjie Technology | Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJQD12N03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
YJQD25N04A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|