Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (94579) > Сторінка 1189 з 1577

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 157 314 471 628 785 942 1099 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1256 1413 1570 1577  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PNE20040CPE-QZ PNE20040CPE-QZ NEXPERIA Description: NEXPERIA - PNE20040CPE-QZ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 980 mV, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP15B (SOT-1289B)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+64.47 грн
15+58.78 грн
100+38.70 грн
500+25.99 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PNE20030EP-QX PNE20030EP-QX NEXPERIA PNE20030EP-Q.pdf Description: NEXPERIA - PNE20030EP-QX - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 30 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.34 грн
30+29.09 грн
100+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116VY-QX BAS116VY-QX NEXPERIA BAS116VY-Q.pdf Description: NEXPERIA - BAS116VY-QX - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 180 mA, 1.25 V, 0.8 µs, 10 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 180mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116DYX BAS116DYX NEXPERIA BAS116DY.pdf Description: NEXPERIA - BAS116DYX - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 0.8 µs, 10 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.41 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116DY-QX BAS116DY-QX NEXPERIA BAS116DY-Q.pdf Description: NEXPERIA - BAS116DY-QX - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 0.8 µs, 10 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.52 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116VYX BAS116VYX NEXPERIA BAS116VY.pdf Description: NEXPERIA - BAS116VYX - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 180 mA, 1.25 V, 0.8 µs, 10 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 180mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.43 грн
1000+5.23 грн
5000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT02BZZ 74HCT02BZZ NEXPERIA 74HC_HCT02.pdf Description: NEXPERIA - 74HCT02BZZ - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), DHXQFN-EP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: DHXQFN-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: DHXQFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.99 грн
61+13.95 грн
100+10.72 грн
500+8.69 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT02BZZ 74HCT02BZZ NEXPERIA 74HC_HCT02.pdf Description: NEXPERIA - 74HCT02BZZ - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), DHXQFN-EP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: DHXQFN-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: DHXQFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.72 грн
500+8.69 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60D,215 BCW60D,215 NEXPERIA BCW60.pdf Description: NEXPERIA - BCW60D,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 380hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.74 грн
1500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PH2520U,115 PH2520U,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002881184-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ36B,115 PDZ36B,115 NEXPERIA PDZ-B_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDZ36B,115 - Zener-Diode, 36 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.55 грн
137+6.25 грн
276+3.09 грн
500+2.79 грн
1500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ36B,115 PDZ36B,115 NEXPERIA PDZ-B_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDZ36B,115 - Zener-Diode, 36 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.79 грн
1500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ3.6B,115 PDZ3.6B,115 NEXPERIA PDZ-B_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDZ3.6B,115 - Zener-Diode, 3.6 V, 400 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.55 грн
137+6.25 грн
276+3.09 грн
500+2.79 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ3.6B,115 PDZ3.6B,115 NEXPERIA PDZ-B_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDZ3.6B,115 - Zener-Diode, 3.6 V, 400 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.79 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMST4403,115 PMST4403,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMST4403,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 600 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+12.16 грн
106+8.04 грн
167+5.11 грн
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG100V060ELPDAZ PMEG100V060ELPDAZ NEXPERIA PMEG100V060ELPD.pdf Description: NEXPERIA - PMEG100V060ELPDAZ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 6 A, Einfach, CFP15, 3 Pin(s), 840 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP15
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 840mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PMEG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.12 грн
25+35.21 грн
100+25.86 грн
500+18.56 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZX884-C3V3,315 BZX884-C3V3,315 NEXPERIA PHGLS19465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX884-C3V3,315 - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, DFN1006, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX884 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+13.69 грн
103+8.32 грн
203+4.20 грн
500+3.52 грн
1000+2.49 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZX38450-C3V3-QX BZX38450-C3V3-QX NEXPERIA 3540384.pdf Description: NEXPERIA - BZX38450-C3V3-QX - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+11.31 грн
107+8.00 грн
165+5.17 грн
500+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
BZB984-C3V3,115 BZB984-C3V3,115 NEXPERIA 705591.pdf Description: NEXPERIA - BZB984-C3V3,115 - Zener-Diodenarray, 3.3 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 425 mW, 150 °C, SOT-663, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-663
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BZB984 series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.89 грн
1000+9.87 грн
2000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52H-C3V3,115 BZT52H-C3V3,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZT52H-C3V3,115 - Zener-Diode, 3.3 V, 375 mW, SOD-123F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.23 грн
1000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX38450-C3V3X BZX38450-C3V3X NEXPERIA NEXP-S-A0013328947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX38450-C3V3X - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+11.40 грн
113+7.55 грн
250+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BZX38450-C3V3X BZX38450-C3V3X NEXPERIA NEXP-S-A0013328947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX38450-C3V3X - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8850S-C3V3-QYL BZX8850S-C3V3-QYL NEXPERIA 3540387.pdf Description: NEXPERIA - BZX8850S-C3V3-QYL - Zener-Diode, 3.3 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX8850S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.54 грн
500+8.85 грн
1000+5.56 грн
2500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C3V3-QX BZX58550-C3V3-QX NEXPERIA NEXP-S-A0013328975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX58550-C3V3-QX - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX58550-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C3V3X BZX58550-C3V3X NEXPERIA NEXP-S-A0013328275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX58550-C3V3X - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX58550 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+21.77 грн
53+16.16 грн
153+5.57 грн
500+4.87 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C3V3-QX BZX58550-C3V3-QX NEXPERIA NEXP-S-A0013328975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX58550-C3V3-QX - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX58550-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.62 грн
61+14.03 грн
103+8.32 грн
500+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C3V3X BZX58550-C3V3X NEXPERIA NEXP-S-A0013328275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BZX58550-C3V3X - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX58550 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.87 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8850S-C3V3-QYL BZX8850S-C3V3-QYL NEXPERIA 3540387.pdf Description: NEXPERIA - BZX8850S-C3V3-QYL - Zener-Diode, 3.3 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX8850S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.77 грн
28+30.45 грн
100+14.54 грн
500+8.85 грн
1000+5.56 грн
2500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R8-80BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+153.10 грн
500+119.26 грн
1000+100.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-100YSFX NEXPERIA 2616981.pdf Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.82 грн
10+135.24 грн
100+113.13 грн
500+84.51 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115 PSMN7R0-30MLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 6050 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.46 грн
22+40.40 грн
100+27.64 грн
500+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115 PSMN5R0-30YL,115 NEXPERIA PHGLS22529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 3630 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3630µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.74 грн
22+39.81 грн
100+35.98 грн
500+28.28 грн
1000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003059821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN017-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.97 грн
11+78.76 грн
100+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R4-80PS,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003059594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R4-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 306W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.03 грн
10+264.53 грн
50+239.86 грн
100+199.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.91 грн
10+107.17 грн
50+89.31 грн
200+66.66 грн
500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127 PSMN9R5-100PS,127 NEXPERIA NEXP-S-A0003059668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN9R5-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 89 A, 0.00816 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00816ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00816ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.13 грн
10+207.54 грн
50+187.13 грн
100+154.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100PSQ NEXPERIA NEXP-S-A0003060244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.52 грн
10+173.52 грн
100+140.35 грн
500+108.21 грн
1000+83.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003101001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.46 грн
15+58.52 грн
100+45.76 грн
500+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLX PSMN5R2-60YLX NEXPERIA NEXP-S-A0003107797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.23 грн
11+82.42 грн
50+74.09 грн
200+60.97 грн
500+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX PSMN5R6-60YLX NEXPERIA NEXP-S-A0002947881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+102.07 грн
14+63.88 грн
50+58.18 грн
200+48.73 грн
500+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEX PSMN4R8-100YSEX NEXPERIA 3388634.pdf Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100YSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3600 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YL,115 NEXPERIA PHGLS22532-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 7000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.31 грн
20+43.46 грн
100+30.71 грн
500+24.80 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118 PSMN012-80BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059784-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA PHGL-S-A0001060349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.23 грн
11+84.89 грн
100+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115 PSMN045-80YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+56.31 грн
21+41.25 грн
100+23.90 грн
500+20.46 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.41 грн
15+57.50 грн
100+30.79 грн
500+28.35 грн
1000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PLQ NEXPERIA NEXP-S-A0003060193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R5-60PLQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.42 грн
10+223.70 грн
100+181.17 грн
500+158.75 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 PSMN1R2-30YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.24 грн
10+90.16 грн
100+66.35 грн
500+49.76 грн
1000+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003059965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.38 грн
22+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.23 грн
10+91.86 грн
100+70.26 грн
500+51.10 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLHX NEXPERIA 3388632.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R5-50YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.61V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.21 грн
10+148.85 грн
100+141.20 грн
500+124.79 грн
1000+108.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 PSMN039-100YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.69 грн
20+44.40 грн
100+35.04 грн
500+27.56 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 4950 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.48 грн
11+83.10 грн
100+55.46 грн
500+46.20 грн
1000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLDX NEXPERIA NEXP-S-A0003107917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.35 грн
100+50.27 грн
500+46.60 грн
1000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 PSMN7R6-60BS,118 NEXPERIA NEXP-S-A0003059796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.26 грн
500+51.10 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115 PSMN1R5-30YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.51V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.66 грн
14+62.26 грн
100+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-30YLC,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2350 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.83 грн
100+32.66 грн
500+30.25 грн
1000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHX PSMN2R0-55YLHX NEXPERIA 3388633.pdf Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.04 грн
10+162.46 грн
100+148.85 грн
500+126.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PNE20040CPE-QZ
PNE20040CPE-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PNE20040CPE-QZ - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 980 mV, 25 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP15B (SOT-1289B)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+64.47 грн
15+58.78 грн
100+38.70 грн
500+25.99 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PNE20030EP-QX PNE20030EP-Q.pdf
PNE20030EP-QX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PNE20030EP-QX - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 980 mV, 30 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 980mV
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.34 грн
30+29.09 грн
100+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116VY-QX BAS116VY-Q.pdf
BAS116VY-QX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS116VY-QX - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 180 mA, 1.25 V, 0.8 µs, 10 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 180mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116DYX BAS116DY.pdf
BAS116DYX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS116DYX - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 0.8 µs, 10 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.41 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116DY-QX BAS116DY-Q.pdf
BAS116DY-QX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS116DY-QX - Kleinsignaldiode, Zweifach, isoliert, 85 V, 200 mA, 1.25 V, 0.8 µs, 10 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.52 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS116VYX BAS116VY.pdf
BAS116VYX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BAS116VYX - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 85 V, 180 mA, 1.25 V, 0.8 µs, 10 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 0.8µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 180mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.43 грн
1000+5.23 грн
5000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT02BZZ 74HC_HCT02.pdf
74HCT02BZZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74HCT02BZZ - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), DHXQFN-EP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: DHXQFN-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: DHXQFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.99 грн
61+13.95 грн
100+10.72 грн
500+8.69 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT02BZZ 74HC_HCT02.pdf
74HCT02BZZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - 74HCT02BZZ - Logik-IC, NOR-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), DHXQFN-EP
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NOR-Gatter
Logik-IC-Familie: 74HCT
Bauform - Logikbaustein: DHXQFN-EP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 25mA
IC-Gehäuse / Bauform: DHXQFN-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.72 грн
500+8.69 грн
1000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCW60D,215 BCW60.pdf
BCW60D,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BCW60D,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 380hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.74 грн
1500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PH2520U,115 NEXP-S-A0002881184-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PH2520U,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PH2520U,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 A, 2100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ36B,115 PDZ-B_SER.pdf
PDZ36B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ36B,115 - Zener-Diode, 36 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.55 грн
137+6.25 грн
276+3.09 грн
500+2.79 грн
1500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ36B,115 PDZ-B_SER.pdf
PDZ36B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ36B,115 - Zener-Diode, 36 V, 400 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.79 грн
1500+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ3.6B,115 PDZ-B_SER.pdf
PDZ3.6B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ3.6B,115 - Zener-Diode, 3.6 V, 400 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.55 грн
137+6.25 грн
276+3.09 грн
500+2.79 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ3.6B,115 PDZ-B_SER.pdf
PDZ3.6B,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDZ3.6B,115 - Zener-Diode, 3.6 V, 400 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PDZ-B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.79 грн
1000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMST4403,115 NEXP-S-A0003059591-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMST4403,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMST4403,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), schaltend, PNP, 40 V, 600 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+12.16 грн
106+8.04 грн
167+5.11 грн
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG100V060ELPDAZ PMEG100V060ELPD.pdf
PMEG100V060ELPDAZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMEG100V060ELPDAZ - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 6 A, Einfach, CFP15, 3 Pin(s), 840 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP15
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 840mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PMEG Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.12 грн
25+35.21 грн
100+25.86 грн
500+18.56 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZX884-C3V3,315 PHGLS19465-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX884-C3V3,315
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX884-C3V3,315 - Zener-Diode, 3.3 V, 250 mW, DFN1006, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX884 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+13.69 грн
103+8.32 грн
203+4.20 грн
500+3.52 грн
1000+2.49 грн
5000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BZX38450-C3V3-QX 3540384.pdf
BZX38450-C3V3-QX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX38450-C3V3-QX - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38450-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+11.31 грн
107+8.00 грн
165+5.17 грн
500+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
BZB984-C3V3,115 705591.pdf
BZB984-C3V3,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZB984-C3V3,115 - Zener-Diodenarray, 3.3 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 425 mW, 150 °C, SOT-663, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-663
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 425mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BZB984 series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+10.89 грн
1000+9.87 грн
2000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52H-C3V3,115 NEXP-S-A0002882686-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZT52H-C3V3,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZT52H-C3V3,115 - Zener-Diode, 3.3 V, 375 mW, SOD-123F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52H
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.23 грн
1000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX38450-C3V3X NEXP-S-A0013328947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX38450-C3V3X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX38450-C3V3X - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+11.40 грн
113+7.55 грн
250+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BZX38450-C3V3X NEXP-S-A0013328947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX38450-C3V3X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX38450-C3V3X - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-76, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-76
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX38450 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8850S-C3V3-QYL 3540387.pdf
BZX8850S-C3V3-QYL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8850S-C3V3-QYL - Zener-Diode, 3.3 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX8850S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.54 грн
500+8.85 грн
1000+5.56 грн
2500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C3V3-QX NEXP-S-A0013328975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX58550-C3V3-QX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX58550-C3V3-QX - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX58550-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C3V3X NEXP-S-A0013328275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX58550-C3V3X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX58550-C3V3X - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX58550 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+21.77 грн
53+16.16 грн
153+5.57 грн
500+4.87 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C3V3-QX NEXP-S-A0013328975-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX58550-C3V3-QX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX58550-C3V3-QX - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX58550-Q Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.62 грн
61+14.03 грн
103+8.32 грн
500+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C3V3X NEXP-S-A0013328275-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX58550-C3V3X
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX58550-C3V3X - Zener-Diode, 3.3 V, 300 mW, SC-79, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX58550 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.87 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BZX8850S-C3V3-QYL 3540387.pdf
BZX8850S-C3V3-QYL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BZX8850S-C3V3-QYL - Zener-Diode, 3.3 V, 365 mW, DFN1006BD, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN1006BD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZX8850S-Q
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.3V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.77 грн
28+30.45 грн
100+14.54 грн
500+8.85 грн
1000+5.56 грн
2500+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R8-80BS,118 NEXP-S-A0003059791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN2R8-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R8-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2550 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+153.10 грн
500+119.26 грн
1000+100.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-100YSFX 2616981.pdf
PSMN8R7-100YSFX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.82 грн
10+135.24 грн
100+113.13 грн
500+84.51 грн
1000+75.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30MLC,115 NEXP-S-A0003059868-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R0-30MLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 6050 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.46 грн
22+40.40 грн
100+27.64 грн
500+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R0-30YL,115 PHGLS22529-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN5R0-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 3630 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3630µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.74 грн
22+39.81 грн
100+35.98 грн
500+28.28 грн
1000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 NEXP-S-A0003059821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN017-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN017-30PL,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 32 A, 0.017 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+96.97 грн
11+78.76 грн
100+61.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80PS,127 NEXP-S-A0003059594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R4-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R4-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 306W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.03 грн
10+264.53 грн
50+239.86 грн
100+199.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 NEXP-S-A0003059601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN5R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 5200 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 9794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.91 грн
10+107.17 грн
50+89.31 грн
200+66.66 грн
500+61.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN9R5-100PS,127 NEXP-S-A0003059668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN9R5-100PS,127
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN9R5-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 89 A, 0.00816 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00816ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00816ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.13 грн
10+207.54 грн
50+187.13 грн
100+154.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-100PSQ NEXP-S-A0003060244-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN8R5-100PSQ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+247.52 грн
10+173.52 грн
100+140.35 грн
500+108.21 грн
1000+83.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX NEXP-S-A0003101001-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R5-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R5-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 86 A, 6000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.46 грн
15+58.52 грн
100+45.76 грн
500+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R2-60YLX NEXP-S-A0003107797-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN5R2-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 195W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.23 грн
11+82.42 грн
50+74.09 грн
200+60.97 грн
500+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R6-60YLX NEXP-S-A0002947881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN5R6-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R6-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4700 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+102.07 грн
14+63.88 грн
50+58.18 грн
200+48.73 грн
500+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R8-100YSEX 3388634.pdf
PSMN4R8-100YSEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100YSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3600 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115 PHGLS22532-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R0-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 7000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.31 грн
20+43.46 грн
100+30.71 грн
500+24.80 грн
1000+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80BS,118 NEXP-S-A0003059784-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN012-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 74 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 74A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PHGL-S-A0001060349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 790 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.23 грн
11+84.89 грн
100+70.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN045-80YS,115 NEXP-S-A0003059663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN045-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN045-80YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 24 A, 0.037 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.31 грн
21+41.25 грн
100+23.90 грн
500+20.46 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 NEXP-S-A0003059613-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN017-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN017-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 44 A, 0.0157 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.41 грн
15+57.50 грн
100+30.79 грн
500+28.35 грн
1000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R5-60PLQ NEXP-S-A0003060193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN2R5-60PLQ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R5-60PLQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+316.42 грн
10+223.70 грн
100+181.17 грн
500+158.75 грн
1000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-30YLC,115 NEXP-S-A0003059720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R2-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.46V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.24 грн
10+90.16 грн
100+66.35 грн
500+49.76 грн
1000+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX NEXP-S-A0003059965-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN4R2-30MLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R2-30MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.38 грн
22+39.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 NEXP-S-A0003059796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.23 грн
10+91.86 грн
100+70.26 грн
500+51.10 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX 3388632.pdf
PSMN1R5-50YLHX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-50YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 A, 1400 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.61V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+232.21 грн
10+148.85 грн
100+141.20 грн
500+124.79 грн
1000+108.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 NEXP-S-A0002880974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN039-100YS,115 NEXP-S-A0003059614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN039-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.69 грн
20+44.40 грн
100+35.04 грн
500+27.56 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 NEXP-S-A0003059638-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R0-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 4950 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.48 грн
11+83.10 грн
100+55.46 грн
500+46.20 грн
1000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX NEXP-S-A0003107917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R2-25YLDX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R2-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 100 A, 1030 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 172W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1030µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.35 грн
100+50.27 грн
500+46.60 грн
1000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R6-60BS,118 NEXP-S-A0003059796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN7R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.26 грн
500+51.10 грн
1000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-30YLC,115 NEXP-S-A0003059721-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN1R5-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0013 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.51V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+81.66 грн
14+62.26 грн
100+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R6-30YLC,115 NEXP-S-A0003059724-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PSMN2R6-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R6-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2350 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.83 грн
100+32.66 грн
500+30.25 грн
1000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-55YLHX 3388633.pdf
PSMN2R0-55YLHX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN2R0-55YLHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 200 A, 1630 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.62V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower-S3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.04 грн
10+162.46 грн
100+148.85 грн
500+126.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 157 314 471 628 785 942 1099 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1256 1413 1570 1577  [ Наступна Сторінка >> ]