Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSS123,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 41641 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138AKAR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.125A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.51nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 758 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31944 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138BKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.32W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5378 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2319 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138P,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138PS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.8nC Pulsed drain current: 1.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4735 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138PW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.26W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.8nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14916 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -240V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.56W Case: SC62; SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSS63-QR | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSS63,215 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS64,215 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS84AK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8629 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -100mA Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2441 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS84AKV,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -110mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC Pulsed drain current: -0.7A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.095A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS87,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BST39,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BST50,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 443 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BST51,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BST52,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BST60,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BST62,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BST82,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.19A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49735 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BST82,235 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSV52,215 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUK4D38-20PX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6607-55C,118 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D120-40EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D120-60PX | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 5273 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUK6D125-60EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D210-60EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D22-30EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D23-40EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D230-80EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D30-40EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D38-30EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D385-100EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D43-40PX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D43-60EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D56-60EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D72-30EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D77-60EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6D81-80EX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6Y10-30PX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BUK6Y14-40PX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W Mounting: SMD Drain-source voltage: -40V Drain current: -46A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 110W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 64nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -257A Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BUK6Y19-30PX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6Y24-40PX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6Y33-60PX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK6Y61-60PX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK7208-40B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 420A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 40V Drain current: 75A On-state resistance: 15.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK7212-55B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 335A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 59A On-state resistance: 25mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK7214-75B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 276A; 158W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 158W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 276A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 75V Drain current: 49A On-state resistance: 14mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK72150-55A,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 7A; Idm: 44A; 36W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 44A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 7A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK7219-55A,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 39A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 250A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK7227-100B,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 196A; 167W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 196A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 34A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK7230-55A,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; Idm: 150A; 88W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 88W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 55V Drain current: 27A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK7240-100A,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 114W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 114W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 136A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BUK7275-100A,118 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.4A; Idm: 87A; 89W; DPAK Application: automotive industry Power dissipation: 89W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 87A Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 15.4A On-state resistance: 187mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
BSS123,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.03 грн |
28+ | 10.53 грн |
50+ | 6.34 грн |
100+ | 5.18 грн |
410+ | 2.66 грн |
1126+ | 2.51 грн |
3000+ | 2.44 грн |
BSS138AKAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.51nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 14.02 грн |
30+ | 9.85 грн |
37+ | 7.74 грн |
100+ | 5.50 грн |
325+ | 3.35 грн |
893+ | 3.17 грн |
3000+ | 3.13 грн |
BSS138BK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.04 грн |
24+ | 12.46 грн |
100+ | 9.19 грн |
250+ | 7.46 грн |
455+ | 2.40 грн |
1249+ | 2.26 грн |
BSS138BKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.05 грн |
17+ | 17.29 грн |
25+ | 12.91 грн |
50+ | 10.51 грн |
100+ | 8.74 грн |
210+ | 5.19 грн |
577+ | 4.90 грн |
BSS138BKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 23.04 грн |
22+ | 13.72 грн |
50+ | 8.99 грн |
100+ | 7.59 грн |
228+ | 4.79 грн |
625+ | 4.53 грн |
1000+ | 4.49 грн |
BSS138P,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 10.02 грн |
47+ | 6.18 грн |
61+ | 4.61 грн |
100+ | 4.11 грн |
500+ | 2.99 грн |
542+ | 2.01 грн |
1490+ | 1.90 грн |
BSS138PS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.05 грн |
14+ | 22.22 грн |
16+ | 18.14 грн |
40+ | 12.42 грн |
50+ | 11.66 грн |
100+ | 9.57 грн |
244+ | 4.47 грн |
BSS138PW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.04 грн |
22+ | 13.52 грн |
26+ | 10.98 грн |
50+ | 7.18 грн |
100+ | 5.96 грн |
356+ | 3.06 грн |
979+ | 2.89 грн |
BSS192,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -240V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.56W
Case: SC62; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -240V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.56W
Case: SC62; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS63-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS63-QR PNP SMD transistors
BSS63-QR PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS63,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS63.215 PNP SMD transistors
BSS63.215 PNP SMD transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.12 грн |
322+ | 3.39 грн |
885+ | 3.20 грн |
BSS64,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS64.215 NPN SMD transistors
BSS64.215 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.03 грн |
50+ | 7.98 грн |
100+ | 6.40 грн |
377+ | 2.89 грн |
1036+ | 2.73 грн |
3000+ | 2.63 грн |
BSS84AK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 17.03 грн |
29+ | 10.24 грн |
50+ | 6.31 грн |
100+ | 5.17 грн |
456+ | 2.39 грн |
1254+ | 2.26 грн |
2500+ | 2.18 грн |
BSS84AKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -100mA
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -100mA
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 23.04 грн |
20+ | 14.59 грн |
50+ | 9.79 грн |
100+ | 8.41 грн |
233+ | 4.69 грн |
641+ | 4.44 грн |
3000+ | 4.43 грн |
BSS84AKV,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -110mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -110mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS84AKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.03 грн |
23+ | 12.94 грн |
27+ | 10.51 грн |
50+ | 6.79 грн |
100+ | 5.62 грн |
456+ | 2.39 грн |
1254+ | 2.26 грн |
BSS87,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS87.115 SMD N channel transistors
BSS87.115 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.26 грн |
71+ | 15.44 грн |
195+ | 14.60 грн |
500+ | 14.59 грн |
BST39,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST39.115 NPN SMD transistors
BST39.115 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BST50,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST50.115 NPN SMD Darlington transistors
BST50.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.88 грн |
54+ | 20.28 грн |
148+ | 19.16 грн |
5000+ | 19.13 грн |
BST51,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST51.115 NPN SMD Darlington transistors
BST51.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.56 грн |
62+ | 17.77 грн |
169+ | 16.84 грн |
1000+ | 16.81 грн |
BST52,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 41.07 грн |
50+ | 32.17 грн |
62+ | 17.77 грн |
168+ | 16.84 грн |
500+ | 16.18 грн |
BST60,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST60.115 PNP SMD Darlington transistors
BST60.115 PNP SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BST62,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors
BST62.115 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 43.78 грн |
62+ | 17.77 грн |
168+ | 16.84 грн |
2000+ | 16.81 грн |
BST82,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 10.02 грн |
32+ | 9.18 грн |
35+ | 8.00 грн |
100+ | 7.35 грн |
250+ | 7.16 грн |
BST82,235 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST82.235 SMD N channel transistors
BST82.235 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSV52,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSV52.215 NPN SMD transistors
BSV52.215 NPN SMD transistors
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.45 грн |
132+ | 8.25 грн |
363+ | 7.80 грн |
BUK4D38-20PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK4D38-20PX SMD P channel transistors
BUK4D38-20PX SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6607-55C,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6607-55C.118 SMD N channel transistors
BUK6607-55C.118 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D120-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D120-40EX SMD N channel transistors
BUK6D120-40EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D120-60PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D120-60PX SMD P channel transistors
BUK6D120-60PX SMD P channel transistors
на замовлення 5273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 44.68 грн |
80+ | 13.67 грн |
219+ | 12.93 грн |
BUK6D125-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D125-60EX SMD N channel transistors
BUK6D125-60EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D210-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D210-60EX SMD N channel transistors
BUK6D210-60EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D22-30EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D22-30EX SMD N channel transistors
BUK6D22-30EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D23-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D23-40EX SMD N channel transistors
BUK6D23-40EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D230-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D230-80EX SMD N channel transistors
BUK6D230-80EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D30-40EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D30-40EX SMD N channel transistors
BUK6D30-40EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D38-30EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D38-30EX SMD N channel transistors
BUK6D38-30EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D385-100EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D385-100EX SMD N channel transistors
BUK6D385-100EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D43-40PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D43-40PX SMD P channel transistors
BUK6D43-40PX SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D43-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
BUK6D43-60EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D56-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D56-60EX SMD N channel transistors
BUK6D56-60EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D72-30EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D72-30EX SMD N channel transistors
BUK6D72-30EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D77-60EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D77-60EX SMD N channel transistors
BUK6D77-60EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6D81-80EX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6D81-80EX SMD N channel transistors
BUK6D81-80EX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6Y10-30PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6Y10-30PX SMD P channel transistors
BUK6Y10-30PX SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6Y14-40PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -257A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -46A; Idm: -257A; 110W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -46A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -257A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.22 грн |
10+ | 84.04 грн |
18+ | 62.32 грн |
49+ | 59.53 грн |
500+ | 56.74 грн |
BUK6Y19-30PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6Y19-30PX SMD P channel transistors
BUK6Y19-30PX SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6Y24-40PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6Y24-40PX SMD P channel transistors
BUK6Y24-40PX SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6Y33-60PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6Y33-60PX SMD P channel transistors
BUK6Y33-60PX SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK6Y61-60PX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BUK6Y61-60PX SMD P channel transistors
BUK6Y61-60PX SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK7208-40B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 420A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 75A
On-state resistance: 15.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 75A; Idm: 420A; 167W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 420A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 75A
On-state resistance: 15.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK7212-55B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 59A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 59A; Idm: 335A; 167W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 335A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 59A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK7214-75B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 276A; 158W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 158W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 49A; Idm: 276A; 158W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 158W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 276A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 49A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK72150-55A,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 7A; Idm: 44A; 36W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 7A; Idm: 44A; 36W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK7219-55A,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 39A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 39A; Idm: 250A; 114W; DPAK
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 39A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK7227-100B,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 196A; 167W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 34A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 196A; 167W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 196A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 34A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK7230-55A,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; Idm: 150A; 88W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; Idm: 150A; 88W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK7240-100A,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 114W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 136A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 136A; 114W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 136A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BUK7275-100A,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.4A; Idm: 87A; 89W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15.4A
On-state resistance: 187mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.4A; Idm: 87A; 89W; DPAK
Application: automotive industry
Power dissipation: 89W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 87A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15.4A
On-state resistance: 187mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.