Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (87277) > Сторінка 376 з 1455

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 145 290 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 381 435 580 725 870 1015 1160 1305 1450 1455  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMV90ENER PMV90ENER NEXPERIA PMV90ENE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.35 грн
13+24.59 грн
15+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.58 грн
12+25.39 грн
15+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YL NEXPERIA PMZB290UNE2.pdf PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.81 грн
213+5.34 грн
586+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PNS40010ER,115 PNS40010ER,115 NEXPERIA PNS40010ER.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.07 грн
10+35.17 грн
25+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX,215 NEXPERIA PRTR5V0U2AX.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.29 грн
10+31.74 грн
100+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2F,115 PRTR5V0U2F,115 NEXPERIA PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.14 грн
10+47.16 грн
100+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2X,215 PRTR5V0U2X,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Application: universal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U4D,125 PRTR5V0U4D,125 NEXPERIA PRTR5V0U4D.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6; Ch: 4
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.98 грн
11+28.82 грн
25+23.29 грн
100+20.57 грн
250+18.83 грн
500+17.95 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065KQ PSC1065KQ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+438.92 грн
3+405.11 грн
10+372.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+498.49 грн
5+424.26 грн
25+368.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+491.18 грн
3+439.37 грн
10+401.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.08 грн
10+104.10 грн
25+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.41 грн
10+173.33 грн
100+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+251.86 грн
5+219.69 грн
25+196.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.71 грн
10+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.65 грн
5+69.94 грн
10+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+265.44 грн
10+168.29 грн
100+150.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.99 грн
10+99.77 грн
100+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.04 грн
10+194.49 грн
50+150.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+468.19 грн
10+339.61 грн
100+293.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 NEXPERIA PSMN016-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+374.13 грн
10+285.19 грн
50+235.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.73 грн
3+191.47 грн
10+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.55 грн
10+86.87 грн
25+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS,127 NEXPERIA PSMN017-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.79 грн
10+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.70 грн
10+111.86 грн
25+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.47 грн
5+62.08 грн
10+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.09 грн
25+85.36 грн
100+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.45 грн
3+209.61 грн
10+178.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.73 грн
10+78.70 грн
25+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.24 грн
10+64.80 грн
100+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+498.49 грн
3+431.31 грн
10+368.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.59 грн
10+170.31 грн
25+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+432.65 грн
10+371.85 грн
100+335.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 70nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.20 грн
10+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.79 грн
5+175.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+561.20 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.58 грн
5+116.90 грн
10+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+624.95 грн
5+516.97 грн
10+458.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.01 грн
3+283.17 грн
10+237.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1015A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.21 грн
10+142.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.04 грн
10+197.52 грн
100+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+653.16 грн
3+582.47 грн
10+495.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.72 грн
10+208.60 грн
100+150.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+387.72 грн
3+337.59 грн
10+286.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.16 грн
10+44.44 грн
50+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+313.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.79 грн
10+142.09 грн
50+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.29 грн
41+28.34 грн
112+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX
+1
 		PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.26 грн
10+166.28 грн
50+144.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+503.72 грн
5+446.43 грн
10+397.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.15 грн
10+150.15 грн
50+107.72 грн
100+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN6R5-80PS.pdf PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+399.21 грн
8+162.06 грн
20+153.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.92 грн
10+62.38 грн
100+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.78 грн
10+80.52 грн
100+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.99 грн
10+183.41 грн
100+159.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.12 грн
10+134.03 грн
100+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA PSMN8R0-40PS.pdf PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.14 грн
15+80.54 грн
40+76.66 грн
1000+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+270.67 грн
10+196.51 грн
100+169.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN8R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 303A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 5.6mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.76 грн
5+135.04 грн
25+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENE.pdf
PMV90ENER
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 12A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.9A
Pulsed drain current: 12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.118Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.35 грн
13+24.59 грн
15+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPE.pdf
PMZ350UPEYL
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.58 грн
12+25.39 грн
15+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.81 грн
213+5.34 грн
586+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PNS40010ER,115 PNS40010ER.pdf
PNS40010ER,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.93V
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.07 грн
10+35.17 грн
25+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX.pdf
PRTR5V0U2AX,215
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.29 грн
10+31.74 грн
100+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2F,115 PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf
PRTR5V0U2F,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.14 грн
10+47.16 грн
100+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2X,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea
PRTR5V0U2X,215
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Application: universal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U4D,125 PRTR5V0U4D.pdf
PRTR5V0U4D,125
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6; Ch: 4
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 4
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.98 грн
11+28.82 грн
25+23.29 грн
100+20.57 грн
250+18.83 грн
500+17.95 грн
1000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065KQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147
PSC1065KQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.92 грн
3+405.11 грн
10+372.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7
PSMN004-60B,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.49 грн
5+424.26 грн
25+368.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.18 грн
3+439.37 грн
10+401.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.08 грн
10+104.10 грн
25+85.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4
PSMN012-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 64nC
On-state resistance: 35.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.41 грн
10+173.33 грн
100+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4
PSMN013-100BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.86 грн
5+219.69 грн
25+196.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.71 грн
10+59.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3
PSMN013-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.65 грн
5+69.94 грн
10+61.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLD.pdf
PSMN013-40VLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.44 грн
10+168.29 грн
100+150.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.99 грн
10+99.77 грн
100+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.04 грн
10+194.49 грн
50+150.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.19 грн
10+339.61 грн
100+293.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS.pdf
PSMN016-100PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.13 грн
10+285.19 грн
50+235.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
PSMN017-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.73 грн
3+191.47 грн
10+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60
PSMN017-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.55 грн
10+86.87 грн
25+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS.pdf
PSMN017-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.79 грн
10+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN018-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5
PSMN018-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 45A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 89W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.70 грн
10+111.86 грн
25+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504
PSMN026-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 34A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 66mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
5+62.08 грн
10+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.09 грн
25+85.36 грн
100+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS.pdf
PSMN034-100PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.45 грн
3+209.61 грн
10+178.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.73 грн
10+78.70 грн
25+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 21.9nC
On-state resistance: 32.8mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.24 грн
10+64.80 грн
100+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.49 грн
3+431.31 грн
10+368.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.59 грн
10+170.31 грн
25+139.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.65 грн
10+371.85 грн
100+335.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 70nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.20 грн
10+169.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 255A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 121.35nC
On-state resistance: 2.15mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.79 грн
5+175.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN1R1-30PL.127 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.20 грн
5+284.33 грн
12+268.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.58 грн
5+116.90 грн
10+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.95 грн
5+516.97 грн
10+458.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513
PSMN2R0-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 117nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.01 грн
3+283.17 грн
10+237.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1015A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.21 грн
10+142.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 141W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.04 грн
10+197.52 грн
100+129.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+653.16 грн
3+582.47 грн
10+495.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 447A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.72 грн
10+208.60 грн
100+150.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.72 грн
3+337.59 грн
10+286.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.16 грн
10+44.44 грн
50+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 472A
Drain current: 83A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 8mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.79 грн
10+142.09 грн
50+116.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.29 грн
41+28.34 грн
112+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE.pdf
PSMN4R2-80YSEX
+1
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.26 грн
10+166.28 грн
50+144.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 539 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.72 грн
5+446.43 грн
10+397.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.15 грн
10+150.15 грн
50+107.72 грн
100+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN6R5-80PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.21 грн
8+162.06 грн
20+153.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 260A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 6.97mΩ
Power dissipation: 51W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.92 грн
10+62.38 грн
100+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC.pdf
PSMN7R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.78 грн
10+80.52 грн
100+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.99 грн
10+183.41 грн
100+159.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.12 грн
10+134.03 грн
100+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN8R0-40PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.14 грн
15+80.54 грн
40+76.66 грн
1000+75.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 326A
Drain current: 82A
Drain-source voltage: 80V
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.67 грн
10+196.51 грн
100+169.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 303A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 5.6mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.76 грн
5+135.04 грн
25+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 145 290 371 372 373 374 375 376 377 378 379 380 381 435 580 725 870 1015 1160 1305 1450 1455  [ Наступна Сторінка >> ]