| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PSMN2R0-30PL,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 211W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 117nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN2R0-30YLE,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 1015A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN2R2-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 141W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN3R0-60PS,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 824A Power dissipation: 306W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN3R5-30YL,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Pulsed drain current: 447A Power dissipation: 74W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN3R9-60PSQ | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 130A Pulsed drain current: 705A Power dissipation: 263W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.94mΩ Mounting: THT Gate charge: 103nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN4R0-30YLDX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Pulsed drain current: 378A Drain current: 95A Drain-source voltage: 30V Gate charge: 9.1nC On-state resistance: 4.4mΩ Power dissipation: 64W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 692 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN4R0-40YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Pulsed drain current: 472A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN4R1-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 593A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN4R2-30MLDX | NEXPERIA |
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors |
на замовлення 992 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() +1 |
PSMN4R2-80YSEX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 123A Pulsed drain current: 698A Power dissipation: 294W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN4R4-80BS,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 680A Power dissipation: 306W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 125nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 543 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN4R6-60BS,118 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 565A Power dissipation: 211W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 70.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 772 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN6R5-80PS,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Pulsed drain current: 470A Power dissipation: 210W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSMN7R0-30YL,115 | NEXPERIA |
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PSMN7R0-30YLC,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 61A Pulsed drain current: 245A Power dissipation: 48W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN7R0-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 63A Power dissipation: 117W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN7R5-60YLX | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 61A Pulsed drain current: 346A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 19.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN8R0-40PS,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 55A Pulsed drain current: 309A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN8R2-80YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 82A Pulsed drain current: 326A Power dissipation: 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN8R5-60YS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 76A Pulsed drain current: 303A Power dissipation: 106W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PSMN8R7-80PS,127 | NEXPERIA |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 90A Pulsed drain current: 361A Power dissipation: 170W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PSSI2021SAY,115 | NEXPERIA |
PSSI2021SAY.115 Voltage regulators - PWM circuits |
на замовлення 1154 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS10VP1UP,115 | NEXPERIA |
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS10VS1UTR,115 | NEXPERIA |
PTVS10VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 876 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS11VP1UP,115 | NEXPERIA |
PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 633 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS11VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 559 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PTVS12VP1UP,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 14V; 30.2A; unidirectional; SOD128F; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14V Max. forward impulse current: 30.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD128F Mounting: SMD Leakage current: 5nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 966 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS12VS1UR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 14V; 20.1A; unidirectional; SOD123W; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 12V Breakdown voltage: 14V Max. forward impulse current: 20.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 5nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS13VP1UP,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 15.15V; 27.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 13V Breakdown voltage: 15.15V Max. forward impulse current: 27.9A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD128F Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2560 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS13VS1UR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 15.15V; 18.6A; unidirectional; SOD123W; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 13V Breakdown voltage: 15.15V Max. forward impulse current: 18.6A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2681 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS14VS1UR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 16.4V; 17.2A; unidirectional; SOD123W; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 14V Breakdown voltage: 16.4V Max. forward impulse current: 17.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PTVS15VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 5046 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS15VS1UTR,115 | NEXPERIA |
PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 2089 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PTVS16VP1UP,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 16V Breakdown voltage: 18.75V Max. forward impulse current: 23.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD128F Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1726 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS16VS1UR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 16V Breakdown voltage: 18.75V Max. forward impulse current: 15.4A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3592 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS16VS1UTR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.185°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 16V Breakdown voltage: 18.75V Max. forward impulse current: 15.4A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 185°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PTVS17VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS17VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 3708 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PTVS20VS1UR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 23.35V; 12.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 20V Breakdown voltage: 23.35V Max. forward impulse current: 12.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2505 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS22VP1UP,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 25.6V; 16.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 22V Breakdown voltage: 25.6V Max. forward impulse current: 16.9A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD128F Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS24VP1UP,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 28.1V; 15.4A; unidirectional; SOD128F; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 24V Breakdown voltage: 28.1V Max. forward impulse current: 15.4A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD128F Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2247 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS24VS1UR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 24V Breakdown voltage: 28.1V Max. forward impulse current: 10.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6086 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS24VS1UTR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.185°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 24V Breakdown voltage: 28.1V Max. forward impulse current: 10.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 185°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS26VP1UTP,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 30.4V; 14.3A; unidirectional; SOD128F; max.185°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 30.4V Max. forward impulse current: 14.3A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD128F Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 185°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS26VS1UR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 30.4V; 9.5A; unidirectional; SOD123W; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 26V Breakdown voltage: 30.4V Max. forward impulse current: 9.5A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1714 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS28VP1UTP,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 600W; 32.8V; 13.2A; unidirectional; SOD128F; max.185°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.6kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 32.8V Max. forward impulse current: 13.2A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD128F Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 185°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
PTVS28VS1UR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 32.8V; 8.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.4kW Max. off-state voltage: 28V Breakdown voltage: 32.8V Max. forward impulse current: 8.8A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOD123W Mounting: SMD Leakage current: 1nA Operating temperature: max. 150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2922 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PTVS30VP1UP,115 | NEXPERIA |
PTVS30VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS30VP1UTP,115 | NEXPERIA |
PTVS30VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS30VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS30VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 4309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS33VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS33VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 3594 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS36VP1UP,115 | NEXPERIA |
PTVS36VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 1270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS36VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS36VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 3323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS3V3P1UP,115 | NEXPERIA |
PTVS3V3P1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 6441 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS3V3P1UTP,115 | NEXPERIA |
PTVS3V3P1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 2063 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
PTVS3V3S1UR,115 | NEXPERIA |
Category: Unidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS; 400W; 5.6V; 43.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C Operating temperature: max. 150°C Mounting: SMD Case: SOD123W Type of diode: TVS Semiconductor structure: unidirectional Leakage current: 5µA Max. off-state voltage: 3.3V Breakdown voltage: 5.6V Max. forward impulse current: 43.8A Peak pulse power dissipation: 0.4kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PTVS3V3S1UTR,115 | NEXPERIA |
PTVS3V3S1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 4874 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS40VP1UTP,115 | NEXPERIA |
PTVS40VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS40VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS40VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 2874 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PTVS48VS1UR,115 | NEXPERIA |
PTVS48VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes |
на замовлення 942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| PSMN2R0-30PL,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.14 грн |
| 3+ | 198.31 грн |
| 10+ | 166.26 грн |
| PSMN2R0-30YLE,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.89 грн |
| 10+ | 159.83 грн |
| PSMN2R2-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.05 грн |
| 10+ | 138.12 грн |
| 100+ | 90.26 грн |
| PSMN3R0-60PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 355.03 грн |
| 3+ | 316.70 грн |
| 10+ | 269.82 грн |
| PSMN3R5-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.30 грн |
| 10+ | 146.02 грн |
| 100+ | 105.46 грн |
| PSMN3R9-60PSQ |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 271.13 грн |
| 3+ | 235.80 грн |
| 10+ | 200.46 грн |
| PSMN4R0-30YLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.02 грн |
| 10+ | 40.45 грн |
| 50+ | 35.53 грн |
| 100+ | 34.01 грн |
| 200+ | 32.49 грн |
| 500+ | 30.40 грн |
| 1000+ | 28.79 грн |
| PSMN4R0-40YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 306.94 грн |
| PSMN4R1-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.22 грн |
| 10+ | 99.65 грн |
| 50+ | 81.70 грн |
| PSMN4R2-30MLDX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.83 грн |
| 41+ | 27.74 грн |
| 112+ | 26.22 грн |
| PSMN4R2-80YSEX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.57 грн |
| 10+ | 184.49 грн |
| 50+ | 145.36 грн |
| PSMN4R4-80BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.20 грн |
| 5+ | 242.70 грн |
| 10+ | 216.61 грн |
| PSMN4R6-60BS,118 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.70 грн |
| 10+ | 147.00 грн |
| 50+ | 105.46 грн |
| 100+ | 99.76 грн |
| PSMN6R5-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.46 грн |
| 8+ | 163.78 грн |
| 20+ | 149.16 грн |
| 1000+ | 142.51 грн |
| PSMN7R0-30YL,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.57 грн |
| 46+ | 24.70 грн |
| 125+ | 23.37 грн |
| PSMN7R0-30YLC,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 77.96 грн |
| 10+ | 56.33 грн |
| 100+ | 48.83 грн |
| PSMN7R0-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.03 грн |
| 10+ | 128.26 грн |
| 100+ | 111.16 грн |
| PSMN7R5-60YLX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.61 грн |
| 10+ | 93.73 грн |
| 100+ | 80.75 грн |
| PSMN8R0-40PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.64 грн |
| 10+ | 96.69 грн |
| 15+ | 78.85 грн |
| 39+ | 75.05 грн |
| 100+ | 74.10 грн |
| 250+ | 72.20 грн |
| PSMN8R2-80YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.28 грн |
| 10+ | 137.14 грн |
| 100+ | 118.76 грн |
| PSMN8R5-60YS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.48 грн |
| 5+ | 94.71 грн |
| 25+ | 80.75 грн |
| PSMN8R7-80PS,127 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.79 грн |
| 3+ | 146.02 грн |
| 10+ | 123.51 грн |
| 11+ | 111.16 грн |
| 28+ | 105.08 грн |
| 250+ | 103.56 грн |
| PSSI2021SAY,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PSSI2021SAY.115 Voltage regulators - PWM circuits
PSSI2021SAY.115 Voltage regulators - PWM circuits
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.48 грн |
| 79+ | 14.25 грн |
| 217+ | 13.49 грн |
| PTVS10VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.35 грн |
| 56+ | 20.24 грн |
| 153+ | 19.10 грн |
| PTVS10VS1UTR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS10VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS10VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.91 грн |
| 109+ | 10.26 грн |
| 300+ | 9.69 грн |
| PTVS11VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.85 грн |
| 88+ | 12.83 грн |
| 242+ | 12.07 грн |
| PTVS11VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.44 грн |
| 111+ | 10.07 грн |
| 305+ | 9.60 грн |
| 3000+ | 9.57 грн |
| PTVS12VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 14V; 30.2A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 5nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 14V; 30.2A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 5nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.90 грн |
| 11+ | 27.43 грн |
| 50+ | 19.76 грн |
| 70+ | 16.06 грн |
| 192+ | 15.20 грн |
| 500+ | 14.54 грн |
| PTVS12VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 14V; 20.1A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 5nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 14V; 20.1A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 5nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 13+ | 23.88 грн |
| 15+ | 19.95 грн |
| 50+ | 14.35 грн |
| 100+ | 12.45 грн |
| 112+ | 10.07 грн |
| 306+ | 9.50 грн |
| PTVS13VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15.15V; 27.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 15.15V
Max. forward impulse current: 27.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15.15V; 27.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 15.15V
Max. forward impulse current: 27.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.18 грн |
| 8+ | 41.83 грн |
| 10+ | 35.06 грн |
| 79+ | 14.16 грн |
| 216+ | 13.40 грн |
| 1000+ | 12.83 грн |
| PTVS13VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 15.15V; 18.6A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 15.15V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 15.15V; 18.6A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 15.15V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.65 грн |
| 14+ | 21.90 грн |
| 16+ | 18.91 грн |
| 50+ | 14.63 грн |
| 100+ | 13.02 грн |
| 108+ | 10.36 грн |
| 297+ | 9.79 грн |
| PTVS14VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 16.4V; 17.2A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 16.4V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 16.4V; 17.2A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 16.4V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.67 грн |
| 13+ | 24.47 грн |
| 14+ | 21.47 грн |
| 50+ | 16.63 грн |
| 100+ | 14.73 грн |
| 116+ | 9.69 грн |
| 319+ | 9.12 грн |
| PTVS15VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.77 грн |
| 83+ | 13.59 грн |
| 227+ | 12.83 грн |
| PTVS15VS1UTR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.35 грн |
| 84+ | 13.49 грн |
| 229+ | 12.73 грн |
| PTVS16VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.00 грн |
| 10+ | 32.66 грн |
| 78+ | 14.35 грн |
| 214+ | 13.59 грн |
| 1000+ | 13.11 грн |
| PTVS16VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.69 грн |
| 14+ | 22.40 грн |
| 40+ | 17.20 грн |
| 50+ | 16.53 грн |
| 80+ | 15.20 грн |
| 100+ | 14.54 грн |
| 113+ | 9.98 грн |
| PTVS16VS1UTR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.62 грн |
| 16+ | 18.75 грн |
| 50+ | 14.35 грн |
| 75+ | 13.40 грн |
| 112+ | 10.07 грн |
| 306+ | 9.50 грн |
| PTVS17VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS17VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS17VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.35 грн |
| 86+ | 13.02 грн |
| 237+ | 12.35 грн |
| PTVS20VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 23.35V; 12.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 23.35V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 23.35V; 12.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 23.35V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.69 грн |
| 14+ | 22.30 грн |
| 40+ | 17.39 грн |
| 80+ | 15.68 грн |
| 100+ | 15.11 грн |
| 120+ | 9.41 грн |
| 329+ | 8.84 грн |
| PTVS22VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 25.6V; 16.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 25.6V
Max. forward impulse current: 16.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 25.6V; 16.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 25.6V
Max. forward impulse current: 16.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.91 грн |
| 25+ | 18.45 грн |
| 88+ | 12.76 грн |
| 241+ | 12.07 грн |
| PTVS24VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.1V; 15.4A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.1V; 15.4A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.90 грн |
| 11+ | 27.62 грн |
| 25+ | 22.14 грн |
| 50+ | 19.19 грн |
| 68+ | 16.44 грн |
| 187+ | 15.58 грн |
| 500+ | 15.39 грн |
| PTVS24VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.69 грн |
| 13+ | 24.27 грн |
| 50+ | 16.25 грн |
| 100+ | 14.44 грн |
| 112+ | 10.07 грн |
| 306+ | 9.50 грн |
| 1500+ | 9.12 грн |
| PTVS24VS1UTR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.81 грн |
| 13+ | 23.19 грн |
| 100+ | 15.49 грн |
| 115+ | 9.79 грн |
| 315+ | 9.22 грн |
| PTVS26VP1UTP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30.4V; 14.3A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30.4V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30.4V; 14.3A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30.4V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.00 грн |
| 10+ | 29.60 грн |
| 85+ | 13.21 грн |
| 234+ | 12.45 грн |
| 3000+ | 11.97 грн |
| PTVS26VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 30.4V; 9.5A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30.4V
Max. forward impulse current: 9.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 30.4V; 9.5A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30.4V
Max. forward impulse current: 9.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 20.46 грн |
| 20+ | 15.19 грн |
| 100+ | 11.21 грн |
| 108+ | 10.45 грн |
| 295+ | 9.88 грн |
| 500+ | 9.50 грн |
| PTVS28VP1UTP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 32.8V; 13.2A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.8V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 32.8V; 13.2A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.8V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.23 грн |
| 8+ | 37.49 грн |
| 10+ | 31.26 грн |
| 86+ | 13.11 грн |
| 235+ | 12.35 грн |
| 3000+ | 11.97 грн |
| PTVS28VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 32.8V; 8.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.8V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 32.8V; 8.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.8V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.69 грн |
| 15+ | 20.92 грн |
| 50+ | 15.11 грн |
| 100+ | 13.21 грн |
| 112+ | 10.07 грн |
| 306+ | 9.50 грн |
| 1000+ | 9.12 грн |
| PTVS30VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS30VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS30VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.80 грн |
| 79+ | 14.16 грн |
| 218+ | 13.40 грн |
| PTVS30VP1UTP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS30VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS30VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 76.74 грн |
| 87+ | 12.92 грн |
| 239+ | 12.26 грн |
| PTVS30VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS30VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS30VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.63 грн |
| 115+ | 9.79 грн |
| 316+ | 9.22 грн |
| PTVS33VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS33VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS33VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.57 грн |
| 114+ | 9.88 грн |
| 312+ | 9.41 грн |
| PTVS36VP1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS36VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS36VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.21 грн |
| 77+ | 14.63 грн |
| 211+ | 13.87 грн |
| PTVS36VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS36VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS36VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.77 грн |
| 104+ | 10.83 грн |
| 284+ | 10.26 грн |
| PTVS3V3P1UP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS3V3P1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS3V3P1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 6441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.35 грн |
| 58+ | 19.48 грн |
| 159+ | 18.34 грн |
| PTVS3V3P1UTP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS3V3P1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS3V3P1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.12 грн |
| 79+ | 14.35 грн |
| 216+ | 13.49 грн |
| PTVS3V3S1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 5.6V; 43.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Operating temperature: max. 150°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.6V
Max. forward impulse current: 43.8A
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 5.6V; 43.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Operating temperature: max. 150°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.6V
Max. forward impulse current: 43.8A
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.88 грн |
| 10+ | 30.19 грн |
| 50+ | 20.14 грн |
| 100+ | 17.77 грн |
| 500+ | 13.21 грн |
| 1000+ | 12.64 грн |
| PTVS3V3S1UTR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS3V3S1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS3V3S1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.35 грн |
| 112+ | 10.07 грн |
| 306+ | 9.50 грн |
| PTVS40VP1UTP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS40VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS40VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.17 грн |
| 65+ | 17.39 грн |
| 178+ | 16.44 грн |
| PTVS40VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS40VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS40VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.16 грн |
| 84+ | 13.49 грн |
| 229+ | 12.73 грн |
| PTVS48VS1UR,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
PTVS48VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
PTVS48VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.77 грн |
| 83+ | 13.59 грн |
| 227+ | 12.83 грн |

















