Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSH103,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.85A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSH103BKR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 330mW Drain-source voltage: 30V Drain current: 1A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.33W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 4A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSH105,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.67A On-state resistance: 375mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 417mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 3.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSH111BKR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.13A Power dissipation: 364mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 8.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSH201,215 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 4767 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH202,215 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH203,215 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH205G2R | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 7363 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSN20BKR | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 4575 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP122,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223 Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.55A On-state resistance: 2.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±2V Power dissipation: 1.5W Case: SC73; SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 878 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP126,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.375A On-state resistance: 7.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 1.5W Case: SC73; SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 837 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP19,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223 Kind of package: reel; tape Frequency: 70MHz Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 40 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.2W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP220,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -220V Drain current: -0.225A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP225,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.225A On-state resistance: 15Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP250,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25nC Technology: DMOS Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2233 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP31,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP41,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSP50-QX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSP50,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP51-QX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSP51,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSP52-QX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSP52,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP60,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP61,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP62,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP89,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Case: SC73; SOT223 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.375A On-state resistance: 7.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 839 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSR14,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1683 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSR16,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 50...300 Collector current: 0.6A Pulsed collector current: 0.8A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.25W Polarisation: bipolar Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSR19A-QR | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSR19A,215 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSR33,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1640 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSR41-QF | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.35W Polarisation: bipolar Case: SC62; SOT89 Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSR41-QX | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Power dissipation: 1.35W Polarisation: bipolar Case: SC62; SOT89 Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
BSR41,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.35W Polarisation: bipolar Case: SC62; SOT89 Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 30...300 Collector current: 1A Pulsed collector current: 2A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 716 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSR43-QX | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSR43,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1321 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS123,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.15A On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44991 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138AKAR | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.125A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.51nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1778 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138BK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32255 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138BKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.32W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6093 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138BKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.21A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.7nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138P,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.36A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46153 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138PS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.42W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.8nC Pulsed drain current: 1.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5453 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138PW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.32A Power dissipation: 0.26W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.8nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17041 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS192,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -240V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.56W Case: SC62; SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 5nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
BSS63-QR | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BSS63,215 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS64,215 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSS84,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS84AK,215 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.12A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9849 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS84AKS,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.1A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS84AKV,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.11A Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC Pulsed drain current: -0.7A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
BSS84AKW,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.095A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS87,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BST39,115 | NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
BST50,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 443 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BST51,115 | NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1402 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BST52,115 | NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89 Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.3W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
BSH103,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.85A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.85A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
16+ | 18.58 грн |
50+ | 13.85 грн |
100+ | 12.38 грн |
110+ | 9.91 грн |
301+ | 9.36 грн |
800+ | 8.99 грн |
BSH103BKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 330mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 330mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
15+ | 19.24 грн |
18+ | 15.32 грн |
50+ | 9.63 грн |
100+ | 7.98 грн |
200+ | 5.41 грн |
549+ | 5.14 грн |
BSH105,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.67A
On-state resistance: 375mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.67A
On-state resistance: 375mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417mW
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.67 грн |
18+ | 16.58 грн |
50+ | 12.20 грн |
100+ | 10.92 грн |
101+ | 10.73 грн |
278+ | 10.18 грн |
500+ | 10.09 грн |
BSH108,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.51 грн |
10+ | 29.34 грн |
12+ | 24.04 грн |
50+ | 16.24 грн |
100+ | 13.67 грн |
110+ | 9.82 грн |
303+ | 9.27 грн |
BSH111BKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.82 грн |
25+ | 11.53 грн |
50+ | 7.10 грн |
100+ | 5.66 грн |
347+ | 3.09 грн |
954+ | 2.93 грн |
3000+ | 2.82 грн |
BSH201,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSH201.215 SMD P channel transistors
BSH201.215 SMD P channel transistors
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.80 грн |
121+ | 8.91 грн |
332+ | 8.42 грн |
BSH202,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSH202.215 SMD P channel transistors
BSH202.215 SMD P channel transistors
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.91 грн |
96+ | 11.20 грн |
264+ | 10.59 грн |
BSH203,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSH203.215 SMD P channel transistors
BSH203.215 SMD P channel transistors
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 13.53 грн |
120+ | 9.08 грн |
325+ | 8.62 грн |
BSH205G2R |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSH205G2R SMD P channel transistors
BSH205G2R SMD P channel transistors
на замовлення 7363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.12 грн |
174+ | 6.24 грн |
477+ | 5.87 грн |
BSN20BKR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSN20BKR SMD N channel transistors
BSN20BKR SMD N channel transistors
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 19.56 грн |
265+ | 4.06 грн |
727+ | 3.84 грн |
BSP122,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±2V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±2V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 878 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.31 грн |
10+ | 38.77 грн |
50+ | 29.17 грн |
54+ | 20.00 грн |
149+ | 18.90 грн |
500+ | 18.26 грн |
BSP126,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 1.5W
Case: SC73; SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.18 грн |
8+ | 36.20 грн |
25+ | 31.28 грн |
44+ | 25.10 грн |
119+ | 23.73 грн |
BSP19,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Frequency: 70MHz
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 40
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Kind of package: reel; tape
Frequency: 70MHz
Collector-emitter voltage: 400V
Current gain: 40
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.33 грн |
10+ | 41.16 грн |
50+ | 21.74 грн |
137+ | 20.64 грн |
500+ | 19.82 грн |
BSP220,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.02 грн |
10+ | 49.73 грн |
38+ | 28.99 грн |
50+ | 28.90 грн |
103+ | 27.34 грн |
500+ | 26.60 грн |
1000+ | 26.33 грн |
BSP225,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 62.24 грн |
10+ | 42.11 грн |
36+ | 30.64 грн |
97+ | 28.90 грн |
200+ | 27.80 грн |
BSP250,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.42 грн |
10+ | 42.11 грн |
43+ | 25.41 грн |
117+ | 24.04 грн |
500+ | 23.85 грн |
BSP31,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP31.115 PNP SMD transistors
BSP31.115 PNP SMD transistors
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.57 грн |
65+ | 16.70 грн |
177+ | 15.87 грн |
BSP41,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP41.115 NPN SMD transistors
BSP41.115 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP50-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP50-QX NPN SMD Darlington transistors
BSP50-QX NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP50,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP50.115 NPN SMD Darlington transistors
BSP50.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.99 грн |
66+ | 16.51 грн |
179+ | 15.60 грн |
BSP51-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP51-QX NPN SMD Darlington transistors
BSP51-QX NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP51,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP51.115 NPN SMD Darlington transistors
BSP51.115 NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP52-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP52-QX NPN SMD Darlington transistors
BSP52-QX NPN SMD Darlington transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSP52,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP52.115 NPN SMD Darlington transistors
BSP52.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.16 грн |
68+ | 15.96 грн |
185+ | 15.14 грн |
BSP60,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP60.115 PNP SMD Darlington transistors
BSP60.115 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.64 грн |
62+ | 17.52 грн |
169+ | 16.60 грн |
BSP61,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 1A; 1.25W; SC73,SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.54 грн |
10+ | 31.06 грн |
50+ | 24.31 грн |
55+ | 19.91 грн |
149+ | 18.81 грн |
450+ | 18.26 грн |
BSP62,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSP62.115 PNP SMD Darlington transistors
BSP62.115 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 50.98 грн |
67+ | 16.15 грн |
184+ | 15.23 грн |
BSP89,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.43 грн |
10+ | 38.58 грн |
50+ | 29.82 грн |
54+ | 20.27 грн |
146+ | 19.27 грн |
500+ | 18.53 грн |
BSR14,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.59 грн |
13+ | 23.15 грн |
25+ | 17.87 грн |
50+ | 14.90 грн |
100+ | 12.38 грн |
195+ | 5.56 грн |
536+ | 5.26 грн |
BSR16,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Pulsed collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 50...300
Collector current: 0.6A
Pulsed collector current: 0.8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.59 грн |
12+ | 24.96 грн |
14+ | 20.46 грн |
25+ | 16.24 грн |
50+ | 13.49 грн |
100+ | 11.19 грн |
184+ | 5.87 грн |
BSR19A-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSR19A-QR NPN SMD transistors
BSR19A-QR NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSR19A,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSR19A.215 NPN SMD transistors
BSR19A.215 NPN SMD transistors
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.87 грн |
160+ | 6.73 грн |
439+ | 6.36 грн |
BSR33,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSR33.115 PNP SMD transistors
BSR33.115 PNP SMD transistors
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.81 грн |
82+ | 13.21 грн |
224+ | 12.48 грн |
BSR41-QF |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Case: SC62; SOT89
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Case: SC62; SOT89
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSR41-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Case: SC62; SOT89
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Case: SC62; SOT89
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSR41,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Case: SC62; SOT89
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.35W
Polarisation: bipolar
Case: SC62; SOT89
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 30...300
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 716 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.29 грн |
10+ | 36.58 грн |
56+ | 19.27 грн |
153+ | 18.16 грн |
2000+ | 17.52 грн |
BSR43-QX |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSR43-QX NPN SMD transistors
BSR43-QX NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSR43,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSR43.115 NPN SMD transistors
BSR43.115 NPN SMD transistors
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.94 грн |
98+ | 11.01 грн |
268+ | 10.46 грн |
BSS123,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 19.76 грн |
25+ | 11.53 грн |
50+ | 6.94 грн |
100+ | 5.66 грн |
372+ | 2.91 грн |
1021+ | 2.75 грн |
1500+ | 2.74 грн |
BSS138AKAR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.51nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 13.83 грн |
29+ | 9.91 грн |
36+ | 7.82 грн |
100+ | 5.55 грн |
325+ | 3.32 грн |
893+ | 3.14 грн |
BSS138BK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.72 грн |
21+ | 13.62 грн |
28+ | 10.05 грн |
50+ | 8.18 грн |
100+ | 6.69 грн |
411+ | 2.62 грн |
1130+ | 2.49 грн |
BSS138BKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.21A; 320mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.32W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6093 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
17+ | 17.05 грн |
25+ | 12.73 грн |
50+ | 10.37 грн |
100+ | 8.62 грн |
211+ | 5.12 грн |
580+ | 4.83 грн |
BSS138BKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.72 грн |
22+ | 13.53 грн |
50+ | 8.86 грн |
100+ | 7.49 грн |
229+ | 4.72 грн |
629+ | 4.47 грн |
1000+ | 4.43 грн |
BSS138P,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.87 грн |
42+ | 6.86 грн |
54+ | 5.14 грн |
100+ | 4.56 грн |
484+ | 2.23 грн |
1331+ | 2.11 грн |
3000+ | 2.07 грн |
BSS138PS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 200mA; Idm: 1.2A; 420mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
Pulsed drain current: 1.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.64 грн |
14+ | 21.91 грн |
16+ | 17.89 грн |
40+ | 12.25 грн |
50+ | 11.50 грн |
100+ | 9.44 грн |
245+ | 4.41 грн |
BSS138PW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.32A; 260mW; SC70,SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.32A
Power dissipation: 0.26W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.75 грн |
22+ | 13.34 грн |
26+ | 10.83 грн |
50+ | 7.08 грн |
100+ | 5.88 грн |
358+ | 3.02 грн |
984+ | 2.85 грн |
BSS192,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -240V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.56W
Case: SC62; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -240V; -0.12A; 560mW; SC62,SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -240V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.56W
Case: SC62; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS63-QR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS63-QR PNP SMD transistors
BSS63-QR PNP SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS63,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS63.215 PNP SMD transistors
BSS63.215 PNP SMD transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 22.80 грн |
322+ | 3.34 грн |
885+ | 3.16 грн |
45000+ | 3.15 грн |
BSS64,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS64.215 NPN SMD transistors
BSS64.215 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS84,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -130mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 21.74 грн |
50+ | 8.84 грн |
100+ | 7.05 грн |
367+ | 2.94 грн |
1010+ | 2.78 грн |
3000+ | 2.67 грн |
BSS84AK,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.12A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9849 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.80 грн |
29+ | 10.10 грн |
50+ | 6.22 грн |
100+ | 5.10 грн |
457+ | 2.36 грн |
1255+ | 2.24 грн |
2500+ | 2.15 грн |
BSS84AKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.1A
Power dissipation: 445mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.72 грн |
20+ | 14.39 грн |
50+ | 9.65 грн |
100+ | 8.29 грн |
233+ | 4.63 грн |
641+ | 4.38 грн |
3000+ | 4.37 грн |
BSS84AKV,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.11A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
Pulsed drain current: -0.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BSS84AKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.095A; 310mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.095A
Power dissipation: 0.31W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.35nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 18.77 грн |
23+ | 12.77 грн |
27+ | 10.37 грн |
50+ | 6.70 грн |
100+ | 5.54 грн |
457+ | 2.36 грн |
1255+ | 2.24 грн |
BSS87,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BSS87.115 SMD N channel transistors
BSS87.115 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.81 грн |
71+ | 15.23 грн |
195+ | 14.40 грн |
500+ | 14.39 грн |
BST39,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST39.115 NPN SMD transistors
BST39.115 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
BST50,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST50.115 NPN SMD Darlington transistors
BST50.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.24 грн |
54+ | 20.00 грн |
148+ | 18.90 грн |
5000+ | 18.86 грн |
BST51,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
BST51.115 NPN SMD Darlington transistors
BST51.115 NPN SMD Darlington transistors
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.10 грн |
62+ | 17.52 грн |
169+ | 16.60 грн |
1000+ | 16.58 грн |
BST52,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 1A; 1.3W; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Case: SC62; SOT89
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.51 грн |
50+ | 31.72 грн |
62+ | 17.52 грн |
168+ | 16.60 грн |
500+ | 15.96 грн |