Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (89957) > Сторінка 374 з 1500

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 150 300 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 379 450 600 750 900 1050 1200 1350 1500  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.46 грн
5+235.80 грн
10+212.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.14 грн
3+198.31 грн
10+166.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.89 грн
10+159.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.05 грн
10+138.12 грн
100+90.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.03 грн
3+316.70 грн
10+269.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.30 грн
10+146.02 грн
100+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.13 грн
3+235.80 грн
10+200.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.02 грн
10+40.45 грн
50+35.53 грн
100+34.01 грн
200+32.49 грн
500+30.40 грн
1000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.22 грн
10+99.65 грн
50+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX NEXPERIA PSMN4R2-30MLD.pdf PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.83 грн
41+27.74 грн
112+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX
+1
 		PSMN4R2-80YSEX NEXPERIA PSMN4R2-80YSE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+290.57 грн
10+184.49 грн
50+145.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS,118 NEXPERIA PSMN4R4-80BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.20 грн
5+242.70 грн
10+216.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.70 грн
10+147.00 грн
50+105.46 грн
100+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS,127 NEXPERIA PSMN6R5-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.46 грн
8+163.78 грн
20+149.16 грн
1000+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YL.pdf PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.57 грн
46+24.70 грн
125+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.96 грн
10+56.33 грн
100+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.03 грн
10+128.26 грн
100+111.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.61 грн
10+93.73 грн
100+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA PSMN8R0-40PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.64 грн
10+96.69 грн
15+78.85 грн
39+75.05 грн
100+74.10 грн
250+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS,115 NEXPERIA PSMN8R2-80YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.28 грн
10+137.14 грн
100+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN8R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.48 грн
5+94.71 грн
25+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS,127 NEXPERIA PSMN8R7-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.79 грн
3+146.02 грн
10+123.51 грн
11+111.16 грн
28+105.08 грн
250+103.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSSI2021SAY,115 NEXPERIA PSSI2021SAY.pdf PSSI2021SAY.115 Voltage regulators - PWM circuits
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.48 грн
79+14.25 грн
217+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.35 грн
56+20.24 грн
153+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VS1UTR,115 NEXPERIA PTVSXS1UTR_SER.pdf PTVS10VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.91 грн
109+10.26 грн
300+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS11VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.85 грн
88+12.83 грн
242+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS11VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.44 грн
111+10.07 грн
305+9.60 грн
3000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VP1UP,115 PTVS12VP1UP,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 14V; 30.2A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 5nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.90 грн
11+27.43 грн
50+19.76 грн
70+16.06 грн
192+15.20 грн
500+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VS1UR,115 PTVS12VS1UR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 14V; 20.1A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 5nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.67 грн
13+23.88 грн
15+19.95 грн
50+14.35 грн
100+12.45 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS13VP1UP,115 PTVS13VP1UP,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15.15V; 27.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 15.15V
Max. forward impulse current: 27.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.18 грн
8+41.83 грн
10+35.06 грн
79+14.16 грн
216+13.40 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS13VS1UR,115 PTVS13VS1UR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 15.15V; 18.6A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 15.15V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.65 грн
14+21.90 грн
16+18.91 грн
50+14.63 грн
100+13.02 грн
108+10.36 грн
297+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS14VS1UR,115 PTVS14VS1UR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 16.4V; 17.2A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 16.4V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.67 грн
13+24.47 грн
14+21.47 грн
50+16.63 грн
100+14.73 грн
116+9.69 грн
319+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS15VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.77 грн
83+13.59 грн
227+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS15VS1UTR,115 NEXPERIA PTVSXS1UTR_SER.pdf PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.35 грн
84+13.49 грн
229+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VP1UP,115 PTVS16VP1UP,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.00 грн
10+32.66 грн
78+14.35 грн
214+13.59 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VS1UR,115 PTVS16VS1UR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.69 грн
14+22.40 грн
40+17.20 грн
50+16.53 грн
80+15.20 грн
100+14.54 грн
113+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VS1UTR,115 PTVS16VS1UTR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE686CF92B473D1&compId=PTVSXS1UTR_SER.pdf?ci_sign=2f8af3dbfa9c8baf6b492c8d4ddaa77dc7b8ad13 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.62 грн
16+18.75 грн
50+14.35 грн
75+13.40 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS17VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS17VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.35 грн
86+13.02 грн
237+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS20VS1UR,115 PTVS20VS1UR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 23.35V; 12.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 23.35V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.69 грн
14+22.30 грн
40+17.39 грн
80+15.68 грн
100+15.11 грн
120+9.41 грн
329+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS22VP1UP,115 PTVS22VP1UP,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 25.6V; 16.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 25.6V
Max. forward impulse current: 16.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.91 грн
25+18.45 грн
88+12.76 грн
241+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VP1UP,115 PTVS24VP1UP,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.1V; 15.4A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.90 грн
11+27.62 грн
25+22.14 грн
50+19.19 грн
68+16.44 грн
187+15.58 грн
500+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VS1UR,115 PTVS24VS1UR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.69 грн
13+24.27 грн
50+16.25 грн
100+14.44 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
1500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VS1UTR,115 PTVS24VS1UTR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE686CF92B473D1&compId=PTVSXS1UTR_SER.pdf?ci_sign=2f8af3dbfa9c8baf6b492c8d4ddaa77dc7b8ad13 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.81 грн
13+23.19 грн
100+15.49 грн
115+9.79 грн
315+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS26VP1UTP,115 PTVS26VP1UTP,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE691AEC90FD3D1&compId=PTVSXP1UTP_SER.pdf?ci_sign=87daad066b8fcb49acc3fe6ffcb2478c7b9b3115 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30.4V; 14.3A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30.4V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.00 грн
10+29.60 грн
85+13.21 грн
234+12.45 грн
3000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS26VS1UR,115 PTVS26VS1UR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 30.4V; 9.5A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30.4V
Max. forward impulse current: 9.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.46 грн
20+15.19 грн
100+11.21 грн
108+10.45 грн
295+9.88 грн
500+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS28VP1UTP,115 PTVS28VP1UTP,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE691AEC90FD3D1&compId=PTVSXP1UTP_SER.pdf?ci_sign=87daad066b8fcb49acc3fe6ffcb2478c7b9b3115 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 32.8V; 13.2A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.8V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.23 грн
8+37.49 грн
10+31.26 грн
86+13.11 грн
235+12.35 грн
3000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS28VS1UR,115 PTVS28VS1UR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 32.8V; 8.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.8V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.69 грн
15+20.92 грн
50+15.11 грн
100+13.21 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS30VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS30VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.80 грн
79+14.16 грн
218+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS30VP1UTP,115 NEXPERIA PTVSXP1UTP_SER.pdf PTVS30VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.74 грн
87+12.92 грн
239+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS30VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS30VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.63 грн
115+9.79 грн
316+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS33VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS33VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.57 грн
114+9.88 грн
312+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS36VP1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS36VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.21 грн
77+14.63 грн
211+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS36VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS36VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.77 грн
104+10.83 грн
284+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3P1UP,115 NEXPERIA PTVSXP1UP_SER.pdf PTVS3V3P1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 6441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.35 грн
58+19.48 грн
159+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3P1UTP,115 NEXPERIA PTVSXP1UTP_SER.pdf PTVS3V3P1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.12 грн
79+14.35 грн
216+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3S1UR,115 PTVS3V3S1UR,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 5.6V; 43.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Operating temperature: max. 150°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.6V
Max. forward impulse current: 43.8A
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.88 грн
10+30.19 грн
50+20.14 грн
100+17.77 грн
500+13.21 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3S1UTR,115 NEXPERIA PTVSXS1UTR_SER.pdf PTVS3V3S1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.35 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS40VP1UTP,115 NEXPERIA PTVSXP1UTP_SER.pdf PTVS40VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.17 грн
65+17.39 грн
178+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS40VS1UR,115 NEXPERIA PTVSXS1UR_SER.pdf PTVS40VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.16 грн
84+13.49 грн
229+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.46 грн
5+235.80 грн
10+212.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081C0D5CA8D6259&compId=PSMN2R0-30PL.pdf?ci_sign=be63b5d7715a84e18f68bb93e5f4e987998a7513
PSMN2R0-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.14 грн
3+198.31 грн
10+166.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.89 грн
10+159.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808192BBD2DC8259&compId=PSMN2R2-30YLC.pdf?ci_sign=8e1720e684fd55b931cef53178fa613c49d268d9
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.05 грн
10+138.12 грн
100+90.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.03 грн
3+316.70 грн
10+269.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
PSMN3R5-30YL,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.30 грн
10+146.02 грн
100+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.13 грн
3+235.80 грн
10+200.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.02 грн
10+40.45 грн
50+35.53 грн
100+34.01 грн
200+32.49 грн
500+30.40 грн
1000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-40YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1D63CC7E1EF33F1A704005056AB0C4F&compId=psmn4r0-40ys.pdf?ci_sign=505937721e3198273ddaee9b8070e10674005d8f
PSMN4R0-40YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 593A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.22 грн
10+99.65 грн
50+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-30MLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN4R2-30MLDX SMD N channel transistors
на замовлення 992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.83 грн
41+27.74 грн
112+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R2-80YSEX PSMN4R2-80YSE.pdf
PSMN4R2-80YSEX
+1
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 698A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 698A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.57 грн
10+184.49 грн
50+145.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80BS.pdf
PSMN4R4-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 680A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 125nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 543 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.20 грн
5+242.70 грн
10+216.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.70 грн
10+147.00 грн
50+105.46 грн
100+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS.pdf
PSMN6R5-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.46 грн
8+163.78 грн
20+149.16 грн
1000+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YL,115 PSMN7R0-30YL.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN7R0-30YL.115 SMD N channel transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.57 грн
46+24.70 грн
125+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC.pdf
PSMN7R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 48W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.96 грн
10+56.33 грн
100+48.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081A77E82B6A259&compId=PSMN7R0-60YS.pdf?ci_sign=97b8171ecd01b8de8f782b95da53d7ee6fa6455b
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 63A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.03 грн
10+128.26 грн
100+111.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 346A
Power dissipation: 147W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 19.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.61 грн
10+93.73 грн
100+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS.pdf
PSMN8R0-40PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.64 грн
10+96.69 грн
15+78.85 грн
39+75.05 грн
100+74.10 грн
250+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R2-80YS,115 PSMN8R2-80YS.pdf
PSMN8R2-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; Idm: 326A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
Pulsed drain current: 326A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.28 грн
10+137.14 грн
100+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 303A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.48 грн
5+94.71 грн
25+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R7-80PS,127 PSMN8R7-80PS.pdf
PSMN8R7-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 90A; Idm: 361A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 361A
Power dissipation: 170W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.79 грн
3+146.02 грн
10+123.51 грн
11+111.16 грн
28+105.08 грн
250+103.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSSI2021SAY,115 PSSI2021SAY.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSSI2021SAY.115 Voltage regulators - PWM circuits
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.48 грн
79+14.25 грн
217+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS10VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.35 грн
56+20.24 грн
153+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS10VS1UTR,115 PTVSXS1UTR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS10VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.91 грн
109+10.26 грн
300+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS11VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS11VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 633 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.85 грн
88+12.83 грн
242+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS11VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS11VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 559 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.44 грн
111+10.07 грн
305+9.60 грн
3000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VP1UP,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c
PTVS12VP1UP,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 14V; 30.2A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 5nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.90 грн
11+27.43 грн
50+19.76 грн
70+16.06 грн
192+15.20 грн
500+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS12VS1UR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b
PTVS12VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 14V; 20.1A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 14V
Max. forward impulse current: 20.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 5nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.67 грн
13+23.88 грн
15+19.95 грн
50+14.35 грн
100+12.45 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS13VP1UP,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c
PTVS13VP1UP,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15.15V; 27.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 15.15V
Max. forward impulse current: 27.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.18 грн
8+41.83 грн
10+35.06 грн
79+14.16 грн
216+13.40 грн
1000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS13VS1UR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b
PTVS13VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 15.15V; 18.6A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 15.15V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.65 грн
14+21.90 грн
16+18.91 грн
50+14.63 грн
100+13.02 грн
108+10.36 грн
297+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS14VS1UR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b
PTVS14VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 16.4V; 17.2A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 14V
Breakdown voltage: 16.4V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.67 грн
13+24.47 грн
14+21.47 грн
50+16.63 грн
100+14.73 грн
116+9.69 грн
319+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS15VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS15VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 5046 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.77 грн
83+13.59 грн
227+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS15VS1UTR,115 PTVSXS1UTR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS15VS1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.35 грн
84+13.49 грн
229+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VP1UP,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c
PTVS16VP1UP,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 18.75V; 23.1A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1726 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.00 грн
10+32.66 грн
78+14.35 грн
214+13.59 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VS1UR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b
PTVS16VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.69 грн
14+22.40 грн
40+17.20 грн
50+16.53 грн
80+15.20 грн
100+14.54 грн
113+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS16VS1UTR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE686CF92B473D1&compId=PTVSXS1UTR_SER.pdf?ci_sign=2f8af3dbfa9c8baf6b492c8d4ddaa77dc7b8ad13
PTVS16VS1UTR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 18.75V; 15.4A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 18.75V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.62 грн
16+18.75 грн
50+14.35 грн
75+13.40 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS17VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS17VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.35 грн
86+13.02 грн
237+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS20VS1UR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b
PTVS20VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 23.35V; 12.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 23.35V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.69 грн
14+22.30 грн
40+17.39 грн
80+15.68 грн
100+15.11 грн
120+9.41 грн
329+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS22VP1UP,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c
PTVS22VP1UP,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 25.6V; 16.9A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 22V
Breakdown voltage: 25.6V
Max. forward impulse current: 16.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.91 грн
25+18.45 грн
88+12.76 грн
241+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VP1UP,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889F2B392941993D1&compId=PTVSXP1UP_SER.pdf?ci_sign=17ca1afb18d62c11edc388b3124f51208ac3275c
PTVS24VP1UP,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 28.1V; 15.4A; unidirectional; SOD128F; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 15.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.90 грн
11+27.62 грн
25+22.14 грн
50+19.19 грн
68+16.44 грн
187+15.58 грн
500+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VS1UR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b
PTVS24VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.69 грн
13+24.27 грн
50+16.25 грн
100+14.44 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
1500+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS24VS1UTR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE686CF92B473D1&compId=PTVSXS1UTR_SER.pdf?ci_sign=2f8af3dbfa9c8baf6b492c8d4ddaa77dc7b8ad13
PTVS24VS1UTR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 28.1V; 10.3A; unidirectional; SOD123W; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 28.1V
Max. forward impulse current: 10.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
13+23.19 грн
100+15.49 грн
115+9.79 грн
315+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS26VP1UTP,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE691AEC90FD3D1&compId=PTVSXP1UTP_SER.pdf?ci_sign=87daad066b8fcb49acc3fe6ffcb2478c7b9b3115
PTVS26VP1UTP,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 30.4V; 14.3A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30.4V
Max. forward impulse current: 14.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.00 грн
10+29.60 грн
85+13.21 грн
234+12.45 грн
3000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS26VS1UR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b
PTVS26VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 30.4V; 9.5A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 26V
Breakdown voltage: 30.4V
Max. forward impulse current: 9.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.46 грн
20+15.19 грн
100+11.21 грн
108+10.45 грн
295+9.88 грн
500+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS28VP1UTP,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE691AEC90FD3D1&compId=PTVSXP1UTP_SER.pdf?ci_sign=87daad066b8fcb49acc3fe6ffcb2478c7b9b3115
PTVS28VP1UTP,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 32.8V; 13.2A; unidirectional; SOD128F; max.185°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.8V
Max. forward impulse current: 13.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD128F
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 185°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.23 грн
8+37.49 грн
10+31.26 грн
86+13.11 грн
235+12.35 грн
3000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS28VS1UR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b
PTVS28VS1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 32.8V; 8.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 32.8V
Max. forward impulse current: 8.8A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Leakage current: 1nA
Operating temperature: max. 150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.69 грн
15+20.92 грн
50+15.11 грн
100+13.21 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
1000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS30VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS30VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.80 грн
79+14.16 грн
218+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS30VP1UTP,115 PTVSXP1UTP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS30VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.74 грн
87+12.92 грн
239+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS30VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS30VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.63 грн
115+9.79 грн
316+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS33VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS33VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.57 грн
114+9.88 грн
312+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS36VP1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS36VP1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.21 грн
77+14.63 грн
211+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS36VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS36VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.77 грн
104+10.83 грн
284+10.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3P1UP,115 PTVSXP1UP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS3V3P1UP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 6441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.35 грн
58+19.48 грн
159+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3P1UTP,115 PTVSXP1UTP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS3V3P1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2063 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.12 грн
79+14.35 грн
216+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3S1UR,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CE66FB8FC2513D1&compId=PTVSXS1UR_SER.pdf?ci_sign=81e4181f57037f5ee3d7ee37da93adf2bf68d51b
PTVS3V3S1UR,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 400W; 5.6V; 43.8A; unidirectional; SOD123W; max.150°C
Operating temperature: max. 150°C
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.6V
Max. forward impulse current: 43.8A
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.88 грн
10+30.19 грн
50+20.14 грн
100+17.77 грн
500+13.21 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS3V3S1UTR,115 PTVSXS1UTR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS3V3S1UTR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.35 грн
112+10.07 грн
306+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS40VP1UTP,115 PTVSXP1UTP_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS40VP1UTP.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.17 грн
65+17.39 грн
178+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PTVS40VS1UR,115 PTVSXS1UR_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
PTVS40VS1UR.115 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.16 грн
84+13.49 грн
229+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 150 300 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 379 450 600 750 900 1050 1200 1350 1500  [ Наступна Сторінка >> ]