Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (89958) > Сторінка 373 з 1500

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 150 300 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 450 600 750 900 1050 1200 1350 1500  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMST3904,115 PMST3904,115 NEXPERIA PMST3904.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SC70; SOT323
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
34+9.21 грн
38+7.89 грн
54+5.34 грн
100+4.47 грн
500+2.95 грн
574+1.95 грн
1578+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PMST5551,115 NEXPERIA PMST5551.pdf PMST5551.115 NPN SMD transistors
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.94 грн
221+5.13 грн
605+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEAR NEXPERIA PMV130ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.02 грн
9+36.70 грн
10+30.88 грн
50+20.71 грн
100+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMV160UP,215 NEXPERIA PMV160UP.pdf PMV160UP.215 SMD P channel transistors
на замовлення 3337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.80 грн
100+14.60 грн
180+6.27 грн
493+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR NEXPERIA PMV20EN.pdf PMV20ENR SMD N channel transistors
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.87 грн
122+9.22 грн
335+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNER NEXPERIA PMV20XNE.pdf PMV20XNER SMD N channel transistors
на замовлення 674 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.16 грн
50+18.75 грн
89+12.73 грн
243+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN,215 NEXPERIA PMV213SN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.86 грн
11+28.41 грн
50+20.90 грн
92+12.16 грн
253+11.50 грн
9000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEAR PMV250EPEAR NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A067A6A6390747&compId=PMV250EPEA.pdf?ci_sign=2e81618b92d35c8fe5ac686fae43dc250ef64ffb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -1A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.89W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.65 грн
15+19.83 грн
50+13.21 грн
100+11.12 грн
152+7.32 грн
419+6.94 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEAR PMV280ENEAR NEXPERIA PMV280ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Gate charge: 6.8nC
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 1078mΩ
Pulsed drain current: 5A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.65 грн
14+21.90 грн
50+13.87 грн
100+11.40 грн
121+9.22 грн
300+8.46 грн
500+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2R PMV30UN2R NEXPERIA PMV30UN2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 11nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.67 грн
13+23.09 грн
50+15.49 грн
100+13.02 грн
143+7.89 грн
391+7.41 грн
2500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEAR PMV30XPEAR NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8219AA0FF3E0C4&compId=PMV30XPEA.pdf?ci_sign=7f9f94ddfcdaf812f4e6af9690278715b2cfe490 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A; 0.98W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.49 грн
17+17.29 грн
85+13.21 грн
233+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215 NEXPERIA PMV32UP.pdf PMV32UP.215 SMD P channel transistors
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.89 грн
72+15.68 грн
197+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2R PMV40UN2R NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A0162397884747&compId=PMV40UN2.pdf?ci_sign=cdc5ec7a5d1e4f7c4859de9b9df001c28f322a28 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.65 грн
14+22.69 грн
15+19.29 грн
100+12.07 грн
162+6.84 грн
446+6.46 грн
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R PMV45EN2R NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A013B2DC8F8747&compId=PMV45EN2.pdf?ci_sign=a913a1f905df7a03077b03206c3ec51b29beb72c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.72 грн
14+22.00 грн
50+14.35 грн
100+12.16 грн
148+7.60 грн
404+7.22 грн
3000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215 NEXPERIA PMV48XP.pdf PMV48XP.215 SMD P channel transistors
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.29 грн
72+15.68 грн
197+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPAR PMV48XPAR NEXPERIA PMV48XPA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -14A
Gate charge: 11nC
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.09 грн
10+35.02 грн
59+19.00 грн
162+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPR NEXPERIA PMV50XP.pdf PMV50XPR SMD P channel transistors
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.38 грн
85+13.30 грн
232+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEAR NEXPERIA PMV55ENEA.pdf PMV55ENEAR SMD N channel transistors
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+39.80 грн
100+11.21 грн
274+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNER PMV65UNER NEXPERIA PMV65UNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.88 грн
10+31.47 грн
25+24.23 грн
100+18.15 грн
500+16.34 грн
1000+15.20 грн
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEAR NEXPERIA PMV65XPEA.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.79 грн
11+27.72 грн
50+19.19 грн
85+13.21 грн
232+12.54 грн
500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPER NEXPERIA PMV65XPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.81 грн
13+23.78 грн
50+15.30 грн
100+12.83 грн
108+10.36 грн
297+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER NEXPERIA PMV90ENE.pdf PMV90ENER SMD N channel transistors
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.12 грн
151+7.51 грн
413+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPEYL NEXPERIA PMZ350UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.56 грн
18+17.36 грн
21+14.06 грн
100+7.76 грн
249+4.48 грн
685+4.24 грн
30000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YL NEXPERIA PMZB290UNE2.pdf PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.13 грн
213+5.23 грн
586+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PNS40010ER,115 PNS40010ER,115 NEXPERIA PNS40010ER.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Max. forward voltage: 0.93V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.72 грн
13+23.38 грн
25+17.33 грн
100+10.65 грн
237+4.70 грн
651+4.45 грн
9000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX,215 NEXPERIA PRTR5V0U2AX.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.83 грн
11+29.50 грн
68+16.63 грн
185+15.68 грн
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2F,115 PRTR5V0U2F,115 NEXPERIA PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.79 грн
25+18.35 грн
67+16.88 грн
100+15.58 грн
500+15.39 грн
5000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2X,215 PRTR5V0U2X,215 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.83 грн
11+27.53 грн
20+23.75 грн
79+14.25 грн
216+13.49 грн
500+13.30 грн
750+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U4D,125 PRTR5V0U4D,125 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3C4E78E4FC58749&compId=PRTR5V0U4D.pdf?ci_sign=3c16dd02ddf9e55a6a0217fb634b624a857289f2 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Breakdown voltage: 7.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.68 грн
7+47.85 грн
10+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065KQ PSC1065KQ NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+291.59 грн
3+269.34 грн
6+214.71 грн
15+202.36 грн
1000+194.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 PSMN004-60B,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.13 грн
5+230.86 грн
25+200.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+267.04 грн
3+238.76 грн
10+218.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MSX NEXPERIA PSMN011-60MS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.04 грн
10+56.63 грн
25+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.82 грн
10+121.35 грн
100+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS,127 NEXPERIA PSMN012-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 PSMN013-100BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.10 грн
5+119.38 грн
25+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.95 грн
9+36.31 грн
10+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.83 грн
7+48.94 грн
10+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.26 грн
10+91.75 грн
100+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.20 грн
10+70.05 грн
100+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.15 грн
10+105.57 грн
50+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS,127 NEXPERIA PSMN015-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.76 грн
10+184.49 грн
100+159.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS,127 NEXPERIA PSMN016-100PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.60 грн
10+154.90 грн
50+128.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 152A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.83 грн
10+75.05 грн
16+74.10 грн
42+70.30 грн
50+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.97 грн
10+60.77 грн
25+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS,127 NEXPERIA PSMN017-80PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.53 грн
10+92.16 грн
14+83.61 грн
37+79.04 грн
250+77.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN018-80YS,115 PSMN018-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.19 грн
10+77.94 грн
25+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 PSMN026-80YS,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.27 грн
7+43.31 грн
10+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.47 грн
25+59.69 грн
100+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127 NEXPERIA PSMN034-100PS.pdf PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+154.49 грн
15+78.09 грн
40+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.53 грн
10+55.05 грн
25+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YLX NEXPERIA PSMN041-80YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.55 грн
10+45.28 грн
100+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 NEXPERIA PSMN057-200P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.13 грн
3+234.81 грн
10+200.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.89 грн
10+119.38 грн
25+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+458.37 грн
10+353.20 грн
100+255.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.01 грн
10+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.22 грн
5+122.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 243nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Pulsed drain current: 1609A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+401.07 грн
4+289.07 грн
11+263.17 грн
50+252.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.41 грн
5+81.89 грн
10+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.46 грн
5+235.80 грн
10+212.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PMST3904,115 PMST3904.pdf
PMST3904,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SC70,SOT323
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Case: SC70; SOT323
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.21 грн
38+7.89 грн
54+5.34 грн
100+4.47 грн
500+2.95 грн
574+1.95 грн
1578+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PMST5551,115 PMST5551.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMST5551.115 NPN SMD transistors
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.94 грн
221+5.13 грн
605+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMV130ENEAR PMV130ENEA.pdf
PMV130ENEAR
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 1.5A; Idm: 8A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 1.5A
Pulsed drain current: 8A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 233mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.02 грн
9+36.70 грн
10+30.88 грн
50+20.71 грн
100+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMV160UP,215 PMV160UP.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMV160UP.215 SMD P channel transistors
на замовлення 3337 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.80 грн
100+14.60 грн
180+6.27 грн
493+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20ENR PMV20EN.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMV20ENR SMD N channel transistors
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.87 грн
122+9.22 грн
335+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMV20XNER PMV20XNE.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMV20XNER SMD N channel transistors
на замовлення 674 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.16 грн
50+18.75 грн
89+12.73 грн
243+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV213SN,215 PMV213SN.pdf
PMV213SN,215
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; Idm: 7.6A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 575mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.86 грн
11+28.41 грн
50+20.90 грн
92+12.16 грн
253+11.50 грн
9000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV250EPEAR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A067A6A6390747&compId=PMV250EPEA.pdf?ci_sign=2e81618b92d35c8fe5ac686fae43dc250ef64ffb
PMV250EPEAR
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -1A; 890mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -1A
Gate charge: 6nC
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 0.89W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.65 грн
15+19.83 грн
50+13.21 грн
100+11.12 грн
152+7.32 грн
419+6.94 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV280ENEAR PMV280ENEA.pdf
PMV280ENEAR
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 800mA; Idm: 5A; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Gate charge: 6.8nC
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 1078mΩ
Pulsed drain current: 5A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.65 грн
14+21.90 грн
50+13.87 грн
100+11.40 грн
121+9.22 грн
300+8.46 грн
500+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30UN2R PMV30UN2.pdf
PMV30UN2R
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; Idm: 18A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
Gate charge: 11nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.67 грн
13+23.09 грн
50+15.49 грн
100+13.02 грн
143+7.89 грн
391+7.41 грн
2500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEAR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8219AA0FF3E0C4&compId=PMV30XPEA.pdf?ci_sign=7f9f94ddfcdaf812f4e6af9690278715b2cfe490
PMV30XPEAR
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.8A; Idm: -18A; 0.98W; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.8A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
17+17.29 грн
85+13.21 грн
233+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215 PMV32UP.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMV32UP.215 SMD P channel transistors
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.89 грн
72+15.68 грн
197+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A0162397884747&compId=PMV40UN2.pdf?ci_sign=cdc5ec7a5d1e4f7c4859de9b9df001c28f322a28
PMV40UN2R
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 1W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.65 грн
14+22.69 грн
15+19.29 грн
100+12.07 грн
162+6.84 грн
446+6.46 грн
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMV45EN2R pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE794A013B2DC8F8747&compId=PMV45EN2.pdf?ci_sign=a913a1f905df7a03077b03206c3ec51b29beb72c
PMV45EN2R
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; 1115mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1115mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.72 грн
14+22.00 грн
50+14.35 грн
100+12.16 грн
148+7.60 грн
404+7.22 грн
3000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XP,215 PMV48XP.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMV48XP.215 SMD P channel transistors
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.29 грн
72+15.68 грн
197+14.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMV48XPAR PMV48XPA.pdf
PMV48XPAR
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -14A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -14A
Gate charge: 11nC
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.09 грн
10+35.02 грн
59+19.00 грн
162+17.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMV50XPR PMV50XP.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMV50XPR SMD P channel transistors
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.38 грн
85+13.30 грн
232+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PMV55ENEAR PMV55ENEA.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMV55ENEAR SMD N channel transistors
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.80 грн
100+11.21 грн
274+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65UNER PMV65UNE.pdf
PMV65UNER
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.8A; Idm: 11A; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 11A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 6nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.88 грн
10+31.47 грн
25+24.23 грн
100+18.15 грн
500+16.34 грн
1000+15.20 грн
3000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPEAR PMV65XPEA.pdf
PMV65XPEAR
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -120mA; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -120mA
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.79 грн
11+27.72 грн
50+19.19 грн
85+13.21 грн
232+12.54 грн
500+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV65XPER PMV65XPE.pdf
PMV65XPER
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -12A; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 263 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
13+23.78 грн
50+15.30 грн
100+12.83 грн
108+10.36 грн
297+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMV90ENER PMV90ENE.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMV90ENER SMD N channel transistors
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.12 грн
151+7.51 грн
413+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMZ350UPEYL PMZ350UPE.pdf
PMZ350UPEYL
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Pulsed drain current: -2.8A
Case: DFN1006-3; SOT883
On-state resistance: 645mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.56 грн
18+17.36 грн
21+14.06 грн
100+7.76 грн
249+4.48 грн
685+4.24 грн
30000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PMZB290UNE2YL PMZB290UNE2.pdf
Виробник: NEXPERIA
PMZB290UNE2YL SMD N channel transistors
на замовлення 4906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.13 грн
213+5.23 грн
586+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PNS40010ER,115 PNS40010ER.pdf
PNS40010ER,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.4A; 1.8us; SOD123W; Ufmax: 0.93V
Type of diode: rectifying
Case: SOD123W
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 32A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2.3W
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Reverse recovery time: 1.8µs
Leakage current: 0.5mA
Max. forward voltage: 0.93V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.72 грн
13+23.38 грн
25+17.33 грн
100+10.65 грн
237+4.70 грн
651+4.45 грн
9000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2AX,215 PRTR5V0U2AX.pdf
PRTR5V0U2AX,215
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.83 грн
11+29.50 грн
68+16.63 грн
185+15.68 грн
1000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2F,115 PRTR5V0U2F_PRTR5V0U2K.pdf
PRTR5V0U2F,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; unidirectional; SOT886
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 6...9V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT886
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.79 грн
25+18.35 грн
67+16.88 грн
100+15.58 грн
500+15.39 грн
5000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U2X,215 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B1D2798B025E3E27&compId=PRTR5V0U2X-DTE.pdf?ci_sign=5f2d0d30771bec0a7cc4a22d627a46bf1e6a11ea
PRTR5V0U2X,215
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SOT143B
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 7.5V
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT143B
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 0.1µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.83 грн
11+27.53 грн
20+23.75 грн
79+14.25 грн
216+13.49 грн
500+13.30 грн
750+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PRTR5V0U4D,125 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A3C4E78E4FC58749&compId=PRTR5V0U4D.pdf?ci_sign=3c16dd02ddf9e55a6a0217fb634b624a857289f2
PRTR5V0U4D,125
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5V; unidirectional; SC74,SOT457,TSOP6
Type of diode: TVS array
Case: SC74; SOT457; TSOP6
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.1µA
Breakdown voltage: 7.5V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.68 грн
7+47.85 грн
10+41.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSC1065KQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA7FA7727D6FA20D6&compId=PSC1065K.pdf?ci_sign=dd12c0708faaccd1b90e360e7cebf759d1956147
PSC1065KQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; Ir: 120uA
Mounting: THT
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: tube
Leakage current: 120µA
Max. forward voltage: 2.6V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 42A
Max. off-state voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.59 грн
3+269.34 грн
6+214.71 грн
15+202.36 грн
1000+194.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN004-60B,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808143689850E259&compId=PSMN004-60B.pdf?ci_sign=cda35da8611d2137a5ec894d651d996635046dd7
PSMN004-60B,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 230W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 168nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 714 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.13 грн
5+230.86 грн
25+200.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.04 грн
3+238.76 грн
10+218.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN011-60MSX PSMN011-60MS.pdf
PSMN011-60MSX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 244A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 91W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.04 грн
10+56.63 грн
25+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808167AEDA0DA259&compId=PSMN012-100YS.pdf?ci_sign=6cfca4751690a5844026e54e13f9643cb722a6e4
PSMN012-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.82 грн
10+121.35 грн
100+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-80PS,127 PSMN012-80PS.pdf
PSMN012-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 295A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 52A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-100BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808146A1BEE3E259&compId=PSMN013-100BS.pdf?ci_sign=1f0c2bc713900b33e56b048a7cf0da6713a9a3e4
PSMN013-100BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 170W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.10 грн
5+119.38 грн
25+106.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.95 грн
9+36.31 грн
10+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780816B9D38EB6259&compId=PSMN013-30YLC.pdf?ci_sign=dc28ec1f13a845fe20f8ee80904e43ccff6023a3
PSMN013-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 26W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.83 грн
7+48.94 грн
10+42.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLD.pdf
PSMN013-40VLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.26 грн
10+91.75 грн
100+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 212A
Power dissipation: 95W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.20 грн
10+70.05 грн
100+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.15 грн
10+105.57 грн
50+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60PS,127 PSMN015-60PS.pdf
PSMN015-60PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.76 грн
10+184.49 грн
100+159.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN016-100PS,127 PSMN016-100PS.pdf
PSMN016-100PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; Idm: 230A; 148W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 148W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.60 грн
10+154.90 грн
50+128.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
PSMN017-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.1nC
On-state resistance: 24mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 45W
Pulsed drain current: 152A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.83 грн
10+75.05 грн
16+74.10 грн
42+70.30 грн
50+69.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817334C8B30259&compId=PSMN017-60YS.pdf?ci_sign=e16bb8c02a5d7c1fa26984fb94c590bcc6ff7b60
PSMN017-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 44A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.97 грн
10+60.77 грн
25+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-80PS,127 PSMN017-80PS.pdf
PSMN017-80PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 50A; Idm: 200A; 103W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 103W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.53 грн
10+92.16 грн
14+83.61 грн
37+79.04 грн
250+77.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN018-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7808175BDCBE28259&compId=PSMN018-80YS.pdf?ci_sign=a7b348567575ce8804f2dc4c84d0f0ae22534af5
PSMN018-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 45A
Power dissipation: 89W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.19 грн
10+77.94 грн
25+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN026-80YS,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081783BE1FEC259&compId=PSMN026-80YS.pdf?ci_sign=19797de63b73837a10f58bf3c980e93025b49504
PSMN026-80YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 34A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 34A
Power dissipation: 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 66mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.27 грн
7+43.31 грн
10+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 56W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.47 грн
25+59.69 грн
100+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN034-100PS,127 PSMN034-100PS.pdf
Виробник: NEXPERIA
PSMN034-100PS.127 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+154.49 грн
15+78.09 грн
40+73.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.53 грн
10+55.05 грн
25+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN041-80YLX PSMN041-80YL.pdf
PSMN041-80YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 64W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.55 грн
10+45.28 грн
100+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 39A; Idm: 156A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 156A
Power dissipation: 250W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.13 грн
3+234.81 грн
10+200.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C42B283884469&compId=PSMN0R9-25YLC.115.pdf?ci_sign=e99f460c11017d8acbc0dae34d9a916a3cd1a299
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.89 грн
10+119.38 грн
25+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.37 грн
10+353.20 грн
100+255.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780817F2CD8EC0259&compId=PSMN1R0-30YLD.pdf?ci_sign=bd1a0e6d077e336ee8683da70d694016a64a9839
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.01 грн
10+118.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 255A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 255A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121.35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.22 грн
5+122.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
PSMN1R1-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Case: SOT78; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 243nC
On-state resistance: 1.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 338W
Pulsed drain current: 1609A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+401.07 грн
4+289.07 грн
11+263.17 грн
50+252.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1133A
Power dissipation: 179W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.41 грн
5+81.89 грн
10+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780814D205B910259&compId=PSMN1R7-60BS.pdf?ci_sign=27472b12219b3eeba47a48775b988d86f8607d67
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.46 грн
5+235.80 грн
10+212.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 150 300 368 369 370 371 372 373 374 375 376 377 378 450 600 750 900 1050 1200 1350 1500  [ Наступна Сторінка >> ]