Продукція > NTE ELECTRONICS > Всі товари виробника NTE ELECTRONICS (1715) > Сторінка 10 з 29
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE289A | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() +1 |
NTE29 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 50A Power dissipation: 300W Case: TO3 Current gain: 5...60 Mounting: THT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() +1 |
NTE29 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 50A Power dissipation: 300W Case: TO3 Current gain: 5...60 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE290 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
NTE290 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2902 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: -25V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2902 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: -25V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2903 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 20A Mounting: THT Case: TO220FN |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2903 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 20A Mounting: THT Case: TO220FN кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2905 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -48A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2905 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
NTE2905 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Mounting: THT Case: TO247 Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -48A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2909 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2909 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE290A | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
NTE291 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2912 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2912 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2913 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2913 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2914 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2914 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2916 | NTE Electronics | NTE2916 THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2917 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10mA Case: TO92S Gate-source voltage: -20V Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.1W Gate current: 10mA |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2917 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10mA Case: TO92S Gate-source voltage: -20V Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.1W Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2919 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2919 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2920 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2920 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2926 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 160V Drain current: 7A Power dissipation: 100W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2926 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 160V Drain current: 7A Power dissipation: 100W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2929 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2929 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2939 | NTE Electronics | NTE2939 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2942 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 35W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2942 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 35W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2947 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2947 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2953 | NTE Electronics | NTE2953 THT N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2957 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2957 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2967 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2967 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE297 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Current gain: 50...330 Mounting: THT Frequency: 120MHz |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE297 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Current gain: 50...330 Mounting: THT Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2973 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 14A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 275W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2973 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 14A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 275W Case: TO3P Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.63Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2974 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2974 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2975 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 107W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2975 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 107W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2984 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2984 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2986 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2986 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2987 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 105W Case: TO220 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2987 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 105W Case: TO220 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2989 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2989 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2993 | NTE Electronics | NTE2993 THT N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
NTE289A |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE29 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1320.45 грн |
3+ | 1158.70 грн |
NTE29 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1584.55 грн |
3+ | 1443.92 грн |
10+ | 1388.60 грн |
25+ | 1337.10 грн |
NTE290 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE290 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE290 PNP THT transistors
NTE290 PNP THT transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.84 грн |
15+ | 76.33 грн |
39+ | 71.73 грн |
NTE2902 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 289.67 грн |
3+ | 241.40 грн |
4+ | 238.33 грн |
10+ | 225.30 грн |
25+ | 217.64 грн |
NTE2902 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 347.61 грн |
3+ | 300.82 грн |
4+ | 286.00 грн |
10+ | 270.36 грн |
25+ | 261.17 грн |
NTE2903 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: THT
Case: TO220FN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: THT
Case: TO220FN
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.60 грн |
NTE2903 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: THT
Case: TO220FN
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: THT
Case: TO220FN
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 274.32 грн |
3+ | 238.74 грн |
6+ | 198.63 грн |
15+ | 187.60 грн |
25+ | 182.08 грн |
NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 319.38 грн |
3+ | 266.68 грн |
4+ | 236.80 грн |
10+ | 235.26 грн |
11+ | 223.77 грн |
25+ | 215.34 грн |
NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 383.26 грн |
3+ | 332.33 грн |
4+ | 284.16 грн |
10+ | 282.32 грн |
11+ | 268.52 грн |
25+ | 258.41 грн |
NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.27 грн |
3+ | 177.02 грн |
6+ | 161.70 грн |
10+ | 156.33 грн |
16+ | 153.27 грн |
NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 253.53 грн |
3+ | 220.60 грн |
6+ | 194.04 грн |
10+ | 187.60 грн |
16+ | 183.92 грн |
25+ | 177.48 грн |
NTE290A |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE291 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE291 NPN THT transistors
NTE291 NPN THT transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.05 грн |
8+ | 136.10 грн |
22+ | 128.74 грн |
NTE2912 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 412.64 грн |
NTE2912 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 339.69 грн |
3+ | 294.13 грн |
5+ | 247.37 грн |
12+ | 233.58 грн |
25+ | 225.30 грн |
NTE2913 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 352.40 грн |
3+ | 294.27 грн |
4+ | 274.35 грн |
NTE2913 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 422.88 грн |
3+ | 366.71 грн |
4+ | 329.22 грн |
9+ | 311.75 грн |
25+ | 298.87 грн |
NTE2914 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 339.19 грн |
3+ | 283.54 грн |
4+ | 226.84 грн |
11+ | 214.57 грн |
NTE2914 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 407.03 грн |
3+ | 353.34 грн |
4+ | 272.20 грн |
11+ | 257.49 грн |
NTE2916 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2916 THT N channel transistors
NTE2916 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 991.33 грн |
2+ | 599.58 грн |
5+ | 566.48 грн |
NTE2917 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.62 грн |
NTE2917 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.15 грн |
10+ | 105.75 грн |
25+ | 97.48 грн |
NTE2919 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 462.16 грн |
3+ | 338.72 грн |
8+ | 320.33 грн |
NTE2919 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 554.59 грн |
3+ | 422.10 грн |
8+ | 384.39 грн |
25+ | 368.76 грн |
NTE2920 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 931.75 грн |
NTE2920 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1118.09 грн |
2+ | 869.02 грн |
3+ | 835.92 грн |
4+ | 790.86 грн |
25+ | 759.59 грн |
NTE2926 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1200.79 грн |
2+ | 839.14 грн |
NTE2926 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1440.95 грн |
2+ | 1045.69 грн |
3+ | 951.79 грн |
NTE2929 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 514.98 грн |
3+ | 393.90 грн |
7+ | 372.44 грн |
NTE2929 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 617.97 грн |
3+ | 490.86 грн |
7+ | 446.93 грн |
25+ | 430.37 грн |
NTE2939 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2939 THT N channel transistors
NTE2939 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 391.18 грн |
5+ | 258.41 грн |
12+ | 243.69 грн |
NTE2942 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 162.46 грн |
7+ | 143.30 грн |
18+ | 135.64 грн |
25+ | 130.28 грн |
NTE2942 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.71 грн |
3+ | 202.45 грн |
7+ | 171.97 грн |
18+ | 162.77 грн |
25+ | 156.33 грн |
NTE2947 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 419.24 грн |
3+ | 350.22 грн |
4+ | 304.24 грн |
9+ | 287.38 грн |
NTE2947 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 503.09 грн |
3+ | 436.42 грн |
4+ | 365.08 грн |
9+ | 344.85 грн |
25+ | 333.82 грн |
NTE2953 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2953 THT N channel transistors
NTE2953 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1010.15 грн |
2+ | 627.17 грн |
5+ | 592.22 грн |
NTE2957 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.08 грн |
3+ | 193.12 грн |
6+ | 156.33 грн |
NTE2957 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 277.30 грн |
3+ | 240.65 грн |
6+ | 187.60 грн |
16+ | 177.48 грн |
NTE2967 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 882.23 грн |
2+ | 580.12 грн |
NTE2967 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1058.67 грн |
2+ | 722.91 грн |
5+ | 657.52 грн |
NTE297 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 129.51 грн |
NTE297 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 186.18 грн |
3+ | 161.39 грн |
9+ | 133.34 грн |
23+ | 125.99 грн |
25+ | 124.15 грн |
NTE2973 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 982.91 грн |
NTE2973 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 275W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1179.50 грн |
3+ | 1075.30 грн |
25+ | 996.85 грн |
NTE2974 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 446.48 грн |
3+ | 332.59 грн |
8+ | 314.20 грн |
NTE2974 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 535.77 грн |
3+ | 414.46 грн |
8+ | 377.04 грн |
25+ | 362.32 грн |
NTE2975 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 324.34 грн |
3+ | 271.28 грн |
4+ | 237.56 грн |
11+ | 224.54 грн |
NTE2975 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 389.20 грн |
3+ | 338.06 грн |
4+ | 285.08 грн |
11+ | 269.44 грн |
25+ | 258.41 грн |
NTE2984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 233.56 грн |
3+ | 195.42 грн |
6+ | 168.59 грн |
15+ | 159.40 грн |
NTE2984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 280.27 грн |
3+ | 243.52 грн |
6+ | 202.31 грн |
15+ | 191.28 грн |
25+ | 186.68 грн |
NTE2986 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 369.73 грн |
3+ | 308.83 грн |
4+ | 242.93 грн |
NTE2986 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 443.67 грн |
3+ | 384.85 грн |
4+ | 291.51 грн |
11+ | 275.88 грн |
NTE2987 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 300.40 грн |
3+ | 250.59 грн |
5+ | 195.42 грн |
13+ | 184.69 грн |
NTE2987 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 360.48 грн |
3+ | 312.28 грн |
5+ | 234.50 грн |
13+ | 221.62 грн |
NTE2989 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 735.33 грн |
2+ | 502.72 грн |
NTE2989 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 882.39 грн |
2+ | 626.46 грн |
5+ | 570.15 грн |
NTE2993 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2993 THT N channel transistors
NTE2993 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2069.11 грн |
2+ | 1955.99 грн |