Продукція > NTE ELECTRONICS > Всі товари виробника NTE ELECTRONICS (1704) > Сторінка 10 з 29
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() +1 |
NTE29 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 50A Power dissipation: 300W Case: TO3 Current gain: 5...60 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE290 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
NTE290 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2902 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: -25V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2902 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: -25V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2903 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 35W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2903 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 35W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2905 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2905 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
NTE2905 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2909 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2909 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE290A | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
NTE291 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2912 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2912 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2913 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2913 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2914 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2914 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2916 | NTE Electronics | NTE2916 THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2917 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10mA Case: TO92S Gate-source voltage: -20V Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.1W Gate current: 10mA |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2917 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10mA Case: TO92S Gate-source voltage: -20V Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 0.1W Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2919 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2919 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2920 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2920 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2926 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 160V Drain current: 7A Power dissipation: 100W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2926 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 160V Drain current: 7A Power dissipation: 100W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2929 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2929 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2939 | NTE Electronics | NTE2939 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2942 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 35W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2942 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 35W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2947 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2947 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2953 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 49.7A Pulsed drain current: 281A Power dissipation: 63.8W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2953 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 49.7A Pulsed drain current: 281A Power dissipation: 63.8W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2957 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2957 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2967 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2967 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE297 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Current gain: 50...330 Mounting: THT Frequency: 120MHz |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE297 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Case: TO92 Current gain: 50...330 Mounting: THT Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2973 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P Case: TO3P Drain-source voltage: 900V Drain current: 14A On-state resistance: 0.63Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 275W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 42A Mounting: THT |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2973 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P Case: TO3P Drain-source voltage: 900V Drain current: 14A On-state resistance: 0.63Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 275W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 42A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2974 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2974 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2975 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 107W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2975 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 107W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2984 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2984 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2986 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2986 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2987 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2989 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2989 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2993 | NTE Electronics | NTE2993 THT N channel transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2994 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2994 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
NTE29 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 50A; 300W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 50A
Power dissipation: 300W
Case: TO3
Current gain: 5...60
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1580.73 грн |
3+ | 1440.44 грн |
10+ | 1385.25 грн |
25+ | 1333.88 грн |
NTE290 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE290 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE290 PNP THT transistors
NTE290 PNP THT transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.55 грн |
15+ | 76.14 грн |
39+ | 71.56 грн |
NTE2902 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 288.98 грн |
3+ | 241.58 грн |
4+ | 239.28 грн |
10+ | 225.52 грн |
11+ | 224.76 грн |
25+ | 217.88 грн |
NTE2902 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 346.77 грн |
3+ | 301.04 грн |
4+ | 287.14 грн |
10+ | 270.63 грн |
11+ | 269.71 грн |
25+ | 261.46 грн |
NTE2903 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.52 грн |
NTE2903 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 35W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 276.63 грн |
3+ | 241.03 грн |
6+ | 199.07 грн |
15+ | 188.06 грн |
25+ | 183.48 грн |
NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 320.26 грн |
3+ | 268.34 грн |
4+ | 236.23 грн |
11+ | 223.23 грн |
25+ | 214.06 грн |
NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 384.31 грн |
3+ | 334.39 грн |
4+ | 283.47 грн |
11+ | 267.88 грн |
25+ | 256.87 грн |
NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.59 грн |
3+ | 176.60 грн |
6+ | 162.84 грн |
10+ | 156.72 грн |
16+ | 153.66 грн |
NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 253.90 грн |
3+ | 220.07 грн |
6+ | 195.40 грн |
10+ | 188.06 грн |
16+ | 184.39 грн |
25+ | 177.97 грн |
NTE290A |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE291 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE291 NPN THT transistors
NTE291 NPN THT transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 199.57 грн |
8+ | 135.77 грн |
22+ | 128.43 грн |
NTE2912 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 411.65 грн |
NTE2912 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 341.83 грн |
3+ | 296.28 грн |
5+ | 249.53 грн |
12+ | 235.77 грн |
25+ | 227.51 грн |
NTE2913 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 352.37 грн |
3+ | 295.09 грн |
4+ | 275.98 грн |
NTE2913 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 422.84 грн |
3+ | 367.73 грн |
4+ | 331.18 грн |
9+ | 312.83 грн |
25+ | 300.90 грн |
NTE2914 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 338.37 грн |
3+ | 282.86 грн |
4+ | 226.29 грн |
11+ | 214.06 грн |
NTE2914 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 406.05 грн |
3+ | 352.49 грн |
4+ | 271.55 грн |
11+ | 256.87 грн |
NTE2916 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2916 THT N channel transistors
NTE2916 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 988.94 грн |
2+ | 598.14 грн |
5+ | 565.11 грн |
NTE2917 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.38 грн |
NTE2917 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 0.1W
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 123.85 грн |
10+ | 105.50 грн |
25+ | 97.24 грн |
NTE2919 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 461.05 грн |
3+ | 337.90 грн |
8+ | 319.56 грн |
NTE2919 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 553.25 грн |
3+ | 421.08 грн |
8+ | 383.47 грн |
25+ | 367.87 грн |
NTE2920 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 933.62 грн |
NTE2920 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1120.34 грн |
2+ | 874.55 грн |
3+ | 841.24 грн |
4+ | 796.29 грн |
10+ | 795.37 грн |
25+ | 765.10 грн |
NTE2926 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1202.01 грн |
2+ | 844.00 грн |
NTE2926 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1442.41 грн |
2+ | 1051.75 грн |
3+ | 957.75 грн |
NTE2929 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 513.74 грн |
3+ | 392.95 грн |
7+ | 371.54 грн |
NTE2929 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 616.48 грн |
3+ | 489.67 грн |
7+ | 445.85 грн |
25+ | 429.34 грн |
NTE2939 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2939 THT N channel transistors
NTE2939 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 390.24 грн |
5+ | 257.79 грн |
12+ | 243.11 грн |
NTE2942 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 162.07 грн |
7+ | 142.96 грн |
18+ | 135.31 грн |
25+ | 129.96 грн |
NTE2942 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 56A; 35W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.15 грн |
3+ | 201.97 грн |
7+ | 171.55 грн |
18+ | 162.38 грн |
25+ | 155.96 грн |
NTE2947 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 402.59 грн |
3+ | 336.38 грн |
4+ | 298.15 грн |
9+ | 282.10 грн |
NTE2947 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 483.11 грн |
3+ | 419.18 грн |
4+ | 357.78 грн |
9+ | 338.52 грн |
25+ | 325.67 грн |
NTE2953 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49.7A
Pulsed drain current: 281A
Power dissipation: 63.8W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49.7A
Pulsed drain current: 281A
Power dissipation: 63.8W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 627.35 грн |
2+ | 503.03 грн |
5+ | 475.51 грн |
10+ | 463.28 грн |
NTE2953 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49.7A
Pulsed drain current: 281A
Power dissipation: 63.8W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49.7A
Pulsed drain current: 281A
Power dissipation: 63.8W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 752.82 грн |
2+ | 626.86 грн |
5+ | 570.61 грн |
10+ | 555.94 грн |
25+ | 548.60 грн |
NTE2957 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.52 грн |
3+ | 192.65 грн |
6+ | 155.96 грн |
NTE2957 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 276.63 грн |
3+ | 240.07 грн |
6+ | 187.15 грн |
16+ | 177.06 грн |
NTE2967 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 880.10 грн |
2+ | 578.72 грн |
NTE2967 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1056.12 грн |
2+ | 721.17 грн |
5+ | 655.93 грн |
NTE297 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.73 грн |
NTE297 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 50...330
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.70 грн |
3+ | 162.91 грн |
9+ | 134.86 грн |
23+ | 127.52 грн |
25+ | 125.68 грн |
NTE2973 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Case: TO3P
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.63Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 275W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 42A
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Case: TO3P
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.63Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 275W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 42A
Mounting: THT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 987.95 грн |
NTE2973 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Case: TO3P
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.63Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 275W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 42A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 14A; Idm: 42A; 275W; TO3P
Case: TO3P
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 14A
On-state resistance: 0.63Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 275W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 42A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1185.55 грн |
3+ | 1080.33 грн |
25+ | 1000.87 грн |
NTE2974 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 447.05 грн |
3+ | 335.61 грн |
8+ | 317.26 грн |
NTE2974 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 536.46 грн |
3+ | 418.22 грн |
8+ | 380.72 грн |
25+ | 366.04 грн |
NTE2975 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 323.56 грн |
3+ | 270.63 грн |
4+ | 236.99 грн |
11+ | 224.00 грн |
NTE2975 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 388.27 грн |
3+ | 337.25 грн |
4+ | 284.39 грн |
11+ | 268.79 грн |
25+ | 257.79 грн |
NTE2984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 232.99 грн |
3+ | 194.94 грн |
6+ | 168.19 грн |
15+ | 159.01 грн |
NTE2984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 279.59 грн |
3+ | 242.93 грн |
6+ | 201.82 грн |
15+ | 190.82 грн |
25+ | 186.23 грн |
NTE2986 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 374.60 грн |
3+ | 312.68 грн |
4+ | 243.87 грн |
NTE2986 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 449.52 грн |
3+ | 389.64 грн |
4+ | 292.65 грн |
11+ | 277.05 грн |
NTE2987 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2987 THT N channel transistors
NTE2987 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 375.42 грн |
5+ | 227.51 грн |
13+ | 214.67 грн |
NTE2989 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 733.56 грн |
2+ | 501.50 грн |
NTE2989 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 36A; 50W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 880.27 грн |
2+ | 624.95 грн |
5+ | 568.78 грн |
NTE2993 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2993 THT N channel transistors
NTE2993 THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2064.12 грн |
2+ | 1951.28 грн |
NTE2994 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 493.15 грн |
NTE2994 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 591.78 грн |
3+ | 422.03 грн |
8+ | 384.38 грн |