Продукція > NTE ELECTRONICS > Всі товари виробника NTE ELECTRONICS (449) > Сторінка 4 з 8
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTE287 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 50 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE289A | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE290 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2905 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2905 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2909 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE290A | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2947 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2953 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FN Polarisation: unipolar On-state resistance: 6.9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 49.7A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 63.8W Pulsed drain current: 281A |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2975 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 107W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2984 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2987 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 105W Case: TO220 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2993 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 150W Case: TO3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2995 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 115W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 36A |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2V030 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V030 - METAL OXIDE VARISTOR, 38V, 95V, 16MM DISVaristor: Metal Oxide Varistor (MOV) Nennspannung, V DC: 38 Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 1 Bauform - Varistor: Disc 16mm Begrenzungsspannung Vc, max.: 95 Spitzenenergie (10/1000us): 8.5 Betriebstemperatur, min.: -40 Betriebstemperatur, max.: 85 Produktpalette: NTE2V Series SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2V130 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V130 - METAL OXIDE VARISTOR, 180V, 355V, 16MM DVaristor: Metal Oxide Varistor (MOV) Bauform - Varistor: Disc 16mm Betriebstemperatur, min.: -40 Nennspannung V AC: 135 Nennspannung, V DC: 180 Begrenzungsspannung Vc, max.: 355 Spitzenenergie (10/1000us): 39 Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5 Produktpalette: NTE 2V Series Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2V275 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V275 - MOV, 275V, 685V CLAMP, RADIAL LEADVaristor: Metal Oxide Varistor (MOV) Bauform - Varistor: Disc 16mm Betriebstemperatur, min.: -40 Nennspannung V AC: 275 Nennspannung, V DC: 330 Begrenzungsspannung Vc, max.: 685 Spitzenenergie (10/1000us): 72 Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5 Produktpalette: NTE2V Series Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE30012 | NTE Electronics |
Category: SMD colour LEDsDescription: LED; green; SMD; Case (mm): 3528; 10÷25mcd; 2.2÷2.5VDC; 120°; 20mA Type of diode: LED LED colour: green Mounting: SMD Case - mm: 3528 Operating voltage: 2.2...2.5V DC Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm Viewing angle: 120° LED current: 20mA Wavelength: 568nm Power: 105mW Front: flat Luminosity: 10...25mcd |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE30128 | NTE Electronics |
Category: UV LEDsDescription: LED; UV; 30°; 20mA; λd: 390nm; 2.9÷3.6VDC; THT; Front: convex; 60mcd Type of diode: LED LED colour: UV Viewing angle: 30° LED current: 20mA Wavelength: 390nm Operating voltage: 2.9...3.6V DC Mounting: THT LED diameter: 5mm LED lens: transparent Front: convex Terminal pitch: 2.54mm Luminosity: 60mcd |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE3036 | NTE Electronics |
Category: PhototransistorsDescription: Phototransistor; TO18; THT; 250mW; 4.69mm; 50V; Front: convex Front: convex Mounting: THT Type of photoelement: phototransistor Dark current: 0.1µA Turn-on time: 15µs Turn-off time: 65µs LED diameter: 4.69mm Power: 0.25W Collector-emitter voltage: 50V Case: TO18 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE3037 | NTE Electronics |
Category: PhototransistorsDescription: Phototransistor; TO18; THT; 150mW; 4.69mm; 40V; Front: convex Front: convex Case: TO18 Type of photoelement: phototransistor Mounting: THT Dark current: 0.2µA Turn-on time: 2µs Turn-off time: 2µs Power: 0.15W LED diameter: 4.69mm Collector-emitter voltage: 40V |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE3049 | NTE Electronics |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; zero voltage crossing driver; DIP6; Ch: 1 Type of optocoupler: optotriac Kind of output: zero voltage crossing driver Case: DIP6 Trigger current: 15mA Mounting: THT Number of channels: 1 Max. off-state voltage: 3V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE3097 | NTE Electronics |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; zero voltage crossing driver; DIP6; Ch: 1 Type of optocoupler: optotriac Kind of output: zero voltage crossing driver Case: DIP6 Trigger current: 15mA Mounting: THT Number of channels: 1 Max. off-state voltage: 6V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE3100 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE3100 - INTERRUPTER MODULE, PHOTOTRANSISTORSchlitzbreite: - Durchlassstrom If: 50 Sender/Empfänger-Abstand: 3 Durchlassspannung: 1.2 Sperrspannung, Vr: 5 Sensorausgang: Phototransistor Sensormontage: Through Hole Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE331 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 250 Verlustleistung Pd: 90 Übergangsfrequenz ft: 3 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE373 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE373 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 Verlustleistung Pd: 1 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: TO-126 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE374 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE374 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -160VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 60 Verlustleistung Pd: 1 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: TO-126 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE375 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE375 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 150VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 100 Verlustleistung Pd: 1.75 Übergangsfrequenz ft: 8 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE377 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE377 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 60 Verlustleistung Pd: 50 Übergangsfrequenz ft: 50 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE378 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE378 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-220Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 60 Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE379 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE379 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: 4 Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE385 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE385 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 8 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 15 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE386 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE386 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 150 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 500 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 20 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE39 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO126 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 20W Case: TO126 Current gain: 30...240 Mounting: THT Frequency: 10MHz |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE390 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE390 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-218Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: 3 Bauform - Transistor: TO-3PN Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE391 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE391 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-218Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: 3 Bauform - Transistor: TO-218 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE393 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 25A; 125W; TO3PN Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO3PN Current gain: 15...75 Mounting: THT Frequency: 3MHz |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE395 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 50mA; 0.36W; TO72 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 25V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.36W Case: TO72 Mounting: THT Frequency: 2.3GHz |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE396 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE396 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 60 Verlustleistung Pd: 1 Übergangsfrequenz ft: 15 Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE397 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE397 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V, TO-39Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 30 Verlustleistung Pd: 10 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE4001B | NTE Electronics |
Category: Gates, invertersDescription: IC: digital; NOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14 Type of integrated circuit: digital Kind of gate: NOR Number of channels: quad; 4 Number of inputs: 2 Technology: CMOS Mounting: THT Case: DIP14 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4008B | NTE Electronics |
Category: Counters/dividers Description: IC: digital; 4bit; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP16; 3÷18VDC; -55÷125°C Technology: CMOS Type of integrated circuit: digital Case: DIP16 Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Quiescent current: 600µA Number of outputs: 1 Number of inputs: 2 Supply voltage: 3...18V DC Number of channels: 4 Kind of integrated circuit: 4bit |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE40106BT | NTE Electronics |
Category: Gates, inverters Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C Type of integrated circuit: digital Case: SO14 Mounting: SMD Number of channels: hex; 6 Kind of gate: NOT Kind of input: with Schmitt trigger Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 3...18V DC Technology: CMOS |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4066BT | NTE Electronics |
Category: Analog multiplexers and switches Description: IC: digital; switch; Ch: 4; SO14; 3÷18VDC; 30uA; CMOS Type of integrated circuit: digital Technology: CMOS Case: SO14 Mounting: SMD Number of channels: 4 Operating temperature: -55...125°C Quiescent current: 30µA Supply voltage: 3...18V DC Kind of integrated circuit: switch |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4069 | NTE Electronics |
Category: Gates, invertersDescription: IC: digital; NOT; Ch: 6; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C; 30uA Technology: CMOS Case: DIP14 Type of integrated circuit: digital Mounting: THT Number of channels: hex; 6 Kind of gate: NOT Operating temperature: -55...125°C Quiescent current: 30µA Supply voltage: 3...18V DC |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4069T | NTE Electronics |
Category: Gates, invertersDescription: IC: digital; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C; 30uA Technology: CMOS Case: SO14 Type of integrated circuit: digital Mounting: SMD Number of channels: hex; 6 Kind of gate: NOT Operating temperature: -55...125°C Quiescent current: 30µA Supply voltage: 3...18V DC |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4071B | NTE Electronics |
Category: Gates, invertersDescription: IC: digital; OR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C Technology: CMOS Type of integrated circuit: digital Case: DIP14 Kind of gate: OR Number of channels: quad; 4 Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Quiescent current: 30µA Number of inputs: 2 Supply voltage: 3...18V DC |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4072B | NTE Electronics |
Category: Gates, inverters Description: IC: digital; OR; Ch: 2; IN: 4; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C Technology: CMOS Type of integrated circuit: digital Case: DIP14 Number of channels: dual; 2 Mounting: THT Kind of gate: OR Operating temperature: -55...125°C Supply voltage: 3...18V DC Quiescent current: 30µA Number of inputs: 4 |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4081B | NTE Electronics |
Category: Gates, invertersDescription: IC: digital; AND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C Kind of gate: AND Technology: CMOS Type of integrated circuit: digital Case: DIP14 Mounting: THT Number of channels: quad; 4 Operating temperature: -55...125°C Quiescent current: 30µA Number of inputs: 2 Supply voltage: 3...18V DC |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4532B | NTE Electronics |
Category: Interfaces others - integrated circuits Description: IC: digital; 8bit,priority encoder; CMOS; 3÷18VDC; THT; DIP16; Ch: 1 Type of integrated circuit: digital Case: DIP16 Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Number of channels: 1 Supply voltage: 3...18V DC Quiescent current: 600µA Number of inputs: 8 Number of outputs: 5 Kind of integrated circuit: 8bit; priority encoder Technology: CMOS |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE454 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE454 - DUAL GATE RF MOSFET, N CHANNEL 20V, TO72Betriebsfrequenz, max.: - Bauform - HF-Transistor: - Anzahl der Pins: 4 Betriebsfrequenz, min.: - Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 60 Verlustleistung Pd: 360 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE4558B | NTE Electronics |
Category: Decoders, multiplexers, switches Description: IC: digital; BCD to 7-segment,decoder; Ch: 1; IN: 4; CMOS; THT; DIP16 Operating temperature: -55...125°C Kind of integrated circuit: BCD to 7-segment; decoder Technology: CMOS Type of integrated circuit: digital Case: DIP16 Number of channels: 1 Mounting: THT Quiescent current: 600µA Supply voltage: 3...10V DC Number of inputs: 4 Number of outputs: 7 |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE491 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 350mW; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4914 | NTE Electronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; Ø9.52x5.21mm Type of diode: TVS Max. off-state voltage: 10.2V Breakdown voltage: 12V Max. forward impulse current: 90A Semiconductor structure: unidirectional Mounting: THT Leakage current: 5µA Peak pulse power dissipation: 1.5kW Body dimensions: Ø9.52x5.21mm |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4984 | NTE Electronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 250V; 5A; unidirectional; Ø9.52x5.21mm Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 214V Breakdown voltage: 250V Max. forward impulse current: 5A Semiconductor structure: unidirectional Body dimensions: Ø9.52x5.21mm Mounting: THT Leakage current: 5µA |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE4998 | NTE Electronics |
Category: Unidirectional TVS THT diodesDescription: Diode: TVS; 1.5kW; 440V; 3.5A; unidirectional; Ø9.52x5.21mm Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 1.5kW Max. off-state voltage: 376V Breakdown voltage: 440V Max. forward impulse current: 3.5A Semiconductor structure: unidirectional Body dimensions: Ø9.52x5.21mm Mounting: THT Leakage current: 5µA |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE5000A | NTE Electronics |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; DO35; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 2.4V Case: DO35 Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE5011A | NTE Electronics |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; DO35; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 5.6V Case: DO35 Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE5016A | NTE Electronics |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; DO35; single diode Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Zener voltage: 8.2V Case: DO35 Mounting: THT Tolerance: ±5% Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE5019A | NTE Electronics |
Category: THT Zener diodesDescription: Diode: Zener; 0.5W; 10V; DO35; single diode Case: DO35 Mounting: THT Type of diode: Zener Power dissipation: 0.5W Tolerance: ±5% Zener voltage: 10V Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| NTE287 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE289A |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE290 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 243.88 грн |
| 3+ | 219.70 грн |
| NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.44 грн |
| NTE290A |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2947 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.39 грн |
| NTE2953 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FN
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 49.7A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 63.8W
Pulsed drain current: 281A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FN
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 6.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 49.7A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 63.8W
Pulsed drain current: 281A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 674.31 грн |
| 3+ | 563.62 грн |
| NTE2975 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 391.30 грн |
| 3+ | 327.02 грн |
| 10+ | 288.99 грн |
| NTE2984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 455.00 грн |
| NTE2987 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.27 грн |
| 3+ | 226.46 грн |
| 10+ | 199.42 грн |
| NTE2993 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2531.62 грн |
| NTE2995 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 318.50 грн |
| 3+ | 294.90 грн |
| NTE2V030 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V030 - METAL OXIDE VARISTOR, 38V, 95V, 16MM DIS
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Nennspannung, V DC: 38
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 1
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Begrenzungsspannung Vc, max.: 95
Spitzenenergie (10/1000us): 8.5
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktpalette: NTE2V Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V030 - METAL OXIDE VARISTOR, 38V, 95V, 16MM DIS
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Nennspannung, V DC: 38
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 1
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Begrenzungsspannung Vc, max.: 95
Spitzenenergie (10/1000us): 8.5
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktpalette: NTE2V Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2V130 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V130 - METAL OXIDE VARISTOR, 180V, 355V, 16MM D
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Betriebstemperatur, min.: -40
Nennspannung V AC: 135
Nennspannung, V DC: 180
Begrenzungsspannung Vc, max.: 355
Spitzenenergie (10/1000us): 39
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5
Produktpalette: NTE 2V Series
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V130 - METAL OXIDE VARISTOR, 180V, 355V, 16MM D
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Betriebstemperatur, min.: -40
Nennspannung V AC: 135
Nennspannung, V DC: 180
Begrenzungsspannung Vc, max.: 355
Spitzenenergie (10/1000us): 39
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5
Produktpalette: NTE 2V Series
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2V275 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V275 - MOV, 275V, 685V CLAMP, RADIAL LEAD
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Betriebstemperatur, min.: -40
Nennspannung V AC: 275
Nennspannung, V DC: 330
Begrenzungsspannung Vc, max.: 685
Spitzenenergie (10/1000us): 72
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5
Produktpalette: NTE2V Series
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V275 - MOV, 275V, 685V CLAMP, RADIAL LEAD
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Betriebstemperatur, min.: -40
Nennspannung V AC: 275
Nennspannung, V DC: 330
Begrenzungsspannung Vc, max.: 685
Spitzenenergie (10/1000us): 72
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5
Produktpalette: NTE2V Series
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE30012 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: SMD colour LEDs
Description: LED; green; SMD; Case (mm): 3528; 10÷25mcd; 2.2÷2.5VDC; 120°; 20mA
Type of diode: LED
LED colour: green
Mounting: SMD
Case - mm: 3528
Operating voltage: 2.2...2.5V DC
Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm
Viewing angle: 120°
LED current: 20mA
Wavelength: 568nm
Power: 105mW
Front: flat
Luminosity: 10...25mcd
Category: SMD colour LEDs
Description: LED; green; SMD; Case (mm): 3528; 10÷25mcd; 2.2÷2.5VDC; 120°; 20mA
Type of diode: LED
LED colour: green
Mounting: SMD
Case - mm: 3528
Operating voltage: 2.2...2.5V DC
Dimensions: 3.5x2.8x1.9mm
Viewing angle: 120°
LED current: 20mA
Wavelength: 568nm
Power: 105mW
Front: flat
Luminosity: 10...25mcd
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 50.96 грн |
| 14+ | 32.28 грн |
| 25+ | 21.21 грн |
| NTE30128 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: UV LEDs
Description: LED; UV; 30°; 20mA; λd: 390nm; 2.9÷3.6VDC; THT; Front: convex; 60mcd
Type of diode: LED
LED colour: UV
Viewing angle: 30°
LED current: 20mA
Wavelength: 390nm
Operating voltage: 2.9...3.6V DC
Mounting: THT
LED diameter: 5mm
LED lens: transparent
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Luminosity: 60mcd
Category: UV LEDs
Description: LED; UV; 30°; 20mA; λd: 390nm; 2.9÷3.6VDC; THT; Front: convex; 60mcd
Type of diode: LED
LED colour: UV
Viewing angle: 30°
LED current: 20mA
Wavelength: 390nm
Operating voltage: 2.9...3.6V DC
Mounting: THT
LED diameter: 5mm
LED lens: transparent
Front: convex
Terminal pitch: 2.54mm
Luminosity: 60mcd
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.15 грн |
| 9+ | 49.52 грн |
| 25+ | 46.73 грн |
| NTE3036 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; TO18; THT; 250mW; 4.69mm; 50V; Front: convex
Front: convex
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Dark current: 0.1µA
Turn-on time: 15µs
Turn-off time: 65µs
LED diameter: 4.69mm
Power: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Case: TO18
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; TO18; THT; 250mW; 4.69mm; 50V; Front: convex
Front: convex
Mounting: THT
Type of photoelement: phototransistor
Dark current: 0.1µA
Turn-on time: 15µs
Turn-off time: 65µs
LED diameter: 4.69mm
Power: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Case: TO18
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 480.48 грн |
| NTE3037 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; TO18; THT; 150mW; 4.69mm; 40V; Front: convex
Front: convex
Case: TO18
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: THT
Dark current: 0.2µA
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
Power: 0.15W
LED diameter: 4.69mm
Collector-emitter voltage: 40V
Category: Phototransistors
Description: Phototransistor; TO18; THT; 150mW; 4.69mm; 40V; Front: convex
Front: convex
Case: TO18
Type of photoelement: phototransistor
Mounting: THT
Dark current: 0.2µA
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
Power: 0.15W
LED diameter: 4.69mm
Collector-emitter voltage: 40V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 354.90 грн |
| NTE3049 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 15mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 3V
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 15mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 3V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 374.01 грн |
| 5+ | 312.65 грн |
| NTE3097 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 15mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; zero voltage crossing driver; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Kind of output: zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 15mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 330.33 грн |
| 5+ | 278.00 грн |
| 25+ | 254.34 грн |
| NTE3100 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE3100 - INTERRUPTER MODULE, PHOTOTRANSISTOR
Schlitzbreite: -
Durchlassstrom If: 50
Sender/Empfänger-Abstand: 3
Durchlassspannung: 1.2
Sperrspannung, Vr: 5
Sensorausgang: Phototransistor
Sensormontage: Through Hole
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE3100 - INTERRUPTER MODULE, PHOTOTRANSISTOR
Schlitzbreite: -
Durchlassstrom If: 50
Sender/Empfänger-Abstand: 3
Durchlassspannung: 1.2
Sperrspannung, Vr: 5
Sensorausgang: Phototransistor
Sensormontage: Through Hole
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE331 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 250
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 250
Verlustleistung Pd: 90
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE373 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE373 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 1
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE373 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 1
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE374 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE374 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -160V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 1
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE374 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -160V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 1
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-126
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE375 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE375 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 150V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 1.75
Übergangsfrequenz ft: 8
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE375 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 150V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 1.75
Übergangsfrequenz ft: 8
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE377 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE377 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 50
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE377 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 50
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE378 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE378 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE378 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE379 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE379 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE379 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 4
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE385 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE385 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE385 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 400
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE386 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE386 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 150
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE386 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 150
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 500
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE39 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO126
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Frequency: 10MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 20W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 20W
Case: TO126
Current gain: 30...240
Mounting: THT
Frequency: 10MHz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 455.00 грн |
| NTE390 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE390 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-218
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE390 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-218
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-3PN
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE391 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE391 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-218
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-218
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE391 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-218
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-218
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE393 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 25A; 125W; TO3PN
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO3PN
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 25A; 125W; TO3PN
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO3PN
Current gain: 15...75
Mounting: THT
Frequency: 3MHz
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 312.13 грн |
| 3+ | 288.99 грн |
| NTE395 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 50mA; 0.36W; TO72
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.36W
Case: TO72
Mounting: THT
Frequency: 2.3GHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 50mA; 0.36W; TO72
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.36W
Case: TO72
Mounting: THT
Frequency: 2.3GHz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 455.00 грн |
| NTE396 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE396 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 1
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE396 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Verlustleistung Pd: 1
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 350
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE397 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE397 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V, TO-39
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Verlustleistung Pd: 10
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE397 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V, TO-39
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 30
Verlustleistung Pd: 10
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-39
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE4001B |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: THT
Case: DIP14
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: NOR
Number of channels: quad; 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: THT
Case: DIP14
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 72.67 грн |
| 25+ | 64.22 грн |
| NTE4008B |
Виробник: NTE Electronics
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 4bit; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP16; 3÷18VDC; -55÷125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP16
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 600µA
Number of outputs: 1
Number of inputs: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Number of channels: 4
Kind of integrated circuit: 4bit
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 4bit; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP16; 3÷18VDC; -55÷125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP16
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 600µA
Number of outputs: 1
Number of inputs: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Number of channels: 4
Kind of integrated circuit: 4bit
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 151.06 грн |
| NTE40106BT |
Виробник: NTE Electronics
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Case: SO14
Mounting: SMD
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of input: with Schmitt trigger
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Technology: CMOS
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Type of integrated circuit: digital
Case: SO14
Mounting: SMD
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Kind of input: with Schmitt trigger
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Technology: CMOS
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 77.35 грн |
| NTE4066BT |
Виробник: NTE Electronics
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: digital; switch; Ch: 4; SO14; 3÷18VDC; 30uA; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: SO14
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: switch
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: digital; switch; Ch: 4; SO14; 3÷18VDC; 30uA; CMOS
Type of integrated circuit: digital
Technology: CMOS
Case: SO14
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Supply voltage: 3...18V DC
Kind of integrated circuit: switch
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 50.96 грн |
| NTE4069 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C; 30uA
Technology: CMOS
Case: DIP14
Type of integrated circuit: digital
Mounting: THT
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Supply voltage: 3...18V DC
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C; 30uA
Technology: CMOS
Case: DIP14
Type of integrated circuit: digital
Mounting: THT
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Supply voltage: 3...18V DC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.15 грн |
| NTE4069T |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C; 30uA
Technology: CMOS
Case: SO14
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Supply voltage: 3...18V DC
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; NOT; Ch: 6; CMOS; SMD; SO14; 3÷18VDC; -55÷125°C; 30uA
Technology: CMOS
Case: SO14
Type of integrated circuit: digital
Mounting: SMD
Number of channels: hex; 6
Kind of gate: NOT
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Supply voltage: 3...18V DC
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 78.26 грн |
| 25+ | 69.29 грн |
| NTE4071B |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP14
Kind of gate: OR
Number of channels: quad; 4
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Number of inputs: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP14
Kind of gate: OR
Number of channels: quad; 4
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Number of inputs: 2
Supply voltage: 3...18V DC
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 120.12 грн |
| 25+ | 104.78 грн |
| NTE4072B |
Виробник: NTE Electronics
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 2; IN: 4; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP14
Number of channels: dual; 2
Mounting: THT
Kind of gate: OR
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Quiescent current: 30µA
Number of inputs: 4
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; OR; Ch: 2; IN: 4; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP14
Number of channels: dual; 2
Mounting: THT
Kind of gate: OR
Operating temperature: -55...125°C
Supply voltage: 3...18V DC
Quiescent current: 30µA
Number of inputs: 4
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 59.15 грн |
| 9+ | 49.52 грн |
| 25+ | 45.63 грн |
| 100+ | 40.14 грн |
| NTE4081B |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Kind of gate: AND
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP14
Mounting: THT
Number of channels: quad; 4
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Number of inputs: 2
Supply voltage: 3...18V DC
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; AND; Ch: 4; IN: 2; CMOS; THT; DIP14; 3÷18VDC; -55÷125°C
Kind of gate: AND
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP14
Mounting: THT
Number of channels: quad; 4
Operating temperature: -55...125°C
Quiescent current: 30µA
Number of inputs: 2
Supply voltage: 3...18V DC
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 141.05 грн |
| NTE4532B |
Виробник: NTE Electronics
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; 8bit,priority encoder; CMOS; 3÷18VDC; THT; DIP16; Ch: 1
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP16
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...18V DC
Quiescent current: 600µA
Number of inputs: 8
Number of outputs: 5
Kind of integrated circuit: 8bit; priority encoder
Technology: CMOS
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: digital; 8bit,priority encoder; CMOS; 3÷18VDC; THT; DIP16; Ch: 1
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP16
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Number of channels: 1
Supply voltage: 3...18V DC
Quiescent current: 600µA
Number of inputs: 8
Number of outputs: 5
Kind of integrated circuit: 8bit; priority encoder
Technology: CMOS
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 107.38 грн |
| NTE454 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE454 - DUAL GATE RF MOSFET, N CHANNEL 20V, TO72
Betriebsfrequenz, max.: -
Bauform - HF-Transistor: -
Anzahl der Pins: 4
Betriebsfrequenz, min.: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 60
Verlustleistung Pd: 360
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE454 - DUAL GATE RF MOSFET, N CHANNEL 20V, TO72
Betriebsfrequenz, max.: -
Bauform - HF-Transistor: -
Anzahl der Pins: 4
Betriebsfrequenz, min.: -
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 60
Verlustleistung Pd: 360
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE4558B |
Виробник: NTE Electronics
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; BCD to 7-segment,decoder; Ch: 1; IN: 4; CMOS; THT; DIP16
Operating temperature: -55...125°C
Kind of integrated circuit: BCD to 7-segment; decoder
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP16
Number of channels: 1
Mounting: THT
Quiescent current: 600µA
Supply voltage: 3...10V DC
Number of inputs: 4
Number of outputs: 7
Category: Decoders, multiplexers, switches
Description: IC: digital; BCD to 7-segment,decoder; Ch: 1; IN: 4; CMOS; THT; DIP16
Operating temperature: -55...125°C
Kind of integrated circuit: BCD to 7-segment; decoder
Technology: CMOS
Type of integrated circuit: digital
Case: DIP16
Number of channels: 1
Mounting: THT
Quiescent current: 600µA
Supply voltage: 3...10V DC
Number of inputs: 4
Number of outputs: 7
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 166.53 грн |
| 25+ | 145.34 грн |
| NTE491 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 350mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 350mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 52.78 грн |
| 10+ | 44.19 грн |
| 11+ | 39.72 грн |
| NTE4914 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; Ø9.52x5.21mm
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 90A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Body dimensions: Ø9.52x5.21mm
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; Ø9.52x5.21mm
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 90A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Body dimensions: Ø9.52x5.21mm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 97.37 грн |
| 6+ | 81.12 грн |
| 10+ | 76.90 грн |
| NTE4984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 250V; 5A; unidirectional; Ø9.52x5.21mm
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 214V
Breakdown voltage: 250V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Body dimensions: Ø9.52x5.21mm
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 250V; 5A; unidirectional; Ø9.52x5.21mm
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 214V
Breakdown voltage: 250V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Body dimensions: Ø9.52x5.21mm
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 120.12 грн |
| 5+ | 100.56 грн |
| 10+ | 88.72 грн |
| NTE4998 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 440V; 3.5A; unidirectional; Ø9.52x5.21mm
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Body dimensions: Ø9.52x5.21mm
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 440V; 3.5A; unidirectional; Ø9.52x5.21mm
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 376V
Breakdown voltage: 440V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Body dimensions: Ø9.52x5.21mm
Mounting: THT
Leakage current: 5µA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 124.67 грн |
| 5+ | 103.94 грн |
| 10+ | 92.10 грн |
| NTE5000A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.4V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 2.4V; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 2.4V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 71.89 грн |
| 8+ | 60.00 грн |
| NTE5011A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 5.6V; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 5.6V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 60.06 грн |
| 14+ | 30.42 грн |
| 16+ | 26.70 грн |
| NTE5016A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 8.2V; DO35; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 8.2V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 49.14 грн |
| 17+ | 25.35 грн |
| NTE5019A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; DO35; single diode
Case: DO35
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 10V
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 10V; DO35; single diode
Case: DO35
Mounting: THT
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Tolerance: ±5%
Zener voltage: 10V
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 50.96 грн |
| 17+ | 26.20 грн |





















































