Продукція > NTE ELECTRONICS > Всі товари виробника NTE ELECTRONICS (1572) > Сторінка 9 з 27
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE287 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 50 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
NTE287H | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 15...200 Mounting: THT Frequency: 40...200MHz |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE287H | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 15...200 Mounting: THT Frequency: 40...200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE288 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE288H | NTE Electronics | NTE288H PNP THT transistors |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE289A | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
NTE29 | NTE Electronics | NTE29 NPN THT transistors |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE290 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
NTE290 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2902 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: -25V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2902 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: -25V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2903 | NTE Electronics | NTE2903 THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2905 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
NTE2905 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2905 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2909 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2909 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE290A | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
NTE291 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2912 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2912 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2913 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2913 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2914 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2914 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2916 | NTE Electronics | NTE2916 THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2917 | NTE Electronics | NTE2917 THT N channel transistors |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2919 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2919 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2920 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2920 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2926 | NTE Electronics | NTE2926 THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2929 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2929 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2939 | NTE Electronics | NTE2939 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2942 | NTE Electronics | NTE2942 THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2947 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2947 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2953 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 49.7A Pulsed drain current: 281A Power dissipation: 63.8W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2953 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 49.7A Pulsed drain current: 281A Power dissipation: 63.8W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2957 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2957 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2967 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2967 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE297 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2973 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2974 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2974 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2975 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 107W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2975 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 107W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2984 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2984 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2986 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2986 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2987 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 105W Case: TO220 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2987 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 105W Case: TO220 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE2989 | NTE Electronics | NTE2989 THT N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
NTE2993 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 150W Case: TO3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2993 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 150W Case: TO3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NTE2994 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
NTE287 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE287H |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.73 грн |
10+ | 88.64 грн |
13+ | 76.77 грн |
34+ | 72.82 грн |
NTE287H |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.27 грн |
10+ | 106.37 грн |
13+ | 92.13 грн |
34+ | 87.38 грн |
NTE288 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE288 PNP THT transistors
NTE288 PNP THT transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 153.42 грн |
14+ | 79.78 грн |
39+ | 75.98 грн |
NTE288H |
Виробник: NTE Electronics
NTE288H PNP THT transistors
NTE288H PNP THT transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.33 грн |
16+ | 72.18 грн |
25+ | 72.00 грн |
43+ | 68.38 грн |
NTE289A |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE29 |
Виробник: NTE Electronics
NTE29 NPN THT transistors
NTE29 NPN THT transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1520.57 грн |
3+ | 1437.94 грн |
NTE290 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE290 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE290 PNP THT transistors
NTE290 PNP THT transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.74 грн |
15+ | 78.83 грн |
39+ | 74.08 грн |
NTE2902 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 290.65 грн |
3+ | 242.98 грн |
10+ | 226.36 грн |
NTE2902 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 348.78 грн |
3+ | 302.79 грн |
10+ | 271.63 грн |
25+ | 269.73 грн |
NTE2903 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2903 THT N channel transistors
NTE2903 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 324.24 грн |
6+ | 204.20 грн |
15+ | 193.75 грн |
NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.03 грн |
3+ | 221.61 грн |
10+ | 213.70 грн |
25+ | 206.57 грн |
NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 297.64 грн |
3+ | 276.16 грн |
10+ | 256.44 грн |
25+ | 247.89 грн |
NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.05 грн |
NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.18 грн |
3+ | 179.51 грн |
NTE290A |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE291 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE291 NPN THT transistors
NTE291 NPN THT transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 206.61 грн |
8+ | 140.57 грн |
22+ | 132.97 грн |
NTE2912 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 426.18 грн |
NTE2912 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 343.67 грн |
3+ | 297.86 грн |
5+ | 257.39 грн |
10+ | 253.59 грн |
12+ | 244.09 грн |
25+ | 233.64 грн |
NTE2913 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 257.41 грн |
NTE2913 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 308.89 грн |
NTE2914 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 288.10 грн |
3+ | 240.61 грн |
5+ | 227.94 грн |
10+ | 212.91 грн |
NTE2914 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 345.71 грн |
3+ | 299.83 грн |
5+ | 273.53 грн |
10+ | 255.49 грн |
25+ | 248.84 грн |
NTE2916 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2916 THT N channel transistors
NTE2916 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1023.85 грн |
2+ | 619.25 грн |
5+ | 585.06 грн |
NTE2917 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2917 THT N channel transistors
NTE2917 THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 163.65 грн |
11+ | 110.17 грн |
28+ | 104.47 грн |
NTE2919 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 467.09 грн |
3+ | 353.79 грн |
8+ | 334.00 грн |
NTE2919 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 560.51 грн |
3+ | 440.87 грн |
8+ | 400.80 грн |
25+ | 385.60 грн |
NTE2920 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 941.85 грн |
NTE2920 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1130.22 грн |
2+ | 901.47 грн |
4+ | 820.60 грн |
25+ | 788.30 грн |
NTE2926 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2926 THT N channel transistors
NTE2926 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1696.86 грн |
2+ | 1040.94 грн |
3+ | 983.96 грн |
NTE2929 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 368.22 грн |
NTE2929 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 441.86 грн |
NTE2939 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2939 THT N channel transistors
NTE2939 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 404.02 грн |
5+ | 266.88 грн |
12+ | 251.69 грн |
NTE2942 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2942 THT N channel transistors
NTE2942 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 277.19 грн |
7+ | 178.56 грн |
18+ | 168.11 грн |
NTE2947 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 285.54 грн |
3+ | 257.23 грн |
NTE2947 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 342.65 грн |
3+ | 320.55 грн |
NTE2953 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49.7A
Pulsed drain current: 281A
Power dissipation: 63.8W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49.7A
Pulsed drain current: 281A
Power dissipation: 63.8W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 623.07 грн |
2+ | 520.00 грн |
3+ | 519.20 грн |
5+ | 490.71 грн |
NTE2953 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49.7A
Pulsed drain current: 281A
Power dissipation: 63.8W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 49.7A; Idm: 281A; 63.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 49.7A
Pulsed drain current: 281A
Power dissipation: 63.8W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 747.68 грн |
2+ | 648.00 грн |
3+ | 623.05 грн |
5+ | 588.85 грн |
10+ | 566.06 грн |
NTE2957 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 221.61 грн |
3+ | 185.20 грн |
6+ | 163.04 грн |
NTE2957 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.93 грн |
3+ | 230.79 грн |
6+ | 195.65 грн |
16+ | 185.20 грн |
25+ | 178.56 грн |
NTE2967 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 744.10 грн |
2+ | 577.77 грн |
NTE2967 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 892.92 грн |
2+ | 719.99 грн |
5+ | 655.34 грн |
25+ | 630.64 грн |
NTE297 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE297 NPN THT transistors
NTE297 NPN THT transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 219.91 грн |
9+ | 138.67 грн |
23+ | 131.07 грн |
NTE2973 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2973 THT N channel transistors
NTE2973 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1133.07 грн |
3+ | 1071.33 грн |
NTE2974 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 314.52 грн |
NTE2974 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 377.42 грн |
NTE2975 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 324.75 грн |
3+ | 270.68 грн |
4+ | 246.15 грн |
10+ | 239.82 грн |
11+ | 232.69 грн |
NTE2975 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 389.70 грн |
3+ | 337.31 грн |
4+ | 295.38 грн |
10+ | 287.78 грн |
11+ | 279.23 грн |
25+ | 268.78 грн |
NTE2984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 154.28 грн |
NTE2984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 185.13 грн |
NTE2986 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 426.18 грн |
NTE2986 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 150W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 376.40 грн |
3+ | 326.46 грн |
4+ | 288.73 грн |
10+ | 277.33 грн |
11+ | 273.53 грн |
25+ | 263.08 грн |
NTE2987 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 274.46 грн |
3+ | 229.53 грн |
5+ | 197.08 грн |
13+ | 186.79 грн |
NTE2987 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 329.35 грн |
3+ | 286.03 грн |
5+ | 236.49 грн |
13+ | 224.14 грн |
25+ | 218.45 грн |
NTE2989 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2989 THT N channel transistors
NTE2989 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1014.64 грн |
2+ | 622.10 грн |
5+ | 587.90 грн |
NTE2993 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1880.29 грн |
NTE2993 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 9A; Idm: 56A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2256.35 грн |
2+ | 2057.41 грн |
NTE2994 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 426.18 грн |