Продукція > NTE ELECTRONICS > Всі товари виробника NTE ELECTRONICS (1197) > Сторінка 5 з 20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTE2344 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2348 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800VTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 15 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2349 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTE2352 | NTE Electronics | NTE2352 PNP THT Darlington transistors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE2355 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 50 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 300 Übergangsfrequenz ft: 250 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2358 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Power dissipation: 0.3W Frequency: 200MHz |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2358 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Case: TO92 Mounting: THT Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Power dissipation: 0.3W Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE236 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220ABTransistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180 DC-Stromverstärkung hFE: 180 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 Verlustleistung Pd: 18 Verlustleistung: 18 Bauform - Transistor: TO-220AB Bauform - HF-Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6 Übergangsfrequenz: 27 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2360 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2360 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2371 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2371 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2374 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2374 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2376 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2376 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE238 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 8 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2380 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 40W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2380 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 40W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2388 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2388 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 18 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2388 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2393 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3PTransistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2396A | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2396A | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2397 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2397 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| NTE240 | NTE Electronics |
NTE240 PNP THT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
|
NTE2403 | NTE Electronics |
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTE2405 | NTE Electronics |
NTE2405 PNP SMD Darlington transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE241 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Case: TO220 Type of transistor: NPN Mounting: THT Collector current: 4A Current gain: 7...80 Power dissipation: 60W Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE241 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Case: TO220 Type of transistor: NPN Mounting: THT Collector current: 4A Current gain: 7...80 Power dissipation: 60W Collector-emitter voltage: 80V Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() +1 |
NTE2415 | NTE Electronics |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 200MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() +1 |
NTE2416 | NTE Electronics |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() +1 |
NTE2416 | NTE Electronics |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| NTE2417 | NTE Electronics |
NTE2417 PNP SMD transistors |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| NTE2419 | NTE Electronics |
NTE2419 PNP SMD transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| NTE242 | NTE Electronics |
NTE242 PNP THT transistors |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| NTE2427 | NTE Electronics |
NTE2427 PNP SMD Darlington transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE243 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE243 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE244 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE244 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 750 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTE244 | NTE Electronics |
NTE244 PNP THT Darlington transistors |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE245 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE245 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTE245 | NTE Electronics |
NTE245 NPN THT Darlington transistors |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE246 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE246 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE247 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE247 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 750 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE248 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE248 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE249 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE249 - TRANSISTOR, BJT, NPN, 100V, 16A, TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 16 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE25 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: TO237 Mounting: THT |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE25 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 2W Case: TO237 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| NTE2510 | NTE Electronics | NTE2510 NPN THT transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| NTE2514 | NTE Electronics | NTE2514 PNP THT transistors |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE2515 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 20W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 20W Case: TO126 Current gain: 40...240 Mounting: THT Frequency: 180MHz |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2515 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 20W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 20W Case: TO126 Current gain: 40...240 Mounting: THT Frequency: 180MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| NTE2519 | NTE Electronics | NTE2519 NPN THT transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| NTE2526 | NTE Electronics | NTE2526 NPN THT transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE2528 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 15W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.5A Power dissipation: 15W Case: TO126 Current gain: 80...400 Mounting: THT Frequency: 120MHz |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2528 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 15W; TO126 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1.5A Power dissipation: 15W Case: TO126 Current gain: 80...400 Mounting: THT Frequency: 120MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| NTE2533 | NTE Electronics |
NTE2533 NPN THT transistors |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| NTE2535 | NTE Electronics | NTE2535 PNP THT transistors |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| NTE2344 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2348 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2349 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2352 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2352 PNP THT Darlington transistors
NTE2352 PNP THT Darlington transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.40 грн |
| 7+ | 181.07 грн |
| 10+ | 171.68 грн |
| 18+ | 171.23 грн |
| NTE2355 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2358 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.3W
Frequency: 200MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.3W
Frequency: 200MHz
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 34.93 грн |
| NTE2358 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.3W
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: TO92
Mounting: THT
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.3W
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.57 грн |
| 8+ | 43.64 грн |
| 10+ | 41.92 грн |
| NTE236 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung Pd: 18
Verlustleistung: 18
Bauform - Transistor: TO-220AB
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Übergangsfrequenz: 27
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung Pd: 18
Verlustleistung: 18
Bauform - Transistor: TO-220AB
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Übergangsfrequenz: 27
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2360 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 52.48 грн |
| 10+ | 46.74 грн |
| 25+ | 45.92 грн |
| NTE2360 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.40 грн |
| 10+ | 56.09 грн |
| 25+ | 55.11 грн |
| NTE2371 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 599.65 грн |
| 3+ | 501.88 грн |
| NTE2371 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 719.58 грн |
| 3+ | 625.41 грн |
| 10+ | 532.38 грн |
| NTE2374 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.82 грн |
| NTE2374 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 318.99 грн |
| NTE2376 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 782.46 грн |
| 3+ | 651.95 грн |
| NTE2376 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 938.95 грн |
| 3+ | 812.43 грн |
| 10+ | 699.67 грн |
| NTE238 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2380 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 441.57 грн |
| NTE2380 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 40W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 497.03 грн |
| 3+ | 431.25 грн |
| 10+ | 367.06 грн |
| 25+ | 356.23 грн |
| NTE2388 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 362.09 грн |
| 3+ | 307.52 грн |
| NTE2388 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2388 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 434.50 грн |
| 3+ | 383.22 грн |
| NTE2393 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2396A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 92.67 грн |
| NTE2396A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.48 грн |
| NTE2397 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 358.55 грн |
| NTE2397 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 430.27 грн |
| NTE240 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE240 PNP THT transistors
NTE240 PNP THT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 388.93 грн |
| 3+ | 368.91 грн |
| 9+ | 366.07 грн |
| NTE2403 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2405 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2405 PNP SMD Darlington transistors
NTE2405 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.67 грн |
| 9+ | 143.67 грн |
| 23+ | 135.80 грн |
| NTE241 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Case: TO220
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 7...80
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Case: TO220
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 7...80
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.78 грн |
| NTE241 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Case: TO220
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 7...80
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Case: TO220
Type of transistor: NPN
Mounting: THT
Collector current: 4A
Current gain: 7...80
Power dissipation: 60W
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 158.97 грн |
| 3+ | 102.19 грн |
| 10+ | 78.73 грн |
| NTE2415 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.78 грн |
| NTE2416 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 441.57 грн |
| NTE2416 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 317.93 грн |
| NTE2417 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2417 PNP SMD transistors
NTE2417 PNP SMD transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 79.48 грн |
| 5+ | 75.62 грн |
| 41+ | 74.79 грн |
| NTE2419 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2419 PNP SMD transistors
NTE2419 PNP SMD transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.38 грн |
| 13+ | 89.55 грн |
| 20+ | 84.82 грн |
| 36+ | 84.63 грн |
| NTE242 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE242 PNP THT transistors
NTE242 PNP THT transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 135.65 грн |
| 13+ | 97.42 грн |
| 25+ | 94.02 грн |
| 34+ | 91.52 грн |
| NTE2427 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2427 PNP SMD Darlington transistors
NTE2427 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.00 грн |
| 8+ | 146.63 грн |
| 22+ | 138.75 грн |
| NTE243 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE243 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE243 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE244 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE244 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE244 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE244 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE244 PNP THT Darlington transistors
NTE244 PNP THT Darlington transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 440.86 грн |
| 3+ | 431.02 грн |
| 8+ | 407.40 грн |
| NTE245 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE245 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE245 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE245 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE245 NPN THT Darlington transistors
NTE245 NPN THT Darlington transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.21 грн |
| 3+ | 427.09 грн |
| 8+ | 404.45 грн |
| NTE246 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE246 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE246 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 565.21 грн |
| NTE247 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE247 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE247 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE248 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE248 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE248 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE249 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE249 - TRANSISTOR, BJT, NPN, 100V, 16A, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE249 - TRANSISTOR, BJT, NPN, 100V, 16A, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE25 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: TO237
Mounting: THT
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: TO237
Mounting: THT
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 88.31 грн |
| 6+ | 73.81 грн |
| 10+ | 65.60 грн |
| 25+ | 62.32 грн |
| NTE25 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: TO237
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; TO237
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: TO237
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.98 грн |
| 4+ | 91.97 грн |
| 10+ | 78.73 грн |
| 25+ | 74.79 грн |
| NTE2510 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2510 NPN THT transistors
NTE2510 NPN THT transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 356.08 грн |
| 6+ | 216.50 грн |
| 15+ | 204.69 грн |
| NTE2514 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2514 PNP THT transistors
NTE2514 PNP THT transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.00 грн |
| 9+ | 138.75 грн |
| 24+ | 131.87 грн |
| NTE2515 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 20W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 20W
Case: TO126
Current gain: 40...240
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 20W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 20W
Case: TO126
Current gain: 40...240
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 112.35 грн |
| NTE2515 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 20W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 20W
Case: TO126
Current gain: 40...240
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 20W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 20W
Case: TO126
Current gain: 40...240
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.08 грн |
| 3+ | 140.00 грн |
| 10+ | 123.01 грн |
| NTE2519 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2519 NPN THT transistors
NTE2519 NPN THT transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 104.92 грн |
| 10+ | 92.99 грн |
| 35+ | 88.57 грн |
| NTE2526 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2526 NPN THT transistors
NTE2526 NPN THT transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 173.80 грн |
| 12+ | 105.30 грн |
| 31+ | 100.38 грн |
| NTE2528 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 15W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 15W
Case: TO126
Current gain: 80...400
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 15W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 15W
Case: TO126
Current gain: 80...400
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 114.81 грн |
| NTE2528 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 15W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 15W
Case: TO126
Current gain: 80...400
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 1.5A; 15W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 15W
Case: TO126
Current gain: 80...400
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.77 грн |
| NTE2533 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2533 NPN THT transistors
NTE2533 NPN THT transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2426.72 грн |
| 2+ | 2294.85 грн |
| NTE2535 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2535 PNP THT transistors
NTE2535 PNP THT transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 513.99 грн |
| 4+ | 313.92 грн |
| 11+ | 297.19 грн |




















