Продукція > NTE ELECTRONICS > Всі товари виробника NTE ELECTRONICS (1205) > Сторінка 7 з 21
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTE271 | NTE Electronics |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO3PL Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO3PL Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 1k |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE271 | NTE Electronics |
Category: PNP THT Darlington transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO3PL Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 10A Power dissipation: 125W Case: TO3PL Mounting: THT Kind of package: bulk Current gain: 1k кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE272 | NTE Electronics |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 2A; 10W; TO202N Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 10W Case: TO202N Mounting: THT Kind of package: bulk Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 12000 Kind of transistor: Darlington |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE272 | NTE Electronics |
Category: NPN THT Darlington transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 2A; 10W; TO202N Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Power dissipation: 10W Case: TO202N Mounting: THT Kind of package: bulk Collector current: 2A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 12000 Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| NTE274 | NTE Electronics |
NTE274 NPN THT Darlington transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| NTE275 | NTE Electronics |
NTE275 PNP THT Darlington transistors |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE280 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE280 - BJT, NPN, 140V, 12A, 2-TO-3Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: 5 Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() +2 |
NTE284 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 180V Collector current: 16A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Frequency: 6MHz |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() +2 |
NTE284 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 180V Collector current: 16A Power dissipation: 150W Case: TO3 Mounting: THT Frequency: 6MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() +2 |
NTE284MP | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3 Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN Kind of transistor: matched pair Type of transistor: NPN x2 Mounting: THT Power dissipation: 150W Collector current: 16A Quantity in set/package: 2pcs. Current gain: 70...140 Collector-emitter voltage: 180V Frequency: 6MHz Polarisation: bipolar Case: TO3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() +2 |
NTE284MP | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3 Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN Kind of transistor: matched pair Type of transistor: NPN x2 Mounting: THT Power dissipation: 150W Collector current: 16A Quantity in set/package: 2pcs. Current gain: 70...140 Collector-emitter voltage: 180V Frequency: 6MHz Polarisation: bipolar Case: TO3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE287 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 50 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE287H | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 15...200 Mounting: THT Frequency: 40...200MHz |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE287H | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 350V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Current gain: 15...200 Mounting: THT Frequency: 40...200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE289A | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE290 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2902 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: -25V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2905 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2905 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2905 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2909 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2909 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE290A | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2912 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2912 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2914 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2914 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2919 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2919 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2929 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2929 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| NTE2942 | NTE Electronics | NTE2942 THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE2947 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2947 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| NTE2953 | NTE Electronics | NTE2953 THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE2957 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2957 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 30W Case: TO220FN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2967 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2967 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 150W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2974 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2974 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 35W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2975 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 107W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2975 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 107W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2984 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2984 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2987 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 105W Case: TO220 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2987 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 14A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 105W Case: TO220 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| NTE2993 | NTE Electronics | NTE2993 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE2994 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2994 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 50W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2995 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 115W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 36A |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2995 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.7A Power dissipation: 115W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 36A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
NTE2V030 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V030 - METAL OXIDE VARISTOR, 38V, 95V, 16MM DISVaristor: Metal Oxide Varistor (MOV) Nennspannung, V DC: 38 Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 1 Bauform - Varistor: Disc 16mm Begrenzungsspannung Vc, max.: 95 Spitzenenergie (10/1000us): 8.5 Betriebstemperatur, min.: -40 Betriebstemperatur, max.: 85 Produktpalette: NTE2V Series SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2V130 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V130 - METAL OXIDE VARISTOR, 180V, 355V, 16MM DVaristor: Metal Oxide Varistor (MOV) Bauform - Varistor: Disc 16mm Betriebstemperatur, min.: -40 Nennspannung V AC: 135 Nennspannung, V DC: 180 Begrenzungsspannung Vc, max.: 355 Spitzenenergie (10/1000us): 39 Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5 Produktpalette: NTE 2V Series Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE2V275 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V275 - MOV, 275V, 685V CLAMP, RADIAL LEADVaristor: Metal Oxide Varistor (MOV) Bauform - Varistor: Disc 16mm Betriebstemperatur, min.: -40 Nennspannung V AC: 275 Nennspannung, V DC: 330 Begrenzungsspannung Vc, max.: 685 Spitzenenergie (10/1000us): 72 Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5 Produktpalette: NTE2V Series Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| NTE30005 | NTE Electronics |
NTE30005 SMD colour LEDs |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| NTE30012 | NTE Electronics |
NTE30012 SMD colour LEDs |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
NTE30031 | NTE Electronics |
Category: THT LEDs RoundDescription: LED; green; 3mm; 5000mcd; 14°; Front: convex; 3.5÷4VDC; No.of term: 2 Mounting: THT Wavelength: 523nm Luminosity: 5cd Terminal pitch: 2.54mm LED diameter: 3mm LED current: 20mA Operating voltage: 3.5...4V DC Number of terminals: 2 Viewing angle: 14° LED colour: green LED lens: transparent Front: convex Type of diode: LED |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE30031 | NTE Electronics |
Category: THT LEDs RoundDescription: LED; green; 3mm; 5000mcd; 14°; Front: convex; 3.5÷4VDC; No.of term: 2 Mounting: THT Wavelength: 523nm Luminosity: 5cd Terminal pitch: 2.54mm LED diameter: 3mm LED current: 20mA Operating voltage: 3.5...4V DC Number of terminals: 2 Viewing angle: 14° LED colour: green LED lens: transparent Front: convex Type of diode: LED кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
NTE30032 | NTE Electronics |
Category: THT LEDs RoundDescription: LED; yellow; 3mm; 2500mcd; 10°; Front: convex; 2÷2.4VDC Mounting: THT Wavelength: 592nm Luminosity: 2.5cd Terminal pitch: 2.54mm LED diameter: 3mm LED current: 25mA Operating voltage: 2...2.4V DC Number of terminals: 2 Viewing angle: 10° LED colour: yellow LED lens: transparent Front: convex Type of diode: LED |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| NTE271 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO3PL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO3PL
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 1k
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO3PL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO3PL
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 1k
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.88 грн |
| NTE271 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO3PL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO3PL
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 1k
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO3PL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO3PL
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Current gain: 1k
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.45 грн |
| NTE272 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 2A; 10W; TO202N
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 10W
Case: TO202N
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 12000
Kind of transistor: Darlington
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 2A; 10W; TO202N
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 10W
Case: TO202N
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 12000
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1708.88 грн |
| NTE272 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 2A; 10W; TO202N
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 10W
Case: TO202N
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 12000
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 2A; 10W; TO202N
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 10W
Case: TO202N
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 40V
Current gain: 12000
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2050.65 грн |
| NTE274 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE274 NPN THT Darlington transistors
NTE274 NPN THT Darlington transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 361.38 грн |
| 9+ | 345.41 грн |
| NTE275 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE275 PNP THT Darlington transistors
NTE275 PNP THT Darlington transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 403.77 грн |
| 3+ | 395.60 грн |
| 9+ | 373.95 грн |
| NTE280 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE280 - BJT, NPN, 140V, 12A, 2-TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 5
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE280 - BJT, NPN, 140V, 12A, 2-TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 5
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE284 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Frequency: 6MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Frequency: 6MHz
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1098.63 грн |
| NTE284 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Frequency: 6MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Mounting: THT
Frequency: 6MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1318.35 грн |
| 3+ | 1139.44 грн |
| 10+ | 968.32 грн |
| 25+ | 906.33 грн |
| NTE284MP |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN
Kind of transistor: matched pair
Type of transistor: NPN x2
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Collector current: 16A
Quantity in set/package: 2pcs.
Current gain: 70...140
Collector-emitter voltage: 180V
Frequency: 6MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO3
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN
Kind of transistor: matched pair
Type of transistor: NPN x2
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Collector current: 16A
Quantity in set/package: 2pcs.
Current gain: 70...140
Collector-emitter voltage: 180V
Frequency: 6MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2499.28 грн |
| NTE284MP |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN
Kind of transistor: matched pair
Type of transistor: NPN x2
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Collector current: 16A
Quantity in set/package: 2pcs.
Current gain: 70...140
Collector-emitter voltage: 180V
Frequency: 6MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN
Kind of transistor: matched pair
Type of transistor: NPN x2
Mounting: THT
Power dissipation: 150W
Collector current: 16A
Quantity in set/package: 2pcs.
Current gain: 70...140
Collector-emitter voltage: 180V
Frequency: 6MHz
Polarisation: bipolar
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2999.14 грн |
| 3+ | 2599.76 грн |
| 10+ | 2215.14 грн |
| 25+ | 2070.48 грн |
| NTE287 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE287H |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 111.28 грн |
| 5+ | 91.85 грн |
| 10+ | 82.01 грн |
| 25+ | 74.63 грн |
| NTE287H |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 15...200
Mounting: THT
Frequency: 40...200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.45 грн |
| 10+ | 98.41 грн |
| 25+ | 89.55 грн |
| NTE289A |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE290 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2902 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 441.57 грн |
| NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.45 грн |
| 3+ | 214.04 грн |
| NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2905 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.14 грн |
| 3+ | 266.72 грн |
| NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 160.73 грн |
| NTE2909 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.88 грн |
| NTE290A |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2912 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 441.57 грн |
| NTE2912 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 330.65 грн |
| 3+ | 286.14 грн |
| 10+ | 245.03 грн |
| NTE2914 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 295.85 грн |
| 3+ | 246.84 грн |
| 10+ | 218.14 грн |
| NTE2914 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 355.02 грн |
| 3+ | 307.60 грн |
| 10+ | 261.76 грн |
| 25+ | 258.81 грн |
| NTE2919 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 444.22 грн |
| 3+ | 371.49 грн |
| NTE2919 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 533.06 грн |
| 3+ | 462.93 грн |
| 10+ | 401.50 грн |
| NTE2929 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 385.05 грн |
| NTE2929 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 462.06 грн |
| NTE2942 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2942 THT N channel transistors
NTE2942 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.58 грн |
| 7+ | 180.08 грн |
| 18+ | 170.24 грн |
| NTE2947 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.55 грн |
| NTE2947 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.66 грн |
| NTE2953 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2953 THT N channel transistors
NTE2953 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 973.93 грн |
| 2+ | 653.42 грн |
| 5+ | 617.01 грн |
| NTE2957 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 179.59 грн |
| 10+ | 159.09 грн |
| NTE2957 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5A; Idm: 15A; 30W; TO220FN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.58 грн |
| 3+ | 223.80 грн |
| 10+ | 190.91 грн |
| 25+ | 185.99 грн |
| NTE2967 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 778.93 грн |
| NTE2967 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 70A; Idm: 280A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 934.71 грн |
| 3+ | 809.36 грн |
| 10+ | 691.80 грн |
| 25+ | 655.39 грн |
| NTE2974 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 327.64 грн |
| NTE2974 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.17 грн |
| NTE2975 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.98 грн |
| 3+ | 259.96 грн |
| 10+ | 233.72 грн |
| NTE2975 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; Idm: 180A; 107W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 107W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 371.98 грн |
| 3+ | 323.95 грн |
| 10+ | 280.46 грн |
| NTE2984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 161.61 грн |
| NTE2984 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 68A; 60W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.94 грн |
| NTE2987 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.59 грн |
| 3+ | 223.88 грн |
| 10+ | 197.63 грн |
| NTE2987 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 80A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 321.11 грн |
| 3+ | 278.98 грн |
| 10+ | 237.16 грн |
| 25+ | 224.37 грн |
| NTE2993 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2993 THT N channel transistors
NTE2993 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2199.40 грн |
| 2+ | 2080.32 грн |
| NTE2994 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 441.57 грн |
| NTE2994 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 10A; Idm: 40A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 388.93 грн |
| 3+ | 337.23 грн |
| 10+ | 287.35 грн |
| 25+ | 257.83 грн |
| NTE2995 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 309.98 грн |
| 3+ | 287.02 грн |
| NTE2995 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 36A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 371.98 грн |
| 3+ | 357.67 грн |
| NTE2V030 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V030 - METAL OXIDE VARISTOR, 38V, 95V, 16MM DIS
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Nennspannung, V DC: 38
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 1
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Begrenzungsspannung Vc, max.: 95
Spitzenenergie (10/1000us): 8.5
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktpalette: NTE2V Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V030 - METAL OXIDE VARISTOR, 38V, 95V, 16MM DIS
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Nennspannung, V DC: 38
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 1
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Begrenzungsspannung Vc, max.: 95
Spitzenenergie (10/1000us): 8.5
Betriebstemperatur, min.: -40
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktpalette: NTE2V Series
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2V130 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V130 - METAL OXIDE VARISTOR, 180V, 355V, 16MM D
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Betriebstemperatur, min.: -40
Nennspannung V AC: 135
Nennspannung, V DC: 180
Begrenzungsspannung Vc, max.: 355
Spitzenenergie (10/1000us): 39
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5
Produktpalette: NTE 2V Series
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V130 - METAL OXIDE VARISTOR, 180V, 355V, 16MM D
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Betriebstemperatur, min.: -40
Nennspannung V AC: 135
Nennspannung, V DC: 180
Begrenzungsspannung Vc, max.: 355
Spitzenenergie (10/1000us): 39
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5
Produktpalette: NTE 2V Series
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE2V275 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V275 - MOV, 275V, 685V CLAMP, RADIAL LEAD
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Betriebstemperatur, min.: -40
Nennspannung V AC: 275
Nennspannung, V DC: 330
Begrenzungsspannung Vc, max.: 685
Spitzenenergie (10/1000us): 72
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5
Produktpalette: NTE2V Series
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2V275 - MOV, 275V, 685V CLAMP, RADIAL LEAD
Varistor: Metal Oxide Varistor (MOV)
Bauform - Varistor: Disc 16mm
Betriebstemperatur, min.: -40
Nennspannung V AC: 275
Nennspannung, V DC: 330
Begrenzungsspannung Vc, max.: 685
Spitzenenergie (10/1000us): 72
Spitzenstoßstrom bei 8/20µs: 4.5
Produktpalette: NTE2V Series
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE30005 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE30005 SMD colour LEDs
NTE30005 SMD colour LEDs
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.35 грн |
| 104+ | 11.42 грн |
| 282+ | 10.82 грн |
| NTE30012 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE30012 SMD colour LEDs
NTE30012 SMD colour LEDs
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.81 грн |
| 48+ | 24.50 грн |
| 132+ | 23.13 грн |
| NTE30031 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT LEDs Round
Description: LED; green; 3mm; 5000mcd; 14°; Front: convex; 3.5÷4VDC; No.of term: 2
Mounting: THT
Wavelength: 523nm
Luminosity: 5cd
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
LED current: 20mA
Operating voltage: 3.5...4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 14°
LED colour: green
LED lens: transparent
Front: convex
Type of diode: LED
Category: THT LEDs Round
Description: LED; green; 3mm; 5000mcd; 14°; Front: convex; 3.5÷4VDC; No.of term: 2
Mounting: THT
Wavelength: 523nm
Luminosity: 5cd
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
LED current: 20mA
Operating voltage: 3.5...4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 14°
LED colour: green
LED lens: transparent
Front: convex
Type of diode: LED
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE30031 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT LEDs Round
Description: LED; green; 3mm; 5000mcd; 14°; Front: convex; 3.5÷4VDC; No.of term: 2
Mounting: THT
Wavelength: 523nm
Luminosity: 5cd
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
LED current: 20mA
Operating voltage: 3.5...4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 14°
LED colour: green
LED lens: transparent
Front: convex
Type of diode: LED
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT LEDs Round
Description: LED; green; 3mm; 5000mcd; 14°; Front: convex; 3.5÷4VDC; No.of term: 2
Mounting: THT
Wavelength: 523nm
Luminosity: 5cd
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
LED current: 20mA
Operating voltage: 3.5...4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 14°
LED colour: green
LED lens: transparent
Front: convex
Type of diode: LED
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NTE30032 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT LEDs Round
Description: LED; yellow; 3mm; 2500mcd; 10°; Front: convex; 2÷2.4VDC
Mounting: THT
Wavelength: 592nm
Luminosity: 2.5cd
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
LED current: 25mA
Operating voltage: 2...2.4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 10°
LED colour: yellow
LED lens: transparent
Front: convex
Type of diode: LED
Category: THT LEDs Round
Description: LED; yellow; 3mm; 2500mcd; 10°; Front: convex; 2÷2.4VDC
Mounting: THT
Wavelength: 592nm
Luminosity: 2.5cd
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
LED current: 25mA
Operating voltage: 2...2.4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 10°
LED colour: yellow
LED lens: transparent
Front: convex
Type of diode: LED
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



























