Продукція > NTE ELECTRONICS > Всі товари виробника NTE ELECTRONICS (1572) > Сторінка 6 з 27
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NTE2329 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 15A Power dissipation: 150W Case: TO3-PBL Current gain: 35...160 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 25MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2331 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 60 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3PML Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2332 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Case: TO220 Current gain: 4k Mounting: THT Frequency: 180MHz Power dissipation: 20W Kind of transistor: Darlington Kind of package: bulk |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2332 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Case: TO220 Current gain: 4k Mounting: THT Frequency: 180MHz Power dissipation: 20W Kind of transistor: Darlington Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2333 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 32 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15 Verlustleistung: 100 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2335 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO3P Collector current: 5A Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 80W Current gain: 2000...20000 Polarisation: bipolar |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2335 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P Kind of package: bulk Kind of transistor: Darlington Mounting: THT Type of transistor: NPN Case: TO3P Collector current: 5A Collector-emitter voltage: 60V Power dissipation: 80W Current gain: 2000...20000 Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2337 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 500V Collector current: 7A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Mounting: THT Frequency: 20MHz |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2337 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 500V Collector current: 7A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Mounting: THT Frequency: 20MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2343 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 12 Verlustleistung: 80 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2344 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Verlustleistung Pd: 80 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
NTE2345 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE2348 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 10 Verlustleistung Pd: 150 Übergangsfrequenz ft: 15 Bauform - Transistor: TO-3P Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2349 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 1000 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
NTE2349 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTE235 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTE2352 | NTE Electronics | NTE2352 PNP THT Darlington transistors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE2353 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO3PML Current gain: 5...10 Mounting: THT |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2353 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO3PML Current gain: 5...10 Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2355 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 50 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 300 Übergangsfrequenz ft: 250 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
NTE2358 | NTE Electronics | NTE2358 PNP THT transistors |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTE2359 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 79 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE236 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180 DC-Stromverstärkung hFE: 180 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6 Verlustleistung Pd: 18 Verlustleistung: 18 Bauform - Transistor: TO-220AB Bauform - HF-Transistor: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25 Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 6 Übergangsfrequenz: 27 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2360 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2360 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: TO92 Mounting: THT Frequency: 200MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
NTE2370 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE2371 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2371 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -13A Pulsed drain current: -72A Power dissipation: 150W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
NTE2373 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE2374 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2374 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2376 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Case: TO247 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 85mΩ Drain current: 19A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Drain-source voltage: 200V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2376 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247 Case: TO247 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 85mΩ Drain current: 19A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 190W Drain-source voltage: 200V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE238 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 8 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
NTE2380 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTE2385 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE2388 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2388 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 18 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 125 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
NTE2388 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2393 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
NTE2395 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTE2396 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE2396A | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2396A | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 23A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 130W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2397 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2397 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
NTE240 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE2403 | NTE Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
NTE2405 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE241 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Case: TO220 Current gain: 7...80 Mounting: THT Power dissipation: 60W |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE241 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 4A Case: TO220 Current gain: 7...80 Mounting: THT Power dissipation: 60W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
NTE2415 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTE2416 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTE2417 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTE2419 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
NTE242 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE2427 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Type of transistor: PNP Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 1k Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
NTE2427 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Type of transistor: PNP Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 1k Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
NTE2428 | NTE Electronics |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
NTE243 | NTE ELECTRONICS |
![]() Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 750 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: - Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
NTE2329 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 200V; 15A; 150W; TO3-PBL
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 200V
Collector current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO3-PBL
Current gain: 35...160
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 25MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 664.84 грн |
3+ | 504.00 грн |
7+ | 458.74 грн |
NTE2331 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 60
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3PML
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2331 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 60
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3PML
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2332 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Case: TO220
Current gain: 4k
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
Power dissipation: 20W
Kind of transistor: Darlington
Kind of package: bulk
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Case: TO220
Current gain: 4k
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
Power dissipation: 20W
Kind of transistor: Darlington
Kind of package: bulk
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 88.64 грн |
NTE2332 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Case: TO220
Current gain: 4k
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
Power dissipation: 20W
Kind of transistor: Darlington
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 2A; 20W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Case: TO220
Current gain: 4k
Mounting: THT
Frequency: 180MHz
Power dissipation: 20W
Kind of transistor: Darlington
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.37 грн |
NTE2333 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2333 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 32
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2333 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 32
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 15
Verlustleistung: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2335 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO3P
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 80W
Current gain: 2000...20000
Polarisation: bipolar
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO3P
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 80W
Current gain: 2000...20000
Polarisation: bipolar
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 186.67 грн |
NTE2335 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO3P
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 80W
Current gain: 2000...20000
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 5A; 80W; TO3P
Kind of package: bulk
Kind of transistor: Darlington
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO3P
Collector current: 5A
Collector-emitter voltage: 60V
Power dissipation: 80W
Current gain: 2000...20000
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.00 грн |
NTE2337 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 601.76 грн |
2+ | 478.05 грн |
NTE2337 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 7A; 45W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 500V
Collector current: 7A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Frequency: 20MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 722.11 грн |
2+ | 595.72 грн |
6+ | 542.32 грн |
10+ | 532.82 грн |
25+ | 522.37 грн |
NTE2343 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2343 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2343 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12
Verlustleistung: 80
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2344 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2344 - DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Verlustleistung Pd: 80
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 120
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2345 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2345 NPN THT Darlington transistors
NTE2345 NPN THT Darlington transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 409.13 грн |
4+ | 281.13 грн |
11+ | 265.93 грн |
NTE2348 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2348 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 10
Verlustleistung Pd: 150
Übergangsfrequenz ft: 15
Bauform - Transistor: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 800
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2349 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2349 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2349 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2349 NPN THT Darlington transistors
NTE2349 NPN THT Darlington transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1726.53 грн |
2+ | 1067.54 грн |
3+ | 1009.60 грн |
NTE235 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE235 NPN THT transistors
NTE235 NPN THT transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 621.88 грн |
3+ | 375.16 грн |
9+ | 354.26 грн |
NTE2352 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2352 PNP THT Darlington transistors
NTE2352 PNP THT Darlington transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 532.89 грн |
4+ | 321.02 грн |
10+ | 302.97 грн |
NTE2353 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 625.63 грн |
2+ | 466.18 грн |
NTE2353 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 10A; 70W; TO3PML
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 800V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PML
Current gain: 5...10
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 750.75 грн |
2+ | 580.93 грн |
6+ | 529.02 грн |
25+ | 508.12 грн |
NTE2355 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2355 - PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 50
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 300
Übergangsfrequenz ft: 250
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2358 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2358 PNP THT transistors
NTE2358 PNP THT transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 76.10 грн |
24+ | 47.77 грн |
64+ | 45.21 грн |
NTE2359 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2359 NPN THT transistors
NTE2359 NPN THT transistors
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.33 грн |
16+ | 71.23 грн |
44+ | 67.43 грн |
NTE236 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung Pd: 18
Verlustleistung: 18
Bauform - Transistor: TO-220AB
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Übergangsfrequenz: 27
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE236 - RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
Verlustleistung Pd: 18
Verlustleistung: 18
Bauform - Transistor: TO-220AB
Bauform - HF-Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 25
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 6
Übergangsfrequenz: 27
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2360 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 67.34 грн |
8+ | 56.19 грн |
10+ | 49.86 грн |
19+ | 49.07 грн |
25+ | 44.32 грн |
NTE2360 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.3W; TO92; R1: 47kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: TO92
Mounting: THT
Frequency: 200MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.80 грн |
5+ | 70.03 грн |
10+ | 59.84 грн |
19+ | 58.89 грн |
25+ | 53.19 грн |
NTE2370 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2370 PNP THT transistors
NTE2370 PNP THT transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 124.78 грн |
14+ | 84.53 грн |
37+ | 79.78 грн |
NTE2371 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 623.92 грн |
2+ | 466.97 грн |
6+ | 441.64 грн |
NTE2371 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W; TO220
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 748.71 грн |
2+ | 581.91 грн |
6+ | 529.97 грн |
25+ | 509.07 грн |
NTE2373 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2373 THT P channel transistors
NTE2373 THT P channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 831.56 грн |
3+ | 525.22 грн |
6+ | 495.78 грн |
NTE2374 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 257.41 грн |
NTE2374 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 308.89 грн |
NTE2376 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 812.29 грн |
2+ | 611.81 грн |
NTE2376 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; Idm: 120A; 190W; TO247
Case: TO247
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 19A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 190W
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 974.75 грн |
2+ | 762.41 грн |
5+ | 694.28 грн |
25+ | 667.68 грн |
NTE238 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE238 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2380 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2380 THT N channel transistors
NTE2380 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 659.72 грн |
3+ | 397.00 грн |
8+ | 375.16 грн |
NTE2385 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2385 THT N channel transistors
NTE2385 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 684.27 грн |
3+ | 459.69 грн |
7+ | 434.04 грн |
NTE2388 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 381.00 грн |
3+ | 318.17 грн |
8+ | 306.30 грн |
10+ | 296.80 грн |
25+ | 295.22 грн |
NTE2388 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2388 - N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 18
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 125
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2388 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 457.20 грн |
3+ | 396.49 грн |
8+ | 367.56 грн |
10+ | 356.16 грн |
25+ | 354.26 грн |
NTE2393 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2393 - N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.7
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2395 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2395 THT N channel transistors
NTE2395 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 610.63 грн |
4+ | 367.56 грн |
9+ | 347.61 грн |
NTE2396 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2396 THT N channel transistors
NTE2396 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 624.95 грн |
3+ | 420.75 грн |
8+ | 397.95 грн |
NTE2396A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 108.25 грн |
5+ | 96.56 грн |
10+ | 92.60 грн |
20+ | 89.44 грн |
NTE2396A |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 110A; 130W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 130W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 120.33 грн |
10+ | 111.12 грн |
20+ | 107.32 грн |
NTE2397 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 345.20 грн |
NTE2397 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 414.24 грн |
NTE240 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE240 PNP THT transistors
NTE240 PNP THT transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 522.66 грн |
3+ | 399.85 грн |
8+ | 378.01 грн |
NTE2403 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
Trans RF BJT PNP 15V 0.025A 200mW 3-Pin SOT-23
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
NTE2405 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2405 PNP SMD Darlington transistors
NTE2405 PNP SMD Darlington transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 176.95 грн |
7+ | 158.61 грн |
10+ | 157.81 грн |
20+ | 150.06 грн |
NTE241 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 91.20 грн |
6+ | 76.77 грн |
NTE241 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 60W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Case: TO220
Current gain: 7...80
Mounting: THT
Power dissipation: 60W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 109.44 грн |
4+ | 95.67 грн |
10+ | 80.73 грн |
25+ | 75.03 грн |
NTE2415 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2415 PNP SMD transistors
NTE2415 PNP SMD transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 153.42 грн |
3+ | 98.63 грн |
31+ | 95.93 грн |
NTE2416 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2416 NPN SMD transistors
NTE2416 NPN SMD transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 306.85 грн |
10+ | 110.46 грн |
28+ | 104.47 грн |
NTE2417 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2417 PNP SMD transistors
NTE2417 PNP SMD transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.08 грн |
10+ | 82.85 грн |
37+ | 78.83 грн |
NTE2419 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2419 PNP SMD transistors
NTE2419 PNP SMD transistors
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.10 грн |
13+ | 92.13 грн |
34+ | 87.38 грн |
NTE242 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE242 PNP THT transistors
NTE242 PNP THT transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 145.24 грн |
13+ | 92.13 грн |
34+ | 87.38 грн |
NTE2427 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 1k
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 1k
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 106.06 грн |
NTE2427 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 1k
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 0.5A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 1k
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 132.16 грн |
NTE2428 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
NTE2428 NPN SMD transistors
NTE2428 NPN SMD transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.16 грн |
8+ | 156.71 грн |
20+ | 148.16 грн |
NTE243 |
![]() |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE243 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE243 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 750
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.