Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142403) > Сторінка 144 з 2374

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
74VHC04MTCX 74VHC04MTCX onsemi 74VHC04-D.PDF Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.25 грн
22+15.08 грн
25+13.40 грн
100+10.82 грн
250+9.99 грн
500+9.48 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC123AMTCX 74VHC123AMTCX onsemi 74VHC123A-D.pdf Description: IC MMV 2-CIR 8.1-NS 16-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 8.1 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Part Status: Active
Voltage - Supply: 2 V ~ 5.5 V
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.56 грн
12+26.74 грн
25+23.94 грн
100+19.56 грн
250+18.18 грн
500+17.34 грн
1000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125MTCX 74VHC125MTCX onsemi 74VHC125-D.PDF description Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 6027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.08 грн
21+15.40 грн
25+13.65 грн
100+11.02 грн
250+10.17 грн
500+9.66 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC14MTCX 74VHC14MTCX onsemi 74vhc14-d.pdf description Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 27812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.55 грн
19+16.98 грн
25+15.14 грн
100+12.26 грн
250+11.33 грн
500+10.77 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC244MTCX 74VHC244MTCX onsemi 74VHC244-D.pdf Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.92 грн
10+35.71 грн
25+32.09 грн
100+26.36 грн
250+24.59 грн
500+23.51 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273MTCX 74VHC273MTCX onsemi 74vhc273-d.pdf Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 110 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.14 грн
10+62.22 грн
25+52.12 грн
100+38.47 грн
250+33.48 грн
500+30.46 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32MTCX 74VHC32MTCX onsemi 74VHC32-D.pdf Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
15+22.62 грн
25+20.19 грн
100+16.44 грн
250+15.24 грн
500+14.52 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC573MTCX 74VHC573MTCX onsemi 74vhc573-d.pdf Description: IC D-TYPE TRANSP SGL 8:8 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 4.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.04 грн
10+38.33 грн
25+34.44 грн
100+28.30 грн
250+26.39 грн
500+25.23 грн
1000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC595MTCX 74VHC595MTCX onsemi 74vhc595-d.pdf Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 11603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.91 грн
13+25.87 грн
25+23.17 грн
100+18.93 грн
250+17.58 грн
500+16.77 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC74MTCX 74VHC74MTCX onsemi 74vhc74-d.pdf Description: IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 115 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.3ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.11 грн
10+37.62 грн
25+31.05 грн
100+22.19 грн
250+18.79 грн
500+16.68 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT244AMTCX 74VHCT244AMTCX onsemi ONSM-S-A0003585215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 7121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.91 грн
10+66.82 грн
25+55.81 грн
100+40.67 грн
250+34.92 грн
500+31.39 грн
1000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT245AMTCX 74VHCT245AMTCX onsemi 74vhct245a-d.pdf Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.22 грн
10+37.78 грн
25+33.93 грн
100+27.92 грн
250+26.04 грн
500+24.91 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAR43S BAR43S onsemi BAR43.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS31 BAS31 onsemi bas31-d.pdf Description: DIODE ARR GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V
на замовлення 260726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.19 грн
37+8.65 грн
100+7.74 грн
500+6.18 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BMTF BC846BMTF onsemi BC846-BC850.pdf Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BMTF BC847BMTF onsemi BC846-BC850.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CMTF BC848CMTF onsemi BC846-BC850.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27 BCV27 onsemi BCV27-D.PDF Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 33364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+18.13 грн
30+10.71 грн
100+6.68 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSR14 BSR14 onsemi bsr14-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 22128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+32.14 грн
17+19.05 грн
100+12.05 грн
500+8.46 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 onsemi FAIRS45898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.42 грн
10+219.51 грн
100+157.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 onsemi fdp3632-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 6611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.78 грн
10+174.59 грн
100+129.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 10302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.93 грн
10+39.92 грн
100+25.68 грн
500+18.75 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 30313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.28 грн
10+38.65 грн
100+25.13 грн
500+18.12 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P onsemi fdc604p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 8885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.81 грн
10+37.14 грн
100+24.10 грн
500+17.34 грн
1000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 25499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
13+25.08 грн
100+15.98 грн
500+11.32 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N onsemi fdc6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 181900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.92 грн
11+30.87 грн
100+19.91 грн
500+14.22 грн
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 26110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.11 грн
10+38.81 грн
100+25.23 грн
500+18.18 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P onsemi fdc6306p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+64.28 грн
10+38.49 грн
100+24.97 грн
500+17.99 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C onsemi fdc6333c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.63 грн
10+37.62 грн
100+24.45 грн
500+17.60 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P onsemi fdc634p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.47 грн
10+46.43 грн
100+30.25 грн
500+21.86 грн
1000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N FDC653N onsemi fdc653n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 6035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.99 грн
11+31.27 грн
100+24.01 грн
1000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN FDC6561AN onsemi fdc6561an-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 13650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.75 грн
10+40.24 грн
100+26.17 грн
500+18.89 грн
1000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690A FDD6690A onsemi fdd6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N onsemi fdg6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 61073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.32 грн
13+25.47 грн
100+17.67 грн
500+12.95 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N FDG6303N onsemi fdg6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.79 грн
13+25.63 грн
100+15.40 грн
500+13.38 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P FDG6304P onsemi fdg6304p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
10+34.68 грн
100+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.97 грн
12+26.98 грн
100+18.75 грн
500+13.74 грн
1000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323L FDG6323L onsemi fdg6323l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300 FDLL300 onsemi ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 125V 200MA LL34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 33767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.38 грн
13+25.32 грн
100+17.86 грн
500+13.34 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.33 грн
12+28.81 грн
100+20.20 грн
500+14.40 грн
1000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 36054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
12+28.81 грн
100+20.40 грн
500+14.60 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 37045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.79 грн
15+22.14 грн
100+18.11 грн
500+14.92 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 11524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.86 грн
10+35.55 грн
100+23.16 грн
500+16.57 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 20476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
11+29.84 грн
100+20.21 грн
500+14.44 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 47628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.15 грн
12+27.14 грн
100+16.22 грн
500+12.37 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 111420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.80 грн
12+28.73 грн
100+18.44 грн
500+13.14 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 8759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.61 грн
13+25.00 грн
100+15.92 грн
500+11.28 грн
1000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 14221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.86 грн
10+89.60 грн
100+72.28 грн
500+57.02 грн
1000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 onsemi fds3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 46375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.40 грн
10+88.01 грн
100+63.21 грн
500+46.95 грн
1000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435 FDS4435 onsemi FDS4435.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 onsemi fds4465-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+108.88 грн
100+74.04 грн
500+55.47 грн
1000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A onsemi fds4935a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.19 грн
10+67.38 грн
100+44.93 грн
500+33.12 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.79 грн
10+128.64 грн
100+91.20 грн
500+69.00 грн
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A onsemi fds6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 7098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.48 грн
10+55.63 грн
100+36.59 грн
500+26.67 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 FDS6875 onsemi fds6875-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.90 грн
10+78.01 грн
100+60.73 грн
500+48.31 грн
1000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A FDS6898A onsemi FDS6898A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 19890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.56 грн
10+78.57 грн
100+52.50 грн
500+38.78 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A onsemi FDS6912A-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.53 грн
10+51.98 грн
100+34.20 грн
500+24.94 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975 FDS6975 onsemi FDS6975-D.PDF Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.98 грн
10+82.93 грн
100+56.14 грн
500+41.77 грн
1000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990A FDS6990A onsemi fds6990a-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC04MTCX 74VHC04-D.PDF
74VHC04MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.25 грн
22+15.08 грн
25+13.40 грн
100+10.82 грн
250+9.99 грн
500+9.48 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC123AMTCX 74VHC123A-D.pdf
74VHC123AMTCX
Виробник: onsemi
Description: IC MMV 2-CIR 8.1-NS 16-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Monostable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Propagation Delay: 8.1 ns
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Schmitt Trigger Input: Yes
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Part Status: Active
Voltage - Supply: 2 V ~ 5.5 V
на замовлення 3455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.56 грн
12+26.74 грн
25+23.94 грн
100+19.56 грн
250+18.18 грн
500+17.34 грн
1000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125MTCX description 74VHC125-D.PDF
74VHC125MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 6027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.08 грн
21+15.40 грн
25+13.65 грн
100+11.02 грн
250+10.17 грн
500+9.66 грн
1000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC14MTCX description 74vhc14-d.pdf
74VHC14MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2.2V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.9V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 10.6ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 27812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.55 грн
19+16.98 грн
25+15.14 грн
100+12.26 грн
250+11.33 грн
500+10.77 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC244MTCX 74VHC244-D.pdf
74VHC244MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 7684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.92 грн
10+35.71 грн
25+32.09 грн
100+26.36 грн
250+24.59 грн
500+23.51 грн
1000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC273MTCX 74vhc273-d.pdf
74VHC273MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SNGL 8BIT 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Master Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 4 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 110 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 11ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.14 грн
10+62.22 грн
25+52.12 грн
100+38.47 грн
250+33.48 грн
500+30.46 грн
1000+27.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC32MTCX 74VHC32-D.pdf
74VHC32MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
15+22.62 грн
25+20.19 грн
100+16.44 грн
250+15.24 грн
500+14.52 грн
1000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC573MTCX 74vhc573-d.pdf
74VHC573MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC D-TYPE TRANSP SGL 8:8 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Transparent Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 4.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.04 грн
10+38.33 грн
25+34.44 грн
100+28.30 грн
250+26.39 грн
500+25.23 грн
1000+24.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC595MTCX 74vhc595-d.pdf
74VHC595MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel, Serial
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
на замовлення 11603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.91 грн
13+25.87 грн
25+23.17 грн
100+18.93 грн
250+17.58 грн
500+16.77 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC74MTCX 74vhc74-d.pdf
74VHC74MTCX
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 2 µA
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 115 MHz
Input Capacitance: 4 pF
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 9.3ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 3268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.11 грн
10+37.62 грн
25+31.05 грн
100+22.19 грн
250+18.79 грн
500+16.68 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT244AMTCX ONSM-S-A0003585215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74VHCT244AMTCX
Виробник: onsemi
Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 7121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.91 грн
10+66.82 грн
25+55.81 грн
100+40.67 грн
250+34.92 грн
500+31.39 грн
1000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT245AMTCX 74vhct245a-d.pdf
74VHCT245AMTCX
Виробник: onsemi
Description: IC TXRX NON-INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.22 грн
10+37.78 грн
25+33.93 грн
100+27.92 грн
250+26.04 грн
500+24.91 грн
1000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAR43S BAR43.pdf
BAR43S
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOTT 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS31 bas31-d.pdf
BAS31
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR GP 120V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 90 V
на замовлення 260726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.19 грн
37+8.65 грн
100+7.74 грн
500+6.18 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BMTF BC846-BC850.pdf
BC846BMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BMTF BC846-BC850.pdf
BC847BMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC848CMTF BC846-BC850.pdf
BC848CMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV27 BCV27-D.PDF
BCV27
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 33364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.13 грн
30+10.71 грн
100+6.68 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BSR14 bsr14-d.pdf
BSR14
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.8A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 350 mW
на замовлення 22128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.14 грн
17+19.05 грн
100+12.05 грн
500+8.46 грн
1000+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0 FAIRS45898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDB045AN08A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.42 грн
10+219.51 грн
100+157.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 6611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.78 грн
10+174.59 грн
100+129.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 10302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.93 грн
10+39.92 грн
100+25.68 грн
500+18.75 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 30313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.28 грн
10+38.65 грн
100+25.13 грн
500+18.12 грн
1000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P fdc604p-d.pdf
FDC604P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 8885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.81 грн
10+37.14 грн
100+24.10 грн
500+17.34 грн
1000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N fdc6301n-d.pdf
FDC6301N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 25499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.03 грн
13+25.08 грн
100+15.98 грн
500+11.32 грн
1000+10.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
FDC6303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 181900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.92 грн
11+30.87 грн
100+19.91 грн
500+14.22 грн
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N fdc6305n-d.pdf
FDC6305N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 26110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.11 грн
10+38.81 грн
100+25.23 грн
500+18.18 грн
1000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P fdc6306p-d.pdf
FDC6306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.28 грн
10+38.49 грн
100+24.97 грн
500+17.99 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C fdc6333c-d.pdf
FDC6333C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.63 грн
10+37.62 грн
100+24.45 грн
500+17.60 грн
1000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P fdc634p-d.pdf
FDC634P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.47 грн
10+46.43 грн
100+30.25 грн
500+21.86 грн
1000+19.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N fdc653n-d.pdf
FDC653N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 6035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.99 грн
11+31.27 грн
100+24.01 грн
1000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN fdc6561an-d.pdf
FDC6561AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 13650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.75 грн
10+40.24 грн
100+26.17 грн
500+18.89 грн
1000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690A fdd6690a-d.pdf
FDD6690A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N fdg6301n-d.pdf
FDG6301N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 61073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.32 грн
13+25.47 грн
100+17.67 грн
500+12.95 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
FDG6303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.79 грн
13+25.63 грн
100+15.40 грн
500+13.38 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
FDG6304P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.03 грн
10+34.68 грн
100+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.97 грн
12+26.98 грн
100+18.75 грн
500+13.74 грн
1000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323L fdg6323l-d.pdf
FDG6323L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300 ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDLL300
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 125V 200MA LL34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 33767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.38 грн
13+25.32 грн
100+17.86 грн
500+13.34 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.33 грн
12+28.81 грн
100+20.20 грн
500+14.40 грн
1000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 36054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.03 грн
12+28.81 грн
100+20.40 грн
500+14.60 грн
1000+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
на замовлення 37045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.79 грн
15+22.14 грн
100+18.11 грн
500+14.92 грн
1000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDN358P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 11524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.86 грн
10+35.55 грн
100+23.16 грн
500+16.57 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN fdn359an-d.pdf
FDN359AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 20476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.03 грн
11+29.84 грн
100+20.21 грн
500+14.44 грн
1000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 47628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.15 грн
12+27.14 грн
100+16.22 грн
500+12.37 грн
1000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
на замовлення 111420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.80 грн
12+28.73 грн
100+18.44 грн
500+13.14 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 fdn5630-d.pdf
FDN5630
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 8759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.61 грн
13+25.00 грн
100+15.92 грн
500+11.28 грн
1000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 14221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.86 грн
10+89.60 грн
100+72.28 грн
500+57.02 грн
1000+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 46375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.40 грн
10+88.01 грн
100+63.21 грн
500+46.95 грн
1000+44.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435 FDS4435.pdf
FDS4435
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 7431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.36 грн
10+108.88 грн
100+74.04 грн
500+55.47 грн
1000+50.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A fds4935a-d.pdf
FDS4935A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 11206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.19 грн
10+67.38 грн
100+44.93 грн
500+33.12 грн
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.79 грн
10+128.64 грн
100+91.20 грн
500+69.00 грн
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 7098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.48 грн
10+55.63 грн
100+36.59 грн
500+26.67 грн
1000+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6875 fds6875-d.pdf
FDS6875
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.90 грн
10+78.01 грн
100+60.73 грн
500+48.31 грн
1000+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A FDS6898A.pdf
FDS6898A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 19890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.56 грн
10+78.57 грн
100+52.50 грн
500+38.78 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A-D.PDF
FDS6912A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.53 грн
10+51.98 грн
100+34.20 грн
500+24.94 грн
1000+22.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975 FDS6975-D.PDF
FDS6975
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.98 грн
10+82.93 грн
100+56.14 грн
500+41.77 грн
1000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990A fds6990a-d.pdf
FDS6990A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2374  [ Наступна Сторінка >> ]