Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147473) > Сторінка 144 з 2458

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2450 2458  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FAN7527BN FAN7527BN onsemi fan7527b-d.pdf Description: IC PFC CTRLR TRANSITION 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11.5V ~ 30V
Mode: Discontinuous (Transition)
Supplier Device Package: 8-DIP
Current - Startup: 60 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 FCP11N60 onsemi fcpf11n60t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.15 грн
50+134.16 грн
100+123.04 грн
500+94.77 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0 FDB045AN08A0 onsemi FAIRS45898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+141.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 onsemi fdp3632-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.12 грн
1600+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030L FDB7030L onsemi FDB7030L%2C%20FDP7030L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.93 грн
6000+13.21 грн
9000+13.00 грн
15000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 35545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.85 грн
6000+14.04 грн
9000+13.42 грн
15000+11.94 грн
21000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P onsemi fdc604p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.89 грн
6000+14.06 грн
9000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N FDC6301N onsemi fdc6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.66 грн
6000+7.25 грн
9000+7.15 грн
15000+6.67 грн
21000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N FDC6303N onsemi fdc6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
6000+10.58 грн
9000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N FDC6305N onsemi fdc6305n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.94 грн
6000+13.92 грн
9000+13.72 грн
15000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P FDC6306P onsemi fdc6306p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C FDC6333C onsemi fdc6333c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 23300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.46 грн
6000+13.12 грн
9000+12.82 грн
15000+11.40 грн
21000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P FDC634P onsemi fdc634p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.46 грн
6000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6506P FDC6506P onsemi fdc6506p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N FDC653N onsemi fdc653n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.75 грн
6000+19.62 грн
9000+19.02 грн
15000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN FDC6561AN onsemi fdc6561an-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.42 грн
6000+14.47 грн
9000+13.84 грн
15000+12.75 грн
21000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P FDD5614P onsemi fdd5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690A FDD6690A onsemi fdd6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N FDG6301N onsemi fdg6301n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.17 грн
6000+9.29 грн
9000+8.63 грн
30000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N FDG6303N onsemi fdg6303n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.05 грн
6000+8.35 грн
9000+7.52 грн
30000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P FDG6304P onsemi fdg6304p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C FDG6322C onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323L FDG6323L onsemi fdg6323l-d.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDH44N50 FDH44N50 onsemi fdh44n50-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 25 V
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.78 грн
30+405.84 грн
120+377.35 грн
510+332.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300 FDLL300 onsemi ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE GEN PURP 125V 200MA LL34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P onsemi FDN306P-D.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.44 грн
6000+9.02 грн
9000+8.95 грн
15000+8.31 грн
21000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P FDN336P onsemi fdn336p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.07 грн
6000+10.29 грн
9000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN onsemi FDN339AN-D.PDF Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.61 грн
6000+9.87 грн
9000+9.59 грн
15000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N FDN357N onsemi fdn357n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FDN358P onsemi FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.17 грн
6000+11.64 грн
9000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN FDN359AN onsemi fdn359an-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.28 грн
6000+9.56 грн
9000+9.49 грн
15000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P FDN360P onsemi fdn360p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.59 грн
6000+8.66 грн
9000+8.16 грн
15000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P FDN5618P onsemi fdn5618p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 FDN5630 onsemi fdn5630-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.48 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0 FDP038AN06A0 onsemi fdp038an06a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 8066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.77 грн
50+133.46 грн
100+127.63 грн
500+118.00 грн
1000+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0 FDP047AN08A0 onsemi fdh047an08a0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+318.76 грн
50+157.45 грн
100+143.02 грн
500+110.50 грн
1000+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FDP2532 onsemi FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.05 грн
50+169.85 грн
100+154.50 грн
500+119.75 грн
1000+114.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 FDP3632 onsemi fdp3632-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.13 грн
50+154.98 грн
100+140.87 грн
500+108.99 грн
1000+103.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FDS2572 onsemi FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.39 грн
5000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 FDS3672 onsemi fds3672-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.46 грн
5000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435 FDS4435 onsemi FDS4435.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 FDS4465 onsemi fds4465-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.82 грн
5000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A FDS4935A onsemi fds4935a-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.25 грн
5000+28.13 грн
7500+27.02 грн
12500+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 FDS5670 onsemi fds5670-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675 FDS6675 onsemi fds6675-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A FDS6690A onsemi fds6690a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.27 грн
5000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A FDS6898A onsemi FDS6898A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.31 грн
5000+30.69 грн
7500+29.49 грн
12500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A FDS6912A onsemi ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.32 грн
5000+20.81 грн
7500+19.93 грн
12500+18.11 грн
17500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975 FDS6975 onsemi FDS6975-D.PDF Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990A FDS6990A onsemi fds6990a-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A FDS9926A onsemi fds9926a-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.81 грн
5000+17.45 грн
7500+16.82 грн
12500+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20TM-AM002 FQB34N20TM-AM002 onsemi fqb34n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM onsemi FQB55N10-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 44800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.35 грн
1600+68.69 грн
2400+67.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TF FQD17P06TF onsemi Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TM FQD2N80TM onsemi fqd2n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 FQP17P06 onsemi fqp17p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.98 грн
50+85.54 грн
100+78.41 грн
500+58.20 грн
1000+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 FQP27P06 onsemi fqp27p06-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 24254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.51 грн
50+98.32 грн
100+88.61 грн
500+67.18 грн
1000+60.61 грн
2000+57.73 грн
5000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP46N15 FQP46N15 onsemi fqp46n15-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 FQP50N06 onsemi fqp50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FAN7527BN fan7527b-d.pdf
FAN7527BN
Виробник: onsemi
Description: IC PFC CTRLR TRANSITION 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11.5V ~ 30V
Mode: Discontinuous (Transition)
Supplier Device Package: 8-DIP
Current - Startup: 60 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP11N60 fcpf11n60t-d.pdf
FCP11N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.15 грн
50+134.16 грн
100+123.04 грн
500+94.77 грн
1000+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB045AN08A0 FAIRS45898-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDB045AN08A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+141.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+106.12 грн
1600+99.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB7030L FDB7030L%2C%20FDP7030L.pdf
FDB7030L
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.93 грн
6000+13.21 грн
9000+13.00 грн
15000+12.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 35545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.85 грн
6000+14.04 грн
9000+13.42 грн
15000+11.94 грн
21000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P fdc604p-d.pdf
FDC604P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.89 грн
6000+14.06 грн
9000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6301N fdc6301n-d.pdf
FDC6301N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.66 грн
6000+7.25 грн
9000+7.15 грн
15000+6.67 грн
21000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6303N fdc6303n-d.pdf
FDC6303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.07 грн
6000+10.58 грн
9000+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6305N fdc6305n-d.pdf
FDC6305N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.94 грн
6000+13.92 грн
9000+13.72 грн
15000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6306P fdc6306p-d.pdf
FDC6306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 441pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6333C fdc6333c-d.pdf
FDC6333C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
на замовлення 23300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.46 грн
6000+13.12 грн
9000+12.82 грн
15000+11.40 грн
21000+11.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC634P fdc634p-d.pdf
FDC634P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.46 грн
6000+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6506P fdc6506p-d.pdf
FDC6506P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC653N fdc653n-d.pdf
FDC653N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.75 грн
6000+19.62 грн
9000+19.02 грн
15000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC6561AN fdc6561an-d.pdf
FDC6561AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.42 грн
6000+14.47 грн
9000+13.84 грн
15000+12.75 грн
21000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDD5614P fdd5614p-d.pdf
FDD5614P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD6690A fdd6690a-d.pdf
FDD6690A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6301N fdg6301n-d.pdf
FDG6301N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.17 грн
6000+9.29 грн
9000+8.63 грн
30000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
FDG6303N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.05 грн
6000+8.35 грн
9000+7.52 грн
30000+6.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6304P fdg6304p-d.pdf
FDG6304P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
FDG6322C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDG6323L fdg6323l-d.pdf
FDG6323L
Виробник: onsemi
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 410mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.5V ~ 8V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.5V ~ 8V
Current - Output (Max): 600mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDH44N50 fdh44n50-d.pdf
FDH44N50
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 25 V
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+710.78 грн
30+405.84 грн
120+377.35 грн
510+332.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDLL300 ONSM-S-A0003585186-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDLL300
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 125V 200MA LL34
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN306P FDN306P-D.pdf
FDN306P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 6 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.44 грн
6000+9.02 грн
9000+8.95 грн
15000+8.31 грн
21000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN336P fdn336p-d.pdf
FDN336P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.07 грн
6000+10.29 грн
9000+10.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN339AN FDN339AN-D.PDF
FDN339AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 10 V
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.61 грн
6000+9.87 грн
9000+9.59 грн
15000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN357N fdn357n-d.pdf
FDN357N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN358P FAIRS20312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDN358P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.17 грн
6000+11.64 грн
9000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN359AN fdn359an-d.pdf
FDN359AN
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.28 грн
6000+9.56 грн
9000+9.49 грн
15000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN360P fdn360p-d.pdf
FDN360P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.59 грн
6000+8.66 грн
9000+8.16 грн
15000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5618P fdn5618p-d.pdf
FDN5618P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDN5630 fdn5630-d.pdf
FDN5630
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 15 V
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.48 грн
6000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDP038AN06A0 fdp038an06a0-d.pdf
FDP038AN06A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 17A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
на замовлення 8066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.77 грн
50+133.46 грн
100+127.63 грн
500+118.00 грн
1000+112.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP047AN08A0 fdh047an08a0-d.pdf
FDP047AN08A0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 75V 15A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.76 грн
50+157.45 грн
100+143.02 грн
500+110.50 грн
1000+104.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP2532 FAIRS45678-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDP2532
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.05 грн
50+169.85 грн
100+154.50 грн
500+119.75 грн
1000+114.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDP3632 fdp3632-d.pdf
FDP3632
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.13 грн
50+154.98 грн
100+140.87 грн
500+108.99 грн
1000+103.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDS2572 FAIRS45105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS2572
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.39 грн
5000+49.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS3672 fds3672-d.pdf
FDS3672
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2015 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.46 грн
5000+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4435 FDS4435.pdf
FDS4435
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.82 грн
5000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS4935A fds4935a-d.pdf
FDS4935A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.25 грн
5000+28.13 грн
7500+27.02 грн
12500+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS5670 fds5670-d.pdf
FDS5670
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6675 fds6675-d.pdf
FDS6675
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6690A fds6690a-d.pdf
FDS6690A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.27 грн
5000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6898A FDS6898A.pdf
FDS6898A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1821pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.31 грн
5000+30.69 грн
7500+29.49 грн
12500+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6912A ONSM-S-A0003584182-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS6912A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.32 грн
5000+20.81 грн
7500+19.93 грн
12500+18.11 грн
17500+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6975 FDS6975-D.PDF
FDS6975
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6990A fds6990a-d.pdf
FDS6990A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS9926A fds9926a-d.pdf
FDS9926A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.81 грн
5000+17.45 грн
7500+16.82 грн
12500+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
FQB34N20TM-AM002 fqb34n20-d.pdf
FQB34N20TM-AM002
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10-D.pdf
FQB55N10TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
на замовлення 44800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.35 грн
1600+68.69 грн
2400+67.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FQD17P06TF
FQD17P06TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TM fqd2n80-d.pdf
FQD2N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP17P06 fqp17p06-d.pdf
FQP17P06
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 1032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.98 грн
50+85.54 грн
100+78.41 грн
500+58.20 грн
1000+54.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQP27P06 fqp27p06-d.pdf
FQP27P06
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 24254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.51 грн
50+98.32 грн
100+88.61 грн
500+67.18 грн
1000+60.61 грн
2000+57.73 грн
5000+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FQP46N15 fqp46n15-d.pdf
FQP46N15
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 45.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQP50N06 fqp50n06-d.pdf
FQP50N06
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 245 490 735 980 1225 1470 1715 1960 2205 2450 2458  [ Наступна Сторінка >> ]