Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141353) > Сторінка 1170 з 2356

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1410 1645 1880 2115 2350 2356  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MM5Z4699T5G MM5Z4699T5G onsemi mm5z4678t1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.1 V
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.02 грн
16000+2.83 грн
24000+2.76 грн
40000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
MM5Z4699T5G MM5Z4699T5G onsemi mm5z4678t1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.1 V
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+18.09 грн
28+11.86 грн
100+5.20 грн
500+4.45 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H150CTH MBR20H150CTH onsemi Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -20°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
на замовлення 77000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H150CTH MBR20H150CTH onsemi Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -20°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81063MNTXG NCP81063MNTXG onsemi ncp81063-d.pdf Description: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 13.2V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 27ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 3.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 1.6A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G NVD6416ANLT4G onsemi ntd6416anl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV78702DE0R2G NCV78702DE0R2G onsemi ncv78702-d.pdf Description: L702 IN TSSOPEP-20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 0.4V ~ 64.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Frequency: 350kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 20-TSSOP-EP
Dimming: PWM, SPI
Voltage - Supply (Min): 5V
Voltage - Supply (Max): 30V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV78702DE0R2G NCV78702DE0R2G onsemi ncv78702-d.pdf Description: L702 IN TSSOPEP-20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 0.4V ~ 64.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Frequency: 350kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 20-TSSOP-EP
Dimming: PWM, SPI
Voltage - Supply (Min): 5V
Voltage - Supply (Max): 30V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.85 грн
10+116.08 грн
25+105.94 грн
100+88.91 грн
250+83.89 грн
500+80.87 грн
1000+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3S NTHL022N120M3S onsemi nthl022n120m3s-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1397.54 грн
10+994.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 NTHL060N090SC1 onsemi nthl060n090sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 23413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+904.70 грн
30+553.91 грн
120+496.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3S NTHL070N120M3S onsemi nthl070n120m3s-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.70 грн
30+354.04 грн
120+298.49 грн
510+248.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 onsemi nthl045n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1014.99 грн
10+684.34 грн
450+494.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1 NTHL1000N170M1 onsemi NTHL1000N170M1-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.63 грн
10+248.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10K RGP10K onsemi RGP10M-D.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10K RGP10K onsemi RGP10M-D.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+22.40 грн
23+14.44 грн
100+11.53 грн
500+8.07 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7241MXWT5G SZESD7241MXWT5G onsemi ESD7241-D.PDF Description: TVS DIODE 24VWM 48VC 2X2DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 1pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.16 грн
16+20.83 грн
100+13.43 грн
500+10.29 грн
1000+8.89 грн
2000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MC100EP131FAR2G MC100EP131FAR2G onsemi mc10ep131-d.pdf Description: IC FF D-TYPE SGL 4-BIT 32-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-LQFP
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: -3V ~ -5.5V
Current - Quiescent (Iq): 120 mA
Trigger Type: Positive, Negative
Clock Frequency: 3 GHz
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Number of Bits per Element: 4
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+1110.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MC100EP131FAR2G MC100EP131FAR2G onsemi mc10ep131-d.pdf Description: IC FF D-TYPE SGL 4-BIT 32-LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-LQFP
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: -3V ~ -5.5V
Current - Quiescent (Iq): 120 mA
Trigger Type: Positive, Negative
Clock Frequency: 3 GHz
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Number of Bits per Element: 4
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1752.53 грн
10+1354.08 грн
25+1270.64 грн
100+1161.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KSA812YMTF KSA812YMTF onsemi ksa812-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7869+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 7869
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G NSV12200LT1G onsemi nss12200l-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.88 грн
6000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G NSV12200LT1G onsemi nss12200l-d.pdf Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.90 грн
10+37.67 грн
100+24.29 грн
500+17.38 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCV500SN33T1G NCV500SN33T1G onsemi ncp500-d.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 5-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 62dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 300 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.01 грн
6000+15.00 грн
9000+14.80 грн
15000+13.67 грн
21000+13.54 грн
30000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV500SN33T1G NCV500SN33T1G onsemi ncp500-d.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 5-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 62dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 300 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 38843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+36.19 грн
14+24.64 грн
25+22.04 грн
100+17.99 грн
250+16.69 грн
500+15.91 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G MUN2231T1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.44 грн
6000+2.10 грн
9000+1.97 грн
15000+1.71 грн
21000+1.63 грн
30000+1.55 грн
75000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G MUN2231T1G onsemi dtc123e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.51 грн
38+8.96 грн
100+5.58 грн
500+3.81 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2240T1G MUN2240T1G onsemi dtc144t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2240T1G MUN2240T1G onsemi dtc144t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2240T1G MUN2240T1G onsemi dtc144t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 319000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2241T1G MUN2241T1G onsemi dtc115t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2241T1G MUN2241T1G onsemi dtc115t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2241T1G MUN2241T1G onsemi dtc115t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2230T1G MUN2230T1G onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10606+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 10606
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2237T1G MUN2237T1G onsemi dtc144w-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 389700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2234T1G MUN2234T1G onsemi dtc124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10969+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 10969
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1 MUN2231T1 onsemi MUN2211T1%20Series.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2241T1 MUN2241T1 onsemi MUN2211T1%20Series.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 80975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1 MUN2212T1 onsemi MUN2211T1%20Series.pdf Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D5N15MC NTMFS7D5N15MC onsemi ntmfs7d5n15mc-d.pdf Description: PTNG 150V 7.4MOHM, POWERCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 295µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3835 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D5N15MC NTMFS7D5N15MC onsemi ntmfs7d5n15mc-d.pdf Description: PTNG 150V 7.4MOHM, POWERCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 295µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3835 pF @ 75 V
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.31 грн
10+253.81 грн
100+179.44 грн
500+139.29 грн
1000+135.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1G NVMFS4C01NWFT1G onsemi nvmfs4c01n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+181.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1G NVMFS4C01NWFT1G onsemi nvmfs4c01n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.68 грн
10+284.01 грн
100+229.75 грн
500+191.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFC-30050-SMT-TR1 MICROFC-30050-SMT-TR1 onsemi microc-series-d.pdf Description: SENSOR PHOTODIODE 420NM 4SMD
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Wavelength: 420nm
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Avalanche
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 600ps
Spectral Range: 300nm ~ 950nm
Color - Enhanced: Blue
Active Area: 9mm²
Current - Dark (Typ): 319nA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 24.7 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4311.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4091 MMBF4091 onsemi MMBF4091-93.pdf Description: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1280DR2 NCP1280DR2 onsemi NCP1280-D.pdf Description: IC OFFLINE SW MULT TOP 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Duty Cycle: 62%, 80%
Frequency - Switching: 150kHz ~ 300kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Forward, Secondary Side SR
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 25V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Fault Protection: Current Limiting, Over Voltage
Voltage - Start Up: 11 V
Control Features: Frequency Control, Soft Start
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
CAT524WI-T2 CAT524WI-T2 onsemi Description: IC POT DIGIT 4CH 8BIT BUF 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistance (Ohms): 24k
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Number of Taps: 256
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Temperature Coefficient (Typ): 300ppm/°C
Number of Circuits: 4
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB350 SB350 onsemi ONSM-S-A0003165973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 180pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB350 SB350 onsemi ONSM-S-A0003165973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 180pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5251WI-00 onsemi CATSS00895-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: CAT5251 - QUAD DIGITALLY PROGRAM
Resistance (Ohms): 100k
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: Non-Volatile
Interface: SPI
Configuration: Potentiometer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Number of Taps: 256
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Taper: Linear
Supplier Device Package: 24-SOIC
Resistance - Wiper (Ohms) (Typ): 200
Temperature Coefficient (Typ): ±300ppm/°C
Number of Circuits: 4
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+445.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05A2-AT1 SB10-05A2-AT1 onsemi SB10-05A2%2CA3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05A3 SB10-05A3 onsemi SB10-05A2%2CA3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05A2 SB10-05A2 onsemi SB10-05A2%2CA3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05A3-BT SB10-05A3-BT onsemi SB10-05A2%2CA3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-G FDS8878-G onsemi Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NTAG NTTFS6H888NTAG onsemi nttfs6h888n-d.pdf Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NTAG NTTFS6H888NTAG onsemi nttfs6h888n-d.pdf Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG NVTFS6H888NWFTAG onsemi nvtfs6h888n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.96 грн
3000+20.25 грн
4500+19.30 грн
7500+17.11 грн
10500+16.52 грн
15000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG NVTFS6H888NWFTAG onsemi nvtfs6h888n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+85.30 грн
10+51.11 грн
100+33.40 грн
500+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS022N06CTWG NVMYS022N06CTWG onsemi Description: T6 60V SL LFPAK4 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1G NSVBAS16TT1G onsemi BAS16TT1-D.PDF Description: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.48 грн
6000+2.01 грн
9000+1.91 грн
15000+1.67 грн
30000+1.56 грн
75000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1G NSVBAS16TT1G onsemi BAS16TT1-D.PDF Description: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 117571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.65 грн
40+8.38 грн
100+4.97 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MM5Z4699T5G mm5z4678t1-d.pdf
MM5Z4699T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.1 V
на замовлення 88000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.02 грн
16000+2.83 грн
24000+2.76 грн
40000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
MM5Z4699T5G mm5z4678t1-d.pdf
MM5Z4699T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V 500MW SOD523
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOD-523
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 9.1 V
на замовлення 92000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.09 грн
28+11.86 грн
100+5.20 грн
500+4.45 грн
1000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H150CTH
MBR20H150CTH
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -20°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
на замовлення 77000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
268+86.04 грн
Мінімальне замовлення: 268
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20H150CTH
MBR20H150CTH
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOTT 150V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -20°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81063MNTXG ncp81063-d.pdf
NCP81063MNTXG
Виробник: onsemi
Description: IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 13.2V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-DFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 27ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: N-Channel, P-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 3.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 1.6A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G ntd6416anl-d.pdf
NVD6416ANLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV78702DE0R2G ncv78702-d.pdf
NCV78702DE0R2G
Виробник: onsemi
Description: L702 IN TSSOPEP-20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 0.4V ~ 64.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Frequency: 350kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 20-TSSOP-EP
Dimming: PWM, SPI
Voltage - Supply (Min): 5V
Voltage - Supply (Max): 30V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+83.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NCV78702DE0R2G ncv78702-d.pdf
NCV78702DE0R2G
Виробник: onsemi
Description: L702 IN TSSOPEP-20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 0.4V ~ 64.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Frequency: 350kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 20-TSSOP-EP
Dimming: PWM, SPI
Voltage - Supply (Min): 5V
Voltage - Supply (Max): 30V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.85 грн
10+116.08 грн
25+105.94 грн
100+88.91 грн
250+83.89 грн
500+80.87 грн
1000+77.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL022N120M3S nthl022n120m3s-d.pdf
NTHL022N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1397.54 грн
10+994.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL060N090SC1 nthl060n090sc1-d.pdf
NTHL060N090SC1
Виробник: onsemi
Description: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 23413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+904.70 грн
30+553.91 грн
120+496.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL070N120M3S nthl070n120m3s-d.pdf
NTHL070N120M3S
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 13639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.70 грн
30+354.04 грн
120+298.49 грн
510+248.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL045N065SC1 nthl045n065sc1-d.pdf
NTHL045N065SC1
Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 4072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1014.99 грн
10+684.34 грн
450+494.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL1000N170M1 NTHL1000N170M1-D.PDF
NTHL1000N170M1
Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.63 грн
10+248.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10K RGP10M-D.pdf
RGP10K
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10K RGP10M-D.pdf
RGP10K
Виробник: onsemi
Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO41
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.40 грн
23+14.44 грн
100+11.53 грн
500+8.07 грн
1000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SZESD7241MXWT5G ESD7241-D.PDF
SZESD7241MXWT5G
Виробник: onsemi
Description: TVS DIODE 24VWM 48VC 2X2DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom, USB
Capacitance @ Frequency: 1pF @ 1MHz (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 2-X2DFNW (1x0.6)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48V (Typ)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.16 грн
16+20.83 грн
100+13.43 грн
500+10.29 грн
1000+8.89 грн
2000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
MC100EP131FAR2G mc10ep131-d.pdf
MC100EP131FAR2G
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SGL 4-BIT 32-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-LQFP
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: -3V ~ -5.5V
Current - Quiescent (Iq): 120 mA
Trigger Type: Positive, Negative
Clock Frequency: 3 GHz
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Number of Bits per Element: 4
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+1110.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MC100EP131FAR2G mc10ep131-d.pdf
MC100EP131FAR2G
Виробник: onsemi
Description: IC FF D-TYPE SGL 4-BIT 32-LQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 32-LQFP
Output Type: Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Set(Preset) and Reset
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: -3V ~ -5.5V
Current - Quiescent (Iq): 120 mA
Trigger Type: Positive, Negative
Clock Frequency: 3 GHz
Supplier Device Package: 32-LQFP (7x7)
Number of Bits per Element: 4
на замовлення 35700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1752.53 грн
10+1354.08 грн
25+1270.64 грн
100+1161.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KSA812YMTF ksa812-d.pdf
KSA812YMTF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 15867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7869+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 7869
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G nss12200l-d.pdf
NSV12200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.88 грн
6000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSV12200LT1G nss12200l-d.pdf
NSV12200LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 12V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 540 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.90 грн
10+37.67 грн
100+24.29 грн
500+17.38 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCV500SN33T1G ncp500-d.pdf
NCV500SN33T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 5-TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 62dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 300 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.01 грн
6000+15.00 грн
9000+14.80 грн
15000+13.67 грн
21000+13.54 грн
30000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCV500SN33T1G ncp500-d.pdf
NCV500SN33T1G
Виробник: onsemi
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 5-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 1 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-TSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 62dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 300 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 38843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.19 грн
14+24.64 грн
25+22.04 грн
100+17.99 грн
250+16.69 грн
500+15.91 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G dtc123e-d.pdf
MUN2231T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.44 грн
6000+2.10 грн
9000+1.97 грн
15000+1.71 грн
21000+1.63 грн
30000+1.55 грн
75000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1G dtc123e-d.pdf
MUN2231T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.51 грн
38+8.96 грн
100+5.58 грн
500+3.81 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2240T1G dtc144t-d.pdf
MUN2240T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2240T1G dtc144t-d.pdf
MUN2240T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2240T1G dtc144t-d.pdf
MUN2240T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
на замовлення 319000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2241T1G dtc115t-d.pdf
MUN2241T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2241T1G dtc115t-d.pdf
MUN2241T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2241T1G dtc115t-d.pdf
MUN2241T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2230T1G dtc113e-d.pdf
MUN2230T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 405000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10606+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 10606
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2237T1G dtc144w-d.pdf
MUN2237T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 389700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2234T1G dtc124x-d.pdf
MUN2234T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10969+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 10969
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2231T1 MUN2211T1%20Series.pdf
MUN2231T1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2241T1 MUN2211T1%20Series.pdf
MUN2241T1
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
на замовлення 80975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.
MUN2212T1 MUN2211T1%20Series.pdf
MUN2212T1
Виробник: onsemi
Description: TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 338 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D5N15MC ntmfs7d5n15mc-d.pdf
NTMFS7D5N15MC
Виробник: onsemi
Description: PTNG 150V 7.4MOHM, POWERCLIP56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 295µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3835 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D5N15MC ntmfs7d5n15mc-d.pdf
NTMFS7D5N15MC
Виробник: onsemi
Description: PTNG 150V 7.4MOHM, POWERCLIP56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 295µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3835 pF @ 75 V
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.31 грн
10+253.81 грн
100+179.44 грн
500+139.29 грн
1000+135.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1G nvmfs4c01n-d.pdf
NVMFS4C01NWFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+181.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS4C01NWFT1G nvmfs4c01n-d.pdf
NVMFS4C01NWFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 319A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.84W (Ta), 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10144 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.68 грн
10+284.01 грн
100+229.75 грн
500+191.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MICROFC-30050-SMT-TR1 microc-series-d.pdf
MICROFC-30050-SMT-TR1
Виробник: onsemi
Description: SENSOR PHOTODIODE 420NM 4SMD
Packaging: Strip
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Wavelength: 420nm
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Avalanche
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 600ps
Spectral Range: 300nm ~ 950nm
Color - Enhanced: Blue
Active Area: 9mm²
Current - Dark (Typ): 319nA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 24.7 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4311.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMBF4091 MMBF4091-93.pdf
MMBF4091
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 40V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 20V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1280DR2 NCP1280-D.pdf
NCP1280DR2
Виробник: onsemi
Description: IC OFFLINE SW MULT TOP 16SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Duty Cycle: 62%, 80%
Frequency - Switching: 150kHz ~ 300kHz
Internal Switch(s): No
Voltage - Breakdown: 700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Forward, Secondary Side SR
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V ~ 25V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Fault Protection: Current Limiting, Over Voltage
Voltage - Start Up: 11 V
Control Features: Frequency Control, Soft Start
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
398+58.04 грн
Мінімальне замовлення: 398
В кошику  од. на суму  грн.
CAT524WI-T2
CAT524WI-T2
Виробник: onsemi
Description: IC POT DIGIT 4CH 8BIT BUF 14SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistance (Ohms): 24k
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Number of Taps: 256
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Temperature Coefficient (Typ): 300ppm/°C
Number of Circuits: 4
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB350 ONSM-S-A0003165973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SB350
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 180pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB350 ONSM-S-A0003165973-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SB350
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 180pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 740 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5251WI-00 CATSS00895-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: CAT5251 - QUAD DIGITALLY PROGRAM
Resistance (Ohms): 100k
Tolerance: ±20%
Packaging: Bulk
Package / Case: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: Non-Volatile
Interface: SPI
Configuration: Potentiometer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Number of Taps: 256
Voltage - Supply: 2.5V ~ 6V
Taper: Linear
Supplier Device Package: 24-SOIC
Resistance - Wiper (Ohms) (Typ): 200
Temperature Coefficient (Typ): ±300ppm/°C
Number of Circuits: 4
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+445.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05A2-AT1 SB10-05A2%2CA3.pdf
SB10-05A2-AT1
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05A3 SB10-05A2%2CA3.pdf
SB10-05A3
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05A2 SB10-05A2%2CA3.pdf
SB10-05A2
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB10-05A3-BT SB10-05A2%2CA3.pdf
SB10-05A3-BT
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS8878-G
FDS8878-G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NTAG nttfs6h888n-d.pdf
NTTFS6H888NTAG
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H888NTAG nttfs6h888n-d.pdf
NTTFS6H888NTAG
Виробник: onsemi
Description: T8 80V U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG nvtfs6h888n-d.pdf
NVTFS6H888NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 76500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+22.96 грн
3000+20.25 грн
4500+19.30 грн
7500+17.11 грн
10500+16.52 грн
15000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NWFTAG nvtfs6h888n-d.pdf
NVTFS6H888NWFTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.30 грн
10+51.11 грн
100+33.40 грн
500+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS022N06CTWG
NVMYS022N06CTWG
Виробник: onsemi
Description: T6 60V SL LFPAK4 5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1G BAS16TT1-D.PDF
NSVBAS16TT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.48 грн
6000+2.01 грн
9000+1.91 грн
15000+1.67 грн
30000+1.56 грн
75000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVBAS16TT1G BAS16TT1-D.PDF
NSVBAS16TT1G
Виробник: onsemi
Description: DIODE STD 100V 200MA SC75 SOT416
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 117571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.65 грн
40+8.38 грн
100+4.97 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1171 1172 1173 1174 1175 1410 1645 1880 2115 2350 2356  [ Наступна Сторінка >> ]