Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (147478) > Сторінка 1917 з 2458

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1912 1913 1914 1915 1916 1917 1918 1919 1920 1921 1922 1960 2205 2450 2458  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NLV17SZ08DFT2G NLV17SZ08DFT2G ONSEMI 2907169.pdf Description: ONSEMI - NLV17SZ08DFT2G - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 17SZ08
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -888A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.71 грн
46+18.20 грн
103+8.13 грн
500+6.22 грн
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG TIP29CG ONSEMI ONSM-S-A0014426484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP29CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1665A FFSH1665A ONSEMI 2619969.pdf Description: ONSEMI - FFSH1665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA916YTA KSA916YTA ONSEMI ONSM-S-A0013296991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSA916YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-92L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.83 грн
29+28.97 грн
100+14.86 грн
500+13.10 грн
1000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ321 FSQ321 ONSEMI FSQ321-D.pdf Description: ONSEMI - FSQ321 - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1HN04CH-TL-W 1HN04CH-TL-W ONSEMI 2255213.pdf Description: ONSEMI - 1HN04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 270 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 270
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1HP04CH-TL-W 1HP04CH-TL-W ONSEMI 2578316.pdf Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 57003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.71 грн
34+25.29 грн
100+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
1N4735A-T50R 1N4735A-T50R ONSEMI 2552611.pdf Description: ONSEMI - 1N4735A-T50R - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB07-03C-TB-E SB07-03C-TB-E ONSEMI ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.56 грн
34+24.63 грн
100+16.70 грн
500+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
1SV267-TB-E 1SV267-TB-E ONSEMI ONSMS36319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1SV267-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 2.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 910mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 2.5ohm
на замовлення 49934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SB01-05C-TB-E SB01-05C-TB-E ONSEMI ONSMS38557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.30 грн
42+20.20 грн
100+15.61 грн
500+10.93 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
15C01SS-TL-E 15C01SS-TL-E ONSEMI ENN7508-D.PDF Description: ONSEMI - 15C01SS-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T5G BAS16XV2T5G ONSEMI 1916627.pdf Description: ONSEMI - BAS16XV2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 68809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.60 грн
131+6.38 грн
244+3.42 грн
500+2.85 грн
1000+2.33 грн
5000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G NTK3139PT5G ONSEMI ONSM-S-A0013669712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.06 грн
39+21.79 грн
100+10.69 грн
500+8.60 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5901BDR2G NCP5901BDR2G ONSEMI 1878376.pdf Description: ONSEMI - NCP5901BDR2G - MOSFET-Treiber High- & Low-Side, 4.5-32V Versorgung, 12.2mAout, 25ns Ausbreitungsverzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 11ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.17 грн
24+35.64 грн
100+25.38 грн
500+19.61 грн
1000+13.88 грн
2500+11.88 грн
5000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5901DR2G NCP5901DR2G ONSEMI 1878377.pdf Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5901DR2G NCP5901DR2G ONSEMI 1878377.pdf Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8161BSN330T1G NCV8161BSN330T1G ONSEMI 2290244.pdf Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+94.33 грн
11+80.30 грн
100+54.51 грн
500+47.90 грн
1000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQP65N06 FQP65N06 ONSEMI ONSM-S-A0003584779-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06, FDP65N06, ONSEMI Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+164.45 грн
10+151.09 грн
100+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F ONSEMI 2859334.pdf Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+469.98 грн
10+348.93 грн
100+270.47 грн
500+241.84 грн
1000+214.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F FCB110N65F ONSEMI 2859334.pdf Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+270.47 грн
500+241.84 грн
1000+214.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS50R4G NCP59301DS50R4G ONSEMI NCP59300-D.PDF Description: ONSEMI - NCP59301DS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5Vin, 400mV Dropout, 5V/3Aout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 3A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.59 грн
10+293.84 грн
100+242.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718ASNADJT1G NCP718ASNADJT1G ONSEMI 2571975.pdf Description: ONSEMI - NCP718ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24Vin, 480mV Dropout, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+48.75 грн
22+38.07 грн
100+26.96 грн
500+23.18 грн
1000+17.67 грн
2500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SURHS8160T3G SURHS8160T3G ONSEMI ONSM-S-A0002809432-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.28 грн
51+16.53 грн
100+14.44 грн
500+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1G NVTR4502PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.84 грн
23+36.90 грн
100+24.54 грн
500+17.36 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1G NVTR4502PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013300649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.54 грн
500+17.36 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5112VI-10-GT3 CAT5112VI-10-GT3 ONSEMI cat5112-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113ZI-10-T3 CAT5113ZI-10-T3 ONSEMI cat5113-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5111VI-10-GT3 CAT5111VI-10-GT3 ONSEMI cat5111-d.pdf Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06L FQPF20N06L ONSEMI 2304174.pdf Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06 FQPF20N06 ONSEMI FQPF20N06-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF320N06L FDPF320N06L ONSEMI FDPF320N06L-D.pdf Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 FDP027N08B-F102 ONSEMI 2859355.pdf Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.60 грн
10+210.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TIP140G TIP140G ONSEMI ONSM-S-A0013669705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-218
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.55 грн
10+167.79 грн
100+141.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF13N80 FQAF13N80 ONSEMI ONSM-S-A0003590937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.42 грн
10+353.94 грн
100+271.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ32P5X NC7SZ32P5X ONSEMI nc7sz32-d.pdf Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+25.21 грн
50+21.29 грн
100+9.85 грн
500+6.91 грн
1500+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ32DFT2G NL17SZ32DFT2G ONSEMI nl17sz32-d.pdf Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.46 грн
51+16.44 грн
127+6.61 грн
500+5.22 грн
1000+3.96 грн
5000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06L FQP30N06L ONSEMI ONSM-S-A0003584761-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.97 грн
10+140.24 грн
100+112.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06 FQP30N06 ONSEMI ONSM-S-A0003585260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC144EET1G DTC144EET1G ONSEMI 2255240.pdf Description: ONSEMI - DTC144EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC144E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+9.60 грн
131+6.38 грн
256+3.26 грн
500+2.85 грн
1500+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
CAT9532HV6I-GT2 CAT9532HV6I-GT2 ONSEMI 2337861.pdf Description: ONSEMI - CAT9532HV6I-GT2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 16 Bit, I2C-Schnittstelle, 2.3V bis 5.5Vin, 400kHz, 25mAout, TQFN-24
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT9554YI-GT2 CAT9554YI-GT2 ONSEMI CAT9554-D.PDF Description: ONSEMI - CAT9554YI-GT2 - I/O-Erweiterung, 8bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 8bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU ONSEMI 2907447.pdf Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.85 грн
10+96.83 грн
100+75.80 грн
500+57.83 грн
1000+39.57 грн
5000+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP2820FCT1G NCP2820FCT1G ONSEMI 1878953.pdf Description: ONSEMI - NCP2820FCT1G - Audioleistungsverstärker, 2.63 W, D, 1 Kanal, 2.5V bis 5.5V, FCCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: FCCSP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Verstärkerklasse: D
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: 2.63W
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1822267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.22 грн
10+107.69 грн
100+85.15 грн
500+55.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.77 грн
106+7.89 грн
167+5.02 грн
500+3.40 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G BC808-25LT1G ONSEMI 2355025.pdf Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.40 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC00DTR2G NLV74VHC00DTR2G ONSEMI MC74VHC00-D.PDF Description: ONSEMI - NLV74VHC00DTR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74VHC00
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74VHC00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G BC807-40LT1G ONSEMI 2237009.pdf description Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+13.02 грн
104+8.05 грн
210+3.98 грн
500+3.14 грн
1500+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H NTHL067N65S3H ONSEMI 3191509.pdf Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.53 грн
5+477.49 грн
10+452.45 грн
50+397.65 грн
100+345.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065A FFSH4065A ONSEMI ONSM-S-A0017607307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 119nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+934.94 грн
5+833.10 грн
10+730.42 грн
50+575.93 грн
100+485.84 грн
250+439.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57080ADR2G NCD57080ADR2G ONSEMI 3005714.pdf Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.49 грн
10+154.43 грн
50+136.90 грн
100+110.07 грн
250+88.72 грн
500+86.58 грн
1000+68.48 грн
2500+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57080ADR2G NCD57080ADR2G ONSEMI 3005714.pdf Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.07 грн
250+88.72 грн
500+86.58 грн
1000+68.48 грн
2500+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33161DR2G NCV33161DR2G ONSEMI mc34161-d.pdf Description: ONSEMI - NCV33161DR2G - Universeller Spannungswächter, AEC-Q100, 40V Versorgungsspannung, 1.27V Schwellenspannung, SOIC-8
Rücksetzungs-Typ: -
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Schwellenspannung: 1.27
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.79 грн
14+62.94 грн
100+48.33 грн
500+31.32 грн
2500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NCV210RSQT2G NCV210RSQT2G ONSEMI 2711393.pdf Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.42 грн
11+81.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCV21911SN2T1G NCV21911SN2T1G ONSEMI ncs21911-d.pdf Description: ONSEMI - NCV21911SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.91 грн
10+179.48 грн
50+161.95 грн
100+133.32 грн
250+107.33 грн
500+105.18 грн
1000+83.00 грн
2500+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX245BQX ONSEMI 2907124.pdf Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
Logik-IC-Familie: 74LCX
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.48 грн
12+71.62 грн
100+55.01 грн
500+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX245BQX ONSEMI 2907124.pdf Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.01 грн
500+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51145PDR2G NCP51145PDR2G ONSEMI 2354518.pdf Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51145PDR2G NCP51145PDR2G ONSEMI 1863239.pdf Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLV17SZ08DFT2G 2907169.pdf
NLV17SZ08DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV17SZ08DFT2G - Logik-IC, AND-Gatter, Eins, 2 Inputs, 5 Pin(s), SC-88A, 17SZ08
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -888A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.71 грн
46+18.20 грн
103+8.13 грн
500+6.22 грн
3000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TIP29CG ONSM-S-A0014426484-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TIP29CG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP29CG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
Verlustleistung: 30
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH1665A 2619969.pdf
FFSH1665A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH1665A - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 16 A, 52 nC, TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 52
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: TO-247
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSA916YTA ONSM-S-A0013296991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSA916YTA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSA916YTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 800 mA, 900 mW, TO-92L, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 800mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: TO-92L
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.83 грн
29+28.97 грн
100+14.86 грн
500+13.10 грн
1000+11.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FSQ321 FSQ321-D.pdf
FSQ321
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ321 - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1HN04CH-TL-W 2255213.pdf
1HN04CH-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1HN04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 270 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 270
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.6
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1HP04CH-TL-W 2578316.pdf
1HP04CH-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 170 mA, 18 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 18ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 57003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.71 грн
34+25.29 грн
100+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
1N4735A-T50R 2552611.pdf
1N4735A-T50R
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4735A-T50R - Zener-Diode, 6.2 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 6.2
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB07-03C-TB-E ONSMS36749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB07-03C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB07-03C-TB-E - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 700 mA, 550 mV, 5 A, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 700mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+36.56 грн
34+24.63 грн
100+16.70 грн
500+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
1SV267-TB-E ONSMS36319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1SV267-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SV267-TB-E - HF/pin-Diode, Zweifach in Reihe, 2.5 ohm, 50 V, SOT-23, 3 Pins, 0.23 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Durchlassspannung: 910mV
Diodenkapazität: 0.23pF
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Durchlassstrom: 50mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 2.5ohm
на замовлення 49934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SB01-05C-TB-E ONSMS38557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB01-05C-TB-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB01-05C-TB-E - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 100 mA, Einfach, SOT-23, 3 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.30 грн
42+20.20 грн
100+15.61 грн
500+10.93 грн
1000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
15C01SS-TL-E ENN7508-D.PDF
15C01SS-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 15C01SS-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16XV2T5G 1916627.pdf
BAS16XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS16XV2T5G - Kleinsignaldiode, Einfach, 100 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 68809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+9.60 грн
131+6.38 грн
244+3.42 грн
500+2.85 грн
1000+2.33 грн
5000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3139PT5G ONSM-S-A0013669712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTK3139PT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTK3139PT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 780 mA, 0.38 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 780mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.06 грн
39+21.79 грн
100+10.69 грн
500+8.60 грн
1000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5901BDR2G 1878376.pdf
NCP5901BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5901BDR2G - MOSFET-Treiber High- & Low-Side, 4.5-32V Versorgung, 12.2mAout, 25ns Ausbreitungsverzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Eingabeverzögerung: 16ns
Ausgabeverzögerung: 11ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.17 грн
24+35.64 грн
100+25.38 грн
500+19.61 грн
1000+13.88 грн
2500+11.88 грн
5000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5901DR2G 1878377.pdf
NCP5901DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP5901DR2G 1878377.pdf
NCP5901DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5901DR2G - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-13.2V Versorgungsspannung, -11ns Verzögerung, SOIC-8
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 2
Betriebstemperatur, min.: -10
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 4.5
Bauform - Treiber: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 13.2
Eingabeverzögerung: 16
Ausgabeverzögerung: 11
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV8161BSN330T1G 2290244.pdf
NCV8161BSN330T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV8161BSN330T1G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 330mV Dropout, 3.3V/450mAout, TSOP-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 175mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 175mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+94.33 грн
11+80.30 грн
100+54.51 грн
500+47.90 грн
1000+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FQP65N06 ONSM-S-A0003584779-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP65N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP65N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP65N06,
FDP65N06,
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP65N06, - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 65 A, 0.016 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 65
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+164.45 грн
10+151.09 грн
100+121.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F 2859334.pdf
FCB110N65F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+469.98 грн
10+348.93 грн
100+270.47 грн
500+241.84 грн
1000+214.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCB110N65F 2859334.pdf
FCB110N65F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB110N65F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.096 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.096ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+270.47 грн
500+241.84 грн
1000+214.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP59301DS50R4G NCP59300-D.PDF
NCP59301DS50R4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP59301DS50R4G - LDO-Festspannungsregler, 2.24V bis 13.5Vin, 400mV Dropout, 5V/3Aout, TO-263-5
Ausgang: Fest
Feste Ausgangsspannung, nom.: 5
Ausgangsstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
Bauform - LDO-Regler: TO-263 (D2PAK)
Betriebstemperatur, min.: -40
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Eingangsspannung, max.: 13.5
Eingangsspannung, min.: 2.24
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: 5V 3A LDO Voltage Regulators
Dropout-Spannung Vdo: 300
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+345.59 грн
10+293.84 грн
100+242.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718ASNADJT1G 2571975.pdf
NCP718ASNADJT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718ASNADJT1G - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 2.5V bis 24Vin, 480mV Dropout, 1.2V bis 5V/300mAout, TSOT-23-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.75 грн
22+38.07 грн
100+26.96 грн
500+23.18 грн
1000+17.67 грн
2500+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SURHS8160T3G ONSM-S-A0002809432-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SURHS8160T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SURHS8160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.4 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+19.28 грн
51+16.53 грн
100+14.44 грн
500+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1G ONSM-S-A0013300649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTR4502PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.84 грн
23+36.90 грн
100+24.54 грн
500+17.36 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR4502PT1G ONSM-S-A0013300649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTR4502PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.54 грн
500+17.36 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5112VI-10-GT3 cat5112-d.pdf
CAT5112VI-10-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5112VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 32
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5113ZI-10-T3 cat5113-d.pdf
CAT5113ZI-10-T3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5113ZI-10-T3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: MSOP
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT5111VI-10-GT3 cat5111-d.pdf
CAT5111VI-10-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT5111VI-10-GT3 - Digitalpotentiometer, nichtflüchtig, 10 kohm, Einfach, Auf, Ab, Linear, ± 20%, 2.5 V
Bauform - Potentiometer: SOIC
Anzahl der Potentiometer: Einfach
Widerstandsverlauf: Linear
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl Schritte: 100
Betriebstemperatur, min.: -40
Widerstandstoleranz: ± 20%
Versorgungsspannung, min.: 2.5
Temperaturkoeffizient: 300ppm/°C
Steuer-/Bedienschnittstelle: Auf, Ab
Gesamtwiderstand: 10
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06L 2304174.pdf
FQPF20N06L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF20N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15.7 A, 0.042 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQPF20N06 FQPF20N06-D.pdf
FQPF20N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.048 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 30
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDPF320N06L FDPF320N06L-D.pdf
FDPF320N06L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF320N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.02 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDP027N08B-F102 2859355.pdf
FDP027N08B-F102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP027N08B-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 223 A, 0.00221 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 246W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00221ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.60 грн
10+210.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TIP140G ONSM-S-A0013669705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TIP140G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TIP140G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 500hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-218
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.55 грн
10+167.79 грн
100+141.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FQAF13N80 ONSM-S-A0003590937-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQAF13N80
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+437.42 грн
10+353.94 грн
100+271.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ32P5X nc7sz32-d.pdf
NC7SZ32P5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ32P5X - OR-Gatter, NC7S32, 2 Eingänge, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 7SZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 32mA
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+25.21 грн
50+21.29 грн
100+9.85 грн
500+6.91 грн
1500+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SZ32DFT2G nl17sz32-d.pdf
NL17SZ32DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SZ32DFT2G - OR-Gatter, Baureihe NL17SZ32, 2 Eingänge, 1.65V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOT-353-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: OR-Gatter
Logik-IC-Familie: 17SZ
Bauform - Logikbaustein: SOT-353
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-353
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 17SZ32
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl von Elementen: Eins
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+25.46 грн
51+16.44 грн
127+6.61 грн
500+5.22 грн
1000+3.96 грн
5000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06L ONSM-S-A0003584761-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP30N06L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP30N06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.97 грн
10+140.24 грн
100+112.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FQP30N06 ONSM-S-A0003585260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP30N06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP30N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.031 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 79
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC144EET1G 2255240.pdf
DTC144EET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC144EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC144E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
87+9.60 грн
131+6.38 грн
256+3.26 грн
500+2.85 грн
1500+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 87
В кошику  од. на суму  грн.
CAT9532HV6I-GT2 2337861.pdf
CAT9532HV6I-GT2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9532HV6I-GT2 - LED-Treiber, 16 Ausgänge, 16 Bit, I2C-Schnittstelle, 2.3V bis 5.5Vin, 400kHz, 25mAout, TQFN-24
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAT9554YI-GT2 CAT9554-D.PDF
CAT9554YI-GT2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9554YI-GT2 - I/O-Erweiterung, 8bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 8bit
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQU2N100TU 2907447.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU2N100TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 1.6 A, 7.1 ohm, TO-251
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+106.85 грн
10+96.83 грн
100+75.80 грн
500+57.83 грн
1000+39.57 грн
5000+38.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NCP2820FCT1G 1878953.pdf
NCP2820FCT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP2820FCT1G - Audioleistungsverstärker, 2.63 W, D, 1 Kanal, 2.5V bis 5.5V, FCCSP, 9 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Versorgungsspannung: 2.5V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: FCCSP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Lastimpedanz: 4ohm
Verstärkerklasse: D
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsleistung: 2.63W
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1822267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.22 грн
10+107.69 грн
100+85.15 грн
500+55.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G 2355025.pdf
BC808-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.77 грн
106+7.89 грн
167+5.02 грн
500+3.40 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
BC808-25LT1G 2355025.pdf
BC808-25LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC808-25LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 25 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.40 грн
1500+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NLV74VHC00DTR2G MC74VHC00-D.PDF
NLV74VHC00DTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74VHC00DTR2G - Logik-IC, NAND-Gatter, Vier, 2 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74VHC00
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 74VHC
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74VHC00
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 2
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Vier
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-40LT1G description 2237009.pdf
BC807-40LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC807-40LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.02 грн
104+8.05 грн
210+3.98 грн
500+3.14 грн
1500+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
NTHL067N65S3H 3191509.pdf
NTHL067N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+502.53 грн
5+477.49 грн
10+452.45 грн
50+397.65 грн
100+345.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FFSH4065A ONSM-S-A0017607307-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FFSH4065A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FFSH4065A - SiC-Schottky-Diode, EliteSiC, Einfach, 650 V, 40 A, 119 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 119nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+934.94 грн
5+833.10 грн
10+730.42 грн
50+575.93 грн
100+485.84 грн
250+439.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57080ADR2G 3005714.pdf
NCD57080ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.49 грн
10+154.43 грн
50+136.90 грн
100+110.07 грн
250+88.72 грн
500+86.58 грн
1000+68.48 грн
2500+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCD57080ADR2G 3005714.pdf
NCD57080ADR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCD57080ADR2G - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Isoliert, IGBT, 8 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 6A
Treiberkonfiguration: -
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.07 грн
250+88.72 грн
500+86.58 грн
1000+68.48 грн
2500+65.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV33161DR2G mc34161-d.pdf
NCV33161DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV33161DR2G - Universeller Spannungswächter, AEC-Q100, 40V Versorgungsspannung, 1.27V Schwellenspannung, SOIC-8
Rücksetzungs-Typ: -
Verzögerungszeit: -
Bauform - digitaler IC: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 40
Schwellenspannung: 1.27
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.79 грн
14+62.94 грн
100+48.33 грн
500+31.32 грн
2500+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NCV210RSQT2G 2711393.pdf
NCV210RSQT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV210RSQT2G - Strommessverstärker, High-Side, Low-Side, 40 kHz, SC-70, 6 Pin(s), -40 °C, 125 °C
tariffCode: 85423390
CMRR: 125dB
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SC-70
Verstärkung: 200V/V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 40kHz
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 26V
Strommessverstärker: High-Side, Low-Side
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.42 грн
11+81.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCV21911SN2T1G ncs21911-d.pdf
NCV21911SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV21911SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 2 MHz, 1.6 V/µs, 4V bis 36V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423190
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 4V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 1.6V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Ausgang (RRO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 2MHz
Eingangsoffsetspannung: 1µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100pA
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+237.91 грн
10+179.48 грн
50+161.95 грн
100+133.32 грн
250+107.33 грн
500+105.18 грн
1000+83.00 грн
2500+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX245BQX 2907124.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
Logik-IC-Sockelnummer: 74245
Logik-IC-Familie: 74LCX
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Logikfamilie / Sockelnummer: 74LCX245
Logikbaustein: Transceiver, bidirektional
Anzahl der Pins: 20
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+83.48 грн
12+71.62 грн
100+55.01 грн
500+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX245BQX 2907124.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74LCX245BQX - TRANSCEIVER, BIDIREKTIONAL, -40 BIS 85°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+55.01 грн
500+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51145PDR2G 2354518.pdf
NCP51145PDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCP51145PDR2G 1863239.pdf
NCP51145PDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP51145PDR2G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1V bis 5.5V Eingangsspannung, 1.8Aout, SOIC-8
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Versorgungsspannung, min.: 4.75
Anzahl der Pins: 8
Unterstützter Speicher: DDR2, DDR3, LPDDR3, DDR4
Bauform des DDR-Reglers: SOIC
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Source- / Sink-Strom: 1.8
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 245 490 735 980 1225 1470 1715 1912 1913 1914 1915 1916 1917 1918 1919 1920 1921 1922 1960 2205 2450 2458  [ Наступна Сторінка >> ]