Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142459) > Сторінка 424 з 2375

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 419 420 421 422 423 424 425 426 427 428 429 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NLAS4053DTR2G NLAS4053DTR2G onsemi nlas4053-d.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 3 26OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 26Ohm
-3db Bandwidth: 180MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 5V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V
Charge Injection: 12pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 23ns, 23ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4157DFT2G NLAS4157DFT2G onsemi Description: IC SWITCH SPDTX1 1.15OHM SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.15Ohm
-3db Bandwidth: 40MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 48pC
Crosstalk: -57dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 20ns, 15ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.96 грн
10+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4501DFT2G NLAS4501DFT2G onsemi nlas4501-d.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX1 25OHM SC88A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 220MHz
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 9ns, 10ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4599DTT1G NLAS4599DTT1G onsemi nlas4599-d.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4684FCT1G NLAS4684FCT1G onsemi nlas4684-d.pdf Description: IC SW SPDTX2 800MOHM 10MICROBUMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 800mOhm
-3db Bandwidth: 9.5MHz
Supplier Device Package: 10-Microbump
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 15pC
Crosstalk: -83dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 102pF, 104pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4684MR2G NLAS4684MR2G onsemi nlas4684-d.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 800MOHM 10MICRO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 800mOhm
-3db Bandwidth: 9.5MHz
Supplier Device Package: 10-Micro
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 15pC
Crosstalk: -83dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 102pF, 104pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4717EPFCT1G NLAS4717EPFCT1G onsemi nlas4717ep-d.pdf Description: IC SW SPDTX2 3.5OHM 10MICROBUMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.5Ohm
-3db Bandwidth: 90MHz
Supplier Device Package: 10-Microbump
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -110dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 40ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 15pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4783BMN1R2G NLAS4783BMN1R2G onsemi nlas4783b-d.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 3 1OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1Ohm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V
Charge Injection: 50pC
Crosstalk: -62dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 27ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4783MN1R2G NLAS4783MN1R2G onsemi nlas4783-d.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 3 1OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1Ohm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V
Charge Injection: 50pC
Crosstalk: -62dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 27ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.52 грн
10+95.78 грн
25+90.94 грн
100+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS5223BMNR2G NLAS5223BMNR2G onsemi nlas5223b-d.pdf Description: IC SWITCH SPDTX2 350MOHM 10WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 350mOhm
-3db Bandwidth: 19MHz
Supplier Device Package: 10-WQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -70dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 60pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.74 грн
10+50.83 грн
25+42.26 грн
100+30.49 грн
250+25.99 грн
500+23.23 грн
1000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS5223LMNR2G NLAS5223LMNR2G onsemi nlas5223-d.pdf Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10WQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS5223MNR2G NLAS5223MNR2G onsemi nlas5223-d.pdf Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300mOhm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 10-WQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 3.6V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -70dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 75pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.30 грн
10+84.80 грн
25+80.54 грн
100+62.08 грн
250+58.04 грн
500+51.29 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS7222AMTR2G NLAS7222AMTR2G onsemi nlas7222a-d.pdf Description: IC USB SWITCH DPDT 10WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: USB 2.0
Package / Case: 10-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 9Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 10-WQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Switch Circuit: DPDT
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.44 грн
10+71.59 грн
25+67.97 грн
100+48.98 грн
250+43.29 грн
500+41.01 грн
1000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NLASB3157MTR2G NLASB3157MTR2G onsemi nlasb3157-d.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 7OHM 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (1.2x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.09 грн
12+27.21 грн
25+22.34 грн
100+15.80 грн
250+13.27 грн
500+11.71 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NLAST4051DTR2G NLAST4051DTR2G onsemi nlast4051-d.pdf Description: IC MUX 8:1 26OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 26Ohm
-3db Bandwidth: 95MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 5V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V
Charge Injection: 12pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 23ns, 23ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.70 грн
10+63.00 грн
25+59.82 грн
100+43.11 грн
250+38.10 грн
500+36.10 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NLAST4599DTT1G NLAST4599DTT1G onsemi nlast4599-d.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.00 грн
11+29.75 грн
25+27.24 грн
100+17.23 грн
250+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NLSF595DTR2G NLSF595DTR2G onsemi nlsf595-d.pdf Description: IC LED DRVR LINEAR 12MA 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Voltage - Output: 5.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Type: Linear
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Current - Output / Channel: 12mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply (Min): 2V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLSF595MNR2G NLSF595MNR2G onsemi nlsf595-d.pdf Description: IC LED DRIVER LINEAR 12MA 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 5.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Type: Linear
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Current - Output / Channel: 12mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply (Min): 2V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVLCX125DTR2G NLVLCX125DTR2G onsemi mc74lcx125-d.pdf Description: IC LINE DRVR NON-INVERT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Line Driver, Non-Inverting
Number of Bits per Element: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+78.20 грн
25+74.24 грн
100+53.50 грн
250+47.28 грн
500+44.79 грн
1000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1G NSBC115EDXV6T1G onsemi dtc115ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.39 грн
15+21.40 грн
100+10.79 грн
500+8.27 грн
1000+6.13 грн
2000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0320MW2T3G NSR0320MW2T3G onsemi nsr0320mw2t1-d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 15 V
на замовлення 23651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.74 грн
46+7.00 грн
100+5.86 грн
500+4.03 грн
1000+3.40 грн
2000+3.15 грн
5000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSR30CM3T5G NSR30CM3T5G onsemi nsr30cm3t5g-d.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 44455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.57 грн
46+7.00 грн
100+5.56 грн
500+4.33 грн
1000+3.68 грн
2000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1G NSS20300MR6T1G onsemi nss20300mr6t1g-d.pdf Description: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.13 грн
10+35.08 грн
100+26.17 грн
500+19.30 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G NSS30100LT1G onsemi nss30100lt1g-d.pdf Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+19.73 грн
100+13.32 грн
500+9.72 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G NSS30101LT1G onsemi nss30101lt1g-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+19.73 грн
100+13.32 грн
500+9.72 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NST30010MXV6T1G NST30010MXV6T1G onsemi nst30010mxv6-d.pdf Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 6036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.00 грн
10+47.57 грн
100+32.93 грн
500+25.82 грн
1000+21.98 грн
2000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NST3904DXV6T1G NST3904DXV6T1G onsemi nst3904dxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 15088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.70 грн
16+20.21 грн
100+12.75 грн
500+8.94 грн
1000+7.97 грн
2000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NST3946DXV6T1G NST3946DXV6T1G onsemi nst3946dxv6t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.70 грн
16+20.52 грн
100+12.97 грн
500+9.09 грн
1000+8.09 грн
2000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NST489AMT1G NST489AMT1G onsemi nst489amt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 48025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.26 грн
10+39.22 грн
100+25.50 грн
500+18.38 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTB23N03RT4G NTB23N03RT4G onsemi ntb23n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB75N06T4G NTB75N06T4G onsemi ntb75n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G NTD14N03RT4G onsemi ntd14n03r-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
12+28.32 грн
100+26.47 грн
500+22.21 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G NTD20N06T4G onsemi ntd20n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.65 грн
10+85.75 грн
100+67.01 грн
500+50.30 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G NTD3055-150T4G onsemi ntd3055-150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.70 грн
10+49.80 грн
100+36.16 грн
500+29.33 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4G NTD3055L170T4G onsemi ntd3055l170-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4G NTD40N03RT4G onsemi ntd40n03r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4G NTD4302T4G onsemi ntd4302-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4G NTD4809NHT4G onsemi NTD4809NH%2CNVD4809NH.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03T4G NTD78N03T4G onsemi ntd78n03-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02RT4G NTD85N02RT4G onsemi ntd85n02r-d.pdf Description: MOSFET N-CH 24V 12A/85A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T3G NTF3055L108T3G onsemi ntf3055l108-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF5P03T3G NTF5P03T3G onsemi ntf5p03t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 9303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.44 грн
10+73.98 грн
100+49.26 грн
500+36.29 грн
1000+33.09 грн
2000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTF6P02T3G NTF6P02T3G onsemi ntf6p02t3-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
на замовлення 278827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.70 грн
10+52.18 грн
100+35.19 грн
500+25.69 грн
1000+23.33 грн
2000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1G NTGS3130NT1G onsemi ntgs3130n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.83 грн
10+57.91 грн
100+38.22 грн
500+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1G NTHD3102CT1G onsemi nthd3102c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G NTHD4102PT1G onsemi nthd4102p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 41673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.70 грн
10+67.30 грн
100+44.87 грн
500+33.08 грн
1000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G NTHD4P02FT1G onsemi Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.48 грн
10+87.90 грн
100+62.22 грн
500+47.64 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G onsemi nths4101p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.65 грн
10+62.53 грн
100+43.65 грн
500+33.01 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1G NTHS5404T1G onsemi nths5404t1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1G NTHS5441T1G onsemi nths5441t1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1G NTJD4158CT1G onsemi ntjd4158c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.39 грн
18+18.30 грн
100+11.53 грн
500+8.20 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1G NTJS4160NT1G onsemi ntjs4160n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3043NT1G NTK3043NT1G onsemi ntk3043n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.65V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
на замовлення 61329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.96 грн
23+14.08 грн
100+8.79 грн
500+6.09 грн
1000+5.39 грн
2000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G NTLJD3115PT1G onsemi ntljd3115p-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.35 грн
10+44.87 грн
100+29.35 грн
500+21.28 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG NTLJD3119CTBG onsemi ntljd3119c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 23927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.57 грн
10+52.90 грн
100+34.87 грн
500+25.45 грн
1000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1G NTLJF3117PT1G onsemi ntljf3117p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 75647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.70 грн
12+26.81 грн
100+20.85 грн
500+15.03 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G onsemi ntljf4156n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 12053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.39 грн
10+41.21 грн
100+28.69 грн
500+21.02 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1G NTLJS4114NT1G onsemi ntljs4114n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.78 грн
10+61.41 грн
100+40.67 грн
500+29.80 грн
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G NTMD4N03R2G onsemi ntmd4n03r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 30588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.70 грн
10+55.61 грн
100+36.53 грн
500+26.60 грн
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2G NTMD6N03R2G onsemi ntmd6n03r2-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4053DTR2G nlas4053-d.pdf
NLAS4053DTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDT X 3 26OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 26Ohm
-3db Bandwidth: 180MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 5V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V
Charge Injection: 12pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 23ns, 23ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4157DFT2G
NLAS4157DFT2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDTX1 1.15OHM SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.15Ohm
-3db Bandwidth: 40MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 48pC
Crosstalk: -57dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 120mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 20ns, 15ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.96 грн
10+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4501DFT2G nlas4501-d.pdf
NLAS4501DFT2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPST-NOX1 25OHM SC88A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 220MHz
Supplier Device Package: SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 9ns, 10ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4599DTT1G nlas4599-d.pdf
NLAS4599DTT1G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 220MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4684FCT1G nlas4684-d.pdf
NLAS4684FCT1G
Виробник: onsemi
Description: IC SW SPDTX2 800MOHM 10MICROBUMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 800mOhm
-3db Bandwidth: 9.5MHz
Supplier Device Package: 10-Microbump
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 15pC
Crosstalk: -83dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 102pF, 104pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4684MR2G nlas4684-d.pdf
NLAS4684MR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDTX2 800MOHM 10MICRO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 800mOhm
-3db Bandwidth: 9.5MHz
Supplier Device Package: 10-Micro
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 15pC
Crosstalk: -83dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 102pF, 104pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1µA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4717EPFCT1G nlas4717ep-d.pdf
NLAS4717EPFCT1G
Виробник: onsemi
Description: IC SW SPDTX2 3.5OHM 10MICROBUMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.5Ohm
-3db Bandwidth: 90MHz
Supplier Device Package: 10-Microbump
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -110dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 40ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 15pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4783BMN1R2G nlas4783b-d.pdf
NLAS4783BMN1R2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDT X 3 1OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1Ohm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V
Charge Injection: 50pC
Crosstalk: -62dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 27ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS4783MN1R2G nlas4783-d.pdf
NLAS4783MN1R2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDT X 3 1OHM 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1Ohm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V
Charge Injection: 50pC
Crosstalk: -62dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 400mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 27ns, 20ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 3
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.52 грн
10+95.78 грн
25+90.94 грн
100+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS5223BMNR2G nlas5223b-d.pdf
NLAS5223BMNR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDTX2 350MOHM 10WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 350mOhm
-3db Bandwidth: 19MHz
Supplier Device Package: 10-WQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.5V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -70dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 60pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.74 грн
10+50.83 грн
25+42.26 грн
100+30.49 грн
250+25.99 грн
500+23.23 грн
1000+20.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS5223LMNR2G nlas5223-d.pdf
NLAS5223LMNR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10WQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS5223MNR2G nlas5223-d.pdf
NLAS5223MNR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 300mOhm
-3db Bandwidth: 17MHz
Supplier Device Package: 10-WQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 3.6V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -70dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 50mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 50ns, 30ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 75pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.30 грн
10+84.80 грн
25+80.54 грн
100+62.08 грн
250+58.04 грн
500+51.29 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NLAS7222AMTR2G nlas7222a-d.pdf
NLAS7222AMTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC USB SWITCH DPDT 10WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: USB 2.0
Package / Case: 10-WFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
On-State Resistance (Max): 9Ohm
-3db Bandwidth: 700MHz
Supplier Device Package: 10-WQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Switch Circuit: DPDT
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.44 грн
10+71.59 грн
25+67.97 грн
100+48.98 грн
250+43.29 грн
500+41.01 грн
1000+31.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NLASB3157MTR2G nlasb3157-d.pdf
NLASB3157MTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDT X 1 7OHM 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm
-3db Bandwidth: 250MHz
Supplier Device Package: 6-WDFN (1.2x1)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -54dB @ 10MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 150mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 5.2ns, 3.5ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 6.5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.09 грн
12+27.21 грн
25+22.34 грн
100+15.80 грн
250+13.27 грн
500+11.71 грн
1000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NLAST4051DTR2G nlast4051-d.pdf
NLAST4051DTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC MUX 8:1 26OHM 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 26Ohm
-3db Bandwidth: 95MHz
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 5V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V
Charge Injection: 12pC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 10Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 23ns, 23ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.70 грн
10+63.00 грн
25+59.82 грн
100+43.11 грн
250+38.10 грн
500+36.10 грн
1000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NLAST4599DTT1G nlast4599-d.pdf
NLAST4599DTT1G
Виробник: onsemi
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
-3db Bandwidth: 200MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 3pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 14ns, 8ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF, 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.00 грн
11+29.75 грн
25+27.24 грн
100+17.23 грн
250+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NLSF595DTR2G nlsf595-d.pdf
NLSF595DTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRVR LINEAR 12MA 16TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Voltage - Output: 5.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Type: Linear
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Current - Output / Channel: 12mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply (Min): 2V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLSF595MNR2G nlsf595-d.pdf
NLSF595MNR2G
Виробник: onsemi
Description: IC LED DRIVER LINEAR 12MA 16QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Voltage - Output: 5.5V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 8
Type: Linear
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Current - Output / Channel: 12mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Voltage - Supply (Min): 2V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NLVLCX125DTR2G mc74lcx125-d.pdf
NLVLCX125DTR2G
Виробник: onsemi
Description: IC LINE DRVR NON-INVERT 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Line Driver, Non-Inverting
Number of Bits per Element: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.87 грн
10+78.20 грн
25+74.24 грн
100+53.50 грн
250+47.28 грн
500+44.79 грн
1000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSBC115EDXV6T1G dtc115ed-d.pdf
NSBC115EDXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 100kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.39 грн
15+21.40 грн
100+10.79 грн
500+8.27 грн
1000+6.13 грн
2000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSR0320MW2T3G nsr0320mw2t1-d.pdf
NSR0320MW2T3G
Виробник: onsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 15 V
на замовлення 23651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.74 грн
46+7.00 грн
100+5.86 грн
500+4.03 грн
1000+3.40 грн
2000+3.15 грн
5000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NSR30CM3T5G nsr30cm3t5g-d.pdf
NSR30CM3T5G
Виробник: onsemi
Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-723
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
на замовлення 44455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.57 грн
46+7.00 грн
100+5.56 грн
500+4.33 грн
1000+3.68 грн
2000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSS20300MR6T1G nss20300mr6t1g-d.pdf
NSS20300MR6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 20V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 545 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.13 грн
10+35.08 грн
100+26.17 грн
500+19.30 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30100LT1G nss30100lt1g-d.pdf
NSS30100LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 5351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.57 грн
17+19.73 грн
100+13.32 грн
500+9.72 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSS30101LT1G nss30101lt1g-d.pdf
NSS30101LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 310 mW
на замовлення 8570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.57 грн
17+19.73 грн
100+13.32 грн
500+9.72 грн
1000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NST30010MXV6T1G nst30010mxv6-d.pdf
NST30010MXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 6036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.00 грн
10+47.57 грн
100+32.93 грн
500+25.82 грн
1000+21.98 грн
2000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NST3904DXV6T1G nst3904dxv6t1-d.pdf
NST3904DXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 40V 200MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 15088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.70 грн
16+20.21 грн
100+12.75 грн
500+8.94 грн
1000+7.97 грн
2000+7.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NST3946DXV6T1G nst3946dxv6t1-d.pdf
NST3946DXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 250MHz
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.70 грн
16+20.52 грн
100+12.97 грн
500+9.09 грн
1000+8.09 грн
2000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NST489AMT1G nst489amt1-d.pdf
NST489AMT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 2A 6-TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 535 mW
на замовлення 48025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.26 грн
10+39.22 грн
100+25.50 грн
500+18.38 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTB23N03RT4G ntb23n03r-d.pdf
NTB23N03RT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTB75N06T4G ntb75n06-d.pdf
NTB75N06T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 214W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD14N03RT4G description ntd14n03r-d.pdf
NTD14N03RT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 20 V
на замовлення 1841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.57 грн
12+28.32 грн
100+26.47 грн
500+22.21 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTD20N06T4G ntd20n06-d.pdf
NTD20N06T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 25 V
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.65 грн
10+85.75 грн
100+67.01 грн
500+50.30 грн
1000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055-150T4G ntd3055-150-d.pdf
NTD3055-150T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.70 грн
10+49.80 грн
100+36.16 грн
500+29.33 грн
1000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTD3055L170T4G ntd3055l170-d.pdf
NTD3055L170T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD40N03RT4G ntd40n03r-d.pdf
NTD40N03RT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 7.8A/32A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4302T4G ntd4302-d.pdf
NTD4302T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A/68A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.04W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4809NHT4G NTD4809NH%2CNVD4809NH.pdf
NTD4809NHT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD78N03T4G ntd78n03-d.pdf
NTD78N03T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTD85N02RT4G ntd85n02r-d.pdf
NTD85N02RT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 24V 12A/85A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF3055L108T3G ntf3055l108-d.pdf
NTF3055L108T3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTF5P03T3G ntf5p03t3-d.pdf
NTF5P03T3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
на замовлення 9303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.44 грн
10+73.98 грн
100+49.26 грн
500+36.29 грн
1000+33.09 грн
2000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTF6P02T3G ntf6p02t3-d.pdf
NTF6P02T3G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V
на замовлення 278827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.70 грн
10+52.18 грн
100+35.19 грн
500+25.69 грн
1000+23.33 грн
2000+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTGS3130NT1G ntgs3130n-d.pdf
NTGS3130NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 4.23A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 935 pF @ 16 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.83 грн
10+57.91 грн
100+38.22 грн
500+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD3102CT1G nthd3102c-d.pdf
NTHD3102CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4102PT1G nthd4102p-d.pdf
NTHD4102PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 41673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.70 грн
10+67.30 грн
100+44.87 грн
500+33.08 грн
1000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHD4P02FT1G
NTHD4P02FT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.48 грн
10+87.90 грн
100+62.22 грн
500+47.64 грн
1000+44.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS4101PT1G nths4101p-d.pdf
NTHS4101PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
на замовлення 8229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.65 грн
10+62.53 грн
100+43.65 грн
500+33.01 грн
1000+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5404T1G nths5404t1-d.pdf
NTHS5404T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTHS5441T1G nths5441t1-d.pdf
NTHS5441T1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTJD4158CT1G ntjd4158c-d.pdf
NTJD4158CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 12905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.39 грн
18+18.30 грн
100+11.53 грн
500+8.20 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS4160NT1G ntjs4160n-d.pdf
NTJS4160NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.75 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTK3043NT1G ntk3043n-d.pdf
NTK3043NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.65V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
на замовлення 61329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.96 грн
23+14.08 грн
100+8.79 грн
500+6.09 грн
1000+5.39 грн
2000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3115PT1G ntljd3115p-d.pdf
NTLJD3115PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.35 грн
10+44.87 грн
100+29.35 грн
500+21.28 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJD3119CTBG ntljd3119c-d.pdf
NTLJD3119CTBG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 710mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 23927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.57 грн
10+52.90 грн
100+34.87 грн
500+25.45 грн
1000+23.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF3117PT1G ntljf3117p-d.pdf
NTLJF3117PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 531 pF @ 10 V
на замовлення 75647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.70 грн
12+26.81 грн
100+20.85 грн
500+15.03 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJF4156NT1G ntljf4156n-d.pdf
NTLJF4156NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
на замовлення 12053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.39 грн
10+41.21 грн
100+28.69 грн
500+21.02 грн
1000+17.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTLJS4114NT1G ntljs4114n-d.pdf
NTLJS4114NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.78 грн
10+61.41 грн
100+40.67 грн
500+29.80 грн
1000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD4N03R2G ntmd4n03r2-d.pdf
NTMD4N03R2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 30588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.70 грн
10+55.61 грн
100+36.53 грн
500+26.60 грн
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMD6N03R2G ntmd6n03r2-d.pdf
NTMD6N03R2G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 24V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 419 420 421 422 423 424 425 426 427 428 429 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2370 2375  [ Наступна Сторінка >> ]