Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1830) > Сторінка 23 з 31

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PE4312ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4315C2A_R1_00501 PE4315C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 7.8A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 7.8A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Capacitance: 65pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336C2A-AU_R1_007A1 PE4336C2A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 47V; 3.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Capacitance: 20pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336C2A_R1_00501 PE4336C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 47V; 3.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Capacitance: 20pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336C2C-AU_R1_007A1 PE4336C2C-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 39.6V; 3.3A; unidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 39.6V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Capacitance: 20pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336CS_R1_00701 PE4336CS_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 47V; 3.3A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 39.6V; 3.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 39.6V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4512C2A-AU_R1_007A1 PE4512C2A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 17.4A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 17.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 0.195nF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4512CS_R1_00701 PE4512CS_R1_00701 PanJit Semiconductor PE4505CS_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 12V; 17.4A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 17.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.195nF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q-AU_R1_002A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4728L1Q-AU_R1_002A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; 27.5A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: DFN1610-2
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 27.5A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 28V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.23nF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE9180C1A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PE9180C1A-AU.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 100V; 20A; 0.35kW; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 80V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 30nA
Capacitance: 0.6pF
Number of channels: 2
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.19pF
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q-AU_R1_005A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 2A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 75nA
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.6pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2C_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2E_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT523; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205CS_R1_00701 PEC3205CS_R1_00701 PanJit Semiconductor PEC3205CS Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8V; 5A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 8V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205S1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; DFN0603-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN0603-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A-AU_R1_000A1 PEC33712C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC33712C2A.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; ESD
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Max. off-state voltage: 7...12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3827CS-AU_R1_007A1 PEC3827CS-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 28V; 3A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SOD323
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 27V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 50nA
Capacitance: 18pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 28V
Max. forward impulse current: 3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105CS_R1_00701 PanJit Semiconductor PEC4102CS_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1 PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ30072S6_R1_00301 PanJit Semiconductor PJ30072.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: Converter: DC/DC; Uin: 750mVDC÷5.5VDC; SOT23-6
Input voltage: 750mV DC...5.5V DC
Output current: 0.75A
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...85°C
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ4L40W6_R1_00001 PanJit Semiconductor PJ4L40W6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; quadruple; SOT23-6L; Ch: 4
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 30V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: quadruple
Leakage current: 2µA
Capacitance: 19pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.59 грн
80+5.33 грн
112+3.78 грн
500+2.88 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400-AU_R1_000A1 PJA3400-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; SOT23-6
Mounting: SMD
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19.6A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
31+14.05 грн
100+8.72 грн
500+6.35 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+20.06 грн
29+14.81 грн
100+8.29 грн
500+5.35 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501 PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 92mΩ
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
62+6.86 грн
100+5.13 грн
250+4.62 грн
500+4.27 грн
1000+4.08 грн
3000+3.67 грн
9000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.14 грн
35+12.11 грн
100+7.04 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501 PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.82 грн
21+20.49 грн
100+9.23 грн
250+8.47 грн
500+7.45 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406-AU_R1_000A1 PJA3406-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 8V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PJA3406_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3406.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+19.14 грн
36+11.77 грн
100+6.28 грн
500+4.68 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407E_R1_00501 PJA3407E_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.08 грн
25+17.44 грн
100+10.84 грн
500+8.04 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -11.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 9.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.61 грн
30+14.14 грн
100+9.03 грн
500+6.84 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
39+10.92 грн
100+7.21 грн
500+5.47 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3415A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 10nC
на замовлення 29798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
28+15.66 грн
100+8.30 грн
250+7.45 грн
500+6.94 грн
1000+6.60 грн
3000+5.93 грн
9000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.6nC
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
31+13.97 грн
100+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001 PJA3428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3428.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.88 грн
35+12.19 грн
100+7.60 грн
500+5.63 грн
1000+5.00 грн
3000+4.19 грн
6000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.97Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -4.4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+20.06 грн
50+8.55 грн
63+6.77 грн
100+6.33 грн
500+5.06 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.50 грн
47+9.14 грн
100+5.35 грн
500+3.79 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1A
Gate charge: 1.4nC
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.70 грн
33+13.12 грн
100+8.48 грн
500+6.36 грн
1000+5.63 грн
3000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
34+12.61 грн
100+7.82 грн
500+5.74 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.53 грн
28+15.41 грн
100+9.65 грн
500+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3441-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -12.4A
Gate charge: 6nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3461-AU_R1_000A1 PJA3461-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3461-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3463_R1_00001 PJA3463_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3463.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.13Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00501 PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -3.6A
Gate charge: 8nC
на замовлення 20425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.00 грн
26+16.34 грн
100+10.33 грн
250+8.55 грн
500+7.45 грн
1000+7.11 грн
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04S-AU_R2_002A1 PJB100N04S-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJB100N04S-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 161A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 161A
Case: TO263
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJB100N04V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 219A; TO263AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 219A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N03S-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJB120N03S-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N04S-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4315C2A_R1_00501
PE4315C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 7.8A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 7.8A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Capacitance: 65pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336C2A-AU_R1_007A1
PE4336C2A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 47V; 3.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Capacitance: 20pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336C2A_R1_00501
PE4336C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 47V; 3.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Capacitance: 20pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336C2C-AU_R1_007A1
PE4336C2C-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 39.6V; 3.3A; unidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 39.6V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 50nA
Number of channels: 2
Capacitance: 20pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336CS_R1_00701
PE4336CS_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 47V; 3.3A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 47V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 39.6V; 3.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 39.6V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4512C2A-AU_R1_007A1
PE4512C2A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 17.4A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 17.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 0.195nF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4512CS_R1_00701 PE4505CS_SERIES.pdf
PE4512CS_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 12V; 17.4A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 17.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.195nF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q-AU_R1_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q_R1_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4728L1Q-AU_R1_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; 27.5A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: DFN1610-2
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 27.5A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 28V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.23nF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE9180C1A-AU_R1_007A1 PE9180C1A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 100V; 20A; 0.35kW; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 80V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 30nA
Capacitance: 0.6pF
Number of channels: 2
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.19pF
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q-AU_R1_005A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 2A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 75nA
Case: DFN1006-2
Capacitance: 0.6pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2C_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2E_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT523; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205CS_R1_00701 PEC3205CS
PEC3205CS_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8V; 5A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 8V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PEC3202M1Q
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205S1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; DFN0603-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN0603-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A-AU_R1_000A1
PEC33712C2A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A.pdf
PEC33712C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; ESD
Mounting: SMD
Capacitance: 35pF
Max. off-state voltage: 7...12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
Max. forward impulse current: 8A
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3827CS-AU_R1_007A1
PEC3827CS-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 28V; 3A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SOD323
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 27V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 50nA
Capacitance: 18pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 28V
Max. forward impulse current: 3A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105CS_R1_00701 PEC4102CS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1
PG4007-AU_R2_100A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ30072S6_R1_00301 PJ30072.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: Converter: DC/DC; Uin: 750mVDC÷5.5VDC; SOT23-6
Input voltage: 750mV DC...5.5V DC
Output current: 0.75A
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...85°C
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ4L40W6_R1_00001 PJ4L40W6.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; quadruple; SOT23-6L; Ch: 4
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 30V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: quadruple
Leakage current: 2µA
Capacitance: 19pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
PJA138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.59 грн
80+5.33 грн
112+3.78 грн
500+2.88 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400-AU_R1_000A1
PJA3400-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; SOT23-6
Mounting: SMD
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Application: automotive industry
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: 12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
PJA3400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 19.6A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
31+14.05 грн
100+8.72 грн
500+6.35 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+20.06 грн
29+14.81 грн
100+8.29 грн
500+5.35 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501
PJA3402_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 92mΩ
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.03 грн
62+6.86 грн
100+5.13 грн
250+4.62 грн
500+4.27 грн
1000+4.08 грн
3000+3.67 грн
9000+3.61 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
PJA3403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.14 грн
35+12.11 грн
100+7.04 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501
PJA3404_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.82 грн
21+20.49 грн
100+9.23 грн
250+8.47 грн
500+7.45 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406-AU_R1_000A1
PJA3406-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 8V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406_R1_00001 PJA3406.pdf
PJA3406_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.4A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 70mΩ
Pulsed drain current: 17.6A
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+19.14 грн
36+11.77 грн
100+6.28 грн
500+4.68 грн
1000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407E_R1_00501
PJA3407E_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.36A
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.08 грн
25+17.44 грн
100+10.84 грн
500+8.04 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -11.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 9.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.61 грн
30+14.14 грн
100+9.03 грн
500+6.84 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
PJA3413_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.70 грн
39+10.92 грн
100+7.21 грн
500+5.47 грн
1000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3415A-AU_R1_000A1 PJA3415A-AU.pdf
PJA3415A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -18A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -18A
Gate charge: 10nC
на замовлення 29798 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.79 грн
28+15.66 грн
100+8.30 грн
250+7.45 грн
500+6.94 грн
1000+6.60 грн
3000+5.93 грн
9000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.6nC
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.70 грн
31+13.97 грн
100+8.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001 PJA3428.pdf
PJA3428_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.88 грн
35+12.19 грн
100+7.60 грн
500+5.63 грн
1000+5.00 грн
3000+4.19 грн
6000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433.pdf
PJA3433_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.97Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -4.4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+20.06 грн
50+8.55 грн
63+6.77 грн
100+6.33 грн
500+5.06 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434.pdf
PJA3434_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.50 грн
47+9.14 грн
100+5.35 грн
500+3.79 грн
1000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -1A
Gate charge: 1.4nC
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.70 грн
33+13.12 грн
100+8.48 грн
500+6.36 грн
1000+5.63 грн
3000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU.pdf
PJA3436-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.79 грн
34+12.61 грн
100+7.82 грн
500+5.74 грн
1000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU.pdf
PJA3438-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.53 грн
28+15.41 грн
100+9.65 грн
500+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3441-AU_R1_000A1 PJA3441-AU.pdf
PJA3441-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -12.4A
Gate charge: 6nC
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3461-AU_R1_000A1 PJA3461-AU.pdf
PJA3461-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; Idm: -7.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -7.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3463_R1_00001 PJA3463.pdf
PJA3463_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; Idm: -10A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.13Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00501
PJA3471_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -900mA
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -3.6A
Gate charge: 8nC
на замовлення 20425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.00 грн
26+16.34 грн
100+10.33 грн
250+8.55 грн
500+7.45 грн
1000+7.11 грн
3000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04S-AU_R2_002A1 PJB100N04S-AU.pdf
PJB100N04S-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 161A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 161A
Case: TO263
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04V-AU_R2_002A1 PJB100N04V-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 219A; TO263AB
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 219A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N03S-AU_R2_002A1 PJB120N03S-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N04S-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]