Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1481) > Сторінка 19 з 25

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PE4312C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8.5V; 8.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 8.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312C2C-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312CS_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 8.3A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 39.6V; 3.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 39.6V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q-AU_R1_002A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4728L1Q-AU_R1_002A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; 27.5A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: DFN1610-2
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 27.5A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 28V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.23nF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE9180C1A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PE9180C1A-AU.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 100V; 20A; 0.35kW; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 80V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 30nA
Capacitance: 0.6pF
Number of channels: 2
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q-AU_R1_005A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 75nA
Case: DFN1006-2
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2C_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2E_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT523; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205CS_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8V; 5A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205S1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; DFN0603-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN0603-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A-AU_R1_000A1 PEC33712C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Semiconductor structure: bidirectional
Application: automotive industry
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC33712C2A.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; ESD
Version: ESD
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105CS_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1 PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ30072S6_R1_00301 PanJit Semiconductor PJ30072.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: Converter: DC/DC; Uin: 750mVDC÷5.5VDC; SOT23-6
Input voltage: 750mV DC...5.5V DC
Output current: 0.75A
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...85°C
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.19 грн
80+5.19 грн
112+3.68 грн
500+2.80 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; SOT23-6
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Gate-source voltage: 12V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+23.95 грн
31+13.67 грн
100+8.48 грн
500+6.18 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.51 грн
29+14.41 грн
100+8.06 грн
500+5.21 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501 PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 92mΩ
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.76 грн
62+6.67 грн
100+4.99 грн
250+4.50 грн
500+4.16 грн
1000+3.97 грн
3000+3.57 грн
9000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.63 грн
35+11.78 грн
100+6.85 грн
500+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501 PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+31.93 грн
21+19.93 грн
100+8.98 грн
250+8.24 грн
500+7.25 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407E_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.36A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.27 грн
25+16.97 грн
100+10.54 грн
500+7.82 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3409.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -11.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+23.95 грн
30+13.75 грн
100+8.79 грн
500+6.65 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3413.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.06 грн
39+10.62 грн
100+7.02 грн
500+5.32 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3416AE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.06 грн
31+13.59 грн
100+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001 PJA3428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3428.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.29 грн
35+11.86 грн
100+7.40 грн
500+5.48 грн
1000+4.87 грн
3000+4.08 грн
6000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3433.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -4.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.97Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.53 грн
49+8.57 грн
100+6.34 грн
500+5.68 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3434.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.08 грн
47+8.89 грн
100+5.21 грн
500+3.69 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3435.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.06 грн
33+12.77 грн
100+8.25 грн
500+6.19 грн
1000+5.48 грн
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3436-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.17 грн
34+12.27 грн
100+7.61 грн
500+5.58 грн
1000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3438-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+24.83 грн
28+14.99 грн
100+9.39 грн
500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA3439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.61 грн
28+15.24 грн
100+9.21 грн
500+6.62 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00501 PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.9A
Pulsed drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.16 грн
26+15.90 грн
100+10.05 грн
250+8.32 грн
500+7.25 грн
1000+6.92 грн
3000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04S-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJB100N04S-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 161A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 161A
Case: TO263
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJB100N04V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 219A; TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 219A
Case: TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N03S-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJB120N03S-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB140P04E7-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PJC7400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain current: 1.9A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
56+7.98 грн
67+6.18 грн
100+5.85 грн
500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+31.93 грн
23+18.12 грн
100+11.61 грн
250+9.88 грн
500+8.73 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.76 грн
49+8.57 грн
100+7.17 грн
500+6.42 грн
1000+5.93 грн
3000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7407.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -5.2A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 0.2Ω
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.87 грн
69+6.01 грн
100+5.60 грн
500+5.27 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7409.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001 PJC7428_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7428.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 0.6A
Drain current: 0.3A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+15.96 грн
47+8.89 грн
100+5.62 грн
250+4.73 грн
500+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63.8A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 63.8A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001 PanJit Semiconductor PJC7438.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJC7439-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.25A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+15.96 грн
46+9.14 грн
100+5.65 грн
500+4.12 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7472B_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50.1A; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1 PanJit Semiconductor PJD100N06SA-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50.4A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50.4A
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8.5V; 8.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 8.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312C2C-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312CS_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 8.3A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 39.6V; 3.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 39.6V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q-AU_R1_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q_R1_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4728L1Q-AU_R1_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; 27.5A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: DFN1610-2
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 27.5A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 28V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.23nF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE9180C1A-AU_R1_007A1 PE9180C1A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 100V; 20A; 0.35kW; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 80V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 30nA
Capacitance: 0.6pF
Number of channels: 2
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q-AU_R1_005A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 75nA
Case: DFN1006-2
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
PEC1605M1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2C_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2E_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT523; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205CS_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8V; 5A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PEC3202M1Q
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205S1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; DFN0603-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN0603-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A-AU_R1_000A1
PEC33712C2A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Semiconductor structure: bidirectional
Application: automotive industry
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A.pdf
PEC33712C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; ESD
Version: ESD
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105CS_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1
PG4007-AU_R2_100A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ30072S6_R1_00301 PJ30072.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: Converter: DC/DC; Uin: 750mVDC÷5.5VDC; SOT23-6
Input voltage: 750mV DC...5.5V DC
Output current: 0.75A
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...85°C
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
PJA138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.19 грн
80+5.19 грн
112+3.68 грн
500+2.80 грн
1000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; SOT23-6
Mounting: SMD
Case: SOT23-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Gate-source voltage: 12V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
PJA3400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 60mΩ
Power dissipation: 1.25W
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 19.6A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+23.95 грн
31+13.67 грн
100+8.48 грн
500+6.18 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
PJA3401A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.51 грн
29+14.41 грн
100+8.06 грн
500+5.21 грн
1000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501
PJA3402_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 92mΩ
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.76 грн
62+6.67 грн
100+4.99 грн
250+4.50 грн
500+4.16 грн
1000+3.97 грн
3000+3.57 грн
9000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
PJA3403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.63 грн
35+11.78 грн
100+6.85 грн
500+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501
PJA3404_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+31.93 грн
21+19.93 грн
100+8.98 грн
250+8.24 грн
500+7.25 грн
1000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407E_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.36A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3407_R1_00001 PJA3407.pdf
PJA3407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.27 грн
25+16.97 грн
100+10.54 грн
500+7.82 грн
1000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3409_R1_00001 PJA3409.pdf
PJA3409_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -11.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+23.95 грн
30+13.75 грн
100+8.79 грн
500+6.65 грн
1000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3413_R1_00001 PJA3413.pdf
PJA3413_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.4A; Idm: -13.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.4A
Pulsed drain current: -13.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 146mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.06 грн
39+10.62 грн
100+7.02 грн
500+5.32 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416AE_R1_00001 PJA3416AE.pdf
PJA3416AE_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; Idm: 32A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.06 грн
31+13.59 грн
100+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3428_R1_00001 PJA3428.pdf
PJA3428_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.29 грн
35+11.86 грн
100+7.40 грн
500+5.48 грн
1000+4.87 грн
3000+4.08 грн
6000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3433_R1_00001 PJA3433.pdf
PJA3433_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.1A; Idm: -4.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -4.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.97Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.53 грн
49+8.57 грн
100+6.34 грн
500+5.68 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3434_R1_00001 PJA3434.pdf
PJA3434_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.5A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.08 грн
47+8.89 грн
100+5.21 грн
500+3.69 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3435_R1_00001 PJA3435.pdf
PJA3435_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -500mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.5A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.06 грн
33+12.77 грн
100+8.25 грн
500+6.19 грн
1000+5.48 грн
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3436-AU_R1_000A1 PJA3436-AU.pdf
PJA3436-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 4.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.17 грн
34+12.27 грн
100+7.61 грн
500+5.58 грн
1000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3438-AU_R1_000A1 PJA3438-AU.pdf
PJA3438-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+24.83 грн
28+14.99 грн
100+9.39 грн
500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3439-AU_R1_000A1 PJA3439-AU.pdf
PJA3439-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -300mA; Idm: -1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -300mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+26.61 грн
28+15.24 грн
100+9.21 грн
500+6.62 грн
1000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3471_R1_00501
PJA3471_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.9A
Pulsed drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21435 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.16 грн
26+15.90 грн
100+10.05 грн
250+8.32 грн
500+7.25 грн
1000+6.92 грн
3000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04S-AU_R2_002A1 PJB100N04S-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 161A; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 161A
Case: TO263
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB100N04V-AU_R2_002A1 PJB100N04V-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 219A; TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 219A
Case: TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB120N03S-AU_R2_002A1 PJB120N03S-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 76A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 76A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJB140P04E7-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; DFN3333-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: 20V
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7400_R1_00001 PJC7400.pdf
PJC7400_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.9A; Idm: 7.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 7.6A
Drain current: 1.9A
Gate charge: 4.8nC
On-state resistance: 0.11Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+7.98 грн
67+6.18 грн
100+5.85 грн
500+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7401_R1_00001 PJC7401.pdf
PJC7401_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; Idm: -6A; 350mW; SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+31.93 грн
23+18.12 грн
100+11.61 грн
250+9.88 грн
500+8.73 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7404_R1_00001 PJC7404.pdf
PJC7404_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.76 грн
49+8.57 грн
100+7.17 грн
500+6.42 грн
1000+5.93 грн
3000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7407_R1_00001 PJC7407.pdf
PJC7407_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.3A; Idm: -5.2A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -5.2A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 0.2Ω
на замовлення 6765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+8.87 грн
69+6.01 грн
100+5.60 грн
500+5.27 грн
1000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7409_R1_00001 PJC7409.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 39A
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7428_R1_00001 PJC7428.pdf
PJC7428_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 350mW; SOT323
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 0.6A
Drain current: 0.3A
Gate charge: 0.9nC
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+15.96 грн
47+8.89 грн
100+5.62 грн
250+4.73 грн
500+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63.8A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 63.8A
Drain-source voltage: 80V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7438_R1_00001 PJC7438.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; DFN3333-8
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain current: 55A
Drain-source voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7439-AU_R1_000A1 PJC7439-AU.pdf
PJC7439-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -250mA; Idm: -1A; 350mW
Mounting: SMD
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -1A
Drain current: -0.25A
Gate charge: 1.1nC
On-state resistance: 13Ω
Power dissipation: 0.35W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+15.96 грн
46+9.14 грн
100+5.65 грн
500+4.12 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7472B_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50.1A; DFN3333-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD100N06SA-AU_L2_006A1 PJD100N06SA-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50.4A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50.4A
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]