Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1480) > Сторінка 21 з 25

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJQ4540S6CP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 168A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 168A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4540S6VCP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ4546VP-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 42W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5453E-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5453E-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Gate-source voltage: 25V
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5458A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; DFN5060-8
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5474A_R2_00001 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528S6-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528_R2_00201 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.47 грн
10+70.60 грн
100+50.78 грн
250+45.61 грн
500+42.37 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
10+87.98 грн
100+60.94 грн
250+54.73 грн
500+50.85 грн
1000+47.65 грн
3000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544V-AU_R2_002A1 PJQ5544V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5544V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1 PJQ5546V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5546V-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU_R2_002A1 PanJit Semiconductor PJQ5948V-AU.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 35A; Idm: 140A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6421.pdf PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.10 грн
117+9.80 грн
320+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.40 грн
15+21.57 грн
100+15.82 грн
250+14.07 грн
500+12.91 грн
1000+11.74 грн
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001 PJS6601_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+27.00 грн
24+17.31 грн
100+13.18 грн
250+11.73 грн
500+10.76 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PanJit Semiconductor PJS6839.pdf PJS6839-S1 Multi channel transistors
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+31.07 грн
213+5.40 грн
584+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 120W
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.45 грн
57+7.12 грн
100+5.31 грн
250+4.79 грн
500+4.42 грн
1000+4.26 грн
2500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 120W
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.54 грн
35+8.87 грн
100+6.38 грн
250+5.74 грн
500+5.31 грн
1000+5.11 грн
2500+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TM_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD05_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD923
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD923
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 110pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 120W
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.06 грн
47+8.65 грн
100+6.55 грн
250+5.82 грн
500+5.42 грн
1000+5.26 грн
2500+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 110pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 120W
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.68 грн
29+10.78 грн
100+7.86 грн
250+6.99 грн
500+6.50 грн
1000+6.31 грн
2500+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03W_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD07TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08TS-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD15TS-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03W_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.83 грн
189+6.11 грн
518+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.29 грн
40+10.27 грн
100+6.17 грн
500+4.48 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 PJT138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.80 грн
100+7.40 грн
500+5.38 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002KDW_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Case: SOT363
Gate-source voltage: 10V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.98 грн
11+27.91 грн
100+17.18 грн
500+13.00 грн
1000+11.74 грн
3000+10.00 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+38.32 грн
19+22.40 грн
100+14.31 грн
500+10.84 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+25.32 грн
204+5.64 грн
559+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7605-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 700pC/1.1nC
Drain current: 250/-250mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 3/4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.26 грн
17+18.64 грн
100+9.41 грн
500+8.15 грн
1000+7.57 грн
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.38 грн
28+14.96 грн
100+7.84 грн
500+6.79 грн
1000+6.31 грн
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.06 грн
169+6.79 грн
463+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7808.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.95nC
Power dissipation: 0.35W
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.67 грн
13+23.28 грн
100+13.97 грн
500+10.29 грн
1000+9.12 грн
3000+7.67 грн
6000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.95nC
Power dissipation: 0.35W
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.22 грн
22+18.68 грн
100+11.64 грн
500+8.57 грн
1000+7.60 грн
3000+6.39 грн
6000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB05-4_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23-6L
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23-6L
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23-6L
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.48 грн
68+16.89 грн
186+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4P06A.pdf PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.76 грн
89+12.91 грн
245+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX138K-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.85 грн
193+5.94 грн
531+5.61 грн
8000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00002 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 223W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.8A
Drain current: 0.16A
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 223W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.13 грн
20+15.42 грн
100+10.38 грн
500+8.35 грн
1000+7.67 грн
2000+7.18 грн
4000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
33+12.37 грн
100+8.65 грн
500+6.95 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001 PanJit Semiconductor PJX8839.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PM808LL_R2_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 170A; M8
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 170A
Case: M8
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 0.95V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM608_R2_00301 PanJit Semiconductor Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: M6
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4540S6CP-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 168A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 168A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4540S6VCP-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN3333-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 PJQ4546VP-AU.pdf
PJQ4546VP-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W; DFN3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Power dissipation: 42W
Case: DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5453E-AU_R2_002A1 PJQ5453E-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 40V; 16A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Gate-source voltage: 25V
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5458A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; DFN5060-8
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 16A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5474A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; DFN5060-8
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 244A; 15.6W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 244A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528S6-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5528_R2_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; DFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
PJQ5544-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.47 грн
10+70.60 грн
100+50.78 грн
250+45.61 грн
500+42.37 грн
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544-AU_R2_002A1 PJQ5544-AU.pdf
PJQ5544-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 520A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 100W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.77 грн
10+87.98 грн
100+60.94 грн
250+54.73 грн
500+50.85 грн
1000+47.65 грн
3000+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5544V-AU_R2_002A1 PJQ5544V-AU.pdf
PJQ5544V-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 94W; DFN5060-8
Mounting: SMD
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC
On-state resistance: 4.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 94W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5546V-AU_R2_002A1 PJQ5546V-AU.pdf
PJQ5546V-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 316A
Power dissipation: 65W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5948V-AU_R2_002A1 PJQ5948V-AU.pdf
PJQ5948V-AU_R2_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 35A; Idm: 140A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 32W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6421_S1_00001 PJS6421.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6421-S1 SMD P channel transistors
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.10 грн
117+9.80 грн
320+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.40 грн
15+21.57 грн
100+15.82 грн
250+14.07 грн
500+12.91 грн
1000+11.74 грн
3000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6601_S1_00001
PJS6601_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 4.1/-3.1A; 1.25W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 4.1/-3.1A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 95/190mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.6/5.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.00 грн
24+17.31 грн
100+13.18 грн
250+11.73 грн
500+10.76 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6839_S1_00001 PJS6839.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJS6839-S1 Multi channel transistors
на замовлення 2736 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.07 грн
213+5.40 грн
584+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD03TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 120W
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
57+7.12 грн
100+5.31 грн
250+4.79 грн
500+4.42 грн
1000+4.26 грн
2500+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD03TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 200pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 200pF
Leakage current: 0.2mA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Peak pulse power dissipation: 120W
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.54 грн
35+8.87 грн
100+6.38 грн
250+5.74 грн
500+5.31 грн
1000+5.11 грн
2500+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TM_R1_00001 PJSD05_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD923
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD923
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD05TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 110pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 120W
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.06 грн
47+8.65 грн
100+6.55 грн
250+5.82 грн
500+5.42 грн
1000+5.26 грн
2500+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD05TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape; 110pF
Mounting: SMD
Case: SOD523
Capacitance: 110pF
Leakage current: 5µA
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Peak pulse power dissipation: 120W
Application: automotive industry
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.68 грн
29+10.78 грн
100+7.86 грн
250+6.99 грн
500+6.50 грн
1000+6.31 грн
2500+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05W_R1_00001 PJSD03W_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD07TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08TS-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15TS-AU_R1_000A1 PJSD15TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15W_R1_00001 PJSD03W_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD323
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOD323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD24TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape; 25pF
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 120W
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOD523
Mounting: SMD
Case: SOD523
Application: automotive industry
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJSD36W-R1 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.83 грн
189+6.11 грн
518+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.29 грн
40+10.27 грн
100+6.17 грн
500+4.48 грн
1000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; Idm: 1.2A; 236mW
Mounting: SMD
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Power dissipation: 0.236W
Drain current: 0.36A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.95 грн
24+12.80 грн
100+7.40 грн
500+5.38 грн
1000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002KDW_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Case: SOT363
Gate-source voltage: 10V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.98 грн
11+27.91 грн
100+17.18 грн
500+13.00 грн
1000+11.74 грн
3000+10.00 грн
6000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+38.32 грн
19+22.40 грн
100+14.31 грн
500+10.84 грн
1000+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7603-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.32 грн
204+5.64 грн
559+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7605-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 700pC/1.1nC
Drain current: 250/-250mA
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 3/4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60/-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.26 грн
17+18.64 грн
100+9.41 грн
500+8.15 грн
1000+7.57 грн
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.6nC
Power dissipation: 0.35W
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.38 грн
28+14.96 грн
100+7.84 грн
500+6.79 грн
1000+6.31 грн
3000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJT7801-R1 Multi channel transistors
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.06 грн
169+6.79 грн
463+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7808_R1_00001 PJT7808.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.95nC
Power dissipation: 0.35W
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.67 грн
13+23.28 грн
100+13.97 грн
500+10.29 грн
1000+9.12 грн
3000+7.67 грн
6000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: SOT363
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.95nC
Power dissipation: 0.35W
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 1.2A
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 50V
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
на замовлення 7648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.22 грн
22+18.68 грн
100+11.64 грн
500+8.57 грн
1000+7.60 грн
3000+6.39 грн
6000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB05-4_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23-6L
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23-6L
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; SOT23-6L
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_000A1 PJW4P06A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-AU-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.48 грн
68+16.89 грн
186+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00001 PJW4P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
PJW4P06A-R2 SMD P channel transistors
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.76 грн
89+12.91 грн
245+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
PJX138K-R1 Multi channel transistors
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.85 грн
193+5.94 грн
531+5.61 грн
8000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138L_R1_00002
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 223W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 0.8A
Drain current: 0.16A
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 223W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT563
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.13 грн
20+15.42 грн
100+10.38 грн
500+8.35 грн
1000+7.67 грн
2000+7.18 грн
4000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8603_R1_00001 PJX8603.pdf
PJX8603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 50/-60V; 360/-200mA; 300mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: 360/-200mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.95/1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
33+12.37 грн
100+8.65 грн
500+6.95 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8839_R1_00001 PJX8839.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PM808LL_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 8A; Ifsm: 170A; M8
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 170A
Case: M8
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 0.95V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMSM608_R2_00301
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 6A; Ifsm: 150A; M6
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 150A
Case: M6
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]