Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1367) > Сторінка 20 з 23

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Capacitance: 0.2nF
на замовлення 3473 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.67 грн
57+7.26 грн
100+5.42 грн
250+4.89 грн
500+4.51 грн
1000+4.35 грн
2500+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 0.2mA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.2nF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CFN2_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 15A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 70pF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CTM_R1_00001 PJSD05CTM_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.78V; 1A; 0.1kW; bidirectional; SOD923; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 30pF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 5.78V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.37V; 24A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Capacitance: 0.2nF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6.37V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CW_R1_00001 PJSD05CW_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36CW Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.04V; 24A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Capacitance: 0.2nF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 7.04V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD05TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 0.11nF
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.44 грн
47+8.83 грн
100+6.68 грн
250+5.94 грн
500+5.53 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD07TS-AU_R1_000A1 PJSD07TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 8.8A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 7V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.15µA
Case: SOD523
Capacitance: 85pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 7.5V
Max. forward impulse current: 8.8A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD07TS_R1_00001 PJSD07TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 8.8A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 7V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 85pF
Leakage current: 0.15µA
Max. forward impulse current: 8.8A
Breakdown voltage: 7.5V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08TS-AU_R1_007A1 PJSD08TS-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8.5V; 5A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 8V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 70pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 8.5V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08W_R1_00001 PJSD08W_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36W Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 10V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.15nF
Leakage current: 10µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 8V
Breakdown voltage: 10V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12_R1_00001 PJSD12_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD05_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 17A; 0.4kW; unidirectional; SOD123; Ch: 1
Case: SOD123
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.18nF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 17A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS-AU_R1_000A1 PJSD12TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 60pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15CW-AU_R1_000A1 PJSD15CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 18.48V; 10A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 18.48V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 75pF
Max. forward impulse current: 10A
Application: automotive industry
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15CW_R1_00001 PJSD15CW_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD36CW Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 18.48V; 10A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 18.48V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 75pF
Max. forward impulse current: 10A
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15TS-AU_R1_000A1 PJSD15TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD36TS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 16.6V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 50pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 16.6V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS-AU_R1_000A1 PJSD24TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD36TS-AU Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.7V; 3A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 25pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 26.7V
Max. forward impulse current: 3A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD24TS_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD03TS_SERIES.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD05CW-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40.57V; 3A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40.57V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 45pF
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW_R1_00001 PanJit Semiconductor PJSD05CW_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 3A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Max. forward impulse current: 3A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 45pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36TS-AU_R1_000A1 PJSD36TS-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJSD03TS-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 36V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 20pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSOT24C-05-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 12A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Max. forward impulse current: 12A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 0.15nF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002H_R1_00001 PJT7002H_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7002H.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002KDW_R1_00501 PJT7002KDW_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7600.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.11 грн
31+13.62 грн
50+11.22 грн
100+10.07 грн
500+7.51 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7603.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 50/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.33 грн
32+13.20 грн
100+7.26 грн
500+5.60 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7800.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.78 грн
60+6.93 грн
100+6.35 грн
250+6.11 грн
500+5.78 грн
1000+5.28 грн
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7801.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -2.8A
Gate charge: 2.2nC
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.55 грн
26+15.93 грн
58+7.18 грн
100+6.44 грн
250+5.94 грн
500+5.45 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7812.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 PanJit Semiconductor PJT7838.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.95nC
на замовлення 7642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.67 грн
53+7.84 грн
100+7.26 грн
500+6.93 грн
1000+6.52 грн
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB05-4_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.37V; 0.15kW; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 5
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 5
Breakdown voltage: 6.37V
Peak pulse power dissipation: 0.15kW
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 8.5pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 85V; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 85V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 1pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 85V; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 85V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 1pF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00701 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor PJW4N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A_R2_00001 PanJit Semiconductor PJW4N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_007A1 PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor PJW4P06A-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Gate charge: 10nC
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.55 грн
14+31.69 грн
100+20.30 грн
250+17.00 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00701 PJW4P06A_R2_00701 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Gate charge: 10nC
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.88 грн
14+31.03 грн
100+20.63 грн
500+16.09 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1 PJW5P06A-AU_R2_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5A; Idm: -20A; 1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Application: automotive industry
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00701 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_007A1 PJW7N06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00701 PJW7N06A_R2_00701 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 PJX138K_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 1nC
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.00 грн
48+8.75 грн
62+6.72 грн
100+6.04 грн
500+4.75 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PM1008LL_R2_00601 PanJit Semiconductor PM1008LL Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 10A; Ifsm: 190A; M8
Max. forward impulse current: 190A
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 10A
Case: M8
Type of bridge rectifier: single-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PM1010_R2_00601 PanJit Semiconductor PM1010.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 10A; Ifsm: 190A; M8
Max. forward impulse current: 190A
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 10A
Case: M8
Type of bridge rectifier: single-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PM810_R2_00601 PanJit Semiconductor PM810.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 170A; M8
Case: M8
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 170A
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS210_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS210.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 70A; M4
Case: M4
Max. forward voltage: 1.05V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 2A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS310_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS310.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; M4
Case: M4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS410_R2_00601 PMS410_R2_00601 PanJit Semiconductor PMS410.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; M4
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: M4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PS1405-D32_R1_00301 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 5A; bidirectional; DFN2; Ch: 1
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 0.5µA
Case: DFN2
Capacitance: 0.42pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS140M-D32_R1_00301 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 25.5V; 10A; bidirectional; DFN2; Ch: 1
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 25.5V
Max. forward impulse current: 10A
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 0.5µA
Case: DFN2
Capacitance: 0.5pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS161M-D62_R1_00301 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; DFN1006-2
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS2705-D63_R1_00301 PanJit Semiconductor PS2705-D63 Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 5A; bidirectional; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS5915-S26_S1_00301 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 5
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 5
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB033N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor PSMB033N10NS2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 219A; 333W; DFN5060-8
Pulsed drain current: 219A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 85nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1_R2_00601 PanJit Semiconductor PSMB055N08NS1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601 PSMB055N08NS1_T0_00601 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247AD-3; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 PanJit Semiconductor 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP033N10NS2_T0_00601 PanJit Semiconductor PSMP033N10NS2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD03TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 4V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
Leakage current: 0.2mA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Capacitance: 0.2nF
на замовлення 3473 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.67 грн
57+7.26 грн
100+5.42 грн
250+4.89 грн
500+4.51 грн
1000+4.35 грн
2500+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD03TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 4V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 4V
Max. forward impulse current: 5A
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 3.3V
Leakage current: 0.2mA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.2nF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CFN2_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 15A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 15A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 70pF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CTM_R1_00001
PJSD05CTM_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.78V; 1A; 0.1kW; bidirectional; SOD923; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.1kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD923
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 30pF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 5.78V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
PJSD05CW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.37V; 24A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Capacitance: 0.2nF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6.37V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05CW_R1_00001 PJSD36CW
PJSD05CW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.04V; 24A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 5V
Max. forward impulse current: 24A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Capacitance: 0.2nF
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 7.04V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD05TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD05TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 6V; 5A; unidirectional; SOD523; reel,tape
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Version: ESD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 0.11nF
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.44 грн
47+8.83 грн
100+6.68 грн
250+5.94 грн
500+5.53 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD07TS-AU_R1_000A1
PJSD07TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 8.8A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 7V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 0.15µA
Case: SOD523
Capacitance: 85pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 7.5V
Max. forward impulse current: 8.8A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD07TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD07TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 8.8A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 7V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 85pF
Leakage current: 0.15µA
Max. forward impulse current: 8.8A
Breakdown voltage: 7.5V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08TS-AU_R1_007A1
PJSD08TS-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8.5V; 5A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 8V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 70pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 8.5V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD08W_R1_00001 PJSD36W
PJSD08W_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 10V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.15nF
Leakage current: 10µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 8V
Breakdown voltage: 10V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12_R1_00001 PJSD05_SERIES.pdf
PJSD12_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 17A; 0.4kW; unidirectional; SOD123; Ch: 1
Case: SOD123
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.18nF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 17A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD12TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD12TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 60pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 13.3V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
PJSD15CW-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 18.48V; 10A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 18.48V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 75pF
Max. forward impulse current: 10A
Application: automotive industry
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15CW_R1_00001 PJSD36CW
PJSD15CW_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 18.48V; 10A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 18.48V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 15V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 75pF
Max. forward impulse current: 10A
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD15TS-AU_R1_000A1 PJSD36TS-AU
PJSD15TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 16.6V; 5A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 15V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 50pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 16.6V
Max. forward impulse current: 5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS-AU_R1_000A1 PJSD36TS-AU
PJSD24TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.7V; 3A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 25pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 26.7V
Max. forward impulse current: 3A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD24TS_R1_00001 PJSD03TS_SERIES.pdf
PJSD24TS_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 120W; 26.7V; unidirectional; SOD523; reel,tape
Type of diode: TVS
Case: SOD523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 25pF
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Breakdown voltage: 26.7V
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW-AU_R1_000A1 PJSD05CW-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40.57V; 3A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40.57V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 45pF
Number of channels: 1
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36CW_R1_00001 PJSD05CW_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 3A; 0.35kW; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Max. forward impulse current: 3A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 45pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSD36TS-AU_R1_000A1 PJSD03TS-AU_SERIES.pdf
PJSD36TS-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.12kW; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 0.12kW
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 36V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 5µA
Case: SOD523
Capacitance: 20pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 40V
Max. forward impulse current: 1A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJSOT24C-05-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 29.4V; 12A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 29.4V
Max. forward impulse current: 12A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 24V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 0.15nF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002H_R1_00001 PJT7002H.pdf
PJT7002H_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7002KDW_R1_00501
PJT7002KDW_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7600_R1_00001 PJT7600.pdf
PJT7600_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1A/-700mA; 350mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1A/-700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 400/600mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.6/2.2nC
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.11 грн
31+13.62 грн
50+11.22 грн
100+10.07 грн
500+7.51 грн
1000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7603_R1_00001 PJT7603.pdf
PJT7603_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 50/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50/-60V
Drain current: -250/400mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5/6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.95/1.1nC
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.33 грн
32+13.20 грн
100+7.26 грн
500+5.60 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 4A
Gate charge: 1.6nC
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.78 грн
60+6.93 грн
100+6.35 грн
250+6.11 грн
500+5.78 грн
1000+5.28 грн
3000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7801_R1_00001 PJT7801.pdf
PJT7801_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -700mA; Idm: -2.8A; 350mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -2.8A
Gate charge: 2.2nC
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+35.55 грн
26+15.93 грн
58+7.18 грн
100+6.44 грн
250+5.94 грн
500+5.45 грн
1000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -250mA; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -250mA
Case: SOT363
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 400mA; Idm: 1.2A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 0.95nC
на замовлення 7642 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.67 грн
53+7.84 грн
100+7.26 грн
500+6.93 грн
1000+6.52 грн
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB05-4_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.37V; 0.15kW; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 5
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 5
Breakdown voltage: 6.37V
Peak pulse power dissipation: 0.15kW
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 8.5pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 85V; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 85V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 1pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJUSB208_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 85V; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 4
Breakdown voltage: 85V
Max. off-state voltage: 70V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Capacitance: 1pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A-AU_R2_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW3P06A_R2_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A-AU_R2_000A1 PJW4N06A-AU.pdf
PJW4N06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 8A; 2.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4N06A_R2_00001 PJW4N06A.pdf
PJW4N06A_R2_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 8A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 42500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A-AU_R2_007A1 PJW4P06A-AU.pdf
PJW4P06A-AU_R2_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Gate charge: 10nC
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.55 грн
14+31.69 грн
100+20.30 грн
250+17.00 грн
500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW4P06A_R2_00701
PJW4P06A_R2_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Gate charge: 10nC
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.88 грн
14+31.03 грн
100+20.63 грн
500+16.09 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A-AU_R2_000A1
PJW5P06A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5A; Idm: -20A; 1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
Application: automotive industry
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 85mΩ
Power dissipation: 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW5P06A_R2_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5A; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5A
Case: SOT223
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_007A1
PJW7N06A-AU_R2_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A_R2_00701
PJW7N06A_R2_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.6A; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 350mA; Idm: 1.2A; 223mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 223mW
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1.2A
Gate charge: 1nC
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.00 грн
48+8.75 грн
62+6.72 грн
100+6.04 грн
500+4.75 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PM1008LL_R2_00601 PM1008LL
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 10A; Ifsm: 190A; M8
Max. forward impulse current: 190A
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 10A
Case: M8
Type of bridge rectifier: single-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PM1010_R2_00601 PM1010.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 10A; Ifsm: 190A; M8
Max. forward impulse current: 190A
Max. forward voltage: 0.95V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 10A
Case: M8
Type of bridge rectifier: single-phase
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PM810_R2_00601 PM810.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 8A; Ifsm: 170A; M8
Case: M8
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 170A
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS210_R2_00601 PMS210.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 70A; M4
Case: M4
Max. forward voltage: 1.05V
Max. off-state voltage: 1kV
Electrical mounting: SMT
Load current: 2A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 70A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS310_R2_00601 PMS310.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 3A; Ifsm: 110A; M4
Case: M4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 110A
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMS410_R2_00601 PMS410.pdf
PMS410_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 4A; Ifsm: 120A; M4
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: M4
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Max. forward voltage: 1.05V
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Max. off-state voltage: 1kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PS1405-D32_R1_00301
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 5A; bidirectional; DFN2; Ch: 1
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 0.5µA
Case: DFN2
Capacitance: 0.42pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS140M-D32_R1_00301
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 25.5V; 10A; bidirectional; DFN2; Ch: 1
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 25.5V
Max. forward impulse current: 10A
Max. off-state voltage: 24V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 0.5µA
Case: DFN2
Capacitance: 0.5pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS161M-D62_R1_00301
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; DFN1006-2
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS2705-D63_R1_00301 PS2705-D63
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 5A; bidirectional; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 5A
Semiconductor structure: bidirectional
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5V
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PS5915-S26_S1_00301
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 5
Case: SOT23-6L
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Number of channels: 5
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB033N10NS2_R2_00201 PSMB033N10NS2.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; Idm: 219A; 333W; DFN5060-8
Pulsed drain current: 219A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 85nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFN5060-8
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_R2_00601 PSMB055N08NS1.pdf
PSMB055N08NS1_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMB055N08NS1_T0_00601
PSMB055N08NS1_T0_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 108A; Idm: 360A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247AD-3; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN028N10NS2_R2_00201 20230516171020ta7o3bGUZ1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; Idm: 960A; 167W; TOLL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Pulsed drain current: 960A
Power dissipation: 167W
Case: TOLL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMP033N10NS2_T0_00601 PSMP033N10NS2
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.