Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника PANJIT SEMICONDUCTOR (1597) > Сторінка 20 з 27

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDZ6.8B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 6.8V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ6.8B_R1_00001 PanJit Semiconductor PDZ4.7B_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 6.8V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ7.5B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 7.5V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 7.5V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ7.5B_R1_00001 PanJit Semiconductor PDZ4.7B_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 7.5V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 7.5V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ8.2B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 8.2V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ8.2B_R1_00001 PanJit Semiconductor PDZ4.7B_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 8.2V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ9.1B-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 9.1V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ9.1B_R1_00001 PanJit Semiconductor PDZ4.7B_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 9.1V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4A6-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 1A; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 0.6pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4A6_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 1A; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 0.6pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4A6_S1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 1A; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 0.6pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4E6-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.6pF
Case: SOT563
Number of channels: 4
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4E6-AU_S1_000A1 PanJit Semiconductor PE1605C4E6-AU.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.6pF
Case: SOT563
Number of channels: 4
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4E6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1605C4E6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.6pF
Case: SOT563
Number of channels: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4A6_R1_00001.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; ESD; SOT23-6; Ch: 4
Version: ESD
Application: Ethernet; USB
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
Type of diode: TVS array
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6...9V
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 8067 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.26 грн
79+5.32 грн
100+4.95 грн
250+4.53 грн
500+4.30 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE1805C4C6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; ESD; SOT363; Ch: 4
Version: ESD
Application: Ethernet; USB
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
Type of diode: TVS array
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6...9V
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.42 грн
55+7.64 грн
100+5.35 грн
500+4.38 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C1ES_R1_00001 PE4105C1ES_R1_00001 PanJit Semiconductor PE4105C1ES Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; ESD; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 13A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6...7.5V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
100+4.47 грн
143+2.91 грн
204+2.04 грн
500+1.75 грн
1000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C3C6_R1_00001 PanJit Semiconductor PE4105C3C6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 13A; unidirectional; SOT363; Ch: 3
Mounting: SMD
Case: SOT363
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 3
Max. forward impulse current: 13A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4136C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PE4136C2A-AU_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS
Capacitance: 0.1nF
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4136C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS
Capacitance: 0.1nF
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4307ES_R1_00701 PE4307ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.7V; 12.9A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.7V
Max. forward impulse current: 12.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 7V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.16nF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312C2A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 8.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8.5V; 8.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 8.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312C2C-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312CS_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 8.3A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4315C2A_R1_00501 PE4315C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 7.8A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 7.8A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Capacitance: 65pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 39.6V; 3.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 39.6V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4512C2A-AU_R1_007A1 PE4512C2A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 17.4A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 17.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 0.195nF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4512CS_R1_00701 PE4512CS_R1_00701 PanJit Semiconductor PE4505CS_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 12V; 17.4A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 17.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.195nF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q-AU_R1_002A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4728L1Q-AU_R1_002A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; 27.5A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: DFN1610-2
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 27.5A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 28V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.23nF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE9180C1A-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor PE9180C1A-AU.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 100V; 20A; 0.35kW; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 80V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 30nA
Capacitance: 0.6pF
Number of channels: 2
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q-AU_R1_005A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 75nA
Case: DFN1006-2
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC1605M1Q.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2C_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2E_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT523; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205CS_R1_00701 PanJit Semiconductor PEC3205CS Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8V; 5A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES-AU_R1_007A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES_R1_00701 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PanJit Semiconductor PEC3202M1Q Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205S1Q_R1_00001 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; DFN0603-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN0603-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A-AU_R1_000A1 PEC33712C2A-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Semiconductor structure: bidirectional
Application: automotive industry
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A_R1_00001 PanJit Semiconductor PEC33712C2A.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; ESD
Version: ESD
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105C2A_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105CS_R1_00701 PanJit Semiconductor PEC4102CS_SERIES.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1 PG4007-AU_R2_100A1 PanJit Semiconductor Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ30072S6_R1_00301 PanJit Semiconductor PJ30072.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: Converter: DC/DC; Uin: 750mVDC÷5.5VDC; SOT23-6
Input voltage: 750mV DC...5.5V DC
Output current: 0.75A
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...85°C
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ4L40W6_R1_00001 PanJit Semiconductor PJ4L40W6.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; quadruple; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 30V
Semiconductor structure: quadruple
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 30V
Leakage current: 2µA
Number of channels: 4
Capacitance: 19pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor PJA138K-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
32+14.32 грн
80+5.24 грн
112+3.71 грн
500+2.83 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400-AU_R1_000A1 PJA3400-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; SOT23-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
31+13.79 грн
100+8.56 грн
500+6.23 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.69 грн
29+14.54 грн
100+8.14 грн
500+5.25 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501 PJA3402_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 92mΩ
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.84 грн
62+6.73 грн
100+5.04 грн
250+4.54 грн
500+4.20 грн
1000+4.01 грн
3000+3.60 грн
9000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJA3403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.79 грн
35+11.88 грн
100+6.91 грн
500+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501 PJA3404_R1_00501 PanJit Semiconductor Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.22 грн
21+20.11 грн
100+9.06 грн
250+8.31 грн
500+7.31 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406-AU_R1_000A1 PJA3406-AU_R1_000A1 PanJit Semiconductor Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 8V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ6.8B-AU_R1_000A1 PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 6.8V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ6.8B_R1_00001 PDZ4.7B_SER.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 6.8V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ7.5B-AU_R1_000A1 PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 7.5V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 7.5V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ7.5B_R1_00001 PDZ4.7B_SER.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 7.5V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 7.5V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ8.2B-AU_R1_000A1 PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 8.2V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ8.2B_R1_00001 PDZ4.7B_SER.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 8.2V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 8.2V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ9.1B-AU_R1_000A1 PDZ4.7B-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 9.1V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDZ9.1B_R1_00001 PDZ4.7B_SER.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 400mW; 9.1V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.4W
Zener voltage: 9.1V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4A6-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 1A; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 0.6pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4A6_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 1A; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 0.6pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4A6_S1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 1A; unidirectional; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 1A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 5.5V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 4
Capacitance: 0.6pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4E6-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.6pF
Case: SOT563
Number of channels: 4
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4E6-AU_S1_000A1 PE1605C4E6-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.6pF
Case: SOT563
Number of channels: 4
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1605C4E6_R1_00001 PE1605C4E6.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 4A; unidirectional; SOT563; Ch: 4
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.6pF
Case: SOT563
Number of channels: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4A6_R1_00001 PE1805C4A6_R1_00001.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; ESD; SOT23-6; Ch: 4
Version: ESD
Application: Ethernet; USB
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23-6
Capacitance: 0.8pF
Type of diode: TVS array
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6...9V
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 8067 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.26 грн
79+5.32 грн
100+4.95 грн
250+4.53 грн
500+4.30 грн
1000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE1805C4C6_R1_00001 PE1805C4C6.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷9V; 5A; unidirectional; ESD; SOT363; Ch: 4
Version: ESD
Application: Ethernet; USB
Max. off-state voltage: 5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT363
Capacitance: 0.8pF
Type of diode: TVS array
Number of channels: 4
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 6...9V
Max. forward impulse current: 5A
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+13.42 грн
55+7.64 грн
100+5.35 грн
500+4.38 грн
1000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C1ES_R1_00001 PE4105C1ES
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6÷7.5V; 13A; unidirectional; ESD; SOD523; Ch: 1
Mounting: SMD
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Type of diode: TVS array
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 13A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6...7.5V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+4.47 грн
143+2.91 грн
204+2.04 грн
500+1.75 грн
1000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.5V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 7.5V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4105C3C6_R1_00001 PE4105C3C6.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6V; 13A; unidirectional; SOT363; Ch: 3
Mounting: SMD
Case: SOT363
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.12nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 3
Max. forward impulse current: 13A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4136C2A-AU_R1_000A1 PE4136C2A-AU_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS
Capacitance: 0.1nF
Leakage current: 0.8µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4136C2A_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 40V; 1A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Case: SOT23
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Semiconductor structure: unidirectional
Type of diode: TVS
Capacitance: 0.1nF
Leakage current: 1µA
Max. forward impulse current: 1A
Max. off-state voltage: 36V
Breakdown voltage: 40V
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4307ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 7.7V; 12.9A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 7.7V
Max. forward impulse current: 12.9A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 7V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.16nF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312C2A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 8.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8.5V; 8.3A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 8.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312C2C-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 90pF
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312CS_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 8.3A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4312ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.2V; 8.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 13.2V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 90pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4315C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 7.8A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Mounting: SMD
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 7.8A
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 12V
Semiconductor structure: unidirectional
Leakage current: 1µA
Case: SOT23
Capacitance: 65pF
Type of diode: TVS
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4336ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 39.6V; 3.3A; unidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 39.6V
Max. forward impulse current: 3.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD523
Max. off-state voltage: 36V
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 20pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4512C2A-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 15.5V; 17.4A; 0.35kW; unidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 15.5V
Max. forward impulse current: 17.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 2
Capacitance: 0.195nF
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4512CS_R1_00701 PE4505CS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 12V; 17.4A; unidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 17.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Mounting: SMD
Case: SOD323
Max. off-state voltage: 12V
Leakage current: 0.1µA
Number of channels: 1
Capacitance: 0.195nF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q-AU_R1_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4724L1Q_R1_00201
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 26.4V; 32A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Case: DFN1610-2
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Capacitance: 0.28nF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.4V
Max. forward impulse current: 32A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE4728L1Q-AU_R1_002A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; 27.5A; unidirectional; DFN1610-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Mounting: SMD
Case: DFN1610-2
Semiconductor structure: unidirectional
Breakdown voltage: 30V
Max. forward impulse current: 27.5A
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 28V
Leakage current: 1µA
Capacitance: 0.23nF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE9180C1A-AU_R1_007A1 PE9180C1A-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 100V; 20A; 0.35kW; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.35kW
Max. off-state voltage: 80V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 30nA
Capacitance: 0.6pF
Number of channels: 2
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC11SD03M1Q_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5V; 3.5A; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 3.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 0.19pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q-AU_R1_005A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 6.8V; 2A; bidirectional; DFN1006-2; Ch: 1
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 5V
Semiconductor structure: bidirectional
Leakage current: 75nA
Case: DFN1006-2
Type of diode: TVS
Number of channels: 1
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC1605M1Q_R1_00001 PEC1605M1Q.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8÷11.2V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6pF
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Leakage current: 75nA
Max. off-state voltage: 5.5V
Breakdown voltage: 6.8...11.2V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2C_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT323; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205C2E_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOT523; Ch: 2
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205CS_R1_00701 PEC3205CS
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 8V; 5A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES-AU_R1_007A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Application: automotive industry
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205ES_R1_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; SOD523; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD523
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205M1Q_R1_00201 PEC3202M1Q
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 5.5÷8V; bidirectional; DFN1006-2; reel,tape
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5...8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN1006-2
Version: ESD
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC3205S1Q_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 5A; bidirectional; DFN0603-2; Ch: 1
Type of diode: TVS
Capacitance: 20pF
Leakage current: 0.5µA
Number of channels: 1
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DFN0603-2
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 13.3V; 5A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Semiconductor structure: bidirectional
Application: automotive industry
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of diode: TVS
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC33712C2A_R1_00001 PEC33712C2A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 7.5÷13.3V; 8A; asymmetric,bidirectional; ESD
Version: ESD
Semiconductor structure: asymmetric; bidirectional
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: TVS array
Capacitance: 35pF
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Max. forward impulse current: 8A
Max. off-state voltage: 7...12V
Breakdown voltage: 7.5...13.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105C2A_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEC4105CS_R1_00701 PEC4102CS_SERIES.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 5.5V; 20A; bidirectional; SOD323; Ch: 1
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 5.5V
Max. forward impulse current: 20A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 0.5µA
Capacitance: 80pF
Number of channels: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PG4007-AU_R2_100A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; Ifsm: 30A; DO41; Ufmax: 1.1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ30072S6_R1_00301 PJ30072.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: Converter: DC/DC; Uin: 750mVDC÷5.5VDC; SOT23-6
Input voltage: 750mV DC...5.5V DC
Output current: 0.75A
Case: SOT23-6
Operating temperature: -40...85°C
Type of converter: DC/DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJ4L40W6_R1_00001 PJ4L40W6.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS; 30V; quadruple; SOT23-6L; Ch: 4
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 30V
Semiconductor structure: quadruple
Mounting: SMD
Case: SOT23-6L
Max. off-state voltage: 30V
Leakage current: 2µA
Number of channels: 4
Capacitance: 19pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA138K-AU_R1_000A1 PJA138K-AU.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; Idm: 1.2A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+14.32 грн
80+5.24 грн
112+3.71 грн
500+2.83 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; SOT23-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 12V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3400_R1_00001 PJA3400.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.16 грн
31+13.79 грн
100+8.56 грн
500+6.23 грн
1000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3401A_R1_00001 PJA3401A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.69 грн
29+14.54 грн
100+8.14 грн
500+5.25 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3402_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 92mΩ
на замовлення 9005 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.84 грн
62+6.73 грн
100+5.04 грн
250+4.54 грн
500+4.20 грн
1000+4.01 грн
3000+3.60 грн
9000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3403_R1_00001 PJA3403.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 688 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+18.79 грн
35+11.88 грн
100+6.91 грн
500+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3404_R1_00501
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+32.22 грн
21+20.11 грн
100+9.06 грн
250+8.31 грн
500+7.31 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3406-AU_R1_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1.6A; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.6A
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: 8V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27  Наступна Сторінка >> ]