Результат пошуку "4229P" : 49

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.8 грн
50+ 175.25 грн
100+ 150.22 грн
500+ 125.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies Infineon_IRFB4229_DataSheet_v01_01_EN-3363106.pdf MOSFET MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.62 грн
10+ 235.11 грн
25+ 166.48 грн
100+ 138.51 грн
250+ 133.85 грн
500+ 121.87 грн
1000+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4229PBF IRFB4229PBF Infineon Technologies infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFI4229PBF IRFI4229PBF Infineon Technologies 4165477929500929irfi4229pbf.pdffileid5546d462533600a40153562416651f80.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFI4229PBF IRFI4229PBF Infineon Technologies irfi4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562416651f80 Description: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.32 грн
50+ 184.41 грн
100+ 158.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.15 грн
5+ 176.89 грн
13+ 167.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+332.58 грн
5+ 220.43 грн
13+ 201.45 грн
IRFP4229PBF IRFP4229PBF Infineon Technologies Infineon_IRFP4229_DataSheet_v01_01_EN-3363319.pdf MOSFET MOSFT 250V 44A 46mOhm 72nC Qg
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.63 грн
10+ 320.88 грн
25+ 225.09 грн
100+ 202.44 грн
400+ 161.82 грн
1200+ 154.5 грн
IRFP4229PBF IRFP4229PBF Infineon Technologies irfp4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562933922008 Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.45 грн
25+ 260.6 грн
100+ 223.38 грн
500+ 186.34 грн
1000+ 159.55 грн
IRFP4229PBF IRFP4229PBF Infineon Technologies infineon-irfp4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLV74229PDQNR TLV74229PDQNR Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftlv742p Description: IC REG LINEAR 2.9V 200MA 4X2SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-X2SON (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 55dB (100Hz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.27V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.03 грн
6000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TLV74229PDQNR TLV74229PDQNR Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftlv742p LDO Voltage Regulators 200-mA low-IQ low-dropout (LDO) voltage regulator 4-X2SON -40 to 125
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.85 грн
21+ 15.09 грн
100+ 5.66 грн
1000+ 4.33 грн
3000+ 3.33 грн
9000+ 3 грн
24000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 14
TLV74229PDQNR TLV74229PDQNR Texas Instruments suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftlv742p Description: IC REG LINEAR 2.9V 200MA 4X2SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-X2SON (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 55dB (100Hz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.27V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.61 грн
18+ 15.47 грн
25+ 13.57 грн
100+ 8.25 грн
250+ 6.83 грн
500+ 5.46 грн
1000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562933922008 IRFP4229PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
44229 44229 MYRRA Catalogue Myrra 2018 compressé.pdf Category: PCB transformers
Description: Transformer: encapsulated; 5VA; 230VAC; 6V; 833mA; PCB
Type of transformer: encapsulated
Power: 5VA
Primary voltage: 230V AC
Secondary voltage 1: 6V
Secondary winding current 1: 0.833A
Mounting: PCB
Thermal class: T 50B
Secondary winding terminals: 7-9
Primary winding terminals: 1-5
Body dimensions: 44.25x37x32.25mm
Electrical insulation strength: 4kV/60s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+415.95 грн
5+ 250.69 грн
12+ 228.08 грн
MAL213817331E3 MAL213817331E3 Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components 138aml.pdf Description: CAP ALUM 330UF 20% 40V AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Axial, Can
Size / Dimension: 0.394" Dia x 1.181" L (10.00mm x 30.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: Automotive
ESR (Equivalent Series Resistance): 470mOhm @ 100Hz
Lifetime @ Temp.: 10000 Hrs @ 105°C
Part Status: Active
Capacitance: 330 µF
Voltage - Rated: 40 V
Impedance: 320 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 490 mA @ 100 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 686 mA @ 10 kHz
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.03 грн
10+ 166 грн
Мінімальне замовлення: 2
MAL213817331E3 MAL213817331E3 VISHAY 2045693.pdf Description: VISHAY - MAL213817331E3 - ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR 330UF, 40V, 20%, AXIAL
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial Leaded
Polarität: Polar
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 hours @ 105°C
Betriebstemperatur, min.: 0
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Kapazität: 0
Spannung (DC): 0
Rippelstrom: 0
Produktpalette: 138 AML Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 0
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFB4229PBF IRFB4229PBF
Код товару: 118259 		irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFP4229PBF IRFP4229PBF
Код товару: 55867 		IR fndiwnge8wt83n2frw3.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 250 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4560/72
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFS4229PBF
Код товару: 145099 		irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
4229 PA Jacob GmbH xxxx_PAzz_RPg.pdf Description: REDUCER PG 42 X 29
Features: PG42 to PG29 Thread
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: Cable Glands
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6, Glass Filled
Accessory Type: Thread Adapter
товар відсутній
4229PA51H01800 4229PA51H01800 Laird Technologies EMI 51H_Series.pdf Description: GASKT FAB/FOAM 9.7X457.2MM DBL D
Packaging: Bulk
Length: 18.000" (457.20mm)
Shape: Double D
Width: 0.382" (9.70mm)
товар відсутній
4229PA51H01800 4229PA51H01800 Laird Performance Materials EMI_CAT_Essentials_1213-1903895.pdf EMI Gaskets, Sheets, Absorbers & Shielding GK,NICU,PTAFG,PU,V0,REC
товар відсутній
107 R PG42-29 PA OBO BETTERMANN 2030837-en.pdf Category: Reduction of Threads for Glands
Description: Reduction of threads for glands; Int.thread: PG29; polyamide
Type of cable accessories: reduction of threads for glands
Internal thread: PG29
External thread: PG42
Body material: polyamide
Kind of thread: PG
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
584229P008 TE Connectivity Raychem Cable Protection MIL-LT_Tubing_Spec.pdf Description: HEATSHRINK 1/4" X 0.082' RED
Features: Flame Retardant
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 0.082' (25.00mm, 0.98")
Type: Tubing, Flexible
Operating Temperature: -55°C ~ 135°C
Shrinkage Ratio: 2 to 1
Inner Diameter - Supplied: 0.250" (6.35mm)
Inner Diameter - Recovered: 0.125" (3.18mm)
Recovered Wall Thickness: 0.025" (0.64mm)
товар відсутній
HA671194229POXBK HellermannTyton HellermannTyton
товар відсутній
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB4229PBFXKMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFB4229PBFXKMA1 Infineon Technologies SP005745528
товар відсутній
IRFB4229PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFB4229_DataSheet_v01_01_EN-3363106.pdf MOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRFI4229PBF IRFI4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFI4229PBF IRFI4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4229PBFXKMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP4229PBFXKMA1 Infineon Technologies IRFP4229PBFXKMA1
товар відсутній
IRFP4229PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFB4229_DataSheet_v01_01_EN-3363106.pdf MOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRFS4229PBF IRFS4229PBF Infineon Technologies irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1 Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFSL4229PBF IRFSL4229PBF Infineon Technologies IRFSL4229PBF.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
товар відсутній
M24308/24-229P M24308/24-229P Amphenol Positronic D-Sub Standard Connectors
товар відсутній
M24308/24-229P Amphenol Positronic Description: D-SUB PLUG STRAIGHT/RIGHT ANGLE
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 7.5A
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Number of Positions: 50
Number of Rows: 3
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: Solder
Connector Style: D-Sub
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Size, Connector Layout: 5 (DD, D)
товар відсутній
M24308/24-229P Positronic Industries M24308/24-229P
товар відсутній
TLV74229PDQNR TLV74229PDQNR Texas Instruments sbvs323.pdf LDO Regulator Pos 2.9V 0.2A 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
29PN Apem Switch Bezels / Switch Caps TOGGLE SWITCH GUARD CSG
товар відсутній
61744229 LAPP Category: Protective tubes
Description: Protective tube
Type of cable accessories: protective tube
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній
IRFB4229PBF irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.8 грн
50+ 175.25 грн
100+ 150.22 грн
500+ 125.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4229PBF Infineon_IRFB4229_DataSheet_v01_01_EN-3363106.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.62 грн
10+ 235.11 грн
25+ 166.48 грн
100+ 138.51 грн
250+ 133.85 грн
500+ 121.87 грн
1000+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB4229PBF infineon-irfb4229-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFI4229PBF 4165477929500929irfi4229pbf.pdffileid5546d462533600a40153562416651f80.pdffileid55.pdf
IRFI4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFI4229PBF irfi4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562416651f80
IRFI4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.32 грн
50+ 184.41 грн
100+ 158.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf
IRFP4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+277.15 грн
5+ 176.89 грн
13+ 167.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf
IRFP4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+332.58 грн
5+ 220.43 грн
13+ 201.45 грн
IRFP4229PBF Infineon_IRFP4229_DataSheet_v01_01_EN-3363319.pdf
IRFP4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 250V 44A 46mOhm 72nC Qg
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.63 грн
10+ 320.88 грн
25+ 225.09 грн
100+ 202.44 грн
400+ 161.82 грн
1200+ 154.5 грн
IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562933922008
IRFP4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+341.45 грн
25+ 260.6 грн
100+ 223.38 грн
500+ 186.34 грн
1000+ 159.55 грн
IRFP4229PBF infineon-irfp4229-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFP4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLV74229PDQNR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftlv742p
TLV74229PDQNR
Виробник: Texas Instruments
Description: IC REG LINEAR 2.9V 200MA 4X2SON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-X2SON (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 55dB (100Hz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.27V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.03 грн
6000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
TLV74229PDQNR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftlv742p
TLV74229PDQNR
Виробник: Texas Instruments
LDO Voltage Regulators 200-mA low-IQ low-dropout (LDO) voltage regulator 4-X2SON -40 to 125
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.85 грн
21+ 15.09 грн
100+ 5.66 грн
1000+ 4.33 грн
3000+ 3.33 грн
9000+ 3 грн
24000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 14
TLV74229PDQNR suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftlv742p
TLV74229PDQNR
Виробник: Texas Instruments
Description: IC REG LINEAR 2.9V 200MA 4X2SON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 50 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 4-X2SON (1x1)
Voltage - Output (Min/Fixed): 2.9V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 55dB (100Hz ~ 1MHz)
Voltage Dropout (Max): 0.27V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.61 грн
18+ 15.47 грн
25+ 13.57 грн
100+ 8.25 грн
250+ 6.83 грн
500+ 5.46 грн
1000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFP4229PBF irfp4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562933922008
IRFP4229PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
44229 Catalogue Myrra 2018 compressé.pdf
44229
Виробник: MYRRA
Category: PCB transformers
Description: Transformer: encapsulated; 5VA; 230VAC; 6V; 833mA; PCB
Type of transformer: encapsulated
Power: 5VA
Primary voltage: 230V AC
Secondary voltage 1: 6V
Secondary winding current 1: 0.833A
Mounting: PCB
Thermal class: T 50B
Secondary winding terminals: 7-9
Primary winding terminals: 1-5
Body dimensions: 44.25x37x32.25mm
Electrical insulation strength: 4kV/60s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+415.95 грн
5+ 250.69 грн
12+ 228.08 грн
MAL213817331E3 138aml.pdf
MAL213817331E3
Виробник: Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
Description: CAP ALUM 330UF 20% 40V AXIAL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±20%
Package / Case: Axial, Can
Size / Dimension: 0.394" Dia x 1.181" L (10.00mm x 30.00mm)
Polarization: Polar
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Applications: Automotive
ESR (Equivalent Series Resistance): 470mOhm @ 100Hz
Lifetime @ Temp.: 10000 Hrs @ 105°C
Part Status: Active
Capacitance: 330 µF
Voltage - Rated: 40 V
Impedance: 320 mOhms
Ripple Current @ Low Frequency: 490 mA @ 100 Hz
Ripple Current @ High Frequency: 686 mA @ 10 kHz
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.03 грн
10+ 166 грн
Мінімальне замовлення: 2
MAL213817331E3 2045693.pdf
MAL213817331E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL213817331E3 - ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR 330UF, 40V, 20%, AXIAL
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial Leaded
Polarität: Polar
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 1000 hours @ 105°C
Betriebstemperatur, min.: 0
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Kapazität: 0
Spannung (DC): 0
Rippelstrom: 0
Produktpalette: 138 AML Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 0
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFB4229PBF
Код товару: 118259		 irfb4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615fb561e23
IRFB4229PBF
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFP4229PBF
Код товару: 55867		 fndiwnge8wt83n2frw3.pdf
IRFP4229PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 250 V
Idd,A: 44 A
Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 4560/72
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFS4229PBF
Код товару: 145099		 irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
4229 PA xxxx_PAzz_RPg.pdf
Виробник: Jacob GmbH
Description: REDUCER PG 42 X 29
Features: PG42 to PG29 Thread
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: Cable Glands
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6, Glass Filled
Accessory Type: Thread Adapter
товар відсутній
4229PA51H01800 51H_Series.pdf
4229PA51H01800
Виробник: Laird Technologies EMI
Description: GASKT FAB/FOAM 9.7X457.2MM DBL D
Packaging: Bulk
Length: 18.000" (457.20mm)
Shape: Double D
Width: 0.382" (9.70mm)
товар відсутній
4229PA51H01800 EMI_CAT_Essentials_1213-1903895.pdf
4229PA51H01800
Виробник: Laird Performance Materials
EMI Gaskets, Sheets, Absorbers & Shielding GK,NICU,PTAFG,PU,V0,REC
товар відсутній
107 R PG42-29 PA 2030837-en.pdf
Виробник: OBO BETTERMANN
Category: Reduction of Threads for Glands
Description: Reduction of threads for glands; Int.thread: PG29; polyamide
Type of cable accessories: reduction of threads for glands
Internal thread: PG29
External thread: PG42
Body material: polyamide
Kind of thread: PG
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
584229P008 MIL-LT_Tubing_Spec.pdf
Виробник: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Description: HEATSHRINK 1/4" X 0.082' RED
Features: Flame Retardant
Packaging: Bulk
Color: Red
Material: Polyolefin (PO), Irradiated
Length: 0.082' (25.00mm, 0.98")
Type: Tubing, Flexible
Operating Temperature: -55°C ~ 135°C
Shrinkage Ratio: 2 to 1
Inner Diameter - Supplied: 0.250" (6.35mm)
Inner Diameter - Recovered: 0.125" (3.18mm)
Recovered Wall Thickness: 0.025" (0.64mm)
товар відсутній
HA671194229POXBK
Виробник: HellermannTyton
HellermannTyton
товар відсутній
IRFB4229PBF irfb4229pbf.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFB4229PBF irfb4229pbf.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB4229PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFB4229PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
SP005745528
товар відсутній
IRFB4229PBFXKMA1 Infineon_IRFB4229_DataSheet_v01_01_EN-3363106.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRFI4229PBF irfi4229pbf.pdf
IRFI4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFI4229PBF irfi4229pbf.pdf
IRFI4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4229PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP4229PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
IRFP4229PBFXKMA1
товар відсутній
IRFP4229PBFXKMA1 Infineon_IRFB4229_DataSheet_v01_01_EN-3363106.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
товар відсутній
IRFS4229PBF irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1
IRFS4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFSL4229PBF IRFSL4229PBF.pdf
IRFSL4229PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
товар відсутній
M24308/24-229P
M24308/24-229P
Виробник: Amphenol Positronic
D-Sub Standard Connectors
товар відсутній
M24308/24-229P
Виробник: Amphenol Positronic
Description: D-SUB PLUG STRAIGHT/RIGHT ANGLE
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 7.5A
Mounting Type: Panel Mount, Through Hole
Number of Positions: 50
Number of Rows: 3
Contact Type: Signal
Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded)
Termination: Solder
Connector Style: D-Sub
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Size, Connector Layout: 5 (DD, D)
товар відсутній
M24308/24-229P
Виробник: Positronic Industries
M24308/24-229P
товар відсутній
TLV74229PDQNR sbvs323.pdf
TLV74229PDQNR
Виробник: Texas Instruments
LDO Regulator Pos 2.9V 0.2A 4-Pin X2SON EP T/R
товар відсутній
29PN
Виробник: Apem
Switch Bezels / Switch Caps TOGGLE SWITCH GUARD CSG
товар відсутній
61744229
Виробник: LAPP
Category: Protective tubes
Description: Protective tube
Type of cable accessories: protective tube
кількість в упаковці: 30 шт
товар відсутній