Результат пошуку "di-f1" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1742.16 грн
2+1529.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 DIF120SIC022 Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6008.15 грн
10+4629.81 грн
120+2414.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC 4397176.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7273.48 грн
5+6480.51 грн
10+5686.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 Diotec Electronics dif120sic022.pdf DIF120SIC022
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3924.36 грн
5+3545.74 грн
10+3358.67 грн
30+2838.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3732.59 грн
30+3375.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4479.10 грн
30+4205.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ Diotec Electronics dif120sic022.pdf DIF120SIC022-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+6409.11 грн
10+5531.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ DIOTEC 4397176.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16618.46 грн
5+14805.37 грн
10+12992.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ DIF120SIC022-AQ Diotec Semiconductor dif120sic022.pdf SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17052.21 грн
10+13141.47 грн
120+6853.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1760.73 грн
2+1545.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 Diotec Electronics dif120sic028.pdf DIF120SIC028
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3116.85 грн
10+2665.02 грн
30+2432.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC dif120sic028.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6909.51 грн
5+6156.24 грн
10+5402.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 DIF120SIC028 Diotec Semiconductor dif120sic028.pdf SiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7091.04 грн
10+5464.36 грн
120+2850.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+754.96 грн
2+674.38 грн
4+637.52 грн
10+630.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 Diotec Electronics dif120sic053.pdf DIF120SIC053
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1107.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 DIF120SIC053 Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf SiC MOSFETs
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1754.76 грн
10+1352.24 грн
120+705.36 грн
510+523.94 грн
1020+511.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 DIF120SIC053 DIOTEC 4397180.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3054.47 грн
5+2721.75 грн
10+2388.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1536.95 грн
2+1349.53 грн
30+1338.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1844.34 грн
2+1681.73 грн
30+1606.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ DIOTEC 4397180.pdf Description: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6490.65 грн
5+5782.13 грн
10+5073.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ DIF120SIC053-AQ Diotec Semiconductor dif120sic053.pdf SiC MOSFETs
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6659.81 грн
10+5132.79 грн
120+2676.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ Diotec Electronics dif120sic053.pdf DIF120SIC053-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2539.22 грн
10+2264.92 грн
30+2156.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIF170SIC049 DIF170SIC049 DIOTEC dif170sic049.pdf Description: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4805.07 грн
5+4281.50 грн
10+3757.08 грн
50+3022.93 грн
100+2361.16 грн
250+1931.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIDIF12-40MQ LSI QFP
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
L1C4084(GDIF11-1) LSI LOGI PLCC44
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2929DIF10
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIW3500DIF1-T13 RF 0606+
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIW3500DIF1-T13 RF 09+
на замовлення 33518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
OSM5XAHAE1E OPTOSUPPLY high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+295.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
OSM5XAHAE1E OPTOSUPPLY high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+295.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
OSM5XAHAE1E OPTOSUPPLY high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+295.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
OSTW3535C1A OPTOSUPPLY LED intelligent control 3.48mm; RGB(630/530/475nm); lumin. (for white) 2100mcd;  IF=16mA; VF=3.5 -5.3V OSTW3535C1A OLF.OSTW3535C1A
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SSI-LXR3612GD-450 SSI-LXR3612GD-450 Lumex lumex_lumxs05017-1-1737699.pdf LED Panel Mount Indicators Green 565nm 30mcd T-3mm 18" Leads Dif
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.99 грн
100+139.38 грн
200+120.45 грн
500+119.69 грн
1000+118.94 грн
2500+95.60 грн
5000+94.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TH349G39GDSN TH349G39GDSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-2% a. 25C
на замовлення 32735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.65 грн
15+24.33 грн
100+21.00 грн
500+20.93 грн
1000+20.02 грн
2000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TH350G39GBSN-T5 TH350G39GBSN-T5 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC THERM GLASS ENCAP,50K
на замовлення 10417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.72 грн
14+25.45 грн
15+21.45 грн
25+20.78 грн
50+19.80 грн
100+18.82 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TH350H39GBNI TH350H39GBNI Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 50Kohm +/-3% a. 25C
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.03 грн
10+35.41 грн
11+28.46 грн
25+25.37 грн
50+23.71 грн
100+21.91 грн
500+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TH350J39GBNI TH350J39GBNI Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.50 грн
13+28.14 грн
14+23.11 грн
25+21.53 грн
50+20.48 грн
100+19.50 грн
500+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TH350J39GBSN TH350J39GBSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.50 грн
13+28.14 грн
14+23.11 грн
25+21.53 грн
50+20.48 грн
100+19.50 грн
500+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TH410J42GBSN-T5 TH410J42GBSN-T5 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 100Kohm +/-5% a. 25C
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+28.72 грн
15+23.55 грн
100+19.50 грн
500+17.46 грн
1000+16.56 грн
3000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
W724C0-01 SEOUL high power LED Emiter 11.8W; white (6300K); luminosity: 400 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1400mA; VF=3.6V; OLBHP12W-E OLBHP12W-E
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 DIF120SIC022 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2090.59 грн
2+1905.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 DIF120SIC028 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+2112.88 грн
2+1926.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 DIOTEC SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+905.95 грн
2+840.38 грн
4+765.02 грн
10+756.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF156H00-00D0 DIF156H00-00D0 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF175H00-00D0 DIF175H00-00D0 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF184H00-00D0 DIF184H00-00D0 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF198H00-00D0 DIF198H00-00D0 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADI-F13M12B ADI-F13M12B AATC AATC_10192023_ADI_F13M12B-3359234.pdf Speakers & Transducers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADI-F13M3B ADI-F13M3B AATC AATC_10192023_ADI_F13M3B-3359236.pdf Speakers & Transducers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADI-F13M5B ADI-F13M5B AATC AATC_10192023_ADI_F13M5B-3359211.pdf Speakers & Transducers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5BBLKREDIF1 R5BBLKREDIF1 E-Switch R5BBLKREDIF1-3457931.pdf Rocker Switches 15A 250V DPST On-OffNeon Bulb
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Паяльник Handif 150W Handif
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH320H35GBSN TH320H35GBSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 20Kohm +/-3% a. 25C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH320H39GBSN TH320H39GBSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 20Kohm +/-3% a. 25C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH333J40GBPS-T5 TH333J40GBPS-T5 Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349G39GBPS TH349G39GBPS Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC glass encapsulated thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349H39GFNI TH349H39GFNI Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-3% a. 25C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349H39GFSN TH349H39GFSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-3% a. 25C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349H39GSSN TH349H39GSSN Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC glass encapsulated thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349J39GSNI TH349J39GSNI Amphenol Advanced Sensors AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 49.12K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1742.16 грн
2+1529.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 dif120sic022.pdf
DIF120SIC022
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175°C
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6008.15 грн
10+4629.81 грн
120+2414.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 4397176.pdf
DIF120SIC022
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC022 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7273.48 грн
5+6480.51 грн
10+5686.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 dif120sic022.pdf
Виробник: Diotec Electronics
DIF120SIC022
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3924.36 грн
5+3545.74 грн
10+3358.67 грн
30+2838.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3732.59 грн
30+3375.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4479.10 грн
30+4205.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ dif120sic022.pdf
Виробник: Diotec Electronics
DIF120SIC022-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+6409.11 грн
10+5531.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ 4397176.pdf
DIF120SIC022-AQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC022-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 120 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16618.46 грн
5+14805.37 грн
10+12992.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022-AQ dif120sic022.pdf
DIF120SIC022-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17052.21 грн
10+13141.47 грн
120+6853.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d
DIF120SIC028
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1760.73 грн
2+1545.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
Виробник: Diotec Electronics
DIF120SIC028
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3116.85 грн
10+2665.02 грн
30+2432.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
DIF120SIC028
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC028 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0274 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0274ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6909.51 грн
5+6156.24 грн
10+5402.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 dif120sic028.pdf
DIF120SIC028
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7091.04 грн
10+5464.36 грн
120+2850.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+754.96 грн
2+674.38 грн
4+637.52 грн
10+630.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 dif120sic053.pdf
Виробник: Diotec Electronics
DIF120SIC053
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1107.19 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 dif120sic053.pdf
DIF120SIC053
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1754.76 грн
10+1352.24 грн
120+705.36 грн
510+523.94 грн
1020+511.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 4397180.pdf
DIF120SIC053
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC053 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3054.47 грн
5+2721.75 грн
10+2388.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc
DIF120SIC053-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1536.95 грн
2+1349.53 грн
30+1338.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEB7923FD08BD040D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=96f9989bbeceabe4d1056662be5e1811b71ebdcc
DIF120SIC053-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1844.34 грн
2+1681.73 грн
30+1606.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ 4397180.pdf
DIF120SIC053-AQ
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF120SIC053-AQ - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 1.2 kV, 0.053 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6490.65 грн
5+5782.13 грн
10+5073.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ dif120sic053.pdf
DIF120SIC053-AQ
Виробник: Diotec Semiconductor
SiC MOSFETs
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6659.81 грн
10+5132.79 грн
120+2676.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053-AQ dif120sic053.pdf
Виробник: Diotec Electronics
DIF120SIC053-AQ
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+2539.22 грн
10+2264.92 грн
30+2156.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DIF170SIC049 dif170sic049.pdf
DIF170SIC049
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - DIF170SIC049 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 67 A, 1.7 kV, 0.049 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4805.07 грн
5+4281.50 грн
10+3757.08 грн
50+3022.93 грн
100+2361.16 грн
250+1931.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIDIF12-40MQ
Виробник: LSI
QFP
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
L1C4084(GDIF11-1)
Виробник: LSI LOGI
PLCC44
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S2929DIF10
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIW3500DIF1-T13
Виробник: RF
0606+
на замовлення 33500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIW3500DIF1-T13
Виробник: RF
09+
на замовлення 33518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
OSM5XAHAE1E
Виробник: OPTOSUPPLY
high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+295.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
OSM5XAHAE1E
Виробник: OPTOSUPPLY
high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+295.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
OSM5XAHAE1E
Виробник: OPTOSUPPLY
high power LED Emiter 10W; warm white (3000K); luminosity: 765 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1000mA; VF=10V; OLBCHP10W-E OLBCHP10W-E
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+295.92 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
OSTW3535C1A
Виробник: OPTOSUPPLY
LED intelligent control 3.48mm; RGB(630/530/475nm); lumin. (for white) 2100mcd;  IF=16mA; VF=3.5 -5.3V OSTW3535C1A OLF.OSTW3535C1A
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SSI-LXR3612GD-450 lumex_lumxs05017-1-1737699.pdf
SSI-LXR3612GD-450
Виробник: Lumex
LED Panel Mount Indicators Green 565nm 30mcd T-3mm 18" Leads Dif
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.99 грн
100+139.38 грн
200+120.45 грн
500+119.69 грн
1000+118.94 грн
2500+95.60 грн
5000+94.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TH349G39GDSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349G39GDSN
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-2% a. 25C
на замовлення 32735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.65 грн
15+24.33 грн
100+21.00 грн
500+20.93 грн
1000+20.02 грн
2000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
TH350G39GBSN-T5 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH350G39GBSN-T5
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC THERM GLASS ENCAP,50K
на замовлення 10417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.72 грн
14+25.45 грн
15+21.45 грн
25+20.78 грн
50+19.80 грн
100+18.82 грн
500+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TH350H39GBNI AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH350H39GBNI
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 50Kohm +/-3% a. 25C
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.03 грн
10+35.41 грн
11+28.46 грн
25+25.37 грн
50+23.71 грн
100+21.91 грн
500+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TH350J39GBNI AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH350J39GBNI
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.50 грн
13+28.14 грн
14+23.11 грн
25+21.53 грн
50+20.48 грн
100+19.50 грн
500+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TH350J39GBSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH350J39GBSN
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 50K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.50 грн
13+28.14 грн
14+23.11 грн
25+21.53 грн
50+20.48 грн
100+19.50 грн
500+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
TH410J42GBSN-T5 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH410J42GBSN-T5
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 100Kohm +/-5% a. 25C
на замовлення 3833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.72 грн
15+23.55 грн
100+19.50 грн
500+17.46 грн
1000+16.56 грн
3000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
W724C0-01
Виробник: SEOUL
high power LED Emiter 11.8W; white (6300K); luminosity: 400 lm; viewing angle 140°; Emiter type LED; IF=1400mA; VF=3.6V; OLBHP12W-E OLBHP12W-E
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+110.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC022 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E877744DD600D6&compId=dif120sic022.pdf?ci_sign=94794e08c23875ef5c9dffab084718e1c50ae0c3
DIF120SIC022
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 340W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 269nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2090.59 грн
2+1905.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC028 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF96956CECE61E00D6&compId=dif120sic028.pdf?ci_sign=d6f988c0d63cc55964bc01c7da88dd3511016b2d
DIF120SIC028
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 373nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2112.88 грн
2+1926.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF120SIC053 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92E88F608A71E0D6&compId=dif120sic053.pdf?ci_sign=a7675a3441b8c2fb4e54709b849d1650a1774cfe
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+905.95 грн
2+840.38 грн
4+765.02 грн
10+756.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DIF156H00-00D0 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
DIF156H00-00D0
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH410J42GBSN-T5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF175H00-00D0 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
DIF175H00-00D0
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF184H00-00D0 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
DIF184H00-00D0
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH420J34GBNI (25/85)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DIF198H00-00D0 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
DIF198H00-00D0
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors TH450J44GBSN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADI-F13M12B AATC_10192023_ADI_F13M12B-3359234.pdf
ADI-F13M12B
Виробник: AATC
Speakers & Transducers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADI-F13M3B AATC_10192023_ADI_F13M3B-3359236.pdf
ADI-F13M3B
Виробник: AATC
Speakers & Transducers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ADI-F13M5B AATC_10192023_ADI_F13M5B-3359211.pdf
ADI-F13M5B
Виробник: AATC
Speakers & Transducers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R5BBLKREDIF1 R5BBLKREDIF1-3457931.pdf
R5BBLKREDIF1
Виробник: E-Switch
Rocker Switches 15A 250V DPST On-OffNeon Bulb
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Паяльник Handif 150W
Виробник: Handif
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH320H35GBSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH320H35GBSN
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 20Kohm +/-3% a. 25C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH320H39GBSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH320H39GBSN
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 20Kohm +/-3% a. 25C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH333J40GBPS-T5 AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH333J40GBPS-T5
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349G39GBPS AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349G39GBPS
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC glass encapsulated thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349H39GFNI AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349H39GFNI
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-3% a. 25C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349H39GFSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349H39GFSN
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors Glass encapsulated, 49.12Kohm +/-3% a. 25C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349H39GSSN AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349H39GSSN
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors NTC glass encapsulated thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TH349J39GSNI AAS_920_320E_Thermometrics_NTC_Diode_082317_web_pd-1315825.pdf
TH349J39GSNI
Виробник: Amphenol Advanced Sensors
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 49.12K Ohm 25Deg C Glass encapsulated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]