Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (106374) > Сторінка 1060 з 1773
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ESR03EZPD5101 | Rohm Semiconductor |
Description: ANTI-SURGE RES 0603 0.5%Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.333W, 1/3W Tolerance: ±0.5% Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Package / Case: 0603 (1608 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm) Resistance: 5.1 kOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 90000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
ESR03EZPD5100 | Rohm Semiconductor |
Description: ANTI-SURGE RES 0603 0.5%Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.333W, 1/3W Tolerance: ±0.5% Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Package / Case: 0603 (1608 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm) Resistance: 510 Ohms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
ESR10EZPD5101 | Rohm Semiconductor |
Description: ANTI SURGE CHIP RES 0805 .5%Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.4W, 2/5W Tolerance: ±0.5% Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 5.1 kOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
ESR10EZPD5103 | Rohm Semiconductor |
Description: ANTI SURGE CHIP RES 0805 .5%Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.4W, 2/5W Tolerance: ±0.5% Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0805 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 510 kOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
ESR18EZPD5102 | Rohm Semiconductor |
Description: ANTI SURGE CHIP RES 1206 .5%Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.5W, 1/2W Tolerance: ±0.5% Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 1206 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 51 kOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 65000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
ESR18EZPD5103 | Rohm Semiconductor |
Description: ANTI SURGE CHIP RES 1206 .5%Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.5W, 1/2W Tolerance: ±0.5% Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 1206 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 510 kOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
ESR25JZPD5102 | Rohm Semiconductor |
Description: ANTI-SURGE RES 1210, 0.5%Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 1W Tolerance: ±0.5% Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 1210 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 51 kOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
LTR50UZPD5100 | Rohm Semiconductor |
Description: WIDE TERMINAL RES. 2010, 0.5%Packaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 2W Tolerance: ±0.5% Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding Package / Case: Wide 2010 (5025 Metric), 1020 Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.098" L x 0.197" W (2.50mm x 5.00mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Ratings: AEC-Q200 Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 1020 Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm) Resistance: 510 Ohms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BD15HA5MEFJ-ME2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LIN 1.5V 500MA 8-HTSOP-JPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 500mA Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 0.6 mA Voltage - Input (Max): 8V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: 8-HTSOP-J Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V Control Features: Enable Grade: Automotive Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 500mA Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start Current - Supply (Max): 1.2 mA Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BD15HA5MEFJ-ME2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC REG LIN 1.5V 500MA 8-HTSOP-JPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 500mA Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 0.6 mA Voltage - Input (Max): 8V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: 8-HTSOP-J Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V Control Features: Enable Grade: Automotive Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 500mA Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start Current - Supply (Max): 1.2 mA Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MCR03SEQPF10R0 | Rohm Semiconductor |
Description: 1608(0603)SIZE, HIGH POWER THICKPackaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 0.125W, 1/8W Tolerance: ±1% Features: Automotive AEC-Q200 Package / Case: 0603 (1608 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm) Resistance: 10 Ohms |
на замовлення 95000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MCR03SEQPF10R0 | Rohm Semiconductor |
Description: 1608(0603)SIZE, HIGH POWER THICKPackaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 0.125W, 1/8W Tolerance: ±1% Features: Automotive AEC-Q200 Package / Case: 0603 (1608 Metric) Temperature Coefficient: ±100ppm/°C Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0603 Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm) Resistance: 10 Ohms |
на замовлення 95658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
R6061XNXC7G | Rohm Semiconductor |
Description: 600V 26A TO-220FM, HIGH-SPEED SWPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BM79331FV-LBE2 | Rohm Semiconductor |
Description: ISOLATION VOLTAGE 3750 VRMS 4CHPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Technology: Magnetic Coupling Voltage - Isolation: 3750Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 20-SSOP-BW Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2µs, 2µs Number of Channels: 4 Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BM79331FV-LBE2 | Rohm Semiconductor |
Description: ISOLATION VOLTAGE 3750 VRMS 4CHPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Technology: Magnetic Coupling Voltage - Isolation: 3750Vrms Approval Agency: UL Supplier Device Package: 20-SSOP-BW Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2µs, 2µs Number of Channels: 4 Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
LTR100LJZPJSR027 | Rohm Semiconductor |
Description: HIGH POWER CHIP RESISTORPackaging: Tape & Reel (TR) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Pulse Withstanding Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225 Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 1225 Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm) Resistance: 27 mOhms |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LTR100LJZPJSR027 | Rohm Semiconductor |
Description: HIGH POWER CHIP RESISTORPackaging: Cut Tape (CT) Power (Watts): 3W Tolerance: ±5% Features: Pulse Withstanding Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225 Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 155°C Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 1225 Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm) Resistance: 27 mOhms |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SCS320KGC16 | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDEPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACGE Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SCS320KGHRC16 | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDEPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACGE Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SCS320AGHRC16 | Rohm Semiconductor |
Description: 650V, 20A, THD, SILICON-CARBIDEPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220ACGE Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SCS320KE2C11 | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-CPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SCS320KE2HRC11 | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-CPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: TO-247N Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SCS320KNTRL | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SCS320KNTRL | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SCS320KNHRTRL | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SCS320KNHRTRL | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263L Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RS6E120BGTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RS6E120BGTB1 | Rohm Semiconductor |
Description: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : RPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8KB5TB1 | Rohm Semiconductor |
Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, POPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
SH8KB5TB1 | Rohm Semiconductor |
Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, POPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ESR10EZPF2151 | Rohm Semiconductor |
Description: RES 2.15K OHM 1% 2/5W 0805 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ESR10EZPF2151 | Rohm Semiconductor |
Description: RES 2.15K OHM 1% 2/5W 0805 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KTR03EZPF2151 | Rohm Semiconductor |
Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
KTR03EZPF2151 | Rohm Semiconductor |
Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LTR18EZPF2151 | Rohm Semiconductor |
Description: RES 2.15K OHM 1% 3/4W 1206 WIDE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
LTR18EZPF2151 | Rohm Semiconductor |
Description: RES 2.15K OHM 1% 3/4W 1206 WIDE |
на замовлення 4630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DTC144GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DTC144GU3HZGT106 | Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8MA3TB1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SH8MA3TB1 | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP |
на замовлення 15472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LM2902KVQPWR | Rohm Semiconductor |
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SDR03EZPJ913 | Rohm Semiconductor |
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SDR03EZPJ913 | Rohm Semiconductor |
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LTR18EZPJLR24 | Rohm Semiconductor |
Description: RES 0.24 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
LTR18EZPJLR24 | Rohm Semiconductor |
Description: RES 0.24 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
LTR18EZPFLR240 | Rohm Semiconductor |
Description: RES 0.24 OHM 1% 1.5W 1206 WIDE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
LTR18EZPFLR240 | Rohm Semiconductor |
Description: RES 0.24 OHM 1% 1.5W 1206 WIDE |
на замовлення 4451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SML012EC4TT86 | Rohm Semiconductor |
Description: LED GREEN CLEAR 3020 SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SML012EC4TT86 | Rohm Semiconductor |
Description: LED GREEN CLEAR 3020 SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BD79700FVM-LBTR | Rohm Semiconductor |
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BD79700FVM-LBTR | Rohm Semiconductor |
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP |
на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD79701FVM-LBTR | Rohm Semiconductor |
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BD79701FVM-LBTR | Rohm Semiconductor |
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP |
на замовлення 2743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD79702FV-LBE2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD79702FV-LBE2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BD79703FV-LBE2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BD79703FV-LBE2 | Rohm Semiconductor |
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BD79710FVM-LBTR | Rohm Semiconductor |
Description: D/A CONVERTERS 10 BIT 2 CHANNELS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BD79710FVM-LBTR | Rohm Semiconductor |
Description: D/A CONVERTERS 10 BIT 2 CHANNELS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
BD79711FVM-LBTR | Rohm Semiconductor |
Description: D/A CONVERTERS 10 BIT 3 CHANNELS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| ESR03EZPD5101 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE RES 0603 0.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.333W, 1/3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 5.1 kOhms
Description: ANTI-SURGE RES 0603 0.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.333W, 1/3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 5.1 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 90000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESR03EZPD5100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE RES 0603 0.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.333W, 1/3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 510 Ohms
Description: ANTI-SURGE RES 0603 0.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.333W, 1/3W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 510 Ohms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESR10EZPD5101 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI SURGE CHIP RES 0805 .5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 5.1 kOhms
Description: ANTI SURGE CHIP RES 0805 .5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 5.1 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESR10EZPD5103 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI SURGE CHIP RES 0805 .5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 510 kOhms
Description: ANTI SURGE CHIP RES 0805 .5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 510 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESR18EZPD5102 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI SURGE CHIP RES 1206 .5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 51 kOhms
Description: ANTI SURGE CHIP RES 1206 .5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 51 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 65000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESR18EZPD5103 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI SURGE CHIP RES 1206 .5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 510 kOhms
Description: ANTI SURGE CHIP RES 1206 .5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 510 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESR25JZPD5102 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE RES 1210, 0.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 51 kOhms
Description: ANTI-SURGE RES 1210, 0.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 51 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LTR50UZPD5100 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: WIDE TERMINAL RES. 2010, 0.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: Wide 2010 (5025 Metric), 1020
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.098" L x 0.197" W (2.50mm x 5.00mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1020
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 510 Ohms
Description: WIDE TERMINAL RES. 2010, 0.5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: Wide 2010 (5025 Metric), 1020
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.098" L x 0.197" W (2.50mm x 5.00mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1020
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 510 Ohms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BD15HA5MEFJ-ME2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 1.5V 500MA 8-HTSOP-J
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.6 mA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 1.2 mA
Qualification: AEC-Q100
Description: IC REG LIN 1.5V 500MA 8-HTSOP-J
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.6 mA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 1.2 mA
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BD15HA5MEFJ-ME2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN 1.5V 500MA 8-HTSOP-J
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.6 mA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 1.2 mA
Qualification: AEC-Q100
Description: IC REG LIN 1.5V 500MA 8-HTSOP-J
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.6 mA
Voltage - Input (Max): 8V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.5V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
Voltage Dropout (Max): 1.2V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Soft Start
Current - Supply (Max): 1.2 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.06 грн |
| 10+ | 45.21 грн |
| 25+ | 40.73 грн |
| 100+ | 33.63 грн |
| 250+ | 31.44 грн |
| 500+ | 30.12 грн |
| 1000+ | 28.56 грн |
| MCR03SEQPF10R0 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1608(0603)SIZE, HIGH POWER THICK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 10 Ohms
Description: 1608(0603)SIZE, HIGH POWER THICK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 0.54 грн |
| 10000+ | 0.47 грн |
| 15000+ | 0.44 грн |
| 25000+ | 0.39 грн |
| 35000+ | 0.37 грн |
| 50000+ | 0.36 грн |
| MCR03SEQPF10R0 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1608(0603)SIZE, HIGH POWER THICK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 10 Ohms
Description: 1608(0603)SIZE, HIGH POWER THICK
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.125W, 1/8W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 10 Ohms
на замовлення 95658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 7.05 грн |
| 125+ | 2.42 грн |
| 167+ | 1.81 грн |
| 205+ | 1.39 грн |
| 249+ | 1.14 грн |
| 316+ | 0.90 грн |
| 500+ | 0.75 грн |
| 1000+ | 0.64 грн |
| R6061XNXC7G |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 26A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 100 V
Description: 600V 26A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3007 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BM79331FV-LBE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ISOLATION VOLTAGE 3750 VRMS 4CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2µs, 2µs
Number of Channels: 4
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
Description: ISOLATION VOLTAGE 3750 VRMS 4CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2µs, 2µs
Number of Channels: 4
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BM79331FV-LBE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ISOLATION VOLTAGE 3750 VRMS 4CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2µs, 2µs
Number of Channels: 4
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
Description: ISOLATION VOLTAGE 3750 VRMS 4CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SSOP (0.240", 6.10mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Technology: Magnetic Coupling
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Approval Agency: UL
Supplier Device Package: 20-SSOP-BW
Common Mode Transient Immunity (Min): 75kV/µs
Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 2µs, 2µs
Number of Channels: 4
Voltage - Output Supply: 4.5V ~ 5.5V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| LTR100LJZPJSR027 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH POWER CHIP RESISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 27 mOhms
Description: HIGH POWER CHIP RESISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 27 mOhms
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 29.57 грн |
| LTR100LJZPJSR027 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH POWER CHIP RESISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 27 mOhms
Description: HIGH POWER CHIP RESISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Pulse Withstanding
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 27 mOhms
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.17 грн |
| 10+ | 48.91 грн |
| 25+ | 42.75 грн |
| 50+ | 36.73 грн |
| 100+ | 34.06 грн |
| 250+ | 31.34 грн |
| 500+ | 29.28 грн |
| 1000+ | 28.04 грн |
| SCS320KGC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACGE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACGE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS320KGHRC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACGE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 1200V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACGE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS320AGHRC16 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACGE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 650V, 20A, THD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220ACGE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 570.62 грн |
| 10+ | 373.09 грн |
| 50+ | 297.42 грн |
| 100+ | 256.28 грн |
| 500+ | 216.32 грн |
| SCS320KE2C11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-C
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-C
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS320KE2HRC11 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-C
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 1200V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-C
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247N
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SCS320KNTRL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 323.32 грн |
| SCS320KNTRL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 754.81 грн |
| 10+ | 500.50 грн |
| 50+ | 403.87 грн |
| 100+ | 357.64 грн |
| SCS320KNHRTRL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 333.35 грн |
| SCS320KNHRTRL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Description: 1200V, 20A, SMD, SILICON-CARBIDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1030pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263L
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 772.06 грн |
| 10+ | 512.95 грн |
| 50+ | 414.33 грн |
| 100+ | 368.72 грн |
| RS6E120BGTB1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
Description: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 76.85 грн |
| RS6E120BGTB1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
Description: 30V 270A HSOP8, POWER MOSFET : R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.33 грн |
| 10+ | 154.20 грн |
| 50+ | 118.79 грн |
| 100+ | 100.77 грн |
| 500+ | 82.00 грн |
| SH8KB5TB1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SH8KB5TB1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.25 грн |
| 10+ | 63.40 грн |
| 50+ | 47.31 грн |
| 100+ | 39.53 грн |
| 500+ | 30.95 грн |
| ESR10EZPF2151 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 2.15K OHM 1% 2/5W 0805
Description: RES 2.15K OHM 1% 2/5W 0805
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 2.00 грн |
| ESR10EZPF2151 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 2.15K OHM 1% 2/5W 0805
Description: RES 2.15K OHM 1% 2/5W 0805
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.54 грн |
| 49+ | 6.19 грн |
| 62+ | 4.89 грн |
| 73+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.34 грн |
| 250+ | 2.79 грн |
| 500+ | 2.43 грн |
| 1000+ | 2.18 грн |
| KTR03EZPF2151 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES
Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| KTR03EZPF2151 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES
Description: HIGH VOLTAGE RESISTANCE CHIP RES
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 10.97 грн |
| 59+ | 5.13 грн |
| 76+ | 3.99 грн |
| 90+ | 3.16 грн |
| 106+ | 2.69 грн |
| 250+ | 2.23 грн |
| 500+ | 1.93 грн |
| 1000+ | 1.72 грн |
| LTR18EZPF2151 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 2.15K OHM 1% 3/4W 1206 WIDE
Description: RES 2.15K OHM 1% 3/4W 1206 WIDE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LTR18EZPF2151 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 2.15K OHM 1% 3/4W 1206 WIDE
Description: RES 2.15K OHM 1% 3/4W 1206 WIDE
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.32 грн |
| 46+ | 6.57 грн |
| 59+ | 5.19 грн |
| 69+ | 4.17 грн |
| 100+ | 3.58 грн |
| 250+ | 3.01 грн |
| 500+ | 2.64 грн |
| 1000+ | 2.38 грн |
| DTC144GU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DTC144GU3HZGT106 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI
Description: NPN, SOT-323, R2 ALONE TYPE DIGI
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.95 грн |
| 24+ | 12.91 грн |
| 100+ | 8.09 грн |
| 500+ | 5.60 грн |
| 1000+ | 4.96 грн |
| SH8MA3TB1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 27.98 грн |
| 5000+ | 24.97 грн |
| 7500+ | 23.97 грн |
| 12500+ | 21.43 грн |
| SH8MA3TB1 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP
на замовлення 15472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.03 грн |
| 10+ | 63.63 грн |
| 100+ | 42.26 грн |
| 500+ | 31.05 грн |
| 1000+ | 28.29 грн |
| LM2902KVQPWR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
Description: IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SDR03EZPJ913 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SDR03EZPJ913 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 8.62 грн |
| 79+ | 3.85 грн |
| 102+ | 2.99 грн |
| 122+ | 2.34 грн |
| 144+ | 1.97 грн |
| 250+ | 1.60 грн |
| 500+ | 1.37 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| LTR18EZPJLR24 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 0.24 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE
Description: RES 0.24 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LTR18EZPJLR24 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 0.24 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE
Description: RES 0.24 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.97 грн |
| 14+ | 22.79 грн |
| 25+ | 19.23 грн |
| 50+ | 16.14 грн |
| 100+ | 14.62 грн |
| 250+ | 13.07 грн |
| 500+ | 11.98 грн |
| 1000+ | 11.28 грн |
| LTR18EZPFLR240 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 0.24 OHM 1% 1.5W 1206 WIDE
Description: RES 0.24 OHM 1% 1.5W 1206 WIDE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| LTR18EZPFLR240 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 0.24 OHM 1% 1.5W 1206 WIDE
Description: RES 0.24 OHM 1% 1.5W 1206 WIDE
на замовлення 4451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.97 грн |
| 14+ | 22.79 грн |
| 25+ | 19.23 грн |
| 50+ | 16.14 грн |
| 100+ | 14.62 грн |
| 250+ | 13.07 грн |
| 500+ | 11.98 грн |
| 1000+ | 11.28 грн |
| SML012EC4TT86 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED GREEN CLEAR 3020 SMD
Description: LED GREEN CLEAR 3020 SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SML012EC4TT86 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED GREEN CLEAR 3020 SMD
Description: LED GREEN CLEAR 3020 SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD79700FVM-LBTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BD79700FVM-LBTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.30 грн |
| 10+ | 78.72 грн |
| 25+ | 71.46 грн |
| 100+ | 59.63 грн |
| 250+ | 56.08 грн |
| 500+ | 53.94 грн |
| 1000+ | 52.69 грн |
| BD79701FVM-LBTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BD79701FVM-LBTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP
Description: IC DAC 8BIT 8-MSOP
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 125.41 грн |
| 10+ | 88.91 грн |
| 25+ | 80.88 грн |
| 100+ | 67.62 грн |
| 250+ | 63.68 грн |
| 500+ | 61.31 грн |
| 1000+ | 60.18 грн |
| BD79702FV-LBE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 73.69 грн |
| BD79702FV-LBE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 144.22 грн |
| 10+ | 102.50 грн |
| 25+ | 93.41 грн |
| 100+ | 78.29 грн |
| 250+ | 73.83 грн |
| 500+ | 71.40 грн |
| BD79703FV-LBE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BD79703FV-LBE2 |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB
Description: IC DAC 8BIT 14-SSOPB
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.57 грн |
| 10+ | 125.82 грн |
| 25+ | 115.03 грн |
| 100+ | 96.76 грн |
| 250+ | 91.43 грн |
| 500+ | 89.22 грн |
| BD79710FVM-LBTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: D/A CONVERTERS 10 BIT 2 CHANNELS
Description: D/A CONVERTERS 10 BIT 2 CHANNELS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BD79710FVM-LBTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: D/A CONVERTERS 10 BIT 2 CHANNELS
Description: D/A CONVERTERS 10 BIT 2 CHANNELS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BD79711FVM-LBTR |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: D/A CONVERTERS 10 BIT 3 CHANNELS
Description: D/A CONVERTERS 10 BIT 3 CHANNELS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.





















