Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102585) > Сторінка 780 з 1710

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 775 776 777 778 779 780 781 782 783 784 785 855 1026 1197 1368 1539 1710  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SCR513P5T100 2SCR513P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR513P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.22 грн
11+29.28 грн
100+18.75 грн
500+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100 2SCR514P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR514P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
12+26.60 грн
100+15.97 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.34 грн
12+27.75 грн
100+19.27 грн
500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544P5T100 2SCR544P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR544P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.51 грн
10+38.00 грн
100+24.65 грн
500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 128344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.72 грн
10+37.15 грн
100+24.07 грн
500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100 2SCR553P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR553P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.78 грн
10+32.64 грн
100+20.99 грн
500+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR554P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.75 грн
10+35.24 грн
100+22.69 грн
500+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALGC11 SCT3022ALGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3022AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3127.93 грн
30+2500.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11 SCT3030ALGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3030AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 8797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1868.82 грн
30+1408.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11 SCT3030KLGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3030KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4418.80 грн
30+4254.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11 SCT3040KLGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3040KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2823.87 грн
30+1938.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11 SCT3060ALGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3060AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.46 грн
30+591.77 грн
120+548.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11 SCT3080KLGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1381.37 грн
30+915.45 грн
120+875.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 SCT3120ALGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3120AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.59 грн
30+415.19 грн
120+352.24 грн
510+302.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLGC11 SCT3160KLGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.14 грн
30+370.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDZT40RB6.8 FDZT40RB6.8 Rohm Semiconductor FDZ6.8.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11 SCT3080ALGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3080AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.79 грн
30+418.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD68610EFV-E2 BD68610EFV-E2 Rohm Semiconductor Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 20HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 600mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD68610EFV-E2 BD68610EFV-E2 Rohm Semiconductor Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 20HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 600mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.94 грн
10+131.19 грн
25+111.25 грн
100+83.26 грн
250+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD57020MWV-E2 BD57020MWV-E2 Rohm Semiconductor uqfn040v5050_1-e.pdf Description: IC WIRELESS PWR TX UQFN040V5050
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Applications: Wireless Power Transmitter
Supplier Device Package: UQFN040V5050
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD57015GWL-E2 BD57015GWL-E2 Rohm Semiconductor BD57015GWL.pdf Description: IC WIRELESS PWR REC UCSP50L4C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0V ~ 17.4V
Applications: Wireless Power Receiver
Current - Supply: 44mA, 27mA
Supplier Device Package: UCSP50L4C
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD57020MWV-E2 BD57020MWV-E2 Rohm Semiconductor uqfn040v5050_1-e.pdf Description: IC WIRELESS PWR TX UQFN040V5050
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Applications: Wireless Power Transmitter
Supplier Device Package: UQFN040V5050
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD57015GWL-E2 BD57015GWL-E2 Rohm Semiconductor BD57015GWL.pdf Description: IC WIRELESS PWR REC UCSP50L4C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 63-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0V ~ 17.4V
Applications: Wireless Power Receiver
Current - Supply: 44mA, 27mA
Supplier Device Package: UCSP50L4C
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD71815AGW-E2 BD71815AGW-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD71815AGW&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG 13OUT BUCK/LDO 55UCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 55-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.9V ~ 5.5V
Frequency - Switching: 6MHz
Topology: Step-Down (Buck) Synchronous (5), Linear (LDO) (8)
Supplier Device Package: UCSP55M4C
Voltage/Current - Output 1: Programmable, 1A
Voltage/Current - Output 2: Programmable, 800mA
Voltage/Current - Output 3: Programmable, 500mA
w/LED Driver: Yes
w/Supervisor: No
w/Sequencer: Yes
Part Status: Active
Number of Outputs: 13
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+167.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SCS205KGHRC SCS205KGHRC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS205KGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS206AGHRC SCS206AGHRC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS206AGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS208AGHRC SCS208AGHRC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS208AGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AE2HRC SCS220AE2HRC Rohm Semiconductor ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AGHRC SCS220AGHRC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS220AGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220KE2HRC SCS220KE2HRC Rohm Semiconductor ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220KGHRC SCS220KGHRC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS220KGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1060pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS230AE2HRC SCS230AE2HRC Rohm Semiconductor ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS240AE2HRC SCS240AE2HRC Rohm Semiconductor ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD71815AGW-E2 BD71815AGW-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD71815AGW&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG 13OUT BUCK/LDO 55UCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 55-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.9V ~ 5.5V
Frequency - Switching: 6MHz
Topology: Step-Down (Buck) Synchronous (5), Linear (LDO) (8)
Supplier Device Package: UCSP55M4C
Voltage/Current - Output 1: Programmable, 1A
Voltage/Current - Output 2: Programmable, 800mA
Voltage/Current - Output 3: Programmable, 500mA
w/LED Driver: Yes
w/Supervisor: No
w/Sequencer: Yes
Part Status: Active
Number of Outputs: 13
на замовлення 11702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.47 грн
10+241.20 грн
25+222.22 грн
100+188.92 грн
250+179.58 грн
500+173.94 грн
1000+166.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR18B TFZVTR18B Rohm Semiconductor TFZV18B Description: ZENER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR16B TFZVTR16B Rohm Semiconductor TFZV16B Description: DIODE ZENER 16V 500MW SOD323HE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR13B TFZVTR13B Rohm Semiconductor TFZV13B Description: ZENER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR2.0B TFZVTR2.0B Rohm Semiconductor TFZV2.0B Description: ZENER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR36B TFZVTR36B Rohm Semiconductor datasheet?p=TFZV36B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 36V 500MW SOD323HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±3%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2M
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 27 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR18B TFZVTR18B Rohm Semiconductor TFZV18B Description: ZENER DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR16B TFZVTR16B Rohm Semiconductor TFZV16B Description: DIODE ZENER 16V 500MW SOD323HE
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR13B TFZVTR13B Rohm Semiconductor TFZV13B Description: ZENER DIODE
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR2.0B TFZVTR2.0B Rohm Semiconductor TFZV2.0B Description: ZENER DIODE
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR36B TFZVTR36B Rohm Semiconductor datasheet?p=TFZV36B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 36V 500MW SOD323HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2M
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 27 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
18+17.66 грн
100+8.91 грн
500+6.82 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BD8374HFP-MTR BD8374HFP-MTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD8374HFP-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC LED DRVR LIN PWM 500MA HRP7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: HRP-7 (7 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100Hz ~ 5kHz
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: HRP7
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 42V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.13 грн
10+233.32 грн
25+220.57 грн
100+179.40 грн
250+170.19 грн
500+152.71 грн
1000+126.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU90R104-E2 BU90R104-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU90R104&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC RX/DESERIALIZER LVDS 64TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP
Output Type: LVCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 35
Function: Deserializer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Data Rate: 3.92Gbps
Input Type: LVDS
Number of Inputs: 5
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Part Status: Active
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.99 грн
10+475.66 грн
25+453.49 грн
100+369.55 грн
250+352.93 грн
500+321.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BU9796AMUV-E2 BU9796AMUV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU9796AMUV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC DRVR 48 SEGMENT VQFN024V4040
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 48 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: VQFN024V4040
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.38 грн
10+74.69 грн
25+67.79 грн
100+56.51 грн
250+53.12 грн
500+51.07 грн
1000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCL RE1J002YNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 40185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.23 грн
24+13.07 грн
100+8.15 грн
500+5.65 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SML-522MU8WT86 SML-522MU8WT86 Rohm Semiconductor datasheet?p=SML-522MU8W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LED GREEN/RED DIFFUSED 1315 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0605 (1513 Metric)
Color: Green, Red
Size / Dimension: 1.50mm L x 1.30mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 40mcd Green, 63mcd Red
Configuration: Independent
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V Green, 2.2V Red
Lens Color: White
Current - Test: 20mA Green, 20mA Red
Height (Max): 0.70mm
Wavelength - Dominant: 572nm Green, 620nm Red
Supplier Device Package: 1315 (0605)
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.30mm x 1.10mm
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.40 грн
11+29.66 грн
100+19.40 грн
500+14.44 грн
1000+13.29 грн
2000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SML-H12M8TT86 SML-H12M8TT86 Rohm Semiconductor datasheet?p=SML-H12M8T&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LED GREEN CLEAR 0805 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Color: Green
Size / Dimension: 2.00mm L x 1.25mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 25mcd
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Height (Max): 0.90mm
Wavelength - Dominant: 572nm
Supplier Device Package: 2012 (0805)
Lens Transparency: Clear
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.52mm x 1.25mm
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
14+22.32 грн
100+12.82 грн
1000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SML-H12V8TT86 SML-H12V8TT86 Rohm Semiconductor datasheet?p=SML-H12V8T&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LED RED CLEAR 2012 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Color: Red
Size / Dimension: 2.00mm L x 1.25mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 25mcd
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Height (Max): 0.90mm
Wavelength - Dominant: 630nm
Supplier Device Package: 2012 (0805)
Lens Transparency: Clear
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.52mm x 1.25mm
на замовлення 5209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
13+24.08 грн
100+15.93 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MSL0402RGBU1 MSL0402RGBU1 Rohm Semiconductor datasheet?p=MSL0402RGBU&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LED RGB DIFFUSED 1816 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Color: Red, Green, Blue (RGB)
Size / Dimension: 1.80mm L x 1.60mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 400mcd Red, 550mcd Green, 180mcd Blue
Configuration: Independent
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.1V Red, 3.5V Green, 3.3V Blue
Lens Color: White
Current - Test: 20mA Red, 20mA Green, 20mA Blue
Height (Max): 0.60mm
Wavelength - Dominant: 624nm Red, 527nm Green, 470nm Blue
Supplier Device Package: 1816 (0706)
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.80mm x 1.60mm
на замовлення 314901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.07 грн
10+46.18 грн
100+34.00 грн
500+26.83 грн
1000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCR QH8KA4TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8KA4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.50 грн
10+71.33 грн
100+47.61 грн
500+35.13 грн
1000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTL R6009KNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.60 грн
10+134.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL R6020KNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.99 грн
10+215.20 грн
100+152.31 грн
500+117.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNJTL R6024KNJTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002ZPTL RE1C002ZPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RE1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
21+14.98 грн
100+9.40 грн
500+6.54 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR RF4E100AJTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E100AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 11654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.08 грн
10+33.10 грн
100+27.84 грн
500+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCL RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5C060BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 7148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.24 грн
10+48.01 грн
100+32.22 грн
500+23.71 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025ATTCL RQ5E025ATTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E025AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.93 грн
12+26.15 грн
100+16.93 грн
500+11.88 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR513P5T100 datasheet?p=2SCR513P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR513P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.22 грн
11+29.28 грн
100+18.75 грн
500+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR514P5T100 datasheet?p=2SCR514P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR514P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.73 грн
12+26.60 грн
100+15.97 грн
500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR533P5T100 datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR533P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
12+27.75 грн
100+19.27 грн
500+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR544P5T100 datasheet?p=2SCR544P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR544P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.51 грн
10+38.00 грн
100+24.65 грн
500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR552P5T100 datasheet?p=2SCR552P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR552P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 128344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.72 грн
10+37.15 грн
100+24.07 грн
500+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR553P5T100 datasheet?p=2SCR553P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR553P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.78 грн
10+32.64 грн
100+20.99 грн
500+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR554P5T100 datasheet?p=2SCR554P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR554P5T100
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.75 грн
10+35.24 грн
100+22.69 грн
500+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALGC11 datasheet?p=SCT3022AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3022ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3127.93 грн
30+2500.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALGC11 datasheet?p=SCT3030AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3030ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 8797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1868.82 грн
30+1408.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLGC11 datasheet?p=SCT3030KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3030KLGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4418.80 грн
30+4254.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLGC11 datasheet?p=SCT3040KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3040KLGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2823.87 грн
30+1938.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALGC11 datasheet?p=SCT3060AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3060ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+953.46 грн
30+591.77 грн
120+548.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLGC11 datasheet?p=SCT3080KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3080KLGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1381.37 грн
30+915.45 грн
120+875.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALGC11 datasheet?p=SCT3120AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3120ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+729.59 грн
30+415.19 грн
120+352.24 грн
510+302.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLGC11 datasheet?p=SCT3160KL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3160KLGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.14 грн
30+370.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDZT40RB6.8 FDZ6.8.pdf
FDZT40RB6.8
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 6.8V 100MW SMD0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 01005 (0402 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Supplier Device Package: SMD0402
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 3.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALGC11 datasheet?p=SCT3080AL&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3080ALGC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.79 грн
30+418.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD68610EFV-E2
BD68610EFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 20HTSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 600mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD68610EFV-E2
BD68610EFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MTR DRV BIPLR 19-28V 20HTSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 600mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 19V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: DMOS
Voltage - Load: 19V ~ 28V
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.94 грн
10+131.19 грн
25+111.25 грн
100+83.26 грн
250+72.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD57020MWV-E2 uqfn040v5050_1-e.pdf
BD57020MWV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC WIRELESS PWR TX UQFN040V5050
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Applications: Wireless Power Transmitter
Supplier Device Package: UQFN040V5050
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD57015GWL-E2 BD57015GWL.pdf
BD57015GWL-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC WIRELESS PWR REC UCSP50L4C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 63-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0V ~ 17.4V
Applications: Wireless Power Receiver
Current - Supply: 44mA, 27mA
Supplier Device Package: UCSP50L4C
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD57020MWV-E2 uqfn040v5050_1-e.pdf
BD57020MWV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC WIRELESS PWR TX UQFN040V5050
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V
Applications: Wireless Power Transmitter
Supplier Device Package: UQFN040V5050
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD57015GWL-E2 BD57015GWL.pdf
BD57015GWL-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC WIRELESS PWR REC UCSP50L4C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 63-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 0V ~ 17.4V
Applications: Wireless Power Receiver
Current - Supply: 44mA, 27mA
Supplier Device Package: UCSP50L4C
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD71815AGW-E2 datasheet?p=BD71815AGW&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD71815AGW-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG 13OUT BUCK/LDO 55UCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 55-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.9V ~ 5.5V
Frequency - Switching: 6MHz
Topology: Step-Down (Buck) Synchronous (5), Linear (LDO) (8)
Supplier Device Package: UCSP55M4C
Voltage/Current - Output 1: Programmable, 1A
Voltage/Current - Output 2: Programmable, 800mA
Voltage/Current - Output 3: Programmable, 500mA
w/LED Driver: Yes
w/Supervisor: No
w/Sequencer: Yes
Part Status: Active
Number of Outputs: 13
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+167.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SCS205KGHRC datasheet?p=SCS205KGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS205KGHRC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 270pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS206AGHRC datasheet?p=SCS206AGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS206AGHRC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS208AGHRC datasheet?p=SCS208AGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS208AGHRC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 291pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AE2HRC ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L
SCS220AE2HRC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220AGHRC datasheet?p=SCS220AGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS220AGHRC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220KE2HRC ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L
SCS220KE2HRC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS220KGHRC datasheet?p=SCS220KGHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS220KGHRC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1060pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS230AE2HRC ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L
SCS230AE2HRC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC SCHOT 650V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS240AE2HRC ?p_p_state=maximized&p_p_mode=view&saveLastPath=false&_com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet_mvcRenderCommandName=%2Flogin%2Flogin&p_p_id=com_liferay_login_web_portlet_LoginPortlet&p_p_lifecycle=0&_com_liferay_login_web_portlet_L
SCS240AE2HRC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD71815AGW-E2 datasheet?p=BD71815AGW&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD71815AGW-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG 13OUT BUCK/LDO 55UCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 55-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.9V ~ 5.5V
Frequency - Switching: 6MHz
Topology: Step-Down (Buck) Synchronous (5), Linear (LDO) (8)
Supplier Device Package: UCSP55M4C
Voltage/Current - Output 1: Programmable, 1A
Voltage/Current - Output 2: Programmable, 800mA
Voltage/Current - Output 3: Programmable, 500mA
w/LED Driver: Yes
w/Supervisor: No
w/Sequencer: Yes
Part Status: Active
Number of Outputs: 13
на замовлення 11702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.47 грн
10+241.20 грн
25+222.22 грн
100+188.92 грн
250+179.58 грн
500+173.94 грн
1000+166.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR18B TFZV18B
TFZVTR18B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ZENER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR16B TFZV16B
TFZVTR16B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 500MW SOD323HE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR13B TFZV13B
TFZVTR13B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ZENER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR2.0B TFZV2.0B
TFZVTR2.0B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ZENER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR36B datasheet?p=TFZV36B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
TFZVTR36B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36V 500MW SOD323HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±3%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2M
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 27 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR18B TFZV18B
TFZVTR18B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ZENER DIODE
на замовлення 3577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR16B TFZV16B
TFZVTR16B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 16V 500MW SOD323HE
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR13B TFZV13B
TFZVTR13B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ZENER DIODE
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR2.0B TFZV2.0B
TFZVTR2.0B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ZENER DIODE
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TFZVTR36B datasheet?p=TFZV36B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
TFZVTR36B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 36V 500MW SOD323HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±3%
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2M
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 27 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
18+17.66 грн
100+8.91 грн
500+6.82 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BD8374HFP-MTR datasheet?p=BD8374HFP-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD8374HFP-MTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC LED DRVR LIN PWM 500MA HRP7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: HRP-7 (7 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 100Hz ~ 5kHz
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Current - Output / Channel: 500mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: HRP7
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 42V
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.13 грн
10+233.32 грн
25+220.57 грн
100+179.40 грн
250+170.19 грн
500+152.71 грн
1000+126.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BU90R104-E2 datasheet?p=BU90R104&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU90R104-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC RX/DESERIALIZER LVDS 64TQFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP
Output Type: LVCMOS
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 35
Function: Deserializer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Data Rate: 3.92Gbps
Input Type: LVDS
Number of Inputs: 5
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Part Status: Active
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.99 грн
10+475.66 грн
25+453.49 грн
100+369.55 грн
250+352.93 грн
500+321.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BU9796AMUV-E2 datasheet?p=BU9796AMUV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU9796AMUV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DRVR 48 SEGMENT VQFN024V4040
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Display Type: LCD
Mounting Type: Surface Mount
Interface: 2-Wire Serial
Configuration: 48 Segment
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: VQFN024V4040
Part Status: Active
Current - Supply: 12.5 µA
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.38 грн
10+74.69 грн
25+67.79 грн
100+56.51 грн
250+53.12 грн
500+51.07 грн
1000+48.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RE1J002YNTCL datasheet?p=RE1J002YN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1J002YNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 1mA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0.9V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 10 V
на замовлення 40185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.23 грн
24+13.07 грн
100+8.15 грн
500+5.65 грн
1000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SML-522MU8WT86 datasheet?p=SML-522MU8W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SML-522MU8WT86
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED GREEN/RED DIFFUSED 1315 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0605 (1513 Metric)
Color: Green, Red
Size / Dimension: 1.50mm L x 1.30mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 40mcd Green, 63mcd Red
Configuration: Independent
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V Green, 2.2V Red
Lens Color: White
Current - Test: 20mA Green, 20mA Red
Height (Max): 0.70mm
Wavelength - Dominant: 572nm Green, 620nm Red
Supplier Device Package: 1315 (0605)
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.30mm x 1.10mm
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
11+29.66 грн
100+19.40 грн
500+14.44 грн
1000+13.29 грн
2000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SML-H12M8TT86 datasheet?p=SML-H12M8T&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SML-H12M8TT86
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED GREEN CLEAR 0805 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Color: Green
Size / Dimension: 2.00mm L x 1.25mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 25mcd
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Height (Max): 0.90mm
Wavelength - Dominant: 572nm
Supplier Device Package: 2012 (0805)
Lens Transparency: Clear
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.52mm x 1.25mm
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
14+22.32 грн
100+12.82 грн
1000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SML-H12V8TT86 datasheet?p=SML-H12V8T&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SML-H12V8TT86
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED RED CLEAR 2012 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Color: Red
Size / Dimension: 2.00mm L x 1.25mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 25mcd
Configuration: Standard
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.2V
Lens Color: Colorless
Current - Test: 20mA
Height (Max): 0.90mm
Wavelength - Dominant: 630nm
Supplier Device Package: 2012 (0805)
Lens Transparency: Clear
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.52mm x 1.25mm
на замовлення 5209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
13+24.08 грн
100+15.93 грн
1000+11.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
MSL0402RGBU1 datasheet?p=MSL0402RGBU&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
MSL0402RGBU1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED RGB DIFFUSED 1816 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Color: Red, Green, Blue (RGB)
Size / Dimension: 1.80mm L x 1.60mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 400mcd Red, 550mcd Green, 180mcd Blue
Configuration: Independent
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.1V Red, 3.5V Green, 3.3V Blue
Lens Color: White
Current - Test: 20mA Red, 20mA Green, 20mA Blue
Height (Max): 0.60mm
Wavelength - Dominant: 624nm Red, 527nm Green, 470nm Blue
Supplier Device Package: 1816 (0706)
Lens Transparency: Diffused
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.80mm x 1.60mm
на замовлення 314901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.07 грн
10+46.18 грн
100+34.00 грн
500+26.83 грн
1000+25.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KA4TCR datasheet?p=QH8KA4&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8KA4TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.50 грн
10+71.33 грн
100+47.61 грн
500+35.13 грн
1000+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTL datasheet?p=R6009KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6009KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.60 грн
10+134.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTL datasheet?p=R6020KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6020KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.99 грн
10+215.20 грн
100+152.31 грн
500+117.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNJTL datasheet?p=R6024KNJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024KNJTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RE1C002ZPTL datasheet?p=RE1C002ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RE1C002ZPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 10 V
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.40 грн
21+14.98 грн
100+9.40 грн
500+6.54 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E100AJTCR datasheet?p=RF4E100AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E100AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 15 V
на замовлення 11654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.08 грн
10+33.10 грн
100+27.84 грн
500+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5C060BCTCL datasheet?p=RQ5C060BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5C060BCTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.1mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
на замовлення 7148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.24 грн
10+48.01 грн
100+32.22 грн
500+23.71 грн
1000+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025ATTCL datasheet?p=RQ5E025AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E025ATTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V
на замовлення 6916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.93 грн
12+26.15 грн
100+16.93 грн
500+11.88 грн
1000+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 171 342 513 684 775 776 777 778 779 780 781 782 783 784 785 855 1026 1197 1368 1539 1710  [ Наступна Сторінка >> ]