Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102212) > Сторінка 804 з 1704

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 799 800 801 802 803 804 805 806 807 808 809 850 1020 1190 1360 1530 1700 1704  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SCS315AJTLL SCS315AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS315AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AMC SCS312AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS312AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AMC SCS315AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS315AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.91 грн
50+391.48 грн
100+350.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMC SCS320AMC Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS320AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+798.63 грн
50+428.97 грн
100+396.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMLD12WBN1W1 SMLD12WBN1W1 Rohm Semiconductor datasheet?p=SMLD12WBN1W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: LED WHITE 1608 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: White
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 120mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.9V
Lens Color: White
Current - Test: 5mA
Height (Max): 0.65mm
Supplier Device Package: 1608 (0603)
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.20mm x 0.80mm
на замовлення 19377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.87 грн
14+23.13 грн
100+13.30 грн
1000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AJTLL SCS310AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS310AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.39 грн
10+327.68 грн
100+236.80 грн
500+185.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AJTLL SCS312AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS312AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.26 грн
10+328.57 грн
100+245.41 грн
500+198.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AJTLL SCS315AJTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS315AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.79 грн
10+407.57 грн
100+339.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD9G201EFJ-LBE2 BD9G201EFJ-LBE2 Rohm Semiconductor bd9g201efj-lb-e.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 1.5A 8HTSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 500kHz
Voltage - Input (Max): 42V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-HTSOP-JES
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 42V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.23 грн
5000+90.76 грн
7500+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD9G201EFJ-LBE2 BD9G201EFJ-LBE2 Rohm Semiconductor bd9g201efj-lb-e.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 1.5A 8HTSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 500kHz
Voltage - Input (Max): 42V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-HTSOP-JES
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 42V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.59 грн
10+132.70 грн
25+121.17 грн
100+101.82 грн
250+96.15 грн
500+92.74 грн
1000+88.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCS230KE2HRC11 SCS230KE2HRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS230KE2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+937.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS240KE2HRC11 SCS240KE2HRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCS240KE2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1823.16 грн
30+1125.92 грн
120+1055.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ16NFHT106 UMZ16NFHT106 Rohm Semiconductor datasheet?p=UMZ16NFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER ARRAY 16.18V UMD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16.18 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: UMD3
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR542F3TR 2SCR542F3TR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR542F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 3A HUML2020L3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2071P5T100Q 2SA2071P5T100Q Rohm Semiconductor 2sa2071p5.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR341QTR 2SCR341QTR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR341Q&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3T106 2SAR502U3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR542F3TR 2SCR542F3TR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR542F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 3A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.26 грн
10+46.34 грн
100+30.33 грн
500+22.00 грн
1000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2071P5T100Q 2SA2071P5T100Q Rohm Semiconductor 2sa2071p5.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.06 грн
10+43.83 грн
100+28.43 грн
500+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR341QTR 2SCR341QTR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR341Q&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.70 грн
10+41.89 грн
100+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3T106 2SAR502U3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 10923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.35 грн
23+14.56 грн
100+9.12 грн
500+6.34 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
KX127-1068 KX127-1068 Rohm Semiconductor KX127-1068-Specifications-Rev-2.0.pdf Description: ACCELEROMETER 2-8G I2C/SPI 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Selectable Scale
Package / Case: 12-VFLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Type: Digital
Axis: X, Y, Z
Acceleration Range: ±2g, 4g, 8g
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.6V
Bandwidth: 3.5kHz (X,Y), 1.8kHz (Z)
Supplier Device Package: 12-LGA (2x2)
Sensitivity (LSB/g): 16384 (±2g) ~ 4096 (±8g)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KX127-1068 KX127-1068 Rohm Semiconductor KX127-1068-Specifications-Rev-2.0.pdf Description: ACCELEROMETER 2-8G I2C/SPI 12LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Selectable Scale
Package / Case: 12-VFLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Type: Digital
Axis: X, Y, Z
Acceleration Range: ±2g, 4g, 8g
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.6V
Bandwidth: 3.5kHz (X,Y), 1.8kHz (Z)
Supplier Device Package: 12-LGA (2x2)
Sensitivity (LSB/g): 16384 (±2g) ~ 4096 (±8g)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA12003DF-ZE2 BA12003DF-ZE2 Rohm Semiconductor ba1200xdf-z-e.pdf Description: IC DARLINGTON ARRAY 7/0 16SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA3121F-BZE2 BA3121F-BZE2 Rohm Semiconductor Description: IC AMP CLASS AB STEREO 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class AB
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR25G320FJ-E2 BR25G320FJ-E2 Rohm Semiconductor Description: IC EEPROM 32KBIT SPI 20MHZ 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 20 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU4052BCF-BZE2 BU4052BCF-BZE2 Rohm Semiconductor Description: IC MUX CMOS HV SOP16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU4066BCF-BZE2 BU4066BCF-BZE2 Rohm Semiconductor Description: IC SWITCH SPST-NOX4 280OHM 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 280Ohm
Supplier Device Package: 14-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Crosstalk: -50dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 300nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU4094BCF-BZE2 BU4094BCF-BZE2 Rohm Semiconductor Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339F-E2 LM339F-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=LM339F&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IC COMPARATOR 4 GEN PUR 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open-Collector
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-SOP
Current - Quiescent (Max): 2mA
Voltage - Input Offset (Max): 4.5mV @ 32V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BA12004DF-ZE2 BA12004DF-ZE2 Rohm Semiconductor ba1200xdf-z-e.pdf Description: IC DARLINGTON ARRAY 7/0 16SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA4560N-BZ Rohm Semiconductor Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SIP
Mounting Type: Through Hole
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 4mA
Slew Rate: 4V/µs
Gain Bandwidth Product: 10 MHz
Current - Input Bias: 50 nA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: 8-SIP
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 8 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130T116 BSS4130T116 Rohm Semiconductor BSS4130.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63T116 BSS63T116 Rohm Semiconductor DS_846_BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64T116 BSS64T116 Rohm Semiconductor DS_846_BSS64.pdf Description: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US6X8TR US6X8TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6X8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TUMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UML23NTR UML23NTR Rohm Semiconductor eml22-uml23n Description: NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6T12T2R VT6T12T2R Rohm Semiconductor vt6t12.pdf Description: TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130T116 BSS4130T116 Rohm Semiconductor BSS4130.pdf Description: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63T116 BSS63T116 Rohm Semiconductor DS_846_BSS63.pdf Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US6X8TR US6X8TR Rohm Semiconductor datasheet?p=US6X8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TUMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.51 грн
10+36.71 грн
100+25.45 грн
500+19.95 грн
1000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UML23NTR UML23NTR Rohm Semiconductor eml22-uml23n Description: NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6T12T2R VT6T12T2R Rohm Semiconductor vt6t12.pdf Description: TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
13+25.07 грн
100+17.05 грн
500+12.00 грн
1000+9.00 грн
2000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
UML23NTR UML23NTR Rohm Semiconductor eml22-uml23n Description: NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD41000AFJ-CE2 BD41000AFJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD41000AFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC TRANSCEIVER 1/1 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: CXPI
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11 SCT2080KEHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT2080KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1930.65 грн
30+1706.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALHRC11 SCT3017ALHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3017ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 118A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2884 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7808.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11 SCT3022ALHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3022ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5437.57 грн
30+4581.88 грн
120+4254.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 SCT3022KLHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8157.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11 SCT3030ALHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3030ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2749.44 грн
30+2645.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11 SCT3030KLHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3030KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4443.27 грн
30+4278.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLHRC11 SCT3040KLHRC11 Rohm Semiconductor sct3040klhr-e.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4550.76 грн
10+3905.10 грн
100+3427.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3060ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1764.38 грн
30+1117.89 грн
120+1090.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11 SCT3080ALHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3080ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1027.05 грн
30+828.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3080KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1598.94 грн
30+1223.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLHRC11 SCT3105KLHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3105KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+961.55 грн
30+902.70 грн
120+864.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALHRC11 SCT3120ALHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3120ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.97 грн
30+356.68 грн
120+356.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLHRC11 SCT3160KLHRC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=SCT3160KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.24 грн
30+705.25 грн
120+695.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD41000AFJ-CE2 BD41000AFJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD41000AFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC TRANSCEIVER 1/1 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: CXPI
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.51 грн
10+140.79 грн
25+128.68 грн
100+108.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BA178M07FP-E2 BA178M07FP-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BA178M07FP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG LINEAR 7V 500MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 4.5 mA
Voltage - Input (Max): 22V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252
Voltage - Output (Min/Fixed): 7V
Part Status: Active
PSRR: 71dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Current - Supply (Max): 6 mA
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.46 грн
10+70.52 грн
25+66.89 грн
100+51.58 грн
250+48.21 грн
500+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AJTLL datasheet?p=SCS315AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS315AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AMC datasheet?p=SCS312AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS312AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AMC datasheet?p=SCS315AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS315AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.91 грн
50+391.48 грн
100+350.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS320AMC datasheet?p=SCS320AM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS320AMC
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220FM
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+798.63 грн
50+428.97 грн
100+396.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMLD12WBN1W1 datasheet?p=SMLD12WBN1W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SMLD12WBN1W1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LED WHITE 1608 SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Color: White
Size / Dimension: 1.60mm L x 0.80mm W
Mounting Type: Surface Mount
Millicandela Rating: 120mcd
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 2.9V
Lens Color: White
Current - Test: 5mA
Height (Max): 0.65mm
Supplier Device Package: 1608 (0603)
Part Status: Active
Lens Style: Rectangle with Flat Top
Lens Size: 1.20mm x 0.80mm
на замовлення 19377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.87 грн
14+23.13 грн
100+13.30 грн
1000+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SCS310AJTLL datasheet?p=SCS310AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS310AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.39 грн
10+327.68 грн
100+236.80 грн
500+185.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS312AJTLL datasheet?p=SCS312AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS312AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.26 грн
10+328.57 грн
100+245.41 грн
500+198.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS315AJTLL datasheet?p=SCS315AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS315AJTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 15A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: LPTL
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.79 грн
10+407.57 грн
100+339.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD9G201EFJ-LBE2 bd9g201efj-lb-e.pdf
BD9G201EFJ-LBE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 1.5A 8HTSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 500kHz
Voltage - Input (Max): 42V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-HTSOP-JES
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 42V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+96.23 грн
5000+90.76 грн
7500+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD9G201EFJ-LBE2 bd9g201efj-lb-e.pdf
BD9G201EFJ-LBE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG BUCK ADJ 1.5A 8HTSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 1.5A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TA)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 250kHz ~ 500kHz
Voltage - Input (Max): 42V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-HTSOP-JES
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 42V
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.8V
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.59 грн
10+132.70 грн
25+121.17 грн
100+101.82 грн
250+96.15 грн
500+92.74 грн
1000+88.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SCS230KE2HRC11 datasheet?p=SCS230KE2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS230KE2HRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+937.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCS240KE2HRC11 datasheet?p=SCS240KE2HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCS240KE2HRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 20A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A (DC)
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 1200 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1823.16 грн
30+1125.92 грн
120+1055.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
UMZ16NFHT106 datasheet?p=UMZ16NFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMZ16NFHT106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER ARRAY 16.18V UMD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16.18 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: UMD3
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR542F3TR datasheet?p=2SCR542F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR542F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 3A HUML2020L3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2071P5T100Q 2sa2071p5.pdf
2SA2071P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR341QTR datasheet?p=2SCR341Q&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR341QTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3T106 datasheet?p=2SAR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.21 грн
6000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR542F3TR datasheet?p=2SCR542F3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR542F3TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 3A HUML2020L3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: HUML2020L3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.26 грн
10+46.34 грн
100+30.33 грн
500+22.00 грн
1000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2071P5T100Q 2sa2071p5.pdf
2SA2071P5T100Q
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.06 грн
10+43.83 грн
100+28.43 грн
500+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SCR341QTR datasheet?p=2SCR341Q&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR341QTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 0.1A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.70 грн
10+41.89 грн
100+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2SAR502U3T106 datasheet?p=2SAR502U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SAR502U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 520MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 10923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.35 грн
23+14.56 грн
100+9.12 грн
500+6.34 грн
1000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
KX127-1068 KX127-1068-Specifications-Rev-2.0.pdf
KX127-1068
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ACCELEROMETER 2-8G I2C/SPI 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Selectable Scale
Package / Case: 12-VFLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Type: Digital
Axis: X, Y, Z
Acceleration Range: ±2g, 4g, 8g
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.6V
Bandwidth: 3.5kHz (X,Y), 1.8kHz (Z)
Supplier Device Package: 12-LGA (2x2)
Sensitivity (LSB/g): 16384 (±2g) ~ 4096 (±8g)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KX127-1068 KX127-1068-Specifications-Rev-2.0.pdf
KX127-1068
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ACCELEROMETER 2-8G I2C/SPI 12LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Selectable Scale
Package / Case: 12-VFLGA
Output Type: I2C, SPI
Mounting Type: Surface Mount
Type: Digital
Axis: X, Y, Z
Acceleration Range: ±2g, 4g, 8g
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 3.6V
Bandwidth: 3.5kHz (X,Y), 1.8kHz (Z)
Supplier Device Package: 12-LGA (2x2)
Sensitivity (LSB/g): 16384 (±2g) ~ 4096 (±8g)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA12003DF-ZE2 ba1200xdf-z-e.pdf
BA12003DF-ZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DARLINGTON ARRAY 7/0 16SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA3121F-BZE2
BA3121F-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC AMP CLASS AB STEREO 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Class AB
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 18V
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR25G320FJ-E2
BR25G320FJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT SPI 20MHZ 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 20 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU4052BCF-BZE2
BU4052BCF-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MUX CMOS HV SOP16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU4066BCF-BZE2
BU4066BCF-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 280OHM 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 280Ohm
Supplier Device Package: 14-SOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Crosstalk: -50dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 5Ohm
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 10pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 300nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU4094BCF-BZE2
BU4094BCF-BZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC SR TRI-STATE 8BIT 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Serial to Parallel
Logic Type: Shift Register
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-SOP
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM339F-E2 datasheet?p=LM339F&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
LM339F-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC COMPARATOR 4 GEN PUR 14SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open-Collector
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Type: Standard (General Purpose)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply, Single/Dual (±): 3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V
Supplier Device Package: 14-SOP
Current - Quiescent (Max): 2mA
Voltage - Input Offset (Max): 4.5mV @ 32V
Current - Input Bias (Max): 0.25µA @ 5V
Current - Output (Typ): 16mA @ 5V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BA12004DF-ZE2 ba1200xdf-z-e.pdf
BA12004DF-ZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC DARLINGTON ARRAY 7/0 16SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA4560N-BZ
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SIP
Mounting Type: Through Hole
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 4mA
Slew Rate: 4V/µs
Gain Bandwidth Product: 10 MHz
Current - Input Bias: 50 nA
Voltage - Input Offset: 500 µV
Supplier Device Package: 8-SIP
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 25 mA
Voltage - Supply Span (Min): 8 V
Voltage - Supply Span (Max): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130T116 BSS4130.pdf
BSS4130T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63T116 DS_846_BSS63.pdf
BSS63T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS64T116 DS_846_BSS64.pdf
BSS64T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US6X8TR datasheet?p=US6X8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6X8TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TUMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UML23NTR eml22-uml23n
UML23NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6T12T2R vt6t12.pdf
VT6T12T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS4130T116 BSS4130.pdf
BSS4130T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS63T116 DS_846_BSS63.pdf
BSS63T116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US6X8TR datasheet?p=US6X8&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
US6X8TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: TUMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
10+36.71 грн
100+25.45 грн
500+19.95 грн
1000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
UML23NTR eml22-uml23n
UML23NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6T12T2R vt6t12.pdf
VT6T12T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
на замовлення 7875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
13+25.07 грн
100+17.05 грн
500+12.00 грн
1000+9.00 грн
2000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
UML23NTR eml22-uml23n
UML23NTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICATIO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BD41000AFJ-CE2 datasheet?p=BD41000AFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD41000AFJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: CXPI
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2080KEHRC11 datasheet?p=SCT2080KEHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT2080KEHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1930.65 грн
30+1706.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3017ALHRC11 datasheet?p=SCT3017ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3017ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 118A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 47A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 23.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2884 pF @ 500 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7808.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022ALHRC11 datasheet?p=SCT3022ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3022ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 93A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2208 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5437.57 грн
30+4581.88 грн
120+4254.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3022KLHRC11 datasheet?p=SCT3022KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3022KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.6mOhm @ 36A, 18V
Power Dissipation (Max): 427W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.2mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2879 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8157.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030ALHRC11 datasheet?p=SCT3030ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3030ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1526 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2749.44 грн
30+2645.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3030KLHRC11 datasheet?p=SCT3030KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3030KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 18V
Power Dissipation (Max): 339W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2222 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4443.27 грн
30+4278.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KLHRC11 sct3040klhr-e.pdf
SCT3040KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4550.76 грн
10+3905.10 грн
100+3427.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3060ALHRC11 datasheet?p=SCT3060ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3060ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6.67mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 852 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1764.38 грн
30+1117.89 грн
120+1090.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ALHRC11 datasheet?p=SCT3080ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3080ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1027.05 грн
30+828.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080KLHRC11 datasheet?p=SCT3080KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3080KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 165W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1598.94 грн
30+1223.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KLHRC11 datasheet?p=SCT3105KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3105KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+961.55 грн
30+902.70 грн
120+864.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3120ALHRC11 datasheet?p=SCT3120ALHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3120ALHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 6.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.33mA
Supplier Device Package: TO-247N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.97 грн
30+356.68 грн
120+356.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3160KLHRC11 datasheet?p=SCT3160KLHR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SCT3160KLHRC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 5A, 18V
Power Dissipation (Max): 103W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247N
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 398 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.24 грн
30+705.25 грн
120+695.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD41000AFJ-CE2 datasheet?p=BD41000AFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD41000AFJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC TRANSCEIVER 1/1 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 7V ~ 18V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 20kbps
Protocol: CXPI
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.51 грн
10+140.79 грн
25+128.68 грн
100+108.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BA178M07FP-E2 datasheet?p=BA178M07FP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BA178M07FP-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 7V 500MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 4.5 mA
Voltage - Input (Max): 22V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252
Voltage - Output (Min/Fixed): 7V
Part Status: Active
PSRR: 71dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 500mA (Typ)
Current - Supply (Max): 6 mA
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.46 грн
10+70.52 грн
25+66.89 грн
100+51.58 грн
250+48.21 грн
500+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 799 800 801 802 803 804 805 806 807 808 809 850 1020 1190 1360 1530 1700 1704  [ Наступна Сторінка >> ]