Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101741) > Сторінка 811 з 1696

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 806 807 808 809 810 811 812 813 814 815 816 845 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RGT16BM65DTL RGT16BM65DTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 9315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.15 грн
10+127.55 грн
100+88.00 грн
500+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NL65DGTL RGT16NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NL65DGTL RGT16NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT16NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.63 грн
10+149.25 грн
100+103.88 грн
500+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL RGT30NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT30NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL RGT30NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT30NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTL RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT40NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.72 грн
2000+96.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTL RGT40NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT40NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.16 грн
10+185.58 грн
100+130.76 грн
500+111.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+121.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL RGT50NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.25 грн
10+214.67 грн
100+151.94 грн
500+117.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTL RGT8NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT8NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTL RGT8NL65DGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT8NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.43 грн
10+123.93 грн
100+85.33 грн
500+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RRD07MM4STR RRD07MM4STR Rohm Semiconductor rrd07mm4s-e Description: PMDU RECTIFYING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRD07MM4STR RRD07MM4STR Rohm Semiconductor rrd07mm4s-e Description: PMDU RECTIFYING DIODE
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-001 BM2P0161-EVK-001 Rohm Semiconductor bm2p0x61-z-e Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
Packaging: Box
Voltage - Output: 15V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 500mA
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 65kHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: BM2P0161
Main Purpose: AC/DC, Primary and Secondary Side
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 7.5 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8223.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-002 BM2P0161-EVK-002 Rohm Semiconductor bm2p0161-evk-002_ug-e.pdf Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
Packaging: Box
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 500mA
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 65kHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: BM2P0161
Main Purpose: AC/DC, Primary and Secondary Side
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 6 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8223.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-003 BM2P0161-EVK-003 Rohm Semiconductor bm2p0161-evk-003_ug-e.pdf Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9648.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD62120AEFJ-E2 BD62120AEFJ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD62120AEFJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: BUILT-IN 1 CHANNEL H-BRIDGE MOTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 2A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 28V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 36666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.60 грн
10+112.53 грн
25+102.67 грн
100+86.18 грн
250+81.33 грн
500+78.41 грн
1000+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD63130AFM-E2 BD63130AFM-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63130AFM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: H-BRIDGE MOTOR DRIVER FOR DC BRU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-SOP (0.295", 7.50mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 3A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 46.2V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 36-HSOP-M
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.97 грн
10+251.63 грн
25+231.97 грн
100+197.38 грн
250+187.69 грн
500+181.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD63565EFV-E2 BD63565EFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63565EFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DUAL H-BRIDGE MOTOR DRIVER WHICH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Applications: Appliance
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 16V
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.90 грн
10+137.77 грн
25+126.07 грн
100+106.22 грн
250+100.45 грн
500+96.97 грн
1000+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Rohm Semiconductor em6k7-e Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TR QH8K51TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 16760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.21 грн
10+62.04 грн
100+48.25 грн
500+38.38 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTL RD3P08BBDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.01 грн
10+181.73 грн
100+144.70 грн
500+114.90 грн
1000+97.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.13 грн
10+51.90 грн
100+34.54 грн
500+25.21 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCR RF4E060AJTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4E060AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF6E065BNTCR RF6E065BNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF6E065BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.53 грн
10+45.29 грн
100+30.11 грн
500+21.95 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.27 грн
10+279.23 грн
100+233.07 грн
500+190.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCR RQ1E075XNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ1E075XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 26828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.61 грн
10+49.62 грн
100+34.35 грн
500+26.93 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E020SPTL RQ5E020SPTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.14 грн
10+39.40 грн
100+25.49 грн
500+18.31 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SNTL RQ5E025SNTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E025SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.46 грн
10+35.31 грн
100+26.36 грн
500+19.43 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTL RQ5E025SPTL Rohm Semiconductor rq5e025sptl-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.81 грн
10+40.65 грн
100+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035XNTCL RQ5E035XNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E035XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.35 грн
10+33.89 грн
100+22.21 грн
500+16.27 грн
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040RPTL RQ5E040RPTL Rohm Semiconductor rq5e040rp-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.98 грн
10+49.07 грн
100+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E050ATTCL RQ5E050ATTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 12363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.31 грн
10+44.90 грн
100+29.41 грн
500+21.32 грн
1000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E065AJTCL RQ5E065AJTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5E065AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 7484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+44.90 грн
100+30.53 грн
500+23.41 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030SNTL RQ5L030SNTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.18 грн
10+40.65 грн
100+28.12 грн
500+22.05 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L035GNTCL RQ5L035GNTCL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L035GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.14 грн
10+40.73 грн
100+29.97 грн
500+23.99 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6A050ZPTR RQ6A050ZPTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6A050ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.71 грн
10+63.22 грн
100+41.84 грн
500+30.63 грн
1000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E040XNTCR RQ6E040XNTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E040XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.90 грн
10+36.57 грн
100+24.40 грн
500+17.52 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E045TNTR RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E045TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.73 грн
10+34.60 грн
100+26.70 грн
500+20.52 грн
1000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050AJTCR RQ6E050AJTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.86 грн
10+43.96 грн
100+28.85 грн
500+20.89 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 RS1E301GNTB1 Rohm Semiconductor rs1e301gntb1-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L120GNTB RS1L120GNTB Rohm Semiconductor rs1l120gntb-e Description: RS1L120GN IS LOW ON - RESISTANCE
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB RS1L180GNTB Rohm Semiconductor rs1l180gntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L045GNGZETB RS3L045GNGZETB Rohm Semiconductor rs3l045gngzetb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06GZETB RSH065N06GZETB Rohm Semiconductor rsh065n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.81 грн
10+76.28 грн
100+55.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RXH070N03TB1 RXH070N03TB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RXH070N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.52 грн
10+63.54 грн
100+42.27 грн
500+31.10 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETB SH8KA1GZETB Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.98 грн
10+48.68 грн
100+33.73 грн
500+26.45 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M31GZETB SH8M31GZETB Rohm Semiconductor datasheet?p=SH8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.27 грн
10+112.45 грн
100+89.50 грн
500+71.07 грн
1000+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JA3TCR UT6JA3TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6JA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.66 грн
10+50.01 грн
100+33.09 грн
500+24.64 грн
1000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCR UT6K30TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6K30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.06 грн
10+71.56 грн
100+50.12 грн
500+37.13 грн
1000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR UT6MA2TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 22246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.81 грн
10+37.74 грн
100+25.97 грн
500+18.03 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BD62120AEFJ-E2 BD62120AEFJ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD62120AEFJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: BUILT-IN 1 CHANNEL H-BRIDGE MOTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 2A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 28V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD63130AFM-E2 BD63130AFM-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63130AFM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: H-BRIDGE MOTOR DRIVER FOR DC BRU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-SOP (0.295", 7.50mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 3A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 46.2V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 36-HSOP-M
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+175.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BD63565EFV-E2 BD63565EFV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD63565EFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DUAL H-BRIDGE MOTOR DRIVER WHICH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Applications: Appliance
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 16V
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR EM6K7T2CR Rohm Semiconductor em6k7-e Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCR QH8K22TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8K22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.29 грн
6000+16.47 грн
9000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TR QH8K51TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.57 грн
6000+29.87 грн
9000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8M22TCR QH8M22TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8M22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.32 грн
6000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTL RD3P08BBDTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.48 грн
5000+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR RF4C100BCTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16BM65DTL datasheet?p=RGT16BM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16BM65DTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 9315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.15 грн
10+127.55 грн
100+88.00 грн
500+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NL65DGTL datasheet?p=RGT16NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT16NL65DGTL datasheet?p=RGT16NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT16NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/33ns
Test Condition: 400V, 8A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 94 W
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.63 грн
10+149.25 грн
100+103.88 грн
500+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL datasheet?p=RGT30NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT30NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTL datasheet?p=RGT30NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT30NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTL datasheet?p=RGT40NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT40NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+103.72 грн
2000+96.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTL datasheet?p=RGT40NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT40NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.16 грн
10+185.58 грн
100+130.76 грн
500+111.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+121.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTL datasheet?p=RGT50NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT50NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.25 грн
10+214.67 грн
100+151.94 грн
500+117.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTL datasheet?p=RGT8NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT8NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTL datasheet?p=RGT8NL65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT8NL65DGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.43 грн
10+123.93 грн
100+85.33 грн
500+65.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RRD07MM4STR rrd07mm4s-e
RRD07MM4STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PMDU RECTIFYING DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRD07MM4STR rrd07mm4s-e
RRD07MM4STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PMDU RECTIFYING DIODE
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-001 bm2p0x61-z-e
BM2P0161-EVK-001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
Packaging: Box
Voltage - Output: 15V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 500mA
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 65kHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: BM2P0161
Main Purpose: AC/DC, Primary and Secondary Side
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 7.5 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8223.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-002 bm2p0161-evk-002_ug-e.pdf
BM2P0161-EVK-002
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
Packaging: Box
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 500mA
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 65kHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: BM2P0161
Main Purpose: AC/DC, Primary and Secondary Side
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 6 W
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8223.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P0161-EVK-003 bm2p0161-evk-003_ug-e.pdf
BM2P0161-EVK-003
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BM2P0161
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9648.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD62120AEFJ-E2 datasheet?p=BD62120AEFJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD62120AEFJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BUILT-IN 1 CHANNEL H-BRIDGE MOTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 2A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 28V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 36666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.60 грн
10+112.53 грн
25+102.67 грн
100+86.18 грн
250+81.33 грн
500+78.41 грн
1000+74.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD63130AFM-E2 datasheet?p=BD63130AFM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63130AFM-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: H-BRIDGE MOTOR DRIVER FOR DC BRU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-SOP (0.295", 7.50mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 3A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 46.2V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 36-HSOP-M
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.97 грн
10+251.63 грн
25+231.97 грн
100+197.38 грн
250+187.69 грн
500+181.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD63565EFV-E2 datasheet?p=BD63565EFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63565EFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DUAL H-BRIDGE MOTOR DRIVER WHICH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Applications: Appliance
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 16V
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.90 грн
10+137.77 грн
25+126.07 грн
100+106.22 грн
250+100.45 грн
500+96.97 грн
1000+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR em6k7-e
EM6K7T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TR datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8K51TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 16760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.21 грн
10+62.04 грн
100+48.25 грн
500+38.38 грн
1000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTL datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P08BBDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.01 грн
10+181.73 грн
100+144.70 грн
500+114.90 грн
1000+97.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4C100BCTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.13 грн
10+51.90 грн
100+34.54 грн
500+25.21 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RF4E060AJTCR datasheet?p=RF4E060AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4E060AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RF6E065BNTCR datasheet?p=RF6E065BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF6E065BNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TUMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TUMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.53 грн
10+45.29 грн
100+30.11 грн
500+21.95 грн
1000+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1P12BBDTLL datasheet?p=RJ1P12BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RJ1P12BBDTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.27 грн
10+279.23 грн
100+233.07 грн
500+190.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E075XNTCR datasheet?p=RQ1E075XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ1E075XNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 10 V
на замовлення 26828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.61 грн
10+49.62 грн
100+34.35 грн
500+26.93 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E020SPTL datasheet?p=RQ5E020SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E020SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 10 V
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.14 грн
10+39.40 грн
100+25.49 грн
500+18.31 грн
1000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SNTL datasheet?p=RQ5E025SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E025SNTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.46 грн
10+35.31 грн
100+26.36 грн
500+19.43 грн
1000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E025SPTL rq5e025sptl-e.pdf
RQ5E025SPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.81 грн
10+40.65 грн
100+30.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E035XNTCL datasheet?p=RQ5E035XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E035XNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.35 грн
10+33.89 грн
100+22.21 грн
500+16.27 грн
1000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E040RPTL rq5e040rp-e.pdf
RQ5E040RPTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.98 грн
10+49.07 грн
100+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E050ATTCL datasheet?p=RQ5E050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E050ATTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 15 V
на замовлення 12363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.31 грн
10+44.90 грн
100+29.41 грн
500+21.32 грн
1000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5E065AJTCL datasheet?p=RQ5E065AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5E065AJTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V
на замовлення 7484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.69 грн
10+44.90 грн
100+30.53 грн
500+23.41 грн
1000+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L030SNTL datasheet?p=RQ5L030SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5L030SNTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 4787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.18 грн
10+40.65 грн
100+28.12 грн
500+22.05 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ5L035GNTCL datasheet?p=RQ5L035GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ5L035GNTCL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 30 V
на замовлення 5384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.14 грн
10+40.73 грн
100+29.97 грн
500+23.99 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6A050ZPTR datasheet?p=RQ6A050ZP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6A050ZPTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 6 V
на замовлення 4938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.71 грн
10+63.22 грн
100+41.84 грн
500+30.63 грн
1000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E040XNTCR datasheet?p=RQ6E040XN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E040XNTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.90 грн
10+36.57 грн
100+24.40 грн
500+17.52 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E045TNTR datasheet?p=RQ6E045TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E045TNTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.73 грн
10+34.60 грн
100+26.70 грн
500+20.52 грн
1000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E050AJTCR datasheet?p=RQ6E050AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E050AJTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.86 грн
10+43.96 грн
100+28.85 грн
500+20.89 грн
1000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E301GNTB1 rs1e301gntb1-e.pdf
RS1E301GNTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L120GNTB rs1l120gntb-e
RS1L120GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RS1L120GN IS LOW ON - RESISTANCE
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS1L180GNTB rs1l180gntb-e.pdf
RS1L180GNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/68A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS3L045GNGZETB rs3l045gngzetb-e.pdf
RS3L045GNGZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSH065N06GZETB rsh065n06.pdf
RSH065N06GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 6.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.81 грн
10+76.28 грн
100+55.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RXH070N03TB1 datasheet?p=RXH070N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RXH070N03TB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.52 грн
10+63.54 грн
100+42.27 грн
500+31.10 грн
1000+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA1GZETB datasheet?p=SH8KA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8KA1GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 7420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.98 грн
10+48.68 грн
100+33.73 грн
500+26.45 грн
1000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SH8M31GZETB datasheet?p=SH8M31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
SH8M31GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 10V, 2500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4.5A, 10V, 70mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V, 40nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.27 грн
10+112.45 грн
100+89.50 грн
500+71.07 грн
1000+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JA3TCR datasheet?p=UT6JA3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6JA3TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.66 грн
10+50.01 грн
100+33.09 грн
500+24.64 грн
1000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UT6K30TCR datasheet?p=UT6K30&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6K30TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50µA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.06 грн
10+71.56 грн
100+50.12 грн
500+37.13 грн
1000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UT6MA2TCR datasheet?p=UT6MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6MA2TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 15V, 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4A, 10V, 70mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3nC @ 10V, 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 22246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.81 грн
10+37.74 грн
100+25.97 грн
500+18.03 грн
1000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BD62120AEFJ-E2 datasheet?p=BD62120AEFJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD62120AEFJ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BUILT-IN 1 CHANNEL H-BRIDGE MOTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 2A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 28V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD63130AFM-E2 datasheet?p=BD63130AFM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63130AFM-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: H-BRIDGE MOTOR DRIVER FOR DC BRU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-SOP (0.295", 7.50mm Width) + 2 Heat Tabs
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 3A
Interface: On/Off
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 8V ~ 46.2V
Applications: Printer
Technology: DMOS
Supplier Device Package: 36-HSOP-M
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+175.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BD63565EFV-E2 datasheet?p=BD63565EFV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD63565EFV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DUAL H-BRIDGE MOTOR DRIVER WHICH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver
Current - Output: 1A
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Pre-Driver - Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 5.5V
Applications: Appliance
Technology: DMOS
Voltage - Load: 1.8V ~ 16V
Supplier Device Package: 20-HTSSOP-B
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K7T2CR em6k7-e
EM6K7T2CR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1.2V DRIVE NCH+NCH MOSFET. COMPL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K22TCR datasheet?p=QH8K22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8K22TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.29 грн
6000+16.47 грн
9000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TR datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8K51TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.57 грн
6000+29.87 грн
9000+28.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
QH8M22TCR datasheet?p=QH8M22&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8M22TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.32 грн
6000+33.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RD3P08BBDTL datasheet?p=RD3P08BBD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P08BBDTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+102.48 грн
5000+94.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RF4C100BCTCR datasheet?p=RF4C100BC&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4C100BCTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.6mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 806 807 808 809 810 811 812 813 814 815 816 845 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]