Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102266) > Сторінка 902 з 1705

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 897 898 899 900 901 902 903 904 905 906 907 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFN5TF6SC9 RFN5TF6SC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN5TF6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220NFM
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.43 грн
50+59.70 грн
100+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E060ATTCR RQ6E060ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.54 грн
10+52.49 грн
100+34.50 грн
500+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.18 грн
6000+22.48 грн
9000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR RQ6G050ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 16657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+59.24 грн
100+39.16 грн
500+28.66 грн
1000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCR UT6JB5TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCR UT6JB5TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.93 грн
10+54.03 грн
100+35.55 грн
500+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030ATTCR RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.48 грн
10+36.09 грн
100+23.33 грн
500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RAQ045P01TCR RAQ045P01TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RAQ045P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
на замовлення 7336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.32 грн
10+32.11 грн
100+20.68 грн
500+14.77 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L070BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR RF4L070BGTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4L070BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+74.72 грн
100+49.91 грн
500+36.84 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR RF4G100BGTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR RF4G100BGTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+74.72 грн
100+49.91 грн
500+36.84 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+51.19 грн
100+38.79 грн
500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BS2100F-E2 BS2100F-E2 Rohm Semiconductor Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOP
Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA
Part Status: Last Time Buy
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q178-022GAZ0AAL Rohm Semiconductor ML610Q178.pdf Description: IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q178-022GAZ0AX Rohm Semiconductor ML610Q178.pdf Description: IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ332 SFR01MZPJ332 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES 3.3K OHM 5% 1/16W 0402
Power (Watts): 0.063W, 1/16W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 3.3 kOhms
на замовлення 48714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.55 грн
73+4.21 грн
112+2.76 грн
132+2.19 грн
500+1.54 грн
1000+1.34 грн
5000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P134Q-Z BM2P134Q-Z Rohm Semiconductor bm2p13xqx-e.pdf Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 7DIP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P121X-Z BM2P121X-Z Rohm Semiconductor bm2pxx1x-z-e.pdf Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 7DIP
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2SC124FP2-LBZE2 BM2SC124FP2-LBZE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM2SC124FP2-LBZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency - Switching: 120kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 1700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 15V ~ 27.5V
Supplier Device Package: TO-263-7
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM2SC124FP2-LBZE2 BM2SC124FP2-LBZE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM2SC124FP2-LBZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency - Switching: 120kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 1700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 15V ~ 27.5V
Supplier Device Package: TO-263-7
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1068.77 грн
10+714.30 грн
25+632.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2SC121FP2-LBZE2 BM2SC121FP2-LBZE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM2SC121FP2-LBZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency - Switching: 120kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 1700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 15V ~ 27.5V
Supplier Device Package: TO-263-7
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM2SC121FP2-LBZE2 BM2SC121FP2-LBZE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM2SC121FP2-LBZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency - Switching: 120kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 1700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 15V ~ 27.5V
Supplier Device Package: TO-263-7
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11 RGTV80TK65DGVC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGTV80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.51 грн
30+171.07 грн
120+140.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCR03EZPFX8203 MCR03EZPFX8203 Rohm Semiconductor mcr-e.pdf Description: RES SMD 820K OHM 1% 1/10W 0603
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 820 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR03EZPFX8202 MCR03EZPFX8202 Rohm Semiconductor mcr-e.pdf Description: RES SMD 82K OHM 1% 1/10W 0603
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 82 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMT1NFHATN UMT1NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMT1NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UMH11NFHATN UMH11NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH11NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UMH11NFHATN UMH11NFHATN Rohm Semiconductor datasheet?p=UMH11NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
22+14.33 грн
100+10.40 грн
500+8.77 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BD57021MWV-E2 BD57021MWV-E2 Rohm Semiconductor uqfn040v5050_1-e.pdf Description: IC WIRELESS PWR TX UQFN040V5050
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.3V
Applications: Wireless Power Transmitter
Current - Supply: 15mA
Supplier Device Package: UQFN040V5050
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ121 SDR10EZPJ121 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ121 SDR10EZPJ121 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 9318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.51 грн
36+8.58 грн
54+5.75 грн
100+4.60 грн
500+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ121 SFR01MZPJ121 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.063W, 1/16W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 120 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ121 SFR01MZPJ121 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.063W, 1/16W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 9989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.55 грн
73+4.21 грн
112+2.76 грн
132+2.19 грн
500+1.55 грн
1000+1.35 грн
5000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ121 ESR01MZPJ121 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 120 OHM 5% 1/5W 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
Resistance: 120 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ121 ESR01MZPJ121 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 120 OHM 5% 1/5W 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 8889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.51 грн
36+8.66 грн
52+5.96 грн
100+4.83 грн
500+3.54 грн
1000+3.14 грн
5000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
UMT4403U3T106 UMT4403U3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=UMT4403U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 40V 0.6A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMT4403U3T106 UMT4403U3T106 Rohm Semiconductor datasheet?p=UMT4403U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 40V 0.6A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
12+26.98 грн
100+18.37 грн
500+13.53 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10NS60ATL RBR10NS60ATL Rohm Semiconductor rbr10ns60atl-e.pdf Description: RBR10NS60A IS SCHOTTKY BARRIER D
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10NS60ATL RBR10NS60ATL Rohm Semiconductor rbr10ns60atl-e.pdf Description: RBR10NS60A IS SCHOTTKY BARRIER D
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.48 грн
10+86.06 грн
100+67.11 грн
500+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBR30NS60ATL RBR30NS60ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR30NS60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 15A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR30NS60ATL RBR30NS60ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR30NS60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 15A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.61 грн
10+98.17 грн
100+69.87 грн
500+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20NS60ATL RBR20NS60ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20NS60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20NS60ATL RBR20NS60ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20NS60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10NS60AFHTL RBR10NS60AFHTL Rohm Semiconductor rbr10ns60afhtl-e.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10NS60AFHTL RBR10NS60AFHTL Rohm Semiconductor rbr10ns60afhtl-e.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.13 грн
10+76.79 грн
100+59.83 грн
500+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20NS60AFHTL RBR20NS60AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20NS60AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 20A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20NS60AFHTL RBR20NS60AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR20NS60AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 20A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.66 грн
10+80.77 грн
100+62.83 грн
500+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBR30NS60AFHTL RBR30NS60AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR30NS60AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RBR30NS60AFHTL RBR30NS60AFHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR30NS60AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.68 грн
10+89.81 грн
100+63.69 грн
500+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ML620Q156B-628TBZWAX ML620Q156B-628TBZWAX Rohm Semiconductor datasheet?p=ML620Q156B&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 52TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 52-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8.4MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: nX-U16/100
Data Converters: A/D 12x10b SAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SSP, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 52-TQFP (10x10)
Part Status: Last Time Buy
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7232YFVM-CTR BU7232YFVM-CTR Rohm Semiconductor Description: RAIL-TO-RAIL INPUT PUSH-PULL OUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7232YFVM-CTR BU7232YFVM-CTR Rohm Semiconductor Description: RAIL-TO-RAIL INPUT PUSH-PULL OUT
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.58 грн
10+102.69 грн
25+96.90 грн
100+77.48 грн
250+72.75 грн
500+63.66 грн
1000+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD5291FVE-GTR BD5291FVE-GTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD5291FVE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: INPUT/OUTPUT FULL SWING LOW INPU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 650µA
Slew Rate: 2.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.2 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 100 µV
Supplier Device Package: 5-VSOF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 35 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD5291FVE-GTR BD5291FVE-GTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD5291FVE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: INPUT/OUTPUT FULL SWING LOW INPU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-665
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 650µA
Slew Rate: 2.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.2 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 100 µV
Supplier Device Package: 5-VSOF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 35 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.64 грн
10+57.93 грн
25+55.02 грн
100+42.42 грн
250+39.66 грн
500+35.05 грн
1000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH10TB4SNZC9 RFUH10TB4SNZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RFUH10TB4SNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 430V 10A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220NFM
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 430 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 430 V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.88 грн
50+92.77 грн
100+83.42 грн
500+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20TM65DGC9 RGT20TM65DGC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGT20TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 650V 10A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10TF6SC9 RFN10TF6SC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10TF6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220NFM
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.23 грн
50+71.15 грн
100+69.44 грн
500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DA204UMTL DA204UMTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DA204UM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 20V 100MA UMD3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD3F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN5TF6SC9 datasheet?p=RFN5TF6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN5TF6SC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 5A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220NFM
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
50+59.70 грн
100+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E060ATTCR datasheet?p=RQ6E060AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E060ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 6A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.54 грн
10+52.49 грн
100+34.50 грн
500+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6G050ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.18 грн
6000+22.48 грн
9000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6G050ATTCR datasheet?p=RQ6G050AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6G050ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -5A POWER MOSFET - RQ6G
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 20 V
на замовлення 16657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+59.24 грн
100+39.16 грн
500+28.66 грн
1000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCR datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6JB5TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UT6JB5TCR datasheet?p=UT6JB5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UT6JB5TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 40V 3.5A HUML2020L8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: HUML2020L8
Part Status: Active
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.93 грн
10+54.03 грн
100+35.55 грн
500+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ6E030ATTCR datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E030ATTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.48 грн
10+36.09 грн
100+23.33 грн
500+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RAQ045P01TCR datasheet?p=RAQ045P01&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RAQ045P01TCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 6 V
на замовлення 7336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.32 грн
10+32.11 грн
100+20.68 грн
500+14.77 грн
1000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR datasheet?p=RF4L070BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L070BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4L070BGTCR datasheet?p=RF4L070BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4L070BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 60V 7A, HUML2020L8, POWER MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 30 V
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.55 грн
10+74.72 грн
100+49.91 грн
500+36.84 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G100BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF4G100BGTCR datasheet?p=RF4G100BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RF4G100BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 10A, HUML2020L8, POWER M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.55 грн
10+74.72 грн
100+49.91 грн
500+36.84 грн
1000+33.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7G080BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ7G080BGTCR datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7G080BGTCR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+51.19 грн
100+38.79 грн
500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BS2100F-E2
BS2100F-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOP
Rise / Fall Time (Typ): 200ns, 100ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1V, 2.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 60mA, 130mA
Part Status: Last Time Buy
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q178-022GAZ0AAL ML610Q178.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ML610Q178-022GAZ0AX ML610Q178.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ332 sfr-e.pdf
SFR01MZPJ332
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 3.3K OHM 5% 1/16W 0402
Power (Watts): 0.063W, 1/16W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 3.3 kOhms
на замовлення 48714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.55 грн
73+4.21 грн
112+2.76 грн
132+2.19 грн
500+1.54 грн
1000+1.34 грн
5000+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P134Q-Z bm2p13xqx-e.pdf
BM2P134Q-Z
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 7DIP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P121X-Z bm2pxx1x-z-e.pdf
BM2P121X-Z
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 7DIP
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BM2SC124FP2-LBZE2 datasheet?p=BM2SC124FP2-LBZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM2SC124FP2-LBZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency - Switching: 120kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 1700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 15V ~ 27.5V
Supplier Device Package: TO-263-7
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM2SC124FP2-LBZE2 datasheet?p=BM2SC124FP2-LBZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM2SC124FP2-LBZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency - Switching: 120kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 1700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 15V ~ 27.5V
Supplier Device Package: TO-263-7
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1068.77 грн
10+714.30 грн
25+632.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BM2SC121FP2-LBZE2 datasheet?p=BM2SC121FP2-LBZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM2SC121FP2-LBZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency - Switching: 120kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 1700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 15V ~ 27.5V
Supplier Device Package: TO-263-7
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM2SC121FP2-LBZE2 datasheet?p=BM2SC121FP2-LBZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM2SC121FP2-LBZE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FLYBACK TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency - Switching: 120kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 1700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 15V ~ 27.5V
Supplier Device Package: TO-263-7
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Control Features: EN, Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV80TK65DGVC11 datasheet?p=RGTV80TK65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTV80TK65DGVC11
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/113ns
Switching Energy: 1.02mJ (on), 710µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 85 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+321.51 грн
30+171.07 грн
120+140.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCR03EZPFX8203 mcr-e.pdf
MCR03EZPFX8203
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 820K OHM 1% 1/10W 0603
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 820 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR03EZPFX8202 mcr-e.pdf
MCR03EZPFX8202
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 82K OHM 1% 1/10W 0603
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 82 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMT1NFHATN datasheet?p=UMT1NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMT1NFHATN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA UMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UMH11NFHATN datasheet?p=UMH11NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH11NFHATN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UMH11NFHATN datasheet?p=UMH11NFHA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMH11NFHATN
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: UMT6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
22+14.33 грн
100+10.40 грн
500+8.77 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BD57021MWV-E2 uqfn040v5050_1-e.pdf
BD57021MWV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC WIRELESS PWR TX UQFN040V5050
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 5.3V
Applications: Wireless Power Transmitter
Current - Supply: 15mA
Supplier Device Package: UQFN040V5050
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ121 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ121
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ121 sdr-e.pdf
SDR10EZPJ121
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 9318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
36+8.58 грн
54+5.75 грн
100+4.60 грн
500+3.30 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ121 sfr-e.pdf
SFR01MZPJ121
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.063W, 1/16W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 120 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPJ121 sfr-e.pdf
SFR01MZPJ121
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.063W, 1/16W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 9989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.55 грн
73+4.21 грн
112+2.76 грн
132+2.19 грн
500+1.55 грн
1000+1.35 грн
5000+1.00 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ121 esr-e.pdf
ESR01MZPJ121
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 120 OHM 5% 1/5W 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
Resistance: 120 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ121 esr-e.pdf
ESR01MZPJ121
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 120 OHM 5% 1/5W 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Part Status: Active
Resistance: 120 Ohms
на замовлення 8889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
36+8.66 грн
52+5.96 грн
100+4.83 грн
500+3.54 грн
1000+3.14 грн
5000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
UMT4403U3T106 datasheet?p=UMT4403U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMT4403U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.6A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UMT4403U3T106 datasheet?p=UMT4403U3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
UMT4403U3T106
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.6A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
12+26.98 грн
100+18.37 грн
500+13.53 грн
1000+12.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10NS60ATL rbr10ns60atl-e.pdf
RBR10NS60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RBR10NS60A IS SCHOTTKY BARRIER D
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+45.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10NS60ATL rbr10ns60atl-e.pdf
RBR10NS60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RBR10NS60A IS SCHOTTKY BARRIER D
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.48 грн
10+86.06 грн
100+67.11 грн
500+52.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBR30NS60ATL datasheet?p=RBR30NS60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR30NS60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 15A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR30NS60ATL datasheet?p=RBR30NS60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR30NS60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 15A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.61 грн
10+98.17 грн
100+69.87 грн
500+53.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20NS60ATL datasheet?p=RBR20NS60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20NS60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20NS60ATL datasheet?p=RBR20NS60A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20NS60ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10NS60AFHTL rbr10ns60afhtl-e.pdf
RBR10NS60AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR10NS60AFHTL rbr10ns60afhtl-e.pdf
RBR10NS60AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A LPDS
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+76.79 грн
100+59.83 грн
500+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20NS60AFHTL datasheet?p=RBR20NS60AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20NS60AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 20A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR20NS60AFHTL datasheet?p=RBR20NS60AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR20NS60AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 20A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.66 грн
10+80.77 грн
100+62.83 грн
500+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RBR30NS60AFHTL datasheet?p=RBR30NS60AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR30NS60AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+50.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RBR30NS60AFHTL datasheet?p=RBR30NS60AFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR30NS60AFHTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: LPDS
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.68 грн
10+89.81 грн
100+63.69 грн
500+48.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ML620Q156B-628TBZWAX datasheet?p=ML620Q156B&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
ML620Q156B-628TBZWAX
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC MCU 16BIT 64KB FLASH 52TQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 52-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 8.4MHz
Program Memory Size: 64KB (32K x 16)
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 2K x 8
Core Processor: nX-U16/100
Data Converters: A/D 12x10b SAR
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, SSP, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 52-TQFP (10x10)
Part Status: Last Time Buy
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7232YFVM-CTR
BU7232YFVM-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RAIL-TO-RAIL INPUT PUSH-PULL OUT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU7232YFVM-CTR
BU7232YFVM-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RAIL-TO-RAIL INPUT PUSH-PULL OUT
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.58 грн
10+102.69 грн
25+96.90 грн
100+77.48 грн
250+72.75 грн
500+63.66 грн
1000+51.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD5291FVE-GTR datasheet?p=BD5291FVE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD5291FVE-GTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: INPUT/OUTPUT FULL SWING LOW INPU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-665
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 650µA
Slew Rate: 2.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.2 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 100 µV
Supplier Device Package: 5-VSOF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 35 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD5291FVE-GTR datasheet?p=BD5291FVE&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD5291FVE-GTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: INPUT/OUTPUT FULL SWING LOW INPU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-665
Output Type: Rail-to-Rail
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Supply: 650µA
Slew Rate: 2.5V/µs
Gain Bandwidth Product: 3.2 MHz
Current - Input Bias: 1 pA
Voltage - Input Offset: 100 µV
Supplier Device Package: 5-VSOF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Output / Channel: 35 mA
Voltage - Supply Span (Min): 1.7 V
Voltage - Supply Span (Max): 5.5 V
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.64 грн
10+57.93 грн
25+55.02 грн
100+42.42 грн
250+39.66 грн
500+35.05 грн
1000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFUH10TB4SNZC9 datasheet?p=RFUH10TB4SNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFUH10TB4SNZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 430V 10A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220NFM
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 430 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 430 V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.88 грн
50+92.77 грн
100+83.42 грн
500+64.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20TM65DGC9 datasheet?p=RGT20TM65D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGT20TM65DGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 10A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN10TF6SC9 datasheet?p=RFN10TF6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN10TF6SC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220NFM
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.23 грн
50+71.15 грн
100+69.44 грн
500+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DA204UMTL datasheet?p=DA204UM&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DA204UMTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 20V 100MA UMD3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: UMD3F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 897 898 899 900 901 902 903 904 905 906 907 1020 1190 1360 1530 1700 1705  [ Наступна Сторінка >> ]