Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (102212) > Сторінка 901 з 1704

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 896 897 898 899 900 901 902 903 904 905 906 1020 1190 1360 1530 1700 1704  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAW156HYFHT116 BAW156HYFHT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BAW156HYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.99 грн
24+13.83 грн
100+6.83 грн
500+6.22 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAW156HYT116 BAW156HYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BAW156HY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAW156HYT116 BAW156HYT116 Rohm Semiconductor datasheet?p=BAW156HY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 8908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.03 грн
22+15.36 грн
100+8.38 грн
500+6.68 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXC7G R6509ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6509ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.00 грн
50+89.91 грн
100+89.18 грн
500+80.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENXC7G R6524ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6524ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.69 грн
50+176.18 грн
100+171.78 грн
500+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7G R6024ENXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R6024ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.73 грн
50+176.18 грн
100+171.78 грн
500+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ30NS100ATL RBQ30NS100ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ30NS100A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A TO263S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263S
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ30NS100ATL RBQ30NS100ATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RBQ30NS100A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A TO263S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263S
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.14 грн
10+189.63 грн
100+153.45 грн
500+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB160QS-40T18R RB160QS-40T18R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB160QS-40&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SMD1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: SMD1006
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB160QS-40T18R RB160QS-40T18R Rohm Semiconductor datasheet?p=RB160QS-40&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SMD1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: SMD1006
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 10289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.27 грн
16+21.03 грн
100+13.34 грн
500+9.38 грн
1000+8.37 грн
2000+7.52 грн
5000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATL RD3L140SPFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L140SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.32 грн
5000+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATL RD3L140SPFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3L140SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.25 грн
10+93.97 грн
100+73.06 грн
500+58.12 грн
1000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 RD3G01BATTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.85 грн
10+80.79 грн
100+54.08 грн
500+40.01 грн
1000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BRCH064GWZ-3E2 BRCH064GWZ-3E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BRCH064GWZ-3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 64KBIT I2C UCSP30L1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: UCSP30L1A
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BRCH064GWZ-3E2 BRCH064GWZ-3E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BRCH064GWZ-3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 64KBIT I2C UCSP30L1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: UCSP30L1A
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.71 грн
10+42.46 грн
25+41.99 грн
50+39.16 грн
100+35.01 грн
250+34.72 грн
500+33.64 грн
1000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-E2 BM2P129TF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM2P129TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC OFFLINE SWITCHER 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Frequency - Switching: 100kHz
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-E2 BM2P129TF-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BM2P129TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC OFFLINE SWITCHER 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Frequency - Switching: 100kHz
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.65 грн
10+90.25 грн
25+82.06 грн
100+68.61 грн
250+64.59 грн
500+62.17 грн
1000+59.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-EVK-001 BM2P129TF-EVK-001 Rohm Semiconductor bm2p129tf-evk-001_ug-e.pdf Description: EVAL BOARD FOR BM2P129
Packaging: Box
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 167mA
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: BM2P129
Main Purpose: AC/DC, Non-Isolated
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZGTR5.6B TFZGTR5.6B Rohm Semiconductor datasheet?p=TFZ5.6B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPF1332 SFR01MZPF1332 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: RES SMD 13.3K OHM 1% 1/16W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA00CC0WCP-V5E2 BA00CC0WCP-V5E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BA00CC0WCP-V5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG LIN POS ADJ 1A TO220CP-V5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 5 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO220CP-V5
Voltage - Output (Max): 24.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Control Features: Enable
PSRR: 55dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU64562GWZ-E2 BU64562GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU64562GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 2 WIRE SERIAL INTERFACE LENS DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: I2C
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 4.8V
Applications: Camera
Technology: NMOS, PMOS
Supplier Device Package: UCSP30L1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Piezo
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU64562GWZ-E2 BU64562GWZ-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BU64562GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 2 WIRE SERIAL INTERFACE LENS DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: I2C
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 4.8V
Applications: Camera
Technology: NMOS, PMOS
Supplier Device Package: UCSP30L1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Piezo
Part Status: Active
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.86 грн
10+174.67 грн
25+160.09 грн
100+135.16 грн
250+127.97 грн
500+123.64 грн
1000+118.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD2310G-TR BD2310G-TR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2310G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 5-SSOP
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BD2310G-TR BD2310G-TR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2310G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 5-SSOP
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.06 грн
10+65.42 грн
25+59.20 грн
100+49.12 грн
250+46.05 грн
500+44.21 грн
1000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD2320EFJ-LAE2 BD2320EFJ-LAE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD2320EFJ-LAE2 BD2320EFJ-LAE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.76 грн
10+182.03 грн
25+155.52 грн
100+117.78 грн
250+103.93 грн
500+95.42 грн
1000+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 SDR03EZPF3901 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 SDR03EZPF3901 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.44 грн
50+6.55 грн
73+4.43 грн
100+3.54 грн
500+2.54 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 BM2P109TF-E2 Rohm Semiconductor bm2p109tf-e.pdf Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 BM2P109TF-E2 Rohm Semiconductor bm2p109tf-e.pdf Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.32 грн
10+130.12 грн
25+122.76 грн
100+98.13 грн
250+92.15 грн
500+80.63 грн
1000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR BD900N1G-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR BD900N1G-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.09 грн
10+85.40 грн
25+81.06 грн
100+62.50 грн
250+58.42 грн
500+51.63 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 SFR18EZPJ470 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.49 грн
10000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 SFR18EZPJ470 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.60 грн
31+10.51 грн
100+4.10 грн
1000+1.61 грн
2500+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 SFR18EZPJ131 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 SFR18EZPJ131 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.28 грн
28+11.64 грн
100+4.58 грн
1000+1.80 грн
2500+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 SFR18EZPJ3R3 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.49 грн
10000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 SFR18EZPJ3R3 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.60 грн
31+10.51 грн
100+4.10 грн
1000+1.61 грн
2500+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 SFR18EZPF1200 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.30 грн
10000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 SFR18EZPF1200 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+19.31 грн
20+16.25 грн
100+6.34 грн
1000+2.49 грн
2500+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 SFR18EZPJ331 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 SFR18EZPJ331 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 7932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.12 грн
27+12.29 грн
100+4.80 грн
1000+1.88 грн
2500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVJ-WE2 BR24T32FVJ-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24T32FVJ-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVT-WE2 BR24T32FVT-WE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24T32FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1 RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 RW4E045ATTCL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+57.90 грн
100+38.07 грн
500+27.74 грн
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL R8008ANJGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.75 грн
10+330.02 грн
100+239.09 грн
500+188.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7G R8003KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.27 грн
10+149.85 грн
100+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7G R8002KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.70 грн
50+105.61 грн
100+95.09 грн
500+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G R8006KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.40 грн
10+198.53 грн
100+140.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 R8002KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.05 грн
100+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G R8009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G R8009KNXC7G Rohm Semiconductor datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.66 грн
10+235.81 грн
100+168.19 грн
500+150.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 R8003KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW156HYFHT116 datasheet?p=BAW156HYFH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BAW156HYFHT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.99 грн
24+13.83 грн
100+6.83 грн
500+6.22 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAW156HYT116 datasheet?p=BAW156HY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BAW156HYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAW156HYT116 datasheet?p=BAW156HY&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BAW156HYT116
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARRAY GP 80V 215MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 215mA (DC)
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 nA @ 75 V
на замовлення 8908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.03 грн
22+15.36 грн
100+8.38 грн
500+6.68 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
R6509ENXC7G datasheet?p=R6509ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6509ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.00 грн
50+89.91 грн
100+89.18 грн
500+80.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6524ENXC7G datasheet?p=R6524ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6524ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.69 грн
50+176.18 грн
100+171.78 грн
500+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7G datasheet?p=R6024ENX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6024ENXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.73 грн
50+176.18 грн
100+171.78 грн
500+76.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ30NS100ATL datasheet?p=RBQ30NS100A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ30NS100ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A TO263S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263S
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBQ30NS100ATL datasheet?p=RBQ30NS100A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBQ30NS100ATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 30A TO263S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-263S
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.14 грн
10+189.63 грн
100+153.45 грн
500+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RB160QS-40T18R datasheet?p=RB160QS-40&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RB160QS-40T18R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SMD1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: SMD1006
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB160QS-40T18R datasheet?p=RB160QS-40&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RB160QS-40T18R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SMD1006
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: SMD1006
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 40 V
на замовлення 10289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.27 грн
16+21.03 грн
100+13.34 грн
500+9.38 грн
1000+8.37 грн
2000+7.52 грн
5000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATL datasheet?p=RD3L140SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L140SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.32 грн
5000+45.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATL datasheet?p=RD3L140SPFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3L140SPFRATL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.25 грн
10+93.97 грн
100+73.06 грн
500+58.12 грн
1000+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RD3G01BATTL1 datasheet?p=RD3G01BAT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3G01BATTL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -15A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.85 грн
10+80.79 грн
100+54.08 грн
500+40.01 грн
1000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BRCH064GWZ-3E2 datasheet?p=BRCH064GWZ-3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BRCH064GWZ-3E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C UCSP30L1A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: UCSP30L1A
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BRCH064GWZ-3E2 datasheet?p=BRCH064GWZ-3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BRCH064GWZ-3E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 64KBIT I2C UCSP30L1A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: UCSP30L1A
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.71 грн
10+42.46 грн
25+41.99 грн
50+39.16 грн
100+35.01 грн
250+34.72 грн
500+33.64 грн
1000+32.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-E2 datasheet?p=BM2P129TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM2P129TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SWITCHER 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Frequency - Switching: 100kHz
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-E2 datasheet?p=BM2P129TF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BM2P129TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SWITCHER 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Frequency - Switching: 100kHz
Topology: Buck
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.65 грн
10+90.25 грн
25+82.06 грн
100+68.61 грн
250+64.59 грн
500+62.17 грн
1000+59.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P129TF-EVK-001 bm2p129tf-evk-001_ug-e.pdf
BM2P129TF-EVK-001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BM2P129
Packaging: Box
Voltage - Output: 12V
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Current - Output: 167mA
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Buck
Utilized IC / Part: BM2P129
Main Purpose: AC/DC, Non-Isolated
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TFZGTR5.6B datasheet?p=TFZ5.6B&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
TFZGTR5.6B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW TUMD2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: TUMD2
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SFR01MZPF1332 sfr-e.pdf
SFR01MZPF1332
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 13.3K OHM 1% 1/16W 0402
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA00CC0WCP-V5E2 datasheet?p=BA00CC0WCP-V5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BA00CC0WCP-V5E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LIN POS ADJ 1A TO220CP-V5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Through Hole
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 5 mA
Voltage - Input (Max): 25V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO220CP-V5
Voltage - Output (Max): 24.5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.225V
Control Features: Enable
PSRR: 55dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU64562GWZ-E2 datasheet?p=BU64562GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU64562GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 2 WIRE SERIAL INTERFACE LENS DRI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: I2C
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 4.8V
Applications: Camera
Technology: NMOS, PMOS
Supplier Device Package: UCSP30L1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Piezo
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BU64562GWZ-E2 datasheet?p=BU64562GWZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU64562GWZ-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 2 WIRE SERIAL INTERFACE LENS DRI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 500mA
Interface: I2C
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 4.8V
Applications: Camera
Technology: NMOS, PMOS
Supplier Device Package: UCSP30L1
Motor Type - Stepper: Bipolar
Motor Type - AC, DC: Piezo
Part Status: Active
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.86 грн
10+174.67 грн
25+160.09 грн
100+135.16 грн
250+127.97 грн
500+123.64 грн
1000+118.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BD2310G-TR datasheet?p=BD2310G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2310G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 5-SSOP
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BD2310G-TR datasheet?p=BD2310G&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2310G-TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 5-SSOP
Rise / Fall Time (Typ): 10ns, 10ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.06 грн
10+65.42 грн
25+59.20 грн
100+49.12 грн
250+46.05 грн
500+44.21 грн
1000+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BD2320EFJ-LAE2 datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2320EFJ-LAE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD2320EFJ-LAE2 datasheet?p=BD2320EFJ-LA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD2320EFJ-LAE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 7.5V ~ 14.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 100 V
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 6ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.7V, 1.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 3.5A, 4.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.76 грн
10+182.03 грн
25+155.52 грн
100+117.78 грн
250+103.93 грн
500+95.42 грн
1000+86.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 sdr-e.pdf
SDR03EZPF3901
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF3901 sdr-e.pdf
SDR03EZPF3901
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 3.9 KOHM 1% 0.3W 0603
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 3.9 kOhms
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.44 грн
50+6.55 грн
73+4.43 грн
100+3.54 грн
500+2.54 грн
1000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 bm2p109tf-e.pdf
BM2P109TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BM2P109TF-E2 bm2p109tf-e.pdf
BM2P109TF-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC OFFLINE SW FULL-BRIDGE 8SOP
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.32 грн
10+130.12 грн
25+122.76 грн
100+98.13 грн
250+92.15 грн
500+80.63 грн
1000+65.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD900N1G-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD900N1G-CTR datasheet?p=BD900N1G-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD900N1G-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: QUICUR, NANO CAP, 150MA, ADJUSTA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 150mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
PSRR: 70dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 1.8V @ 150mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Short Circuit, Under Voltage Lockout (UVLO)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.09 грн
10+85.40 грн
25+81.06 грн
100+62.50 грн
250+58.42 грн
500+51.63 грн
1000+40.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ470
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.49 грн
10000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ470 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ470
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.60 грн
31+10.51 грн
100+4.10 грн
1000+1.61 грн
2500+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ131
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ131 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ131
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 9890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.28 грн
28+11.64 грн
100+4.58 грн
1000+1.80 грн
2500+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ3R3
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.49 грн
10000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ3R3 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ3R3
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.60 грн
31+10.51 грн
100+4.10 грн
1000+1.61 грн
2500+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 sfr-e.pdf
SFR18EZPF1200
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.30 грн
10000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPF1200 sfr-e.pdf
SFR18EZPF1200
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.31 грн
20+16.25 грн
100+6.34 грн
1000+2.49 грн
2500+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ331
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR18EZPJ331 sfr-e.pdf
SFR18EZPJ331
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS :
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±5%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Part Status: Active
Resistance: 330 Ohms
на замовлення 7932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.12 грн
27+12.29 грн
100+4.80 грн
1000+1.88 грн
2500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVJ-WE2 datasheet?p=BR24T32FVJ-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24T32FVJ-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-BJ
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24T32FVT-WE2 datasheet?p=BR24T32FVT-W&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24T32FVT-WE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 400 kHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-TSSOP-B
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1 datasheet?p=RW4E045AJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045AJTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045ATTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1 datasheet?p=RW4E045AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RW4E045ATTCL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.73 грн
10+57.90 грн
100+38.07 грн
500+27.74 грн
1000+25.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8008ANJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8008ANJGTL datasheet?p=R8008ANJ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8008ANJGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.75 грн
10+330.02 грн
100+239.09 грн
500+188.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KNXC7G datasheet?p=R8003KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 800V 3A, TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.27 грн
10+149.85 грн
100+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KNXC7G datasheet?p=R8002KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 800V 1.6A, TO-220FM, HIGH-SPEED
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.70 грн
50+105.61 грн
100+95.09 грн
500+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8006KNXC7G datasheet?p=R8006KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8006KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.40 грн
10+198.53 грн
100+140.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8002KND3TL1 datasheet?p=R8002KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8002KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 1.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-252GE
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.84 грн
10+94.05 грн
100+63.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R8009KNXC7G datasheet?p=R8009KNX&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8009KNXC7G
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.66 грн
10+235.81 грн
100+168.19 грн
500+150.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R8003KND3TL1 datasheet?p=R8003KND3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R8003KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 170 340 510 680 850 896 897 898 899 900 901 902 903 904 905 906 1020 1190 1360 1530 1700 1704  [ Наступна Сторінка >> ]