Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101605) > Сторінка 970 з 1694

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 845 965 966 967 968 969 970 971 972 973 974 975 1014 1183 1352 1521 1690 1694  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BV1HJC45EFJ-CE2 BV1HJC45EFJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BV1HJC45EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: BUILT-IN OUTPUT DIAGNOSIS, 1CH H
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.53 грн
10+104.93 грн
25+88.58 грн
100+65.73 грн
250+57.19 грн
500+51.94 грн
1000+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BV1HL045EFJ-CE2 BV1HL045EFJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BV1HL045EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: BUILT-IN OUTPUT DIAGNOSIS 1CH HI
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BV1HL045EFJ-CE2 BV1HL045EFJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BV1HL045EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: BUILT-IN OUTPUT DIAGNOSIS 1CH HI
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.29 грн
10+92.89 грн
25+84.58 грн
100+70.79 грн
250+66.69 грн
500+64.22 грн
1000+61.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100LJZPJSR047 LTR100LJZPJSR047 Rohm Semiconductor ltr-low-e.pdf Description: RES 0.047 OHM 5% 4W 2512 WIDE
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: 0/ +200ppm/°C
Size / Dimension: 0.122" L x 0.252" W (3.10mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.029" (0.73mm)
Resistance: 47 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100LJZPJSR047 LTR100LJZPJSR047 Rohm Semiconductor ltr-low-e.pdf Description: RES 0.047 OHM 5% 4W 2512 WIDE
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: 0/ +200ppm/°C
Size / Dimension: 0.122" L x 0.252" W (3.10mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.029" (0.73mm)
Resistance: 47 mOhms
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.83 грн
10+54.36 грн
25+47.00 грн
50+36.52 грн
100+31.97 грн
250+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100JZPFLR180 LTR100JZPFLR180 Rohm Semiconductor ltr-low-e.pdf Description: RES SMD 0.18 OHM 1% 2W 2512 WIDE
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: 0/ +150ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 180 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100JZPFLR180 LTR100JZPFLR180 Rohm Semiconductor ltr-low-e.pdf Description: RES SMD 0.18 OHM 1% 2W 2512 WIDE
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: 0/ +150ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 180 MOhms
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.71 грн
10+61.32 грн
50+45.15 грн
100+37.64 грн
500+29.37 грн
1000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRR01MZPF2261 TRR01MZPF2261 Rohm Semiconductor TRR_Series_DS.pdf Description: RES SMD 2.26K OHM 1% 1/16W 0402
Power (Watts): 0.063W, 1/16W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 2.26 kOhms
на замовлення 8514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.43 грн
68+4.47 грн
88+3.45 грн
105+2.71 грн
124+2.31 грн
250+1.89 грн
500+1.63 грн
1000+1.44 грн
5000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD3001 ESR18EZPD3001 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 3K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD3001 ESR18EZPD3001 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 3K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3 kOhms
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.30 грн
37+8.40 грн
46+6.72 грн
53+5.43 грн
100+4.72 грн
250+4.02 грн
500+3.55 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD1203 ESR10EZPD1203 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 120K OHM 0.5% 2/5W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD1203 ESR10EZPD1203 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 120K OHM 0.5% 2/5W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 kOhms
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.94 грн
42+7.34 грн
52+5.84 грн
61+4.69 грн
100+4.06 грн
250+3.42 грн
500+3.06 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD1203 ESR18EZPD1203 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 120K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD1203 ESR18EZPD1203 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 120K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.08 грн
34+9.01 грн
100+5.40 грн
1000+3.53 грн
2500+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SFR03EZPF4872 SFR03EZPF4872 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 48.7 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR03EZPF4872 SFR03EZPF4872 Rohm Semiconductor sfr-e.pdf Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 48.7 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.43 грн
68+4.47 грн
102+3.00 грн
119+2.39 грн
500+1.72 грн
1000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF4871 SDR03EZPF4871 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 4.87 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.71 грн
10000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF4871 SDR03EZPF4871 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 4.87 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.79 грн
52+5.91 грн
77+3.98 грн
100+3.19 грн
500+2.29 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF4873 SDR03EZPF4873 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 487 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF4873 SDR03EZPF4873 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 487 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.79 грн
52+5.91 грн
77+3.98 грн
100+3.19 грн
500+2.29 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR QS8M51HZGTR Rohm Semiconductor datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.56 грн
10+63.82 грн
100+42.34 грн
500+31.11 грн
1000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTR RQ1E070RPHZGTR Rohm Semiconductor Description: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTR RQ1E070RPHZGTR Rohm Semiconductor Description: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR RQ1A070ZPHZGTR Rohm Semiconductor Description: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR RQ1A070ZPHZGTR Rohm Semiconductor Description: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPFRATR Rohm Semiconductor Description: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPFRATR Rohm Semiconductor Description: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD5102 ESR10EZPD5102 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 51K OHM 0.5% 2/5W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 51 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD5102 ESR10EZPD5102 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 51K OHM 0.5% 2/5W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 51 kOhms
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.94 грн
42+7.34 грн
52+5.84 грн
61+4.69 грн
100+4.06 грн
250+3.42 грн
500+3.09 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RFN2VWM2STR RFN2VWM2STR Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN2VWM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN2VWM2STR RFN2VWM2STR Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN2VWM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.52 грн
10+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RFN2VWM2STFTR RFN2VWM2STFTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN2VWM2STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN2VWM2STFTR RFN2VWM2STFTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN2VWM2STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.17 грн
10+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPF4992 ESR03EZPF4992 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 49.9K OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 49.9 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPF4992 ESR03EZPF4992 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 49.9K OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 49.9 kOhms
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.01 грн
56+5.45 грн
101+3.02 грн
1000+1.78 грн
2500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD4992 ESR03EZPD4992 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 49.9K OHM 0.5% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 49.9 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD4992 ESR03EZPD4992 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 49.9K OHM 0.5% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 49.9 kOhms
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.94 грн
39+7.80 грн
57+5.39 грн
100+4.36 грн
500+3.20 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNXC7G Rohm Semiconductor r6004knx-e.pdf Description: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.24 грн
10+125.67 грн
100+100.06 грн
500+79.45 грн
1000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1 R6007KND3TL1 Rohm Semiconductor Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1 R6007KND3TL1 Rohm Semiconductor Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 R6009KND3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.73 грн
10+98.04 грн
100+68.92 грн
500+51.81 грн
1000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BR24G32F-3AGTE2 BR24G32F-3AGTE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24G32F-3A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24G32F-3AGTE2 BR24G32F-3AGTE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BR24G32F-3A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.59 грн
15+21.12 грн
25+20.62 грн
50+18.97 грн
100+18.56 грн
250+18.03 грн
500+17.33 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BR24G32FJ-3AGTE2 BR24G32FJ-3AGTE2 Rohm Semiconductor br24g32-3a-e.pdf Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24G32FJ-3AGTE2 BR24G32FJ-3AGTE2 Rohm Semiconductor br24g32-3a-e.pdf Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.01 грн
25+27.22 грн
50+25.04 грн
100+24.49 грн
250+23.78 грн
500+22.86 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VS6V5UA1VWMTFTR VS6V5UA1VWMTFTR Rohm Semiconductor datasheet?p=VS6V5UA1VWMTF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 6.5V 200W, COMPACT AND HIGHLY RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: PMDE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VS6V5UA1VWMTFTR VS6V5UA1VWMTFTR Rohm Semiconductor datasheet?p=VS6V5UA1VWMTF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 6.5V 200W, COMPACT AND HIGHLY RE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: PMDE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.03 грн
10+36.41 грн
100+25.33 грн
500+18.56 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E130ATTB1 RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor rs3e130attb-e.pdf Description: PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E130ATTB1 RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor rs3e130attb-e.pdf Description: PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 15 V
на замовлення 7261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.30 грн
10+114.09 грн
100+90.81 грн
500+72.11 грн
1000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MCR006YRTF1500 MCR006YRTF1500 Rohm Semiconductor MCR006YRT_SeriesSpec.pdf Description: RES SMD 150 OHM 1% 1/20W 0201
Power (Watts): 0.05W, 1/20W
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Temperature Coefficient: ±250ppm/°C
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0201
Height - Seated (Max): 0.010" (0.26mm)
Resistance: 150 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR006YRTF1500 MCR006YRTF1500 Rohm Semiconductor MCR006YRT_SeriesSpec.pdf Description: RES SMD 150 OHM 1% 1/20W 0201
Power (Watts): 0.05W, 1/20W
Tolerance: ±1%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Temperature Coefficient: ±250ppm/°C
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0201
Height - Seated (Max): 0.010" (0.26mm)
Resistance: 150 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR3L40ADDTE25 RBR3L40ADDTE25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR3L40ADD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
RBR3L40ADDTE25 RBR3L40ADDTE25 Rohm Semiconductor datasheet?p=RBR3L40ADD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.74 грн
10+39.75 грн
100+27.66 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD2210 ESR10EZPD2210 Rohm Semiconductor Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 221 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD2210 ESR10EZPD2210 Rohm Semiconductor Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 221 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.23 грн
19+16.73 грн
50+8.81 грн
100+6.13 грн
500+3.71 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BM100TL RB088BM100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BM100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.75 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BM100TL RB088BM100TL Rohm Semiconductor datasheet?p=RB088BM100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 11908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.44 грн
10+89.64 грн
100+60.80 грн
500+45.48 грн
1000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LTR10EZPF1R20 LTR10EZPF1R20 Rohm Semiconductor ltr-e.pdf Description: RES SMD 1.2 OHM 1% 1W 0805 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 0805 (2012 Metric), 0508
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.047" L x 0.079" W (1.20mm x 2.00mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0508
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BV1HJC45EFJ-CE2 datasheet?p=BV1HJC45EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BV1HJC45EFJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BUILT-IN OUTPUT DIAGNOSIS, 1CH H
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.53 грн
10+104.93 грн
25+88.58 грн
100+65.73 грн
250+57.19 грн
500+51.94 грн
1000+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BV1HL045EFJ-CE2 datasheet?p=BV1HL045EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BV1HL045EFJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BUILT-IN OUTPUT DIAGNOSIS 1CH HI
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BV1HL045EFJ-CE2 datasheet?p=BV1HL045EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BV1HL045EFJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: BUILT-IN OUTPUT DIAGNOSIS 1CH HI
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Short Circuit, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.29 грн
10+92.89 грн
25+84.58 грн
100+70.79 грн
250+66.69 грн
500+64.22 грн
1000+61.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100LJZPJSR047 ltr-low-e.pdf
LTR100LJZPJSR047
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 0.047 OHM 5% 4W 2512 WIDE
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: 0/ +200ppm/°C
Size / Dimension: 0.122" L x 0.252" W (3.10mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.029" (0.73mm)
Resistance: 47 mOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100LJZPJSR047 ltr-low-e.pdf
LTR100LJZPJSR047
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 0.047 OHM 5% 4W 2512 WIDE
Power (Watts): 4W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: 0/ +200ppm/°C
Size / Dimension: 0.122" L x 0.252" W (3.10mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.029" (0.73mm)
Resistance: 47 mOhms
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.83 грн
10+54.36 грн
25+47.00 грн
50+36.52 грн
100+31.97 грн
250+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100JZPFLR180 ltr-low-e.pdf
LTR100JZPFLR180
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 0.18 OHM 1% 2W 2512 WIDE
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: 0/ +150ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 180 MOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100JZPFLR180 ltr-low-e.pdf
LTR100JZPFLR180
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 0.18 OHM 1% 2W 2512 WIDE
Power (Watts): 2W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Current Sense
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: 0/ +150ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 180 MOhms
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.71 грн
10+61.32 грн
50+45.15 грн
100+37.64 грн
500+29.37 грн
1000+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TRR01MZPF2261 TRR_Series_DS.pdf
TRR01MZPF2261
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 2.26K OHM 1% 1/16W 0402
Power (Watts): 0.063W, 1/16W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 2.26 kOhms
на замовлення 8514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.43 грн
68+4.47 грн
88+3.45 грн
105+2.71 грн
124+2.31 грн
250+1.89 грн
500+1.63 грн
1000+1.44 грн
5000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD3001 esr-e.pdf
ESR18EZPD3001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 3K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD3001 esr-e.pdf
ESR18EZPD3001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 3K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3 kOhms
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.30 грн
37+8.40 грн
46+6.72 грн
53+5.43 грн
100+4.72 грн
250+4.02 грн
500+3.55 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD1203 esr-e.pdf
ESR10EZPD1203
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 120K OHM 0.5% 2/5W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD1203 esr-e.pdf
ESR10EZPD1203
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 120K OHM 0.5% 2/5W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 kOhms
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.94 грн
42+7.34 грн
52+5.84 грн
61+4.69 грн
100+4.06 грн
250+3.42 грн
500+3.06 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD1203 esr-e.pdf
ESR18EZPD1203
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 120K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR18EZPD1203 esr-e.pdf
ESR18EZPD1203
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 120K OHM 0.5% 1/2W 1206
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1206
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 120 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.08 грн
34+9.01 грн
100+5.40 грн
1000+3.53 грн
2500+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SFR03EZPF4872 sfr-e.pdf
SFR03EZPF4872
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 48.7 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SFR03EZPF4872 sfr-e.pdf
SFR03EZPF4872
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SULFUR TOLERANT CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 48.7 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.43 грн
68+4.47 грн
102+3.00 грн
119+2.39 грн
500+1.72 грн
1000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF4871 sdr-e.pdf
SDR03EZPF4871
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 4.87 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.71 грн
10000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF4871 sdr-e.pdf
SDR03EZPF4871
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 4.87 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.79 грн
52+5.91 грн
77+3.98 грн
100+3.19 грн
500+2.29 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF4873 sdr-e.pdf
SDR03EZPF4873
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 487 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPF4873 sdr-e.pdf
SDR03EZPF4873
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 487 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.79 грн
52+5.91 грн
77+3.98 грн
100+3.19 грн
500+2.29 грн
1000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
QS8M51HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
QS8M51HZGTR datasheet?p=QS8M51HZG&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
QS8M51HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 1.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, 950pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, 470mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.56 грн
10+63.82 грн
100+42.34 грн
500+31.11 грн
1000+28.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTR
RQ1E070RPHZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E070RPHZGTR
RQ1E070RPHZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -7A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR
RQ1A070ZPHZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1A070ZPHZGTR
RQ1A070ZPHZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE PCH -12V -7A SMALL SI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPFRATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RQ1E050RPFRATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -5A SMALL SIGNAL MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD5102 esr-e.pdf
ESR10EZPD5102
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 51K OHM 0.5% 2/5W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 51 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD5102 esr-e.pdf
ESR10EZPD5102
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 51K OHM 0.5% 2/5W 0805
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 51 kOhms
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.94 грн
42+7.34 грн
52+5.84 грн
61+4.69 грн
100+4.06 грн
250+3.42 грн
500+3.09 грн
1000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RFN2VWM2STR datasheet?p=RFN2VWM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN2VWM2STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN2VWM2STR datasheet?p=RFN2VWM2S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN2VWM2STR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.52 грн
10+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RFN2VWM2STFTR datasheet?p=RFN2VWM2STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN2VWM2STFTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RFN2VWM2STFTR datasheet?p=RFN2VWM2STF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN2VWM2STFTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A PMDE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.17 грн
10+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPF4992 esr-e.pdf
ESR03EZPF4992
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 49.9K OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 49.9 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPF4992 esr-e.pdf
ESR03EZPF4992
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 49.9K OHM 1% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 49.9 kOhms
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.01 грн
56+5.45 грн
101+3.02 грн
1000+1.78 грн
2500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD4992 esr-e.pdf
ESR03EZPD4992
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 49.9K OHM 0.5% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 49.9 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR03EZPD4992 esr-e.pdf
ESR03EZPD4992
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 49.9K OHM 0.5% 1/4W 0603
Power (Watts): 0.25W, 1/4W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 49.9 kOhms
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.94 грн
39+7.80 грн
57+5.39 грн
100+4.36 грн
500+3.20 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNXC7G r6004knx-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.24 грн
10+125.67 грн
100+100.06 грн
500+79.45 грн
1000+67.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1
R6007KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1
R6007KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6009KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1 datasheet?p=R6009KND3&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
R6009KND3TL1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.73 грн
10+98.04 грн
100+68.92 грн
500+51.81 грн
1000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BR24G32F-3AGTE2 datasheet?p=BR24G32F-3A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24G32F-3AGTE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24G32F-3AGTE2 datasheet?p=BR24G32F-3A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BR24G32F-3AGTE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.59 грн
15+21.12 грн
25+20.62 грн
50+18.97 грн
100+18.56 грн
250+18.03 грн
500+17.33 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BR24G32FJ-3AGTE2 br24g32-3a-e.pdf
BR24G32FJ-3AGTE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOPJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR24G32FJ-3AGTE2 br24g32-3a-e.pdf
BR24G32FJ-3AGTE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOPJ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 5.5V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 1 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 8-SOP-J
Write Cycle Time - Word, Page: 5ms
Memory Interface: I2C
Memory Organization: 4K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.01 грн
25+27.22 грн
50+25.04 грн
100+24.49 грн
250+23.78 грн
500+22.86 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
VS6V5UA1VWMTFTR datasheet?p=VS6V5UA1VWMTF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
VS6V5UA1VWMTFTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 6.5V 200W, COMPACT AND HIGHLY RE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: PMDE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VS6V5UA1VWMTFTR datasheet?p=VS6V5UA1VWMTF&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
VS6V5UA1VWMTFTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 6.5V 200W, COMPACT AND HIGHLY RE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 17.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: PMDE
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11.2V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.03 грн
10+36.41 грн
100+25.33 грн
500+18.56 грн
1000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E130ATTB1 rs3e130attb-e.pdf
RS3E130ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RS3E130ATTB1 rs3e130attb-e.pdf
RS3E130ATTB1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3730 pF @ 15 V
на замовлення 7261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.30 грн
10+114.09 грн
100+90.81 грн
500+72.11 грн
1000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MCR006YRTF1500 MCR006YRT_SeriesSpec.pdf
MCR006YRTF1500
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 150 OHM 1% 1/20W 0201
Power (Watts): 0.05W, 1/20W
Tolerance: ±1%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Temperature Coefficient: ±250ppm/°C
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0201
Height - Seated (Max): 0.010" (0.26mm)
Resistance: 150 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR006YRTF1500 MCR006YRT_SeriesSpec.pdf
MCR006YRTF1500
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 150 OHM 1% 1/20W 0201
Power (Watts): 0.05W, 1/20W
Tolerance: ±1%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Temperature Coefficient: ±250ppm/°C
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0201
Height - Seated (Max): 0.010" (0.26mm)
Resistance: 150 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR3L40ADDTE25 datasheet?p=RBR3L40ADD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR3L40ADDTE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+18.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
RBR3L40ADDTE25 datasheet?p=RBR3L40ADD&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBR3L40ADDTE25
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PMDS
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 690 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.74 грн
10+39.75 грн
100+27.66 грн
500+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD2210
ESR10EZPD2210
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 221 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPD2210
ESR10EZPD2210
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS
Power (Watts): 0.4W, 2/5W
Tolerance: ±0.5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 221 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.23 грн
19+16.73 грн
50+8.81 грн
100+6.13 грн
500+3.71 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BM100TL datasheet?p=RB088BM100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BM100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.75 грн
5000+37.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RB088BM100TL datasheet?p=RB088BM100&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RB088BM100TL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 870 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 11908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.44 грн
10+89.64 грн
100+60.80 грн
500+45.48 грн
1000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LTR10EZPF1R20 ltr-e.pdf
LTR10EZPF1R20
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 1.2 OHM 1% 1W 0805 WIDE
Power (Watts): 1W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 0805 (2012 Metric), 0508
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.047" L x 0.079" W (1.20mm x 2.00mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0508
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 1.2 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 845 965 966 967 968 969 970 971 972 973 974 975 1014 1183 1352 1521 1690 1694  [ Наступна Сторінка >> ]