Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ROHM SEMICONDUCTOR (101743) > Сторінка 971 з 1696

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 845 966 967 968 969 970 971 972 973 974 975 976 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SH8KA2GZETB SH8KA2GZETB Rohm Semiconductor Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBE1KA20ATR RBE1KA20ATR Rohm Semiconductor datasheet?p=RBE1KA20A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH EFFICIENCY TYPE, 20V, 1A, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A
Supplier Device Package: TUMD5
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RBE1KA20ATR RBE1KA20ATR Rohm Semiconductor datasheet?p=RBE1KA20A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: HIGH EFFICIENCY TYPE, 20V, 1A, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A
Supplier Device Package: TUMD5
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.69 грн
10+40.87 грн
100+28.43 грн
500+20.83 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BV1HD045EFJ-CE2 BV1HD045EFJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BV1HD045EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: AUTOMOTIVE 1CH 45 M HIGH-SIDE SW
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V
Current - Output (Max): 21A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BV1HD045EFJ-CE2 BV1HD045EFJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BV1HD045EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: AUTOMOTIVE 1CH 45 M HIGH-SIDE SW
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V
Current - Output (Max): 21A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1 Rohm Semiconductor sh8je5tb1-e.pdf Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1 Rohm Semiconductor sh8je5tb1-e.pdf Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.00 грн
10+151.41 грн
100+120.51 грн
500+95.70 грн
1000+81.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ562 ESR01MZPJ562 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 5.6K OHM 5% 1/5W 0402
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 5.6 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ562 ESR01MZPJ562 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 5.6K OHM 5% 1/5W 0402
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 5.6 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.81 грн
18+18.28 грн
50+9.65 грн
100+6.71 грн
500+4.06 грн
1000+2.81 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPF5601 ESR01MZPF5601 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 5.6K OHM 1% 1/5W 0402
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 5.6 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPF5601 ESR01MZPF5601 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: RES 5.6K OHM 1% 1/5W 0402
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 5.6 kOhms
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.51 грн
14+23.53 грн
50+12.41 грн
100+8.64 грн
500+5.22 грн
1000+3.61 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BD7J101EFJ-LBE2 BD7J101EFJ-LBE2 Rohm Semiconductor bd7j101xxx-lb-e.pdf Description: LOW POWER ISOLATED FLYBACK CONVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 400kHz
Internal Switch(s): Yes
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 80V
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Voltage - Start Up: 5.2 V
Control Features: EN, Soft Start
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+189.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD7J101EFJ-LBE2 BD7J101EFJ-LBE2 Rohm Semiconductor bd7j101xxx-lb-e.pdf Description: LOW POWER ISOLATED FLYBACK CONVE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 400kHz
Internal Switch(s): Yes
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 80V
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Voltage - Start Up: 5.2 V
Control Features: EN, Soft Start
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.00 грн
10+326.97 грн
25+309.12 грн
100+251.42 грн
250+238.53 грн
500+214.03 грн
1000+177.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108 IMD6AT108 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMD6A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100JZPJ164 LTR100JZPJ164 Rohm Semiconductor ltr-e.pdf Description: RES SMD 160K OHM 5% 3W 2512 WIDE
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 160 kOhms
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100JZPJ164 LTR100JZPJ164 Rohm Semiconductor ltr-e.pdf Description: RES SMD 160K OHM 5% 3W 2512 WIDE
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 160 kOhms
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.47 грн
10+32.71 грн
50+23.49 грн
100+19.34 грн
500+14.82 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E180BNTB RS1E180BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E180BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E180BNTB RS1E180BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E180BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.14 грн
10+42.99 грн
100+29.87 грн
500+21.89 грн
1000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ131 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS: ROHM'
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ131 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS: ROHM'
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.81 грн
18+18.28 грн
50+9.65 грн
100+6.71 грн
500+4.06 грн
1000+2.81 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPF1304 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS: ROHM'
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 1.3 MOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPF1304 Rohm Semiconductor esr-e.pdf Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS: ROHM'
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 1.3 MOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.51 грн
14+23.53 грн
50+12.41 грн
100+8.64 грн
500+5.22 грн
1000+3.61 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124EUBHZGTL DTA124EUBHZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA124EUBHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124EUBHZGTL DTA124EUBHZGTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA124EUBHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU18JA2DG-CTR BU18JA2DG-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BU18JA2DG-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA 5-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 68dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.315V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BU18JA2DG-CTR BU18JA2DG-CTR Rohm Semiconductor datasheet?p=BU18JA2DG-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA 5-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 68dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.315V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 27622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.68 грн
10+68.56 грн
25+57.33 грн
100+41.85 грн
250+35.97 грн
500+32.35 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BM60212FV-EVK001 BM60212FV-EVK001 Rohm Semiconductor bm60212fv-evk001_ug-e.pdf Description: EVAL BOARD FOR BM60212
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: BM60212
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2079.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ623 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 62 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ623 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 62 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB215T-60HZC9 RB215T-60HZC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RB215T-60HZ&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.95 грн
50+113.39 грн
100+111.15 грн
500+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CDZFHT2RA27B CDZFHT2RA27B Rohm Semiconductor Taping_VMND2_T2RA-e.pdf Description: DIODE ZENER 26.86V 100MW VMN2
Tolerance: ±2.49%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 26.86 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: VMN2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15 SCT3080ARC15 Rohm Semiconductor sct3080ar-e.pdf Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.22 грн
10+595.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARHRC15 SCT3080ARHRC15 Rohm Semiconductor sct3080arhr-e.pdf Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.66 грн
10+613.39 грн
450+438.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KTR25JZPF3901 KTR25JZPF3901 Rohm Semiconductor ktr-e.pdf Description: RES SMD 3.9K OHM 1% 1/3W 1210
Power (Watts): 0.333W, 1/3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.9 kOhms
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.07 грн
24+13.26 грн
100+6.82 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5TJ6SFHGC9 RFNL5TJ6SFHGC9 Rohm Semiconductor datasheet?p=RFNL5TJ6SFHG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.48 грн
50+94.72 грн
100+86.32 грн
500+66.98 грн
1000+62.41 грн
2000+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBR2LB60BTBR1 RBR2LB60BTBR1 Rohm Semiconductor rbr2lb60btbr1-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMBP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR2LB60BTBR1 RBR2LB60BTBR1 Rohm Semiconductor rbr2lb60btbr1-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMBP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.17 грн
10+43.38 грн
100+30.38 грн
500+22.06 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RBR3LB60BTBR1 RBR3LB60BTBR1 Rohm Semiconductor rbr3lb60btbr1-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMBP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RBR3LB60BTBR1 RBR3LB60BTBR1 Rohm Semiconductor rbr3lb60btbr1-e.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMBP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.02 грн
10+47.78 грн
100+31.39 грн
500+22.83 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC15 SCT3105KRC15 Rohm Semiconductor sct3105kr-e.pdf Description: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.44 грн
10+622.09 грн
450+432.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC15 SCT3040KRC15 Rohm Semiconductor sct3040kr-e.pdf Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1956.80 грн
10+1674.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BV1LE250EFJ-CE2 BV1LE250EFJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BV1LE250EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: AUTOMOTIVE IPD, 1CH LOW SIDE SWI
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 250mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BV1LE250EFJ-CE2 BV1LE250EFJ-CE2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BV1LE250EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: AUTOMOTIVE IPD, 1CH LOW SIDE SWI
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 250mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.06 грн
10+60.33 грн
25+57.24 грн
100+44.12 грн
250+41.25 грн
500+36.45 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLL RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=RJ1G12BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+178.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLL RJ1G12BGNTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=RJ1G12BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.41 грн
10+279.04 грн
100+225.72 грн
500+188.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTC015EUBTL DTC015EUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC015EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC015TUBTL DTC015TUBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC015TUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGCL80TS60GC13 RGCL80TS60GC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGCL80TS60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 600V 65A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/227ns
Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.10 грн
30+240.60 грн
120+200.54 грн
510+160.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGCL80TS60DGC13 RGCL80TS60DGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGCL80TS60D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 600V 65A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/227ns
Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.28 грн
30+266.49 грн
120+222.92 грн
510+179.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD9596MWV-ME2 Rohm Semiconductor Description: PMIC, INTEL CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 3.5V ~ 5.5V
Applications: Power Management - Communications, Storage, Embedded Computing & High Density Multi-Rail Systems
Supplier Device Package: UQFN88MV0100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9596MWV-E2 Rohm Semiconductor Description: PMIC, INTEL CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 3.5V ~ 5.5V
Applications: Power Management - Communications, Storage, Embedded Computing & High Density Multi-Rail Systems
Supplier Device Package: UQFN88MV0100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9596BMWV-E2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD9596BMWV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PMIC, INTEL CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 3.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 22mA
Supplier Device Package: UQFN88MV0100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9596BMWV-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD9596BMWV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PMIC, INTEL CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 3.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 22mA
Supplier Device Package: UQFN88MV0100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ361 LTR18EZPJ361 Rohm Semiconductor ltr-e.pdf Description: RES 360 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE
Power (Watts): 1.5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0612 (1632 Metric)
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 360 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ361 LTR18EZPJ361 Rohm Semiconductor ltr-e.pdf Description: RES 360 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE
Power (Watts): 1.5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0612 (1632 Metric)
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 360 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.29 грн
40+8.00 грн
59+5.37 грн
100+4.31 грн
500+3.09 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPJ361 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 360 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPJ361 Rohm Semiconductor sdr-e.pdf Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 360 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD18333EUV-ME2 BD18333EUV-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD18333EUV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 24CH LINEAR LED DRIVER EMBEDDED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 24
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output / Channel: 125mA
Internal Switch(s): No
Supplier Device Package: 48-HTSSOP-C
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 40V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BD18333EUV-ME2 BD18333EUV-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD18333EUV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 24CH LINEAR LED DRIVER EMBEDDED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 24
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output / Channel: 125mA
Internal Switch(s): No
Supplier Device Package: 48-HTSSOP-C
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 40V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.45 грн
10+350.19 грн
25+304.07 грн
100+236.41 грн
250+212.38 грн
500+199.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD18364EFV-ME2 BD18364EFV-ME2 Rohm Semiconductor datasheet?p=BD18364EFV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: 8CH INTERNAL BY-PASS SWITCH LED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 60V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 9
Frequency: 200kHz ~ 550kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output / Channel: 800mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 5.5V
Voltage - Supply (Max): 45V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8KA2GZETB
SH8KA2GZETB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RBE1KA20ATR datasheet?p=RBE1KA20A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBE1KA20ATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH EFFICIENCY TYPE, 20V, 1A, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A
Supplier Device Package: TUMD5
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RBE1KA20ATR datasheet?p=RBE1KA20A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RBE1KA20ATR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH EFFICIENCY TYPE, 20V, 1A, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A
Supplier Device Package: TUMD5
Operating Temperature - Junction: 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.69 грн
10+40.87 грн
100+28.43 грн
500+20.83 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BV1HD045EFJ-CE2 datasheet?p=BV1HD045EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BV1HD045EFJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE 1CH 45 M HIGH-SIDE SW
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V
Current - Output (Max): 21A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BV1HD045EFJ-CE2 datasheet?p=BV1HD045EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BV1HD045EFJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE 1CH 45 M HIGH-SIDE SW
Features: Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 45mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 7V
Current - Output (Max): 21A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Open Load Detect, Over Temperature, Reverse Battery, UVLO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1 sh8je5tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SH8JE5TB1 sh8je5tb1-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: -100V 4.5A, DUAL PCH+PCH, SOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.00 грн
10+151.41 грн
100+120.51 грн
500+95.70 грн
1000+81.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ562 esr-e.pdf
ESR01MZPJ562
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 5.6K OHM 5% 1/5W 0402
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 5.6 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ562 esr-e.pdf
ESR01MZPJ562
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 5.6K OHM 5% 1/5W 0402
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 5.6 kOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.81 грн
18+18.28 грн
50+9.65 грн
100+6.71 грн
500+4.06 грн
1000+2.81 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPF5601 esr-e.pdf
ESR01MZPF5601
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 5.6K OHM 1% 1/5W 0402
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 5.6 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPF5601 esr-e.pdf
ESR01MZPF5601
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 5.6K OHM 1% 1/5W 0402
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 5.6 kOhms
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.51 грн
14+23.53 грн
50+12.41 грн
100+8.64 грн
500+5.22 грн
1000+3.61 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BD7J101EFJ-LBE2 bd7j101xxx-lb-e.pdf
BD7J101EFJ-LBE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW POWER ISOLATED FLYBACK CONVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 400kHz
Internal Switch(s): Yes
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 80V
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Voltage - Start Up: 5.2 V
Control Features: EN, Soft Start
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+189.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
BD7J101EFJ-LBE2 bd7j101xxx-lb-e.pdf
BD7J101EFJ-LBE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: LOW POWER ISOLATED FLYBACK CONVE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Duty Cycle: 50%
Frequency - Switching: 400kHz
Internal Switch(s): Yes
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8V ~ 80V
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit, UVLO
Voltage - Start Up: 5.2 V
Control Features: EN, Soft Start
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+378.00 грн
10+326.97 грн
25+309.12 грн
100+251.42 грн
250+238.53 грн
500+214.03 грн
1000+177.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMD6AT108 datasheet?p=IMD6A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
IMD6AT108
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100JZPJ164 ltr-e.pdf
LTR100JZPJ164
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 160K OHM 5% 3W 2512 WIDE
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 160 kOhms
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
LTR100JZPJ164 ltr-e.pdf
LTR100JZPJ164
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 160K OHM 5% 3W 2512 WIDE
Power (Watts): 3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 2512 (6432 Metric), 1225
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.252" W (3.20mm x 6.40mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1225
Height - Seated (Max): 0.028" (0.70mm)
Resistance: 160 kOhms
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.47 грн
10+32.71 грн
50+23.49 грн
100+19.34 грн
500+14.82 грн
1000+13.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E180BNTB datasheet?p=RS1E180BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E180BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RS1E180BNTB datasheet?p=RS1E180BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E180BNTB
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.14 грн
10+42.99 грн
100+29.87 грн
500+21.89 грн
1000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ131 esr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS: ROHM'
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPJ131 esr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS: ROHM'
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 130 Ohms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.81 грн
18+18.28 грн
50+9.65 грн
100+6.71 грн
500+4.06 грн
1000+2.81 грн
5000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPF1304 esr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS: ROHM'
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 1.3 MOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ESR01MZPF1304 esr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: ANTI-SURGE CHIP RESISTORS: ROHM'
Power (Watts): 0.2W, 1/5W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0402
Height - Seated (Max): 0.016" (0.40mm)
Resistance: 1.3 MOhms
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.51 грн
14+23.53 грн
50+12.41 грн
100+8.64 грн
500+5.22 грн
1000+3.61 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124EUBHZGTL datasheet?p=DTA124EUBHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA124EUBHZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DTA124EUBHZGTL datasheet?p=DTA124EUBHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTA124EUBHZGTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BU18JA2DG-CTR datasheet?p=BU18JA2DG-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU18JA2DG-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA 5-SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 68dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.315V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BU18JA2DG-CTR datasheet?p=BU18JA2DG-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BU18JA2DG-CTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IC REG LINEAR 1.8V 200MA 5-SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 6V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.8V
Control Features: Enable
Grade: Automotive
PSRR: 68dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.315V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 27622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.68 грн
10+68.56 грн
25+57.33 грн
100+41.85 грн
250+35.97 грн
500+32.35 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BM60212FV-EVK001 bm60212fv-evk001_ug-e.pdf
BM60212FV-EVK001
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: EVAL BOARD FOR BM60212
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: BM60212
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2079.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ623 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 62 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR10EZPJ623 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.5W, 1/2W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 62 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RB215T-60HZC9 datasheet?p=RB215T-60HZ&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
RB215T-60HZC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ARR SCHOTT 60V 10A TO220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.95 грн
50+113.39 грн
100+111.15 грн
500+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CDZFHT2RA27B Taping_VMND2_T2RA-e.pdf
CDZFHT2RA27B
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE ZENER 26.86V 100MW VMN2
Tolerance: ±2.49%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 26.86 V
Impedance (Max) (Zzt): 150 Ohms
Supplier Device Package: VMN2
Power - Max: 100 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 21 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARC15 sct3080ar-e.pdf
SCT3080ARC15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+790.22 грн
10+595.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3080ARHRC15 sct3080arhr-e.pdf
SCT3080ARHRC15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 571 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+814.66 грн
10+613.39 грн
450+438.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KTR25JZPF3901 ktr-e.pdf
KTR25JZPF3901
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES SMD 3.9K OHM 1% 1/3W 1210
Power (Watts): 0.333W, 1/3W
Tolerance: ±1%
Features: Automotive AEC-Q200, High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1210 (3225 Metric)
Temperature Coefficient: ±100ppm/°C
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 1210
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 3.9 kOhms
на замовлення 7984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.07 грн
24+13.26 грн
100+6.82 грн
1000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RFNL5TJ6SFHGC9 datasheet?p=RFNL5TJ6SFHG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFNL5TJ6SFHGC9
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-220ACFP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.48 грн
50+94.72 грн
100+86.32 грн
500+66.98 грн
1000+62.41 грн
2000+61.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RBR2LB60BTBR1 rbr2lb60btbr1-e.pdf
RBR2LB60BTBR1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMBP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RBR2LB60BTBR1 rbr2lb60btbr1-e.pdf
RBR2LB60BTBR1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMBP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMBP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.17 грн
10+43.38 грн
100+30.38 грн
500+22.06 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RBR3LB60BTBR1 rbr3lb60btbr1-e.pdf
RBR3LB60BTBR1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMBP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RBR3LB60BTBR1 rbr3lb60btbr1-e.pdf
RBR3LB60BTBR1
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMBP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMBP
Operating Temperature - Junction: 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.02 грн
10+47.78 грн
100+31.39 грн
500+22.83 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3105KRC15 sct3105kr-e.pdf
SCT3105KRC15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 24A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 7.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 134W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.81mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 574 pF @ 800 V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.44 грн
10+622.09 грн
450+432.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SCT3040KRC15 sct3040kr-e.pdf
SCT3040KRC15
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 262W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1337 pF @ 800 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1956.80 грн
10+1674.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BV1LE250EFJ-CE2 datasheet?p=BV1LE250EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BV1LE250EFJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE IPD, 1CH LOW SIDE SWI
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 250mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BV1LE250EFJ-CE2 datasheet?p=BV1LE250EFJ-C&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BV1LE250EFJ-CE2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE IPD, 1CH LOW SIDE SWI
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 250mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 3V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-HTSOP-J
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, UVLO
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.06 грн
10+60.33 грн
25+57.24 грн
100+44.12 грн
250+41.25 грн
500+36.45 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLL datasheet?p=RJ1G12BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RJ1G12BGNTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+178.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
RJ1G12BGNTLL datasheet?p=RJ1G12BGN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RJ1G12BGNTLL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: LPTL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 20 V
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.41 грн
10+279.04 грн
100+225.72 грн
500+188.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DTC015EUBTL datasheet?p=DTC015EUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC015EUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC015TUBTL datasheet?p=DTC015TUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC015TUBTL
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGCL80TS60GC13 datasheet?p=RGCL80TS60&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGCL80TS60GC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 600V 65A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/227ns
Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+439.10 грн
30+240.60 грн
120+200.54 грн
510+160.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGCL80TS60DGC13 datasheet?p=RGCL80TS60D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGCL80TS60DGC13
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 600V 65A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 53ns/227ns
Switching Energy: 1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.28 грн
30+266.49 грн
120+222.92 грн
510+179.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD9596MWV-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PMIC, INTEL CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TA)
Voltage - Supply: 3.5V ~ 5.5V
Applications: Power Management - Communications, Storage, Embedded Computing & High Density Multi-Rail Systems
Supplier Device Package: UQFN88MV0100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9596MWV-E2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PMIC, INTEL CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 3.5V ~ 5.5V
Applications: Power Management - Communications, Storage, Embedded Computing & High Density Multi-Rail Systems
Supplier Device Package: UQFN88MV0100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9596BMWV-E2 datasheet?p=BD9596BMWV&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PMIC, INTEL CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 3.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 22mA
Supplier Device Package: UQFN88MV0100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD9596BMWV-ME2 datasheet?p=BD9596BMWV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: PMIC, INTEL CHIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 88-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C
Voltage - Supply: 3.5V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Current - Supply: 22mA
Supplier Device Package: UQFN88MV0100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ361 ltr-e.pdf
LTR18EZPJ361
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 360 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE
Power (Watts): 1.5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0612 (1632 Metric)
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 360 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ361 ltr-e.pdf
LTR18EZPJ361
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: RES 360 OHM 5% 1.5W 1206 WIDE
Power (Watts): 1.5W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Wide 1206 (3216 Metric), 0612
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.126" W (1.60mm x 3.20mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0612 (1632 Metric)
Height - Seated (Max): 0.026" (0.65mm)
Resistance: 360 Ohms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.29 грн
40+8.00 грн
59+5.37 грн
100+4.31 грн
500+3.09 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPJ361 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 360 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SDR03EZPJ361 sdr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: HIGH ANTI-SURGE THICK FILM CHIP
Power (Watts): 0.3W
Tolerance: ±5%
Features: Automotive AEC-Q200, Pulse Withstanding
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0603
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 360 Ohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BD18333EUV-ME2 datasheet?p=BD18333EUV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD18333EUV-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 24CH LINEAR LED DRIVER EMBEDDED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 24
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output / Channel: 125mA
Internal Switch(s): No
Supplier Device Package: 48-HTSSOP-C
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 40V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+221.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
BD18333EUV-ME2 datasheet?p=BD18333EUV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD18333EUV-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 24CH LINEAR LED DRIVER EMBEDDED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFSOP (0.240", 6.10mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 24
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Output / Channel: 125mA
Internal Switch(s): No
Supplier Device Package: 48-HTSSOP-C
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 4.5V
Voltage - Supply (Max): 40V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.45 грн
10+350.19 грн
25+304.07 грн
100+236.41 грн
250+212.38 грн
500+199.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BD18364EFV-ME2 datasheet?p=BD18364EFV-M&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BD18364EFV-ME2
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 8CH INTERNAL BY-PASS SWITCH LED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 30-VSSOP (0.220", 5.60mm Width) Exposed Pad
Voltage - Output: 60V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 9
Frequency: 200kHz ~ 550kHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Current - Output / Channel: 800mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Down (Buck), Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: 30-HTSSOP-B
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 5.5V
Voltage - Supply (Max): 45V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 169 338 507 676 845 966 967 968 969 970 971 972 973 974 975 976 1014 1183 1352 1521 1690 1696  [ Наступна Сторінка >> ]