Результат пошуку "IRF2807" : 54
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 115
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 351
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 351
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 160
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 81
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 271
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 58
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF2807PBF Код товару: 88517
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Uds,V: 75 V Idd,A: 82 A Rds(on), Ohm: 13 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160 Монтаж: THT |
у наявності: 173 шт
126 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ 9 шт - РАДІОМАГ-Одеса 25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||
IRF2807 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF2807SPBF | IR |
![]() ![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRF2807STRL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807STRRPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF2807Z | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 71nC Kind of package: tube |
на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 2659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies |
![]() ![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF2807 | IR |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF2807PBF |
![]() |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF2807S-111 |
на замовлення 8250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF2807STRPBF | IR | 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF2807ZS | IR |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF2807ZS | IR |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF2807ZSTRLPBF | Infineon |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
NTE2912 | NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRF2807 Код товару: 23680
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 75 V Idd,A: 82 A Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF2807SPBF Код товару: 3880
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() Uds,V: 75 V Idd,A: 82 A Rds(on), Ohm: 13 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||||
IRF2807STRLPBF Код товару: 203787
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF2807Z Код товару: 46772
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() Корпус: TO-220 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF Код товару: 58174
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRF2807ZS Код товару: 186277
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
AUIRF2807 Код товару: 46389
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807PBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRF2807ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Gate charge: 71nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF2807STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IRF2807PBF Код товару: 88517
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 173 шт
126 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 45.00 грн |
10+ | 42.00 грн |
100+ | 37.50 грн |
IRF2807 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 43.15 грн |
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 146.08 грн |
10+ | 107.29 грн |
17+ | 53.64 грн |
46+ | 50.58 грн |
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 175.29 грн |
10+ | 133.70 грн |
17+ | 64.37 грн |
46+ | 60.69 грн |
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
115+ | 106.56 грн |
150+ | 81.34 грн |
166+ | 73.94 грн |
200+ | 66.43 грн |
500+ | 56.43 грн |
1000+ | 48.39 грн |
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
351+ | 87.03 грн |
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
351+ | 87.03 грн |
IRF2807SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 32.54 грн |
10+ | 26.98 грн |
100+ | 21.58 грн |
IRF2807STRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 56.34 грн |
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 57.89 грн |
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 62.56 грн |
IRF2807STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 78.54 грн |
10+ | 71.13 грн |
25+ | 66.55 грн |
100+ | 61.12 грн |
500+ | 54.33 грн |
1000+ | 50.10 грн |
IRF2807STRRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
160+ | 76.61 грн |
171+ | 71.67 грн |
179+ | 68.26 грн |
500+ | 63.20 грн |
1000+ | 56.20 грн |
IRF2807Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 86.30 грн |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 157.63 грн |
10+ | 106.29 грн |
21+ | 44.29 грн |
56+ | 41.84 грн |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
271+ | 112.86 грн |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
271+ | 112.86 грн |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
81+ | 151.29 грн |
133+ | 91.91 грн |
139+ | 87.85 грн |
200+ | 79.22 грн |
500+ | 71.10 грн |
1000+ | 59.54 грн |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
271+ | 112.86 грн |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 62.02 грн |
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
271+ | 112.86 грн |
IRF2807ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
58+ | 213.92 грн |
81+ | 152.11 грн |
100+ | 131.77 грн |
500+ | 101.18 грн |
IRF2807 | ![]() |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2807PBF |
![]() |
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2807STRPBF |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2807ZS |
![]() |
Виробник: IR
07+ TO-263
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2807ZS |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF2807ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
NTE2912 |
![]() |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 412.64 грн |
IRF2807 Код товару: 23680
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807SPBF Код товару: 3880
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 75.00 грн |
10+ | 68.00 грн |
IRF2807STRLPBF Код товару: 203787
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807Z Код товару: 46772
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807ZPBF Код товару: 58174
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807ZS Код товару: 186277
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIRF2807 Код товару: 46389
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807STRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807STRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF2807ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.16 грн |
10+ | 132.45 грн |
21+ | 53.15 грн |
56+ | 50.21 грн |
6250+ | 48.92 грн |
IRF2807STRRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.