Результат пошуку "2sd16" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2SD1616 (транзистор біполярний NPN) 2SD1616 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 32136 		Toshiba 2sd1616.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 160 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 1 А
h21: 600
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
1+13 грн
10+ 11 грн
2SD1641 2SD1641
Код товару: 79715 		Panasonic datasheet90ui03r9f98.pdf Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TOP-3
fT: 45 MHz
Uке, В: 55 V
Uкб, В: 55 V
Iк, А: 4 А
у наявності: 8 шт
1+27.5 грн
2SD1650 2SD1650
Код товару: 79716 		2sd165065.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PML
fT: 3 MHz
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 3,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
1+27 грн
2SD1658
Код товару: 79721 		Toshiba d836irtwye98nft7w784.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126IS
fT: 100 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 2 А
у наявності: 15 шт
1+44 грн
10+ 40 грн
2SD1681
Код товару: 79728 		Sanyo datasheet_2sd1681.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126ML
fT: 150 MHz
Uceo,V: 18 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 1,2 A
у наявності: 6 шт
1+40 грн
2SD1683
Код товару: 79734 		Sanyo 2sd1683_datasheat.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126ML
fT: 150 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 4 А
у наявності: 3 шт
1+50.5 грн
2SD1614-AZ 2SD1614-AZ Renesas Electronics Corporation NECCS02918-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1100+19.3 грн
Мінімальне замовлення: 1100
2SD1614-T1-AZ 2SD1614-T1-AZ Renesas Electronics Corporation RNCCS17987-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1082+19.3 грн
Мінімальне замовлення: 1082
2SD1616A-T-AZ 2SD1616A-T-AZ Renesas Electronics Corporation 2SD1616.pdf Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 749200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1015+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1015
2SD1618T-TD-E 2SD1618T-TD-E onsemi 2sd1618.pdf Description: TRANS NPN 15V 0.7A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 154850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1525+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1525
2SD1618T-TD-E 2SD1618T-TD-E ON Semiconductor 2sd1618.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 65
2SD1618T-TD-E ONSEMI ONSMS36408-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1618T-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 154850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1618T-TD-E 2SD1618T-TD-E ON Semiconductor 2sd1618.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1207+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 1207
2SD1619T-TD-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SD1619T-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2SD1619T-TD-E 2SD1619T-TD-E onsemi Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2664
2SD1619T-TD-E-FS Fairchild Semiconductor Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2664
2SD1619T-TD-E-SY 2SD1619T-TD-E-SY Sanyo Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2664
2SD1620-TD-E onsemi EN1719_D-2310830.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 10V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.22 грн
11+ 30.87 грн
100+ 21.12 грн
500+ 16.56 грн
1000+ 13.25 грн
2000+ 11.46 грн
10000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E onsemi en1719-d.html Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.82 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.96 грн
500+ 16.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1620-TD-E ONSEMI ONSMS36736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1620-TD-E 2SD1620-TD-E onsemi en1719-d.html Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1621T-TD-E ONSEMI 000345428.pdf Description: ONSEMI - 2SD1621T-TD-E - 2SD1621 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 25V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SD1621T-TD-E onsemi 000345428.pdf Description: BIP NPN 2A 25V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2SD1622T-TD-E ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - 2SD1622T-TD-E - 2SD1622 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2SD1622T-TD-E onsemi Description: BIP NPN 1A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 75769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2664
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E ONSEMI ONSMS36737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.05 грн
10+ 36.02 грн
100+ 25.06 грн
500+ 18.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E ONSEMI ONSMS36737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.95 грн
18+ 43.35 грн
100+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E onsemi EN1727_D-2310899.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.18 грн
10+ 40.08 грн
100+ 24.29 грн
500+ 18.91 грн
1000+ 15.32 грн
2000+ 13.04 грн
10000+ 12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SD1623S-TD-E ONSEMI ONSMS36737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD1623S-TD-E 2SD1623S-TD-E onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1623T-TD-E ONSEMI ONSMS36737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 369775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.52 грн
2000+ 12.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1623T-TD-E ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.44 грн
38+ 15.73 грн
100+ 15.02 грн
250+ 13.77 грн
500+ 13.09 грн
1000+ 11.27 грн
3000+ 10.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SD1623T-TD-E ON Semiconductor 2sb1123-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
707+16.94 грн
714+ 16.78 грн
721+ 16.61 грн
728+ 15.85 грн
1000+ 12.64 грн
3000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 707
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E onsemi EN1727_D-2310899.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.91 грн
10+ 34.76 грн
100+ 20.22 грн
500+ 16.63 грн
1000+ 13.46 грн
2000+ 11.46 грн
10000+ 10.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SD1623T-TD-E 2SD1623T-TD-E onsemi en1727-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.82 грн
10+ 31.63 грн
100+ 22.03 грн
500+ 16.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1624S-TD-E ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.81 грн
10+ 34.87 грн
100+ 24.12 грн
500+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1624S-TD-E ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
616+19.46 грн
622+ 19.26 грн
627+ 19.11 грн
633+ 18.25 грн
1000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 616
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.26 грн
27+ 28.8 грн
100+ 21.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SD1624S-TD-E ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+18.07 грн
100+ 17.25 грн
250+ 15.85 грн
500+ 15.06 грн
1000+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 33
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E onsemi EN2019_D-2310777.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.16 грн
10+ 31.75 грн
100+ 20.91 грн
500+ 18.36 грн
1000+ 15.94 грн
2000+ 15.11 грн
5000+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SD1624S-TD-H ONSEMI EN2019-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1624S-TD-H 2SD1624S-TD-H onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1489+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1489
2SD1624T-C-TD-E onsemi 2sd1624 Description: BIP NPN 3A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2SD1624T-C-TD-E ONSEMI product.do?id=2SD1624T-TD-H Description: ONSEMI - 2SD1624T-C-TD-E - 2SD1624 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 3A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-E ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.21 грн
21+ 37.16 грн
100+ 23.61 грн
500+ 18.33 грн
1000+ 12.08 грн
3000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SD1624T-TD-E ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-E onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.81 грн
10+ 34.87 грн
100+ 24.12 грн
500+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-E onsemi EN2019_D-2310777.pdf Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.65 грн
10+ 37.22 грн
100+ 23.4 грн
500+ 19.53 грн
1000+ 15.6 грн
2000+ 13.94 грн
5000+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-E ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.61 грн
500+ 18.33 грн
1000+ 12.08 грн
3000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-E onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1625-TD-E ONSEMI en2017b.pdf Description: ONSEMI - 2SD1625-TD-E - 2SD1625 - NPN 0.7A 50V DARLINGTON
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1625-TD-E onsemi en2017b.pdf Description: NPN 0.7A 50V DARLINGTON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1567+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SD1626-SCZ-TD-E ONSEMI ONSMS37267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1626-SCZ-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1626-SCZ-TD-E 2SD1626-SCZ-TD-E onsemi ONSMS37267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1402+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2SD1626-TD-E 2SD1626-TD-E onsemi ONSMS37267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 50V 1.5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
555+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 555
2SD1616 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 32136		 2sd1616.pdf
2SD1616 (транзистор біполярний NPN)
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 160 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 1 А
h21: 600
Монтаж: THT
у наявності: 29 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+13 грн
10+ 11 грн
2SD1641
Код товару: 79715		 datasheet90ui03r9f98.pdf
2SD1641
Виробник: Panasonic
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: TOP-3
fT: 45 MHz
Uке, В: 55 V
Uкб, В: 55 V
Iк, А: 4 А
у наявності: 8 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27.5 грн
2SD1650
Код товару: 79716		 2sd165065.pdf
2SD1650
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PML
fT: 3 MHz
Uceo,V: 800 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 3,5 A
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+27 грн
2SD1658
Код товару: 79721		 d836irtwye98nft7w784.pdf
Виробник: Toshiba
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126IS
fT: 100 MHz
Uceo,V: 60 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 2 А
у наявності: 15 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+44 грн
10+ 40 грн
2SD1681
Код товару: 79728		 datasheet_2sd1681.pdf
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126ML
fT: 150 MHz
Uceo,V: 18 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 1,2 A
у наявності: 6 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+40 грн
2SD1683
Код товару: 79734		 2sd1683_datasheat.pdf
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-126ML
fT: 150 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 4 А
у наявності: 3 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+50.5 грн
2SD1614-AZ NECCS02918-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SD1614-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1100+19.3 грн
Мінімальне замовлення: 1100
2SD1614-T1-AZ RNCCS17987-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SD1614-T1-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-62
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1082+19.3 грн
Мінімальне замовлення: 1082
2SD1616A-T-AZ 2SD1616.pdf
2SD1616A-T-AZ
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 749200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1015+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 1015
2SD1618T-TD-E 2sd1618.pdf
2SD1618T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 15V 0.7A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 154850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1525+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1525
2SD1618T-TD-E 2sd1618.pdf
2SD1618T-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 65
2SD1618T-TD-E ONSMS36408-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1618T-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 154850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1618T-TD-E 2sd1618.pdf
2SD1618T-TD-E
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1207+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 1207
2SD1619T-TD-E nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1619T-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+7.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2SD1619T-TD-E
2SD1619T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2664+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2664
2SD1619T-TD-E-FS
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2664+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2664
2SD1619T-TD-E-SY
2SD1619T-TD-E-SY
Виробник: Sanyo
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2664+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2664
2SD1620-TD-E EN1719_D-2310830.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 10V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.22 грн
11+ 30.87 грн
100+ 21.12 грн
500+ 16.56 грн
1000+ 13.25 грн
2000+ 11.46 грн
10000+ 10.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1620-TD-E en1719-d.html
2SD1620-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.82 грн
10+ 31.56 грн
100+ 21.96 грн
500+ 16.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1620-TD-E ONSMS36736-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1620-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1620-TD-E en1719-d.html
2SD1620-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 10V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 60mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 3A, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1621T-TD-E 000345428.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1621T-TD-E - 2SD1621 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 25V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SD1621T-TD-E 000345428.pdf
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 2A 25V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2SD1622T-TD-E nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1622T-TD-E - 2SD1622 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+7.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2SD1622T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 1A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 75769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2664+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 2664
2SD1623S-TD-E ONSMS36737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1623S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SD1623S-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.05 грн
10+ 36.02 грн
100+ 25.06 грн
500+ 18.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SD1623S-TD-E ONSMS36737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1623S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+51.95 грн
18+ 43.35 грн
100+ 29.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
2SD1623S-TD-E EN1727_D-2310899.pdf
2SD1623S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.18 грн
10+ 40.08 грн
100+ 24.29 грн
500+ 18.91 грн
1000+ 15.32 грн
2000+ 13.04 грн
10000+ 12.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SD1623S-TD-E ONSMS36737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD1623S-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1623T-TD-E ONSMS36737-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1623T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 369775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.52 грн
2000+ 12.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1623T-TD-E 2sb1123-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.44 грн
38+ 15.73 грн
100+ 15.02 грн
250+ 13.77 грн
500+ 13.09 грн
1000+ 11.27 грн
3000+ 10.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SD1623T-TD-E 2sb1123-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
707+16.94 грн
714+ 16.78 грн
721+ 16.61 грн
728+ 15.85 грн
1000+ 12.64 грн
3000+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 707
2SD1623T-TD-E EN1727_D-2310899.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.91 грн
10+ 34.76 грн
100+ 20.22 грн
500+ 16.63 грн
1000+ 13.46 грн
2000+ 11.46 грн
10000+ 10.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SD1623T-TD-E en1727-d.pdf
2SD1623T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.82 грн
10+ 31.63 грн
100+ 22.03 грн
500+ 16.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1624S-TD-E en2019-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD1624S-TD-E en2019-d.pdf
2SD1624S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.81 грн
10+ 34.87 грн
100+ 24.12 грн
500+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1624S-TD-E en2019-d.pdf
2SD1624S-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1624S-TD-E en2019-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
616+19.46 грн
622+ 19.26 грн
627+ 19.11 грн
633+ 18.25 грн
1000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 616
2SD1624S-TD-E ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1624S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+41.26 грн
27+ 28.8 грн
100+ 21.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SD1624S-TD-E en2019-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+18.07 грн
100+ 17.25 грн
250+ 15.85 грн
500+ 15.06 грн
1000+ 14.7 грн
Мінімальне замовлення: 33
2SD1624S-TD-E EN2019_D-2310777.pdf
2SD1624S-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.16 грн
10+ 31.75 грн
100+ 20.91 грн
500+ 18.36 грн
1000+ 15.94 грн
2000+ 15.11 грн
5000+ 14.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SD1624S-TD-E ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1624S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SD1624S-TD-H EN2019-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-H - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1624S-TD-H en2019-d.pdf
2SD1624S-TD-H
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1489+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1489
2SD1624T-C-TD-E 2sd1624
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 3A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1480+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2SD1624T-C-TD-E product.do?id=2SD1624T-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624T-C-TD-E - 2SD1624 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 3A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1624T-TD-E ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1624T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+45.21 грн
21+ 37.16 грн
100+ 23.61 грн
500+ 18.33 грн
1000+ 12.08 грн
3000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 18
2SD1624T-TD-E ONSMS36739-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1624T-TD-E en2019-d.pdf
2SD1624T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.81 грн
10+ 34.87 грн
100+ 24.12 грн
500+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1624T-TD-E EN2019_D-2310777.pdf
2SD1624T-TD-E
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+45.65 грн
10+ 37.22 грн
100+ 23.4 грн
500+ 19.53 грн
1000+ 15.6 грн
2000+ 13.94 грн
5000+ 13.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1624T-TD-E ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SD1624T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1624T-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.61 грн
500+ 18.33 грн
1000+ 12.08 грн
3000+ 11.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SD1624T-TD-E en2019-d.pdf
2SD1624T-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2SD1625-TD-E en2017b.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1625-TD-E - 2SD1625 - NPN 0.7A 50V DARLINGTON
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1625-TD-E en2017b.pdf
Виробник: onsemi
Description: NPN 0.7A 50V DARLINGTON
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1567+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 1567
2SD1626-SCZ-TD-E ONSMS37267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1626-SCZ-TD-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2SD1626-SCZ-TD-E ONSMS37267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SD1626-SCZ-TD-E
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1402+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1402
2SD1626-TD-E ONSMS37267-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2SD1626-TD-E
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 1.5A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
555+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 555
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]