Результат пошуку "IRF2807" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2807PBF IRF2807PBF
Код товару: 88517
Додати до обраних Обраний товар

IR irf2807pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 173 шт
126 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.72 грн
10+107.03 грн
17+53.51 грн
47+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.87 грн
10+133.37 грн
17+64.22 грн
47+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+106.30 грн
150+81.14 грн
166+73.76 грн
200+66.27 грн
500+56.29 грн
1000+48.27 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.90 грн
10+100.44 грн
100+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF IR irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 description Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+32.46 грн
10+26.91 грн
100+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL International Rectifier irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.53 грн
10+126.79 грн
50+107.85 грн
100+81.80 грн
250+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.80 грн
250+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+76.42 грн
171+71.50 грн
179+68.10 грн
500+63.04 грн
1000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.35 грн
10+70.96 грн
25+66.39 грн
100+60.97 грн
500+54.20 грн
1000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z International Rectifier irf2807z.pdf N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.25 грн
10+106.03 грн
21+44.19 грн
56+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.85 грн
10+94.68 грн
100+75.17 грн
500+63.38 грн
1000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+150.93 грн
133+91.69 грн
139+87.64 грн
200+79.03 грн
500+70.93 грн
1000+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 description Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.36 грн
10+116.36 грн
100+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF IRF2807ZSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+213.41 грн
81+151.74 грн
100+131.45 грн
500+100.94 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 IR description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S-111
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRPBF IR 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS IR irf2807z.pdf 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS IR irf2807z.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF Infineon irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807 AUIRF2807 International Rectifier IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+93.53 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2912 NTE2912 NTE Electronics nte2912.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807
Код товару: 23680
Додати до обраних Обраний товар

IR description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF IRF2807SPBF
Код товару: 3880
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z IRF2807Z
Код товару: 46772
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF
Код товару: 58174
Додати до обраних Обраний товар

irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 description Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS
Код товару: 186277
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807 AUIRF2807
Код товару: 46389
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807L IRF2807L Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S IRF2807S Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 description Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF IRF2807SPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 description Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL IRF2807STRL Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF
Код товару: 88517
Додати до обраних Обраний товар

irf2807pbf-datasheet.pdf
IRF2807PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 173 шт
126 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
25 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.72 грн
10+107.03 грн
17+53.51 грн
47+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.87 грн
10+133.37 грн
17+64.22 грн
47+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+106.30 грн
150+81.14 грн
166+73.76 грн
200+66.27 грн
500+56.29 грн
1000+48.27 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.90 грн
10+100.44 грн
100+82.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF description irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
9+32.46 грн
10+26.91 грн
100+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+56.20 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.53 грн
10+126.79 грн
50+107.85 грн
100+81.80 грн
250+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.80 грн
250+74.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+76.42 грн
171+71.50 грн
179+68.10 грн
500+63.04 грн
1000+56.06 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+78.35 грн
10+70.96 грн
25+66.39 грн
100+60.97 грн
500+54.20 грн
1000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z irf2807z.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807z.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.25 грн
10+106.03 грн
21+44.19 грн
56+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.85 грн
10+94.68 грн
100+75.17 грн
500+63.38 грн
1000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+150.93 грн
133+91.69 грн
139+87.64 грн
200+79.03 грн
500+70.93 грн
1000+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3270 pF @ 25 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.36 грн
10+116.36 грн
100+80.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+112.59 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF infineon-irf2807z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+213.41 грн
81+151.74 грн
100+131.45 грн
500+100.94 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S-111
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRPBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS irf2807z.pdf
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS irf2807z.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
Виробник: Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807 IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF2807
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+93.53 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2912 nte2912.pdf
NTE2912
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807
Код товару: 23680
Додати до обраних Обраний товар

description
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF
Код товару: 3880
Додати до обраних Обраний товар

description irf2807spbf-datasheet.pdf
IRF2807SPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z
Код товару: 46772
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf
IRF2807Z
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF
Код товару: 58174
Додати до обраних Обраний товар

description irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
IRF2807ZPBF
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS
Код товару: 186277
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807
Код товару: 46389
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390
AUIRF2807
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807L irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807L
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineon-irf2807-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S description irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807S
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF description irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]