Результат пошуку "IRF2807" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF2807PBF IRF2807PBF
Код товару: 88517
Додати до обраних Обраний товар

IR irf2807pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 150 шт
126 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+134.35 грн
10+105.80 грн
17+55.27 грн
47+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.22 грн
10+131.84 грн
17+66.32 грн
47+62.53 грн
1000+61.59 грн
5000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.00 грн
10+153.90 грн
100+90.98 грн
500+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+86.61 грн
500+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+155.42 грн
89+136.80 грн
133+91.47 грн
200+83.52 грн
500+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+104.69 грн
50+99.31 грн
100+95.96 грн
500+65.56 грн
1000+57.61 грн
2000+48.29 грн
5000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+97.40 грн
132+92.39 грн
137+89.28 грн
500+60.99 грн
1000+53.60 грн
2000+44.93 грн
5000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.75 грн
10+149.06 грн
25+72.99 грн
100+67.76 грн
500+51.92 грн
1000+49.65 грн
2000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+86.61 грн
500+77.95 грн
1000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL International Rectifier irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.70 грн
10+97.91 грн
20+47.37 грн
54+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.55 грн
2400+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF2807S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.97 грн
10+126.39 грн
100+75.65 грн
500+73.68 грн
800+53.13 грн
2400+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.68 грн
10+137.75 грн
50+118.19 грн
100+90.80 грн
250+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON 196751.pdf Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.80 грн
250+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.46 грн
2400+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+72.12 грн
11+68.17 грн
25+65.94 грн
100+61.79 грн
500+56.14 грн
1000+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+63.63 грн
198+61.54 грн
204+59.80 грн
500+56.59 грн
1000+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z International Rectifier irf2807z.pdf N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+175.16 грн
5+113.70 грн
10+100.27 грн
21+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+112.32 грн
500+101.09 грн
1000+93.22 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+112.32 грн
500+101.09 грн
1000+93.22 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+112.32 грн
500+101.09 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+112.32 грн
500+101.09 грн
1000+93.22 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.87 грн
10+137.75 грн
100+96.93 грн
500+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF Infineon Technologies irf2807zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+200.75 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 IR description 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 International Rectifier description Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2 IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S-111
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRPBF IR 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS IR irf2807z.pdf 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS IR irf2807z.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF Infineon irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRF2807STRLPBF Infineon Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+80.95 грн
10+69.80 грн
100+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2912 NTE2912 NTE Electronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8AFA8588040C1&compId=nte2912.pdf?ci_sign=dc63a440b4d49bab98047fe56e4967dfc5e59d78 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807
Код товару: 23680
Додати до обраних Обраний товар

IR description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF IRF2807SPBF
Код товару: 3880
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z IRF2807Z
Код товару: 46772
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF
Код товару: 58174
Додати до обраних Обраний товар

irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9 description Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS
Код товару: 186277
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807 AUIRF2807
Код товару: 46389
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390 Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 IRF2807 Infineon / IR description MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF Infineon Technologies infineonirf2807datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.44 грн
10+122.01 грн
20+56.85 грн
54+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Infineon Technologies irf2807s.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.19 грн
5+141.68 грн
10+120.33 грн
21+54.95 грн
56+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF
Код товару: 88517
Додати до обраних Обраний товар

irf2807pbf-datasheet.pdf
IRF2807PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 150 шт
126 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+45.00 грн
10+42.00 грн
100+37.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+134.35 грн
10+105.80 грн
17+55.27 грн
47+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.22 грн
10+131.84 грн
17+66.32 грн
47+62.53 грн
1000+61.59 грн
5000+60.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF INFN-S-A0012838377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+159.00 грн
10+153.90 грн
100+90.98 грн
500+61.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+86.61 грн
500+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+155.42 грн
89+136.80 грн
133+91.47 грн
200+83.52 грн
500+75.89 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+104.69 грн
50+99.31 грн
100+95.96 грн
500+65.56 грн
1000+57.61 грн
2000+48.29 грн
5000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 18576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+97.40 грн
132+92.39 грн
137+89.28 грн
500+60.99 грн
1000+53.60 грн
2000+44.93 грн
5000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.75 грн
10+149.06 грн
25+72.99 грн
100+67.76 грн
500+51.92 грн
1000+49.65 грн
2000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 8629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
351+86.61 грн
500+77.95 грн
1000+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRL irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF2807S; IRF2807STRL; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+57.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.70 грн
10+97.91 грн
20+47.37 грн
54+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.55 грн
2400+62.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF Infineon-IRF2807S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.97 грн
10+126.39 грн
100+75.65 грн
500+73.68 грн
800+53.13 грн
2400+51.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+217.68 грн
10+137.75 грн
50+118.19 грн
100+90.80 грн
250+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF 196751.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.80 грн
250+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.46 грн
2400+66.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+72.12 грн
11+68.17 грн
25+65.94 грн
100+61.79 грн
500+56.14 грн
1000+53.40 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+63.63 грн
198+61.54 грн
204+59.80 грн
500+56.59 грн
1000+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z irf2807z.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.16 грн
5+113.70 грн
10+100.27 грн
21+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+112.32 грн
500+101.09 грн
1000+93.22 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+112.32 грн
500+101.09 грн
1000+93.22 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+112.32 грн
500+101.09 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
271+112.32 грн
500+101.09 грн
1000+93.22 грн
Мінімальне замовлення: 271
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description INFN-S-A0012837630-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 89 A, 0.0094 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.87 грн
10+137.75 грн
100+96.93 грн
500+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807zpbf.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+200.75 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dea79e18f2
IRF2807PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807S-111
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRPBF
Виробник: IR
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS irf2807z.pdf
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS irf2807z.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZSTRLPBF irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
Виробник: Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.95 грн
10+69.80 грн
100+64.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTE2912 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9A8F8AFA8588040C1&compId=nte2912.pdf?ci_sign=dc63a440b4d49bab98047fe56e4967dfc5e59d78
NTE2912
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807
Код товару: 23680
Додати до обраних Обраний товар

description
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807SPBF
Код товару: 3880
Додати до обраних Обраний товар

description irf2807spbf-datasheet.pdf
IRF2807SPBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+75.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF
Код товару: 203787
Додати до обраних Обраний товар

irf2807spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355deafc518f4
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807Z
Код товару: 46772
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf
IRF2807Z
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Монтаж: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF
Код товару: 58174
Додати до обраних Обраний товар

description irf2807zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355debf4518f9
IRF2807ZPBF
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZS
Код товару: 186277
Додати до обраних Обраний товар

irf2807z.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2807
Код товару: 46389
Додати до обраних Обраний товар

IRSDS12020-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw auirf2807.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac228e1390
AUIRF2807
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807 description
IRF2807
Виробник: Infineon / IR
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF infineonirf2807datasheetv0101en.pdf
IRF2807PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.44 грн
10+122.01 грн
20+56.85 грн
54+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807s.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.19 грн
5+141.68 грн
10+120.33 грн
21+54.95 грн
56+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]